芯查查-电子信息产业数据引擎

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

市场 | 人工智能推动 2024 年收入创纪录，但汽车和工业领域仍面临困境

2024 年是半导体市场创纪录的一年，根据 Omdia 数据显示，半导体市场的年收入激增约 25%，达到 6830 亿美元。这一急剧增长归功于人工智能相关芯片的强劲需求，尤其是人工智能 GPU 中使用的高带宽内存（HBM），这使得内存领域的年增长率达到 74%。在经历了充满挑战的 2023 年之后，存储器的反弹帮助提升了整体市场。然而，这一创纪录的一年掩盖了整个行业的不均衡表现。数据处理部门增长强劲，而其他关键部门如汽车、消费和工业半导体在 2024 年却出现了收入下降。这些挣扎凸显了原本蓬勃发展的市场中的薄弱环节。人工智能和内存成就强劲的 2024 年在整个 2024 年，人工智能对半导体市场的影响一直占据主导地位，推动了创纪录的收入并重塑了行业动态。英伟达成为当之无愧的领导者，凭借其人工智能 GPU，过去几年的收入增长强劲，市场份额不断攀升。作为人工智能应用的重要组成部分，HBM 的销量也随之激增，大大提高了内存公司的收入。虽然 HBM 的增长速度超过了其他 DRAM 领域，但供需平衡的改善也促进了平均销售价格（ASP）的提高和整个内存市场的收入增长。工业领域面临连续第二年下滑工业半导体领域的衰退始于 2023 年，在 2024 年进一步加深，给专注于这一领域的公司带来了挑战。“从历史上看，工业半导体市场每年增长约6%，然而，在经历了2021年和2022年两年高于平均水平的增长后，2024年半导体市场收入出现了两位数的下滑。” Omdia 首席分析师 Cliff Leimbach 说：“需求减少加上库存调整使 2024 年成为工业领域困难的一年。在这一领域拥有大量业务的公司的市场份额排名也因此下滑。” 汽车市场停滞不前虽然汽车半导体市场的表现好于工业领域，但它在 2024 年也经历了收入下滑。从 2020 年到 2023 年，汽车半导体市场的规模几乎翻了一番，远远超过了 10% 的历史平均年增长率。需求疲软导致 2024 年出现萎缩，打破了近年来市场稳步上升的轨迹。英伟达荣登榜首，市场排名发生变化英伟达在人工智能驱动的GPU领域的主导地位，使其在半导体公司收入排名中跃居首位，超过了 2023 年排名第一的三星。强劲的内存市场也重塑了排行榜，三星、SK 海力士和美光都跻身收入最大的七家半导体公司之列。与 2023 年的排名相比，这些公司的排名都至少上升了一位，这标志着与前一年的排名相比发生了重大变化，当时这些公司分布在前十一位。

AI

Omdia . 2025-04-02 950
技术 | TI 超小型 M0+ MCU 封装为您的设计提供更多可能性

随着电路和系统设计尺寸越来越小，工程师为自己的设计选择合适的器件变得非常困难。在许多不同的应用（例如耳塞、温度计、可穿戴设备、触控笔、便携式传感器）以及其他空间关键型应用中，您需要购买一款恰如所需的器件并允许在不增加电路板尺寸的情况下添加更多功能。为应对这一挑战，德州仪器 (TI) 提供了相应设计，在产品系列 MSPM0C110x 中推出了超小型微控制器 (MCU)，该 MCU 具有 8 个引脚（对于 WSON-DSG 封装），尺寸仅为 2mm x 2mm。MSPM0C MCU 基于 32 位 Arm® Cortex®-M0+ 内核，并提供高度集成的外设、低功耗模式和小封装尺寸。更多可能性：尺寸德州仪器 (TI) 投资优化了封装产品，旨在提供灵活的选项，助力您创建更高效的设计。例如，MSPM0C 的 WSON 封装比常见的 8 引脚 SOIC 封装小 7.35 倍。图 1：SOIC 和 WSON 之间的尺寸比较 MSPM0C110x 采用 8 引脚 WSON 封装，其中包含多达 6 个 IO，支持工程师无缝连接各种传感器、执行器和外设，因此是各种应用的理想选择。借助 MSPM0C110x 经优化的 IO，设计人员能够在不受接口限制的情况下进行创新设计。例如，在设计时尚的触控笔时，工程师可以针对受限的 PCB 尺寸来选择外形小巧的 MCU。MCU 的紧凑尺寸可确保高效利用有限的布板空间。除了整体尺寸外，MSPM0C MCU 还具有高精度内部振荡器，无需外部晶体。MSP WSON 8 引脚封装的 Z 高度仅为 0.8mm，远小于 SOIC 8 引脚封装的高度（近 2mm）。这些因素共同为实现低成本空间敏感型设计提供助力。更多可能性：特性该产品系列易于使用，可作为功率监测器、计时器控制器、I/O 扩展器、辅助控制功能、传感器读取器、协议传输工具等引入系统。这些选项不受限制。尽管外形紧凑，MSPM0C110x 的功能却丝毫不受影响。MSPM0C110x 器件基于增强型 Arm® Cortex®-M0+ 内核平台，工作频率高达 24MHz，可提供高达 16KB 的嵌入式闪存和 1KB 的 SRAM。这款小型器件具有许多高级特性，能够为不同用例提供优势。表 1：采用 WSON 封装的 MSPM0C110x 器件型号在电动牙刷和剃须刀等许多应用中，ADC 必不可少。该小型 2mm x 2mm MCU 不再采用占用布板空间的分立式器件设计，而是采用集成式 12 位 1.5Msps ADC 来准确监测系统的电池电源电压，因此对功能不造成限制。更多可能性：引脚对引脚兼容该 MSPM0C110x 系列还与其他器件以及竞争器件引脚对引脚兼容。设计人员可以使用我们的简单迁移工具，通过复制和粘贴头文件并转换基本外设，将应用代码从现有代码移植到 MSP 平台。借助这种硬件和软件兼容性，可加快您的开发速度并缩短开发时间。结语这些 MCU 尺寸可能非常小，但由于器件具有 -40°C 至 125°C 的额定工作温度，因此在任何环境下都能提供稳健的性能。您可以立即开始使用我们 TI.com 上的器件并评估我们的 LaunchPad，实现您的小尺寸低成本设计。随着我们步入由高空间利用率器件所定义的新时代，MSPM0C110x 致力于助力工程师打造更小型、更智能的产品。

TI

德州仪器 . 2025-04-02 700
产品 | 宽频带、3225尺寸车载PoC电感器

株式会社村田制作所完成了3225尺寸车载PoC电感器LQW32FT_2H系列的商品化。本产品已从2025年1月起开始批量生产。近年来，随着先进驾驶辅助系统（ADAS）的普及，高清车载摄像头的安装数量不断增加。在使用差动数据传输标准（LVDS，Low Voltage Differential Signal）传输的车载摄像系统中，大多采用将信号和电源重叠到1根同轴电缆的高速接口PoC（Power Over Coax）。 PoC电路除了通过电路处理单元处理宽带信号外，还需要在宽带中维持高阻抗以分离信号和电源，因此通常使用多个电感器。鉴于此，村田通过采用自主研发的陶瓷材料和产品结构来实现高阻抗，从而减少了PoC电感器的使用量。电感器使用空间的缩减，有助于实现终端设备的小型化和轻量化。主要规格产品名称 LQW32FT_2H系列尺寸（mm） 3.2×2.5×2.3 电感值 22μＨ工作温度范围 -40～125℃ 其它符合AEC-Q200标准 * AEC-Q200是AEC (Automotive Electronics Council，汽车电子协会）制定的一项标准村田今后也将继续开发满足市场需求的产品，为汽车的高性能化和高功能化作出贡献。

村田

Murata村田中国 . 2025-04-02 530
技术 | 英飞凌Pre-driver家族又添新成员：BGAP3D30H

英飞凌运用其先进的SiGe工艺，推出了第三代高性能Pre-driver 产品BGAP3D30H。该产品主要用于RF Transceiver 和PA之间，具有高增益，高线性度，线性度可调和外围匹配简单等特点。其主要参数如下表：高增益上图为高低温实际测试结果。常温25℃增益，3.6GHz，典型值可达到40.1dB。高温115℃增益，边缘频点，也可达到38dB。在3.1~4.2GHz带宽内，增益平坦度<1dB。在-40℃~+115温度范围内，增益变化量约为±1dB。高输出功率输出功率1dB压缩点，常温，3.6GHz可达到31.4dBm。高温115℃，4.2GHz，也可以达到29dBm。高线性度 20MHz 测试信号，输出功率18dBm, 3.6GHz, 开环ACLR可达约-57dBc。 100MHz 测试信号，输出功率18dBm, 3.6GHz, 开环ACLR可达约-51dBc。线性度可调功能对于pre-driver来讲，更好的ACLR表现和更低的功耗是一对矛盾的指标。BGAP3D30H通过一颗外部电阻，提供了线性度可调功能。用户可根据自身具体需求，可将静态电流在±20% 范围内灵活调节。上图为高温115℃条件下，ACLR指标测试结果，外部电阻取16k~24k欧姆范围。上图为高温115℃，增益，功耗，AM-AM曲线的测试结果，外部电阻取16k~24k欧姆范围。外围匹配简单 BGAP3D30H外围电路非常简单，总计只需要5颗器件。如上图所示， VCC1和VCC2 仅各需2颗电源滤波电容，1颗外部电阻用于调节线性度性能，无射频匹配元件。结语英飞凌是全球领先的半导体科技公司，致力于打造一个更加便利、安全和环保的世界。我们提供全面的半导体解决方案，实现高效的能源管理、智能出行以及安全、无线通信，连接现实与数字世界。

