方案 | 数据中心的演变：了解ORV3浸没式冷却
伴随数据中心规模的日益扩大，算力需求不断增加，传统空气冷却方法愈发力不从心。浸没式冷却(将硬件浸入介质液体中)提供了更有效的热管理方法。然而，这种技术也带来了独特的挑战，特别是在材料兼容性、温升(T-rise)和互连设计等方面。 Molex莫仕近期进行了大量测试与研究，在ORV3浸没式液冷系统方面获得了重大突破，尤其是在优化功率分配和设计创新层面，对提升数据中心性能意义非凡。 管理浸没式冷却中的温升 了解和控制温升( T-rise)，对于浸没式冷却环境中的系统可靠性和硬件寿命至关重要。温升(T-rise)测量大功率组件运行时的温度上升，直接影响热稳定性和性能。 在ORV3设置中，温升( T-rise)受流体温度、电阻、互连布局以及流速等因素影响。通过调整流速、水箱尺寸和流体温度等参数，数据中心工程师能够有效地管理散热，减少组件应力并延长系统使用寿命。通过战略性的设计修改，如扩大水箱尺寸以改善热量分布等，可进一步优化冷却效率。 材料兼容性：确保长期可靠性 我们的浸没式专用测试框架整合了热学、电气、机械和环境评测等多维度考量，为工程师提供了实用指南，助力确保液冷系统的长期可靠性。这种全面的方法揭示了浸没式冷却独特的功能特性，是空气测试未能应对的范围。 金属 与无涂层的金属相比，有涂层的金属具备更强的耐腐蚀性。在特定部件上应用先进的抗腐蚀涂层，来延长连接器和互连器件的使用寿命，这在大功率浸没式环境中极为重要。例如，氧化是常见的失效因素，而具有强化学键的涂层可以阻挡流体引起的氧化。 塑料和电缆 在流体环境下，传统塑料经常出现膨胀、变形或开裂；而浸没等级塑料和电缆材料通常能保持结构完整性。经过测试的浸没等级电缆性能可保持良好，表明了选择经流体耐久性验证的相关材料可有效避免性能下降和计划外的维护。 热缩管 不同类型的热缩管(HST)在浸泡中的性能各不相同，有些热缩管能保持良好的性能，而有些则会出现性能下降。选择适用于浸没式应用的HST可以降低故障风险，提供长期稳定的性能。 同时，选择经过浸没测试的材料，还有助于减少数据中心维护需求和停机时间，同时在大功率环境中实现长期可靠的性能。 用于浸没式冷却系统的全新测试框架 基于空气的标准测试方法无法侦测浸没式冷却的应力。我们的研究深入了解浸没式冷却系统，融合了热、电、机械和环境评测的定制框架，以评测在多种条件下 的性能。 关键测试揭示了以下观点： 热测试和电气测试 由于介电流体的热特性，浸没式冷却中的组件相较于空气中的组件具有更高的载流能力。热阻的降低可提高冷却效率，延长部件的使用寿命，从而帮助数据中心在不增加热容量的情况下实现能效最大化。 机械测试 接触保持和耐久性测试体现了浸没式冷却中的独特应力，包括热循环和差异膨胀。在这些条件下确保坚固的结构完整性，对于高密度配置的可靠性至关重要。 环境测试 热冲击和振动测试揭示了传统空气测试所忽视的浸没式冷却的特有风险，如流体侵蚀。 材料兼容性：确保长期可靠性 这款浸