英飞凌

英飞凌官微 . 2025-04-02 1 720
技术 | SiC JFET Cascode应用指南完整版：Cascode结构和开关特性

碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅MOSFET以 Cascode 配置结合在一起，构造出一个常关开关模式“FET”，这种结构保留了大部分SiC JFET的优点。第一篇介绍了Cascode结构，本文为第二篇，将介绍Cascode开关特性。 Cascode开关特性 ☑ 硬开关大多数 Cascode结构的关断损耗（Eoff）低于开通损耗（Eon）。这一特性在数据手册的开关损耗与电流关系图中明显体现，如图3(a)所示。 Cascode结构的固有开关速度主要由JFET电容及其片上栅极电阻决定，这些参数通过设计进行调整使总开关损耗具有竞争力：Etotal= Eoff+ Eon。应用 Cascode的主要目的是减慢关断速度，以抑制电压过冲和振铃。因此，理解 Cascode的电容特性非常重要。图1展示了一个带有感性负载的 Cascode在关断时的情况。图中标注了其输出电容（等于JFET的栅漏电容）、片上JFET栅极电阻，以及SiC JFET与Si MOSFET。图 1 带缓冲电路的Cascode关断情况图 1 中的实线箭头表示 Cascode 导通时流经感性负载和 Cascode 的电流。当 Cascode关断时，它变为电阻特性，随着 Cascode漏极-源极电压的增加，电流转向输出电容和 JFET 栅极电阻。由于缺乏栅极-漏极电容，只有负载电流会对 Cascode 输出电容充电； Cascode栅极不会强制流过电流。这使得 Cascode的栅极电荷较低，并且不受 dV/dt 感应（寄生）导通的影响，这些都是 Cascode的吸引人之处。然而，这也对开关速度控制提出了挑战：由于 Cascode输出电容的充电过程不涉及栅极电流，调整 Cascode栅极电阻无法直接调节开关电压压摆率（dV/dt）。栅极电阻可以调整 Cascode MOSFET 的开关速度，从而可以间接调整开关电流压摆率 di/dt。 (这只是一种简化的解释，因为如果 Cascode栅极电阻足够大，dV/dt 就可以调节，但这样开关延迟时间就会过长）。由于 Cascode的关断速度相对于导通速度更快（见图 3(a)），建议在硬开关应用中使用关断缓冲电路，通常采用电阻电容 (RC) 缓冲器的形式，连接在漏极和源极之间。该设计通过增加外部可调的输出电容和阻尼电阻，对 Cascode结构的固定输出电容进行补偿。图 1 显示了关断期间从 Cascode分流出的额外电流，从而降低了 Cascode的 dV/dt 和 di/dt。这种方式有效弥补了仅通过栅极电阻调节开关速度的局限性。图2：在硬导通过程中，存储在输出电容Coss及部分缓冲电容中的能量会在 Cascode中耗散。在图 2 中，输出电容加上额外的缓冲电容由漏极-源极电容表示。在导通过程中，存储在输出电容Coss及部分缓冲电容中的能量会在 Cascode中耗散。缓冲电容的剩余能量则耗散在缓冲电阻中（如果安装的话）。不过，这只会导致总开关损耗略有增加。图 3 UJ4SC075005L8S 的 (a) 开关损耗与电流的关系，以及 (b) 缓冲电阻能量与电流的关系图8(a)展示了UJ4SC075005L8S Cascode在硬开关条件下的损耗与电流的关系。从图中可以看出，导通时的开关损耗显著高于关断时的损耗，这是许多 Cascode器件的典型特征。图8(b)则显示了相同器件对应的缓冲电阻的能量损耗。总的缓冲损耗占总硬开关损耗的3%到5%。需要注意的是，如果没有缓冲电路，通常会出现过多的关断电压过冲和振铃现象。使用缓冲电路后，无论是导通还是关断，Cascode的VDS（漏源电压）、VGS（栅源电压）以及ID（漏极电流）波形都会受到抑制。实践证明，缓冲电路是调节 Cascode开关特性的最有效方法。相比于没有缓冲电路且增加栅极电阻的情况，使用缓冲电路并减少栅极电阻能够降低总开关损耗。SiC JFET Cascode和许多 SiC MOSFET 都是如此。 ☑ 软开关软开关通常包括零电压开关（ZVS），这是由于 FET 在反向电流流过之后才导通，从而使漏极-源极电压几乎为零。图 4 Coss和缓冲电路电容中存储的能量在 ZVS 导通时被回收利用在图4(a)中，右下侧的 Cascode 正在关断，而右上侧的 Cascode 开始续流（freewheel）。此时，漏源电荷从右上侧 Cascode 循环到负载。类似地，在图4(b)中，左上侧的 Cascode 正在关断，而左下侧的 Cascode 开始续流，漏源电荷从左下侧 Cascode 循环到输入端和负载。因此，在零电压开关（ZVS）条件下，不仅消除了导通开关损耗，还因回收了存储在输出电容（Coss）和缓冲电容（若存在）中的能量，从而降低了关断损耗。若电路中包含缓冲电阻，缓冲电容中的部分能量当然会在缓冲电阻中耗散。若无缓冲电路，软开关与硬开关的关断损耗（Eoff）差异即为硬开关的Eoff减去Eoss。对于高速开关器件而言，这一差值通常很小。凭借快速的关断速度、灵活的栅极驱动特性以及低 RDS.Coss（SiC JFET 的低 RDS.A）相结合， Cascode 在软开关应用中展现出显著优势。根据电路中其他地方的缓冲情况（例如变压器和/或输出整流器两端），即使在 ZVS 导通的情况下，仍可能需要为 Cascode配置漏源电容以实现关断缓冲。若电路工作在非谐振模式且硬开关状态，则在缓冲电容上串联一个阻尼电阻可能有助于优化性能。 ☑ 开关过程中Cascode 的内部动态解析我们再次以图1中带有感性负载的 Cascode 关断过程为例，图 5重新绘制了这一过程，但包括了杂散电感。当 Cascode 中的MOSFET关断时，其电阻增大，漏源电压随之上升。实际上，除非 Cascode 的栅极电阻异常大， Cascode 的MOSFET在关断过程中都会发生雪崩击穿，将JFET的栅源电压钳位在-25 V。这对 JFET 来说是完全安全的，因其栅源雪崩电压远低于-25 V。对MOSFET而言亦无风险，因其设计可耐受大电流下的重复雪崩，且雪崩持续时间极短，能量低。此时，负载电流从 JFET 和 MOSFET 沟道分流，对输出电容（和缓冲电容）充电，直到电路中的其他器件续流电流。图 5 包括杂散电感和相关电容在内的Cascode Cascode 栅极电阻越小， Cascode的 MOSFET VDS上升越快，MOSFET 将 JFET VGS箝位在 -25 V 的时间越长。当 JFET VGS被箝位在 -25 V 时，即 MOSFET 处于雪崩状态时，JFET VGS与其阈值电压之间的差值最大。此时JFET 的抗噪声能力最强。当存储在杂散电感中的能量充分衰减，MOSFET 就会退出雪崩状态，此时通常会出现振铃。杂散电感主要存在于源极连接线和封装源极引脚中。雪崩结束后，随着JFET完成关断瞬态，MOSFET的VDS将稳定在接近JFET阈值电压的水平。若此时源极电感噪声过大，就会超过 JFET VGS与 JFET 阈值电压之间的差值，从而导致 JFET 误导通。 Cascode结构尤其受益于配备独立Kelvin源极引脚的封装设计。该设计通过消除栅极驱动回路中负载电流感应电压，有效抑制 Cascode栅极（即其内部MOSFET栅极）的振铃，进而降低内部JFET栅极的振铃。类似原理亦适用于导通过程： Cascode中MOSFET的快速导通可缩短其VDS接近JFET阈值电压的持续时间，从而提升抗噪声能力。 ☑ 续流后的恢复图6 续流 Cascode在“反向恢复”过程中的状态转换现在，让我们考虑一个如图 6（a）所示的续流 Cascode。即使MOSFET在死区时间内被栅极关断，续流 Cascode的 MOSFET 仍能保持 JFET 导通。电流需换向到另一个 Cascode（本例中为下方）并反向，上方 Cascode才能支持漏极-源极电压。续流 Cascode中JFET的栅源电压（VGS）必须从略高于正值转变为低于JFET阈值电压的负值。首先，续流 Cascode的 MOSFET 会经历真正的反向恢复，由于 30 V MOSFET 的少数载流子寿命很短，此过程速度极快且电荷量极小，如图 6(b) 所示。随后，与前述硬开关关断类似，MOSFET通常进入雪崩状态。JFET的VGS变化取决于其输出电容（栅漏电容）与片上栅极电阻。与此同时，电流继续流过续流 JFET 及其 MOSFET，直到 JFET 完成关断序列，如图 6（c）所示。其中只有一小部分电流来自续流 Cascode的 MOSFET 体二极管，大部分反向恢复电荷来自续流 Cascode中 JFET 关断时的电流。这种 Cascode反向恢复效应与温度无关，在很大程度上也与电流无关，因为它取决于 JFET 栅极-漏极电容和 JFET 栅极电阻。无论电流大小，恢复电荷都大致相同，这使得大电流下的开关波形看起来相当不错，但在小电流下会产生相对较高的 Eon。图 7 UF4SC120023K4S（1200 V、23 mΩ第四代 Cascode器件）的开关损耗-电流关系曲线 Cascode器件数据手册中呈现的Eon与电流曲线偏移（基于感性负载硬开关半桥测试数据）直观体现了这一反向恢复效应。图 7 显示了一个通过推断得到的 Eon曲线的示例，若能在接近零电流条件下测量Eon，其值几乎完全由续流 Cascode的反向恢复过程引起的。 ☑ Cascode 的权衡 SiC JFET Cascode 结构与 SiC MOSFET 的权衡因素截然不同。在 SiC 上制造 MOS 栅极的挑战与 Cascode 结构无关。 Cascode结构的基本权衡因素在于反向恢复电荷效应及其相关的硬开关导通损耗与关断时的电压过冲、以及易产生振铃和振荡之间的平衡。调节这一权衡的主要“调节点”是 Cascode 中 JFET 的栅极电阻，但由于其封装在器件内部而无法调整，因此需依赖外部缓冲电路和栅极电阻来调节开关。较高的 JFET 栅极电阻会减慢 Cascode 开关压摆率，从而使器件更易于使用，但代价是较高的反向恢复电荷和硬开关导通损耗。 Gen3 "UJ3 "系列器件提供了这种选择，其内部 JFET 栅极电阻高于安森美（onsemi）所有其他 Cascode产品。UJ3 系列尤其适用于软开关及低频应用场景。而安森美第三代 "UF3" 系列及所有第四代 Cascode 产品则专门进行了优化以实现行业领先的总开关损耗，同时具有更高的开关压摆率。结语 Cascode 配置是在开关模式应用中利用常开型SiC JFET的低RDS.A的一种方法。灵活的栅极驱动、快速关断以及低RDS. Coss使得 Cascode 在软开关应用中表现出色。没有栅漏电容带来了低栅极电荷，但同时也限制了栅极电阻对开关速度的控制，因此 Cascode可利用缓冲电路来调节固有的快速关断速度。 Cascode硬开关反向恢复效应在很大程度上与温度和电流无关。使用Kelvin源连接和尽可能小的栅极电阻时， Cascode 工作效果最佳。可提供用户指南、应用笔记、视频、仿真文件、免费在线仿真工具和计算器软件以及专业的技术支持。

安森美

安森美 . 2025-04-02 1 895
软件 | 先楫半导体HPM_SDK v1.9.0 发布

下载地址 https://resource.hpmicro.com/sdk_env_v1.9.0.zip 版本更新概况 [New] 增加HPM6P00系列MCU以及hpm6p00evk支持 [New] 增加了开发板已知问题说明 [Update] 将全系列开发板VCore电压调节至1.275V，HPM6750系列开发板主频设成816MHz，HPM6300系列开发板主频设成648MHz。 [Update] 支持了Cache Maintenance API可重入，取消了Cache Maintenance时关闭全局中断。 [Update] 更新了MCAN驱动，将静态AHB_SRAM占用改为动态申请,在减少对AHB_SRAM占用的同时提供了更大的灵活性。 1、新增/更新的中间件(Middleware) [Update] CherryUSB CherryUSB版本由v1.4.2更新至v1.4.3 [Update] rtthread-nano rtthread-nano版本由v3.1.5更新至v4.1.1 [Update] mhd_wifi 修复长时间测试底层驱动报超时错误的问题 [Update] LVGL 支持90, 180, 270度旋转 2、新增/更新的组件(Components) [New]hpm_jpeg 新增hpm_jpeg组件，支持直接buffer模式和自动分配模式，并且自动维护cache，极大简化应用编程 [Update] hpm_panel 支持HPM6800双屏异显，可同时驱动两路lvds、两路mipi、或者单路lvds和单路mipi 3、Samples改动 [New] Cherryusb WebUSB 新增了CherryUSB WebUSB示例 [New] BGPR Retention 新增了BGPR Retention示例 [New] PWMv2 samples 新增了PWMv2同步、移相、比较点触发、固定占空比修改频率四种场景的示例 [New] SENT samples 新增了SPI模拟SENT信号编码的示例，GPTMR解码SENT信号搬到了SENT samples [New] image/hpm_jpeg 新增了hpm_jpeg示例,展示hpm_jpeg组件的使用方法 [New] dual_panel 新增了dual_panel示例,展示hpm_panel组件双屏异显的使用方法 [Update]xpi_nor_api示例增加了面向xSPI通信接口的xpi_util驱动封装更多更新内容，请参考在线文档 https://hpm-sdk.readthedocs.io/en/latest/CHANGELOG.html 4、测试工具版本 ZCC 3.2.5, libnn/lindsp 3.2.5 Segger Embedded Studio 8.22a IAR workbench for RISC-V 3.30.1 5、已知问题 ZCC (3.2.5) 相关 lld在处理带NOLOAD属性section优化时会出现最终链接地址overlap的问题。 libnn 3.2.5: tpt_elementwise_add_s8输入参数符号错误, 将在工具链下个版本修复。 -具体可以参考 samples/tflm/face_obj 的Readme IAR Embedded Workbench相关可以从IAR官网购买或者下载试用版本（14天），调试方式目前仅支持I-jet调试（正与IAR沟通解决使用openocd gdbserver进行调试出现的问题）在工程开启优化可能导致程序运行异常使用EWRISCV集成的Andes toolchain，coremark分数低于使用Segger Embedded Studio集成的Andes Toolchain的结果常用链接 1、在线工具 hpm tools (pinmux & clock) 链接：https://tools.hpmicro.com/login 在线文档 hpm_sdk 在线文档中文：https://hpm-sdk-zh.readthedocs.io/zh-cn/latest/ English：https://hpm-sdk.readthedocs.io/en/latest/ knowledage base 链接：https://kb.hpmicro.com/ 代码仓库 sdk_env github：github.com/hpmicro/sdk_env gitee：https://gitee.com/hpmicro/sdk_env hpm_sdk github：github.com/hpmicro/hpm_sdk gitee：https://gitee.com/hpmicro/sdk_env riscv_openocd github：github.com/hpmicro/riscv-openocd (相对于上游版本，只添加了HPMicro MCU对应flash algorithm) riscv-gnu-toolchain releases (发布不同平台编译后的工具链) github：github.com/hpmicro/riscv-gnu-toolchain/releases 在使用过程中有任何疑问或者建议，欢迎在github对应项目中提交问题提交 sdk_env Issues 链接： github.com/hpmicro/sdk_env/issues hpm_sdk Issues 链接： github.com/hpmicro/hpm_sdk/issues 讨论区 hpm_sdk Discussions 链接： github.com/hpmicro/hpm_sdk/discussions sdk_env Discussions 链接： github.com/hpmicro/sdk_env/discussions

先楫半导体

先楫半导体HPMicro . 2025-04-02 1 680
IP | 芯原推出新一代集成AI的ISP9000图像信号处理器，赋能智能视觉应用

2025年4月2日，中国上海——芯原股份 (芯原，股票代码：688521.SH) 今日发布其ISP9000系列图像信号处理器 (ISP) IP——面向日益增长的智能视觉应用需求而打造的新一代AI ISP解决方案。ISP9000采用灵活的AI优化架构，提供卓越的图像质量，具备低延迟的多传感器管理能力，并与AI深度融合，是智能机器、监控摄像头和AI PC等应用的理想之选。凭借AI加持的ISP功能，芯原的ISP9000系列IP能够实现卓越的图像质量。其集成了先进的AI降噪 (AI NR) 算法，结合多尺度2D和3D噪声抑制及YUV域色度噪声抑制 (CNR)，形成了多域降噪架构，可有效减少噪声并保留细节，在极低光照环境下表现尤为出色。该系列IP支持三重曝光高动态范围 (HDR) 处理和动态范围压缩，并配备20比特流水线，能够保留高动态范围场景中明暗区域的关键细节。此外，ISP9000还集成了3A功能，即自动曝光、自动对焦和自动白平衡，支持至多25个感兴趣区域 (ROI) 配置，可实现AI辅助的目标检测与识别。用户还可以集成第三方3A库，为特定应用需求灵活定制3A算法。 ISP9000支持多传感器配置，并通过硬件加速的多上下文管理 (MCM) 和帧切片处理机制，实现高效的数据流切换，确保多传感器数据流的稳定性，具备低延迟和低成本的优势。它支持多达16个传感器，并集成芯原的VI200视频接口IP，以实现与主流MIPI Rx接口的无缝连接。ISP9000的可扩展多核架构支持高达8K@30fps和4K@120fps的高性能处理。通过芯原的FLEXA SBI接口，ISP9000可优化数据传输，高效连接视频编码器、神经网络处理单元 (NPU) 或显示处理器，从而形成优化的子系统解决方案。此外，为了进一步增强智能视觉功能，ISP9000配备了芯原AcuityPercept AI自动ISP调优系统。与传统的专注于人类感知图像质量的调优方式不同，AcuityPercept优化了ISP设置，以在AI/NPU路径中实现优质的目标识别性能，可适应特定的AI算法和应用需求。 “随着AI在各类设备中的广泛应用以及机器人技术的快速发展，市场对新一代ISP的需求持续增长，以满足不断演进的产品要求。”芯原首席战略官、执行副总裁、IP事业部总经理戴伟进表示，“除了提供高图像质量和低功耗外，新一代ISP还需高效支持多传感器，具备快速上下文切换和低延迟响应能力，同时优化输出以兼顾NPU处理和人眼视觉需求，并能与目标感知NPU协同实现自动调优。ISP9000的架构设计充分考虑了这些需求，并结合领先客户的反馈进行开发。通过深度融合AI技术，ISP9000在极低光照环境下实现了卓越的图像质量，超越了传统计算机视觉技术的能力。”

芯原

芯原VeriSilicon . 2025-04-02 1 745
产品 | 驱动未来，赋能工业自动化

在当今快速发展的工业自动化领域，精准的电机控制是实现高效、可靠设备运行的核心。作为领先的半导体解决方案提供商，圣邦微电子致力于为工程师和制造商提供高性能、高可靠性的电机驱动解决方案。今天，我们为您详细介绍三款旗舰级驱动芯片：SGM42540A、SGM42541A 和 SGM42544A。这三款驱动芯片凭借其宽泛的供电电压范围、强大的保护功能和简单的控制接口，在工业自动化领域展现出了卓越的性能。且它们在设计上各有侧重，能够满足从单电机驱动到复杂多电机系统的多样化需求。可靠、高效、易用圣邦微电子重视产品的可靠性和易用性。SGM42540A、SGM42541A 和 SGM42544A 在设计上继承了这些理念，具备以下共性：宽泛的供电电压范围三款驱动芯片均支持 8V 至 50V 的电机供电电压范围，SGM42544A 更是扩展至 55V。这种宽广的电压兼容性意味着无论您是开发小型便携设备，还是高功率工业机械，我们的芯片都能完美适配您的电源系统。全方位的保护机制我们深知工业环境的复杂性，因此三款芯片均配备了全面的保护功能，包括过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）和热关断（TSD）。这些功能不仅能够有效防止芯片在异常情况下受损，还能保障整个系统的稳定运行，延长设备使用寿命。简单易用的控制接口圣邦微电子始终致力于降低系统集成的复杂性。三款驱动芯片均采用并行数字控制接口，与行业标准设备无缝兼容。这意味着您无需复杂的编程或额外的适配器，即可快速实现电机的精准控制。符合环保理念的封装设计我们深知可持续发展的重要性，因此三款芯片均采用 TSSOP-28（Exposed Pad）封装。这种封装不仅散热性能出色，还符合环保标准，助力您的产品在性能和环保方面双达标。满足多样化需求尽管在核心特性上高度一致，但圣邦微电子的这三款驱动芯片在应用场景和功能细节上各有侧重。 SGM42540A：单H桥驱动，高电流输出的可靠伙伴单 H 桥设计：专注于驱动单个有刷直流电机，结构简单，易于集成。 5 位电流控制：支持 32 个限流档位，提供更广泛的电流调节范围，适合对电流精度要求较高的应用。高电流输出：在 24V 供电下，能够提供高达 5A 的峰值电流和 3.5A 的连续电流，电流输出能力强，适合高功率直流电机。 SGM42541A：双 H 桥驱动，复杂运动控制的理想选择双 H 桥设计：SGM42541A 内置两个H桥驱动器，能够同时驱动一个双极性步进电机或两个直流电机。这种双桥结构使其在需要多电机协同工作的应用中表现出色，如打印机、扫描仪和舞台/影视灯光设备等。 2 位电流控制：支持 4 个限流档位，可实现更精细的电机控制，满足不同负载需求。多种衰减模式：提供快速、慢速和混合衰减模式，可根据具体应用需求灵活选择，优化电机性能。 SGM42544A：四半桥驱动，灵活适配多种负载四半桥设计：提供四个半桥驱动通道，每个通道均可独立控制，能够驱动四个电磁阀、继电器、直流电机或其他感性负载。单/双极性电源支持：支持单电源或双极性电源（最高 ±27.5V），使其在电源配置上更加灵活，适用于更多应用场景。并联输出：支持输出并联，可实现更高的电流输出能力，满足大电流负载需求。应用场景推荐圣邦微电子的这三款驱动芯片凭借其卓越的性能和灵活的设计，能够满足各种工业自动化需求。 SGM42540A：适合单个直流电机驱动的应用，如银行点钞清分设备、按摩椅、小型工业机械等。其高电流输出能力能够满足高功率电机的需求，为您的设备提供强劲动力。 SGM42541A：适用于需要多电机协同工作的设备，如舞台灯光设备、打印机、工业机器人关节控制等。搭配 MCU 的控制，其双 H 桥设计能够精准实现复杂运动，是您实现步进电机控制的理想选择。 SGM42544A：在需要同时控制多个感性负载的场景中表现出色，如纺织机械、自动化生产线中的电磁阀控制、多电机驱动系统等。其灵活的电源配置和并联输出功能为系统设计提供了更大的自由度。结语作为领先的半导体解决方案提供商，圣邦微电子始终致力于为客户提供高性能、高可靠性的产品。无论您是从事机器人研发、工业设备制造还是自动化系统集成，圣邦微电子的这三款驱动芯片都是您实现高效、可靠电机控制的理想选择。选择圣邦微电子，让您的项目在性能和可靠性上更上一层楼！我们期待与您携手，共同推动工业自动化的发展，创造更加智能、高效的未来。

电机驱动

圣邦微电子 . 2025-04-02 2 865
企业 | 联电新加坡Fab12i晶圆厂扩建新厂开幕，预计2026年量产

中国台湾省晶圆代工厂联华电子（联电，UMC）4月1日在新加坡举行新加坡Fab 12i晶圆厂扩建新厂开幕典礼。该扩建新厂第一期总投资约50亿美元，预计2026年开始量产。据悉，Fab 12i将提供28/22nm节点制程，这是新加坡境内最先进的半导体晶圆代工制程。该项目第一期月产能规划为3万片，达产后Fab 12i晶圆厂的年整体产能将突破100万片12英寸晶圆大关。联电表示，此次扩建将在未来几年为当地创造约700个高科技人才就业岗位，并为未来投资计划预留第二期的空间。联华电子总经理简山杰表示，新厂的开幕象征着联电迈入新的里程碑，将使我们能更有效地满足未来芯片对于联网、汽车与人工智能持续创新的需求。同时，新加坡具有独特的地理位置，也将使这座新厂能协助客户强化供应链韧性。

晶圆代工

芯查查资讯 . 2025-04-02 720
展会 | SiC技术赋能AR眼镜新纪元半导体巨头竞逐千亿级AR生态市场

随着全球AI算力需求激增和消费电子场景革新，2025年成为“AI眼镜爆发元年”。在这一浪潮中，以碳化硅（SiC）为核心的第三代半导体企业异军突起，凭借其高导热、低能耗、耐高压等特性，成为AR/VR设备核心元器件供应商的“新宠”。据TrendForce最新报告显示，今年全球AI眼镜出货量预计突破1.2亿台，其中搭载SiC功率模块的设备占比超60%，推动相关企业市值年内平均增长87%。 SiC技术破局：从散热瓶颈到沉浸式体验飞跃传统AR眼镜长期受限于散热效率与续航能力，而SiC材料的引入正在改写行业规则。以中科汉韵、天岳先进为代表的国内SiC企业，通过纳米级沟槽栅极技术将器件开关损耗降低40%，成功适配8K Micro-OLED显示屏与全息投影模组需求。深圳某头部AR品牌实测数据显示，采用SiC方案的设备连续工作温度下降18℃，续航时间延长至12小时，助力户外工业巡检、医疗手术导航等专业场景落地。生态战升级：从硬件竞赛到操作系统争夺在微软HoloLens 3、苹果Vision Pro 2等国际品牌加速迭代的同时，华为、OPPO等国内厂商依托本土SiC供应链优势，推出适配中文AI语音助手的多模态交互眼镜。值得关注的是，咪鼠科技近日发布全球首款SiC+石墨烯复合散热方案的AI会议眼镜，其搭载的“动态唇语识别算法”在嘈杂环境下将语音转写准确率提升至98.7%，已获比亚迪、蔚来等车企智能座舱订单。行业风向标：SEMI-e第七届深圳国际半导体展“第三代半导体及功率器件主题专区” 为深化产业链协同创新，SEMI-e 2025立足行业前沿，着力打造宽禁带半导体及功率器件主题专区。该主题专区将综合呈现第三代半导体、第四代半导体、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件等核心产品与解决方案，为参展商与专业卖家提供技术交流与采购对接的高效平台。往届参与企业斯达半导体、捷捷微电、士兰微电子、新洁能、三安光电、安世半导体、扬杰电子、天科合达、泰科天润、奕斯伟硅片、上海超硅、中欣晶圆、中环领先、天岳先进、南砂晶圆、烁科晶体、天域半导体、同光股份、晶盛机电、GaNext镓未来、比亚迪半导体、方正微电子、优界科技、万年芯、爱仕特、爱思强、科友半导体、黄河旋风、纳设智能、乾晶半导体、晶镓半导体、陕西宇腾、致能科技、先导集团...... *仅为部分企业，排名不分先后 “AI眼镜正在重构人机交互的终极形态。”目前SEMI-e2025第三代半导体专题展区内已有部分展商涉及AR智能眼镜，SEMI-e组委会负责人表示，“这场由半导体材料革新驱动的产业革命，或将催生下一个万亿级市场。” 参会及技术交流可以扫下面二维码加入群聊。

semi-e

semi-e . 2025-04-01 690
产品丨高画质+小轻巧，户外直播的“便携式”场景革命！

强沉浸感、强互动性以及现场即时性，使得近年户外直播垂类越来越受到欢迎。根据艾瑞咨询的调研报告，用户对直播类型的喜爱度中，户外体验直播成为用户最喜爱的直播类型。户外直播突破了以往室内固定场景直播的空间限制，无论是直播旅游、探店、赛事还是运动健身等常规形式，还是带货、演艺等新型户外直播，都能给观众带来更加身临其境的体验，但由于场景的差异，户外直播相对传统室内直播，对直播设备与方案提出了更高的要求。高画质+小轻巧全都要户外直播创新方案户外直播日趋流行，如果将室内直播间的设备搬到室外，直播画质得到了保障，但直播间的设备数量多且繁杂。为了应对直播的用电需求，需要携带移动储能电源；高清直播需要稳定高速的网络支撑，因此需要增加一个5G MiFi；传统的无线麦克风采用蓝牙连接，难以实现一机多麦，限制直播的形式创新，而且在户外蓝牙信号稳定性不强，会导致音频卡顿、爆音甚至断连。繁杂的设备，意味着户外直播中高画质背后是昂贵的代价。为了便携，户外直播普遍采用手机作为直播设备，但在复杂光线下画面会受到限制，比如噪点多、色彩失真、曝光过度；受限于传感器/镜头性能和网络稳定性，画面层次感不强，而且一般分辨率都较低；同时手机容易出现过热导致视频掉帧，难以支持长时间高清视频户外直播。所以，户外直播目前在设备端就面临了两个选择，画质和便携只能选其一，无法兼顾。上海海思针对户外直播场景，提供从蜂窝网络到摄像机，再到无线传输的一整套便携直播套装解决方案——全球首款AI双目4K直播相机及便携式直播箱套装，解决高画质和便携化不可兼得的问题。 AI双目4K直播相机如何实现高集成户外直播方案？上海海思便携式直播套装是基于AI双目4K直播相机构建，包含直播推流主机平板、星闪麦克风、多网融合MiFi、支持6小时直播的移动电源、伸缩直播支架、补光灯等户外直播的关键设备。所有设备容纳在一个便携直播箱中，同时箱子也是直播支架以及直播操作台。在户外直播时可以快速部署进行开播，实现“打开直播箱卡口即开机，拉起支架即开播”。直播摄像机方案 AI双目4K直播相机是便携式直播套装中的核心设备之一，直播摄像机搭载了上海海思强大芯片算力支持的AI ISP视觉解决方案，基于领先的ISP架构，和多年深耕的对图像处理的丰富经验，通过异构双摄感知三维空间，将4K画质的色彩还原度、对比度、降噪、清晰度优化到单反级画质效果；将相位对焦PDAF方案引入直播摄像机，快速提升昏暗场景和焦点偏离时的对焦体验，对焦可从秒级提升到毫秒级；内置了自研神经网络加速模块，可以高效实现背景替换、背景虚化、绿幕抠图等直播常见应用。同时这款直播相机采用了云台+摄像头一体化的设计，集成度极高，机身小巧便携，在云台的支持下，提供“双4K”超高清画质的同时，还具备物理防抖能力，在户外直播需要走动或运动的场景下提供更高的画面稳定性。星闪鸿蒙音视频传输方案在便携式直播箱方案中，选择了星闪麦克风去解决连接稳定性问题。在麦克风应用上，星闪麦克风依靠高质量的无线传输能力，大幅提升语音质量和音频采样率、声道数等规格，同时低时延和抗干扰能力使得直播的收音更稳定，直播声画同步观看体验更好。而且基于星闪技术很容易实现一机多麦，多人直播也可以轻松开展。星闪技术具备的低功耗特点，还让无线麦克风拥有长续航能力，能够保证长时间户外直播的收音需求。另外，星闪技术与OpenHarmony结合，还能实现靠近发现、快速连接等功能，进一步改善设备连接时的便利体验。比如在便携直播套装中，直播相机与直播主机（平板）、星闪麦克风、补光灯等设备就可以通过OpenHarmony实现软件互通以及无缝连接配合，大大缩短部署所需时间。 MiFi方案 RedCap是面向物联网优化的轻量化高速蜂窝通信技术，具有低功耗、高性价比、广覆盖的特性，峰值上行速率可以达到110Mbps，能够满足4K高清直播的需求。同时户外场景的稳定高清直播，也需要可靠的信号覆盖，RedCap通过简化天线设计与功率优化，覆盖能力更强，功耗也更低，有效提高MiFi的续航，因而更加适合户外场景。上海海思提供巴龙无线RedCap端网协同方案，在户外直播场景中，能达成超高的上载速度，满足4K高清直播的同时，实现更广的联接、更低的功耗。同时针对便携直播的使用场景，未来搭载OpenHarmony系统的设备还能支持发现自动配网，进一步提高连接效率。上海海思户外直播的创新方案，利用AI ISP视觉解决方案，构建了视频直播的4K画质以及直播相机的小巧尺寸；星闪鸿蒙音视频传输方案和巴龙无线RedCap端网协同方案，解决了户外直播无线连接的不稳定、连接部署复杂等问题。在这些技术的支持下，未来将会出现更多创新的直播设备，降低户外直播门槛的同时，为观众提供更优质的直播观看体验。

海思

海思技术有限公司 . 2025-04-01 825
技术 | RZT2H CR52双核BOOT流程和例程代码分析

RZT2H是多核处理器，启动时，需要一个“主核”先启动，然后主核根据规则，加载和启动其他内核。本文以T2H内部的CR52双核为例，说明T2H多核启动流程。 LSI reset release时，其内置的BOOTROM总是从CR52_0开始执行，即我们可以把CR52_0定义为主核。如果系统配置为程序从External XSPI_FLASH 启动，BOOTROM首先根据存放在external Flash起始位置的Parameter中的定义，从Flash中加载Loader程序。 Parameters for the Loader：存放在External Memory区域的起始位置，存放着与程序加载相关的关键信息，如例如在各个启动模式下，启动期间的CPU缓存设置，用于与外部存储器通信的引导外设（xSPI或SDHI）的配置以及加载程序的size等等。 Parameters for Loader的结构如下：除了上述信息，其中DSET_ADDR_NML是跟多核启动相关的关键参数；该参数决定Loader Program的加载地址，而BOOTROM根据这个地址决定接下来在哪个核上，从哪个地址开始执行LOADER程序。这里补充一下T2H程序结构和基本加载启动流程： T2H平台，烧录到External Flash上的内容逻辑上分成3部分：上述的Parameter for Loader; Loader program; Application program; 启动时，BOOTROM根据Parameter for Loader从Flash加载Loader program到指定位置开始执行，然后Loader program再加载Application program并跳转执行。在T2H多核架构下（4xCA55+2xCR52）Loader parameter中的：DEST_ADDR_NML有2个可能的地址范围，即BTCM7或者7System SRAM：如果BOOTROM判断到加载地址是在BTCM中，那CR52_0继续执行（second boot CPU仍然是CR52_0），从加载地址开始执行LOADER PROGRAM，并完成整个启动流程。如果BOOTROM判断到加载地址是SYSTEM，系统会认为second boot CPU是CA55_0，BOOTROM 就会Reset release CA55_0，并把CR52_0转换到WFI状态，然后让CA55_0执行Loader program。以上介绍了在T2H多核系统中的主核First boot CPU和Second boot CPU的启动过程，但是其他的Core此时都还是在Reset 状态，等待 Second boot CPU为其加载程序和释放。接下来以52双核为例，说明CR52_0如何完成自身程序加载和加载并启动CR52_1的过程；在这个示例中，CR52_0用作Second boot CPU，以下步骤是CR52_0的Loader Program需要完成的工作：根据FSP时钟树，配置LSI的各个Clock；初始化Loader Program的Data段和BSS段；配置ADDRESS_EXPANDER_INIT： Address EXPANDER的作用是：通过映射的方法，使能32 bit Master访问4G area之外的地址空间，详见UM 13.4.5； TrustedZone 400初始化； COPY应用程序的PRG段/DATA段/BSS段，到相应的运行RAM空间。如果需要启动其他内核，则把其他内核的PRG/DATA，也COPY到对应RAM区域，然后Release目标内核；核间通信用到的信号量初始化； Master MPU初始化； GIC初始化和系统定义的中断的初始化配置； TFU初始化； Main（）跳转应用；其中步骤5中启动目标CPU（CR52_1）的步骤如下图：上述步骤中需要特别强调的地方：启动过程，需要从CR52_0访问CR52_1的ATCM空间。根据T2H的架构，这个访问只能通过AXI总线，且必须把CR52_1的ATCM region通过MPU配置为Device属性，并且只能使用LD和ST指令；对应到代码中，上面的7个步骤在函数SystemInit（）文件startup.c中都能找到对应的实现；重点说明函数bsp_cpu_reset_release（）该函数实现上述步骤的2，3，4，6，7；重点分析步骤6：代码段如下：这段代码完成的动作：把1st分支指令[inst]经AXIS接口复制到CR52_1 ATCM的起始地址（dst_cpu1:0x2100_000）; 复制跳转指令要用到的目标地址（addr）; 操作到的存储地址如图示：最后步骤7： CR52_1跳转到入口函数system_init，开始执行：以上，以双CR52 Core为例，说明了T2H多核系统的BOOT流程。

瑞萨

瑞萨嵌入式小百科 . 2025-04-01 590
产品 | 支持双向自动检测，思瑞浦发布4位或8位双向电平转换器

聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出三款4位或8位双向电平转换器。产品具有自动方向检测，宽电压范围，宽温度范围、高速传输等特点，兼容开漏（Open-Drain）和推挽（Push-Pull）输出类型，能够灵活适应不同的接口标准，广泛应用于服务器、路由器、个人电脑、汽车电子以及工业自动化设备等领域。 TPT20104/TPT20204/TPT20108产品优势双向自动检测支持双向电平转换，无需方向控制信号，自动检测数据传输方向。可以简化电路设计，减少外部控制电路，节约系统IO资源，提高系统可靠性。宽输入电压范围 VCCA支持1.65V至3.6V的宽电压范围，VCCB支持1.65V至5.5V的宽电压范围，可轻松实现1.8V、2.5V、3.3V和5V之间的电压转换。适用于多种电压域之间的信号转换，兼容性强。高ESD保护内置ESD保护电路，A端口可以支持±4000V人体模型（HBM）保护，B端口可以支持±8000V HBM保护，确保设备在恶劣环境下稳定运行，提高器件的可靠性和抗干扰能力。电源隔离功能当任意VCC输入为GND时，所有I/O引脚进入高阻抗状态，有效隔离电源故障。当OE引脚为低电平时，所有I/O引脚进入高阻抗状态，有效隔离两侧电路。隔断电流泄漏路径，增强系统稳定性。无上电时序要求 VCCA和VCCB无需特定的上电顺序，可以进一步简化系统设计，提高使用便利性。广泛的应用场景产品支持-40°C至125°C工作温度，可以满足工业、汽车领域应用。产品可提供多种封装选择，包括TSSOP20、TSSOP14、QFN14、QFN12，实现覆盖不同应用场景设计需求。 TPT20104/TPT20204/TPT20108产品特性 •电平转换类型：自动方向检测双向转换 •通道数量：4bit或8bit •输出类型：兼容Push-Pull以及Open-Drain •宽输入电压范围：VCCA支持1.65~3.6 V; VCCB支持1.65~5.5 V •宽工作温度范围：-40°C至125°C •使能控制：高电平有效 •产品选型速查表： TPT20104/TPT20204/TPT20108典型应用 TPT20104,TPT20204,TPT20108可用于各类混合电压系统中的双向电平转换，支持1.8V、2.5V、3.3V和5V等多种电平标准。凭借自动方向检测、宽电压范围、宽温度范围、高速传输等性能优势，思瑞浦双向电平转换器系列可实现不同电压域之间的无缝信号通信，为客户与市场提供具有竞争优势的电平转换解决方案。TPT20104典型应用原理图请参考下图。 TPT20104、TPT20204、TPT20108产品现已量产，可提供样品及评估板。

思瑞浦

思瑞浦3PEAK . 2025-04-01 545
智能驾驶 | 智能驾驶进入快车道，主控芯片参数对比

重点内容速览： 1. 国外主控芯片供应商及产品 2. 国内主控芯片产品近年来，新能源汽车发展提速，而智能驾驶成为了新能源汽车的核心竞争力。市场上的主流新能源汽车厂商开始将智能驾驶作为新的卖点来吸引消费者，比如比亚迪近期就宣布其全系车型将搭载“天神之眼”系统，吉利发布了覆盖其集团各品牌的“千里浩瀚”智驾平台，奇瑞推出了涵盖其全系列车型的“猎鹰智驾”智能化方案。可见，中国车企正在以平台化方案加速智能驾驶的普惠。另据行业机构调研显示，90%的用户愿意为高阶智能驾驶服务额外付费，其中30%的用户愿意支付1万元以上。因此，有业内人士预计，2025年底，高速NOA和城市NOA将普及，乘用车NOA渗透率或将达到20%以上。也就是说，目前汽车智能驾驶开始进入发展快车道，而智能驾驶的快速发展，必然会带动智能驾驶主控芯片需求的增加。目前，智能驾驶主控芯片有第三方供应商提供和车企自己设计两种方式。据IBS测算，车企设计一款7nm芯片的成本约为2.2亿美元，流片一次的成本约为5,000万美元。这对大部分的车企来说都是很大的挑战。因此，目前采取自主研发主控芯片的车企并不多见，仅有特斯拉、比亚迪、吉利、蔚来和小鹏等少数几家。其中特斯拉的硬件平台HW5.0有望在2025年下半年推出；蔚来在2024年7月完成了其5nm主控芯片神玑NX9031的流片，预计2025年Q1将首次搭载在ET9上；小鹏的主控芯片图灵芯片在2024年8月完成了流片，可支持L4级自动驾驶。而第三方供应商主要以国外供应商为主，比如NVIDIA、Mobileye、TI、瑞萨、高通等；近年来，国内供应商也开始崭露头角，比如地平线、华为、黑芝麻等。接下来就让芯查查带您一起了解一下这些主控芯片的异同。国外主控芯片供应商及产品在智能驾驶主控芯片方面，国外厂商很早就开始布局了，比如特斯拉最开始就采用了NVIDIA的主控芯片，然后才自己在2019年自研了HW3.0平台，后面在2023年推出了HW4.0平台，其HW5.0平台估计今年下半年会推出。而NVIDIA作为最早涉及智能驾驶的芯片厂商，他们在2018年推出了Parker SoC产品，随后在2020年推出了Xavier，采用了12nm制程，算力达到了30TOPS，2022年推出了 Orin N和Orin X ，采用了7nm制程，算力分别达到了84TOPS和254TOPS，这也是目前大部分车企采用的SoC；高通的骁龙Ride 8775、Ride 8650等芯片；TI和瑞萨主要针对L3级以下智能驾驶推出了相关的芯片和解决方案。拿NVIDIA的Orin X来说，该SoC芯片采用了7nm工艺，具有254TOPS性能，基于量产级车规级芯片构建，具有16个GMSL摄像头I/O接口、2x 10GbE、10x 1GbE、6x 100 MbE网络接口，以及DisplayPort 1.4等接口，集成了12核Arm Cortex-A78A内核，支持LPDDR5。具体信息可以到芯查查网站查询，如需购买也可以联系中电港。图：NVIDIA Orin系列芯片信息（来源：芯查查）据了解，小鹏、蔚来、上汽智己、理想、小米、比亚迪等多家车企采用了NVIDIA的Orin系列芯片作为其智能驾驶的主芯片。其下一代芯片Thor预计今年也会量产，Thor将会采用5nm制程制造，算力更是高达2,000TOPS。图：瑞萨R-Car-V3U信息（来源：芯查查）瑞萨针对智能驾驶汽车推出的 R-Car-V3U 是2023年推出的，据悉丰田和本田也参与该芯片的设计工作。根据其官网信息，该芯片采用了8核A76设计，使用了Arm的Corelink CCI-500，即Cache一致性互联。V3U 有很多硬核的计算机视觉模块，包括立体双目视差，稠密光流、CNN、DOF、STV、ACF 等。在计算机视觉功能方面，支持包括图像格式化、目标追踪、车道检测、自由空间深度、场景标注、语义分割、检测分类等模块。为了节约成本，降低功耗，同时也聚焦于车载应用需求，瑞萨没有使用太昂贵的 GPU，只是增加了一个低功耗 GPU，即Imagination的 PowerVR GE7400，1 个着色器集群+ 32个ALU核心。另外，考虑到成本因素，瑞萨也没有采用当时主流的7nm制程，而是采用了12nm制程。在2024年，瑞萨又推出了 V4H ，该芯片具有4核1.8 GHz Arm® Cortex®-A76内核，为ADAS/AD应用提供总计81kDMIPS的通用算力；三个锁步1.4GHz Arm Cortex-R52内核，提供25kDMIPS的总算力，以支持ASIL-D等级实时操作，而无需外部微控制器；以及专用深度学习和计算机视觉I/P，整体性能达34 TOPS，具有CAN、以太网AVB、TSN和FlexRay等专用车用接口。适用于L2+、L3级自动驾驶等应用场景。征程6系列则是地平线最新的智能驾驶解决方案的主控芯片，2024年发布，实现了从基础安全辅助到全场景高阶智能驾驶的无缝覆盖，目前已经获得超过20家车企及品牌的规模化定点，预计2025年会实现10款车型的量产交付。征程6系列共推出了6个版本，包括征程6B、征程6L、征程6E、征程6M、征程6H，以及征程6P，面向不同智能驾驶场景进行了计算方案的灵活配置，可提供兼顾性能与成本的多种解决方案。图：地平线征程6系列芯片（来源：地平线）黑芝麻智能的智能驾驶解决方案主控芯片分为两大系列，分别是专注于自动驾驶的华山系列和专注于跨域计算的武当系列。其中华山系列有A1000、A1000L、A1000Pro和A2000。A2000主要针对L3级及以上自动驾驶场景，算力超过250TOPS，支持全场景通识智驾。而武当系列SoC通过结合自动驾驶、智能座舱、车身控制及其他计算功能于一个SoC，可满足智能汽车跨域计算需求。比如其2023年推出的C1200系列就是这样一款跨域芯片。具体型号为武当C1236和武当C1296。C1236是单芯片NOA行泊一体芯片平台，集成了NOA域控的传感器接入、算法加速、线速数据转发的需求，助力客户实现NOA极致性价比；C1296则是支持多域融合的芯片平台，内置了安全隔离微处理器，使得驾、舱、泊系统一体化融合，通过软硬件结合的设计，实现了安全、成本和灵活性的平衡。图注：数据来源各公司官网，芯查查制图。结语 2025年将会是智能驾驶的普及之年，其主控芯片的算力也在不断提升，比如NVIDIA的Orin X是256TOPS，但下一代的Drive Thor将提升到2000TOPS；地平线的征程5系列是128TOPS，但征程6P达到了560TOPS；黑芝麻智能的A1000Pro是106TOPS，A2000提升到了250TOPS以上。虽然目前主流仍然是NVIDIA、TI、Mobileye、高通等海外厂商，但国内厂商的市场份额，随着国产新能源汽车的快速增长正逐步取得更多市场，特别是华为和地平线的智能驾驶解决方案越来越多地为市场所接受。据地平线的年报显示，2024年地平线全年自动驾驶产品交付量达到了290万套，累计交付了770万套。当然，除了上面提到的这些公司，还有不少其他智能驾驶主控芯片厂商，比如爱芯元智、寒武纪、芯擎科技、为旌科技、星宸科技、芯驰科技、后摩智能、酷芯、NXP、AMD、安霸、辉羲智能、新芯航途等也有智能驾驶主控芯片可供应。

汽车

芯查查资讯 . 2025-04-01 11 1 3215
企业 | ABF基板原料巨头味之素计划到2030年将半导体材料产能提升50%

3月31日消息，据日媒报道，味精与基板原料ABF膜巨头味之素计划在最近两年投资250亿日元（约合12.11亿元人民币）的基础上再在本十年内追加相同规模的资金，目标将半导体材料产能升五成。 ▲ ABF基板的原料ABF膜 ABF 由味之素旗下子公司味之素精细技术公司位于东京西北部的群马县和川崎市的工厂生产。该企业利用其在精细化工领域的经验制造了这种满足芯片行业对耐用、低热膨胀等要求的绝缘薄膜，目前在 GPU 与 CPU 所用 ABF 膜的市场占比超 95%。社长中村茂雄在接受媒体采访时表示：“随着需求的增加，到2030年，我们将投资相同或更多的金额。”他补充说：“我们还在探索建立新基地”，这表明重点将放在日本。味之素的功能性材料业务（包括 ABF）在截至2024年3月的财年中占其总营业利润的20%。该公司预计，今年功能性材料的利润将增长35%，达到372亿日元。而电子材料的销售额未来五年的年化增长率能超过10%。中村曾从事研究领域工作，于今年2月接任总裁一职，领导电子材料业务的发展和增长。他说：“我们预计，到2030年，以ABF为主的电子材料销售额将以每年超过10%的速度增长。我们将继续满足需求，将ABF改进为功能更强大的形式，以长期支持高性能半导体。” 味之素株式会社是日本一家食品制造商，以发明味精及制造各式增味剂著称。「味之素」也是其出产之味精的注册商标，一百多年前，东京帝国大学的池田菊名（Kikunae Ikeda）博士将一种叫做谷氨酸的氨基酸鉴定为他所谓的「鲜味」关键成分。因此，属于味之素的调味料诞生。从那时起，对氨基酸功能和特性的基础研究，就成为味之素的业务基础。味之素基于氨基酸研究开发了新产品，范围从调味料和加工食品到补品、药品、化妆品成分，甚至电子材料。味之素不只是食品商，还是世界第一的胺基酸生产商。根据日本媒体报导，味之素在食品、饲料、医药用等氨基酸市场中一直保持着很高的市场占有率，味之素集团在全球27个生产基地生产近20种氨基酸。凭借对氨基酸熟悉的优势，1996年味之素研发绝缘材料，正式进入电子材料行业。对味之素来说，半导体封装工序必需的绝缘材料最终会从油墨升级到薄膜，因此在1999年成功推出耐用且柔软、轻便且绝缘性极佳的ABF膜（Ajinomoto Build-up Film）。其实味之素开发ABF材料的基础，在1970年代就开始建立，当时生产味精的副产品需要找寻新产品应用，所以展开长达几十年的基础化学研究。 ABF薄膜（Ajinomoto Build-Up Film）是生产高效率半导体产品时，一种不可或缺的绝缘体材料。味之素推出并赢得第一批客户后，增长迅速，ABF薄膜材料在电脑CPU市场大放异彩。据悉，英特尔是首批客户，超微（AMD）也是客户之一。 ABF绝缘薄膜几乎占据全球所有主要PC市场百分百的份额，不仅如此，ABF薄膜也成为IC载板重要的基板材料之一。目前市面上最热门的高阶IC载板增层材料为ABF，而ABF主要的供应商皆为日本厂商如味之素、积水化工（Sekisui Chemical）。ABF增层材料有99%由日本味之素供应。随着手机、家用电脑、伺服器主机、汽车、5G相关通讯芯片快速发展，ABF占了极大的制造关键，如果现在没有ABF，几乎无法制造、封装，这也导致ABF封装材料交期不断延长，在材料和产业结构性缺货等多重因素作用下，ABF载板出现供不应求的局面。

ABF

芯查查资讯 . 2025-04-01 680
并购 | 格芯欲兼并联电

《日经亚洲》获悉，在美国努力缓解风险并抵御来自中国成熟芯片领域日益激烈的竞争之际，美国合约芯片制造商格芯（简称：GlobalFoundries）与中国台湾第二大芯片制造商联华电子股份（简称： UMC ）有限公司正在探索合并的可能性。根据《日经亚洲》看到的评估计划，GlobalFoundries 与 UMC 的合并将打造一家规模更大的美国公司，其生产业务遍及亚洲、美国和欧洲。该计划称，合并的目的是打造一家具有经济规模的公司，以确保在中国大陆和中国台湾之间的紧张局势加剧以及中国自主生产更多芯片的情况下，美国能够获得成熟的芯片。据评估，合并后的公司随后将在美国投资研发，最终可能成为全球最大芯片制造商中国台湾半导体制造公司的替代者。台积电在成熟芯片和尖端芯片市场都占有重要份额。两位消息人士向《日经亚洲》透露，GlobalFoundries 已与 UMC 就可能的合并进行了接触，美国和中国台湾的一些政府官员也知道这一谈判。其中一位消息人士表示，这两家芯片制造商大约两年前就讨论过可能的合作，但谈判没有取得进展。两位知情人士告诉《日经亚洲》，美国政府（无论是拜登政府还是特朗普政府）都曾尝试过各种方式鼓励中国台湾企业提高美国芯片产量。其中一位知情人士说，这些努力包括多次敦促联华电子在美国建造或购买现有的生产设施。联华电子此前排除了这个想法，称在美国经营工厂的成本太高。业内高管向《日经亚洲》透露，GlobalFoundries 与 UMC 的潜在交易可能会面临来自中国台湾和中国大陆的监管审查。此前，中国曾阻止英特尔收购以色列 Tower Semiconductor 以提高其在代工领域（即为外部客户生产芯片的业务）产能的计划。 GlobalFoundries 拒绝发表评论。台积电在美国额外投资1000亿美元，已引起公众对中国台湾旗舰芯片产业可能被削弱的担忧。无论结果如何，格芯与联华电子的谈判都凸显出美国希望降低对中国台湾的依赖，中国台湾是全球第二大芯片经济体（按收入计算）。根据行业协会 SEMI 的数据，截至 2023 年，在成熟芯片领域，中国中国台湾占据全球市场约 44% 的份额，而中国大陆占据 31%，美国占据约 5%。成熟芯片（即较老、较不先进的芯片）占全球半导体需求的 70% 以上，用于从基础设施到国防等各种关键领域。随着中国和中国台湾的关系紧张，美国越来越担心其获取尖端和成熟芯片的渠道。联华电子成立于 1980 年，是中国台湾第一家芯片制造商，但如今规模小于台积电。该公司在中国台湾拥有超过 15,000 名员工，全球员工总数约为 20,000 名，在中国台湾的旗舰半导体行业中发挥着至关重要的作用。该公司为许多顶级芯片开发商提供服务，包括高通、Nvidia、联发科、恩智浦和英飞凌。与台积电仍将中国台湾当局所有的NDF)视为其最大单一股东不同，联华电子唯一的政府相关主要投资者是劳工退休基金，根据其 2023 年年度报告，该基金持有该芯片制造商约 1.59% 的股份。 GlobalFoundries 总部位于美国，但其多数股权由阿布扎比主权基金穆巴达拉投资公司 (Mubadala Investment Co.) 持有。一位芯片高管向《日经亚洲》表示，美国政府不太可能全力支持一家非美国所有的芯片制造商。联华电子去年营收 2323 亿新台币（72.1 亿美元），利润 472 亿新台币，而格芯营收 67.5 亿美元，净亏损 2.65 亿美元。这两家公司在全球芯片代工市场各占约 5% 的份额。随着中国扩大生产规模，成熟芯片供应商面临越来越大的阻力。2024 年，中国顶级芯片制造商中芯国际的收入超过联电，成为全球第三大芯片代工厂。在大力支持和推动国产芯片生产的推动下，中芯国际的市值已超过恩智浦、英飞凌和意法半导体等欧洲领先芯片制造商，以及日本瑞萨电子和美国安森美半导体等主要公司。与此同时，台积电和日月光科技控股等一些顶级供应商正在放缓在日本和马来西亚的成熟芯片相关产能扩张。为了降低地缘政治风险，联华电子于 2024 年初与英特尔合作，共同开发用于各种应用的 12 纳米芯片，旨在吸引客户并于 2027 年开始在美国生产。联华电子则扩大了其在新加坡的业务，以实现制造业务多元化。联华电子首席财务官刘启东向《日经亚洲》透露，这家中国台湾芯片制造商目前没有进行任何合并交易，也不会回应有关 GlobalFoundries 等特定同行的行业信息。刘表示，联华电子与其运营所在地的所有政府都保持着良好的沟通，包括美国。他补充说，该公司在中国台湾、新加坡、中国和日本都有生产能力，并与美国顶级芯片制造商英特尔建立了合作伙伴关系。刘先生表示，公司将采用最高的公司治理标准来审查任何提案，以确保股东的最大利益。

格芯

芯查查资讯 . 2025-04-01 755
企业 | 意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议

❖ 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。 ❖ 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能。服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用的光明前景。此外，根据协议约定，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。双方共同的目标是依托这种灵活的供应链布局，拓展各自的氮化镓产品组合和市场供应能力，提升供应链韧性，从而满足更广泛的应用场景下的各种客户需求。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥IDM这一模式的优势，为全球客户创造价值。一方面，意法半导体将加速氮化镓功率技术部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合；另一方面，意法半导体也将通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。” 英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士表示：“氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。英诺赛科率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超10亿颗氮化镓器件，覆盖多领域市场。我们对于与意法半导体达成战略合作感到非常振奋。此次与意法半导体的战略合作将进一步扩大和加速氮化镓技术普及，双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术。” 氮化镓功率器件凭借其材料特性，为电源转换、运动控制与驱动系统树立了性能新标杆，可显著降低能耗、提升效率、缩小体积并减轻重量，从而降低整体方案的成本与碳足迹。目前，氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器领域迅速普及，并因其显著的轻量化优势，被积极应用于下一代电动汽车动力系统设计中。

ST

意法半导体中国 . 2025-04-01 660
参会邀约 | 电子元器件供应链出海论坛暨ECAS春茗交流大会

元器件

ECAS链接产业 . 2025-03-31 755
产品 | 普源精电RIGOL推出MHO2000系列高分辨率示波器

北京，2025年3月31日 —— 普源精电（RIGOL）推出MHO2000系列高分辨率数字示波器。MHO2000系列最高可达350MHz模拟带宽，拥有12 bit ADC，并集协议分析仪，逻辑分析仪，信号发生器等多种仪器功能于一体，是一款性能可靠的经济型高分辨率混合信号数字示波器，适用于医疗电子、电源、电力、汽车电子等领域的多种测试和分析任务。MHO2000系列以功能完整、性能强大的特点将显著降低用户多功能测试平台建设的复杂度和成本。 1. 超高分辨率，捕捉微小信号细节 MHO2000系列高分辨率数字示波器卓越的12bit垂直分辨率和高达4096级的量化精度，显著提升了测量精度。相比传统的8bit示波器，它能够提供达16倍的细腻度，能捕捉到波形中更微小的细节变化。无论是在电源纹波测试还是医疗设备检测等关键应用场景，最高可达200μV/div的垂直灵敏度，确保微小的信号也可以被精准捕捉。 2. 丰富的触发和解码功能，满足不同行业需求 MHO2000系列高分辨率数字示波器提供丰富的触发类型，含边沿、间隔、超时、视频、串行总线、区域触发等，可满足不同异常信号的触发和稳定捕捉。同时MHO2000系列支持 I2C、SPI、CAN、CAN-FD、FlexRay、I2S、MIL-STD-1553B、SENT等多种总线，可满足嵌入式、汽车、计算机等行业的总线测试需求。 3. 全系标配数字通道，稳定信号传输 MHO2000系列高分辨率数字示波器全系标配数字通道，配合PLA3204逻辑分析探头，助力面对模拟与数字混合信号调试的挑战。这一组合不仅能够实现深入的数字信号分析，还能帮助用户精确捕捉和分析复杂电路系统中的信号交互。无论是进行高级研发、故障排查或性能优化，都能确保客户以高效率和高精度完成任务，大幅提升项目成功率。 4. 内置函数发生器，支持多种进阶分析 MHO2000系列高分辨率数字示波器支持内置双通道信号发生器，具备16-bit分辨率，提供了高达50MHz的波形输出，包括正弦波、方波、三角波、脉冲波、噪声、直流以及多种内建任意波。可广泛应用于各种科学实验和工业控制领域，可以精简设备、优化成本，支持自校准及混合信号诊断等专业测试。 MHO2000系列示波器的2GSa/s 实时采样率与500Mpts深存储，实现5倍过采样率，有效避免波形失真，让实测波形更加真实可靠。此外，MHO2000系列还集成了数字示波器、频谱分析仪、信号发生器、协议分析仪和逻辑分析仪等多功能于一体，满足多种测试需求，减少设备空间占用，广泛应用于各类复杂测试场景。 MHO2000系列的推出，进一步丰富了普源精电在高分辨率示波器领域的产品矩阵，以差异化功能组合满足不同场景的多样化测量需求，彰显公司“以客户解决方案为中心”的理念。未来，普源精电将持续深耕测试测量技术，通过迭代创新产品与定制化解决方案，为全球客户提供更高效、更精准的测试支持，助力其在前沿领域实现技术突破与商业成功。

示波器

普源精电 . 2025-03-31 1 575
企业 | Wolfspeed市值蒸发超60%，濒临破产

碳化硅 (SiC) 芯片厂 Wolfspeed在3月28日股价暴跌约52%，跌至自1998年以来新低，这一剧烈跌幅发生在该公司任命新CEO后的第二天。投资人对该公司未来的资金流入感到担忧，特别是仍在等待美国《芯片法案》约7.5亿美元补助资金，而资金面临被撤回的风险，进一步加剧市场的悲观情绪。 Wolfspeed正在努力与投资者达成协议，为明年到期的5.75亿美元可转换债券进行再融资。 Wolfspeed今年迄今市值已蒸发逾60%。据Ortex估算，截至3月27日，约32.5%的Wolfspeed自由流通股处于卖空状态。卖空兴趣较高意味着市场预期股价将继续下跌。 Wolfspeed本周四宣布，资深芯片业界专家Robert Feurle将在5月1日担任新任CEO，接替去年11月被无故解雇的前CEO Gregg Lowe。 Feurle拥有德国和美国双重国籍，最近担任德国芯片制造商ams-OSRAM的高管，过去曾在美光工作。 Wolfspeed正面临来自汽车客户需求放缓的困境，这对获利能力造成压力。去年11月宣布关闭位于北卡罗来纳州Durham的50毫米设备制造厂，并计划裁撤20%的员工。此外，Wolfspeed还在等待美国《芯片法案》约7.5亿美元联邦资金补助。然而，美国总统川普本月早些时候表示，国会应该废除该法案，并将所得资金用于偿还国债。资深分析师表示，Wolfspeed的资金补贴原本是最高的未正式获批补贴，现在极有可能面临资金被撤回的风险。如果未能获得这笔资金，将对Wolfspeed造成毁灭性影响，并可能迫使公司进行大规模重组以保留现金。《芯片法案》对Wolfspeed来说至关重要，因为它将为加速碳化硅半导体的制造扩张提供必要的资金。 Wolfspeed的问题在于最大的碳化硅晶圆工厂生产混乱。晶圆供应不足导致位于纽约莫霍克谷的芯片工厂生产陷入停滞，迫使不得不依赖成本更高的老工厂。去年10月，Wolfspeed暂停了在德国投资30亿美元建造半导体工厂计划。

wolfspeed

芯查查资讯 . 2025-03-31 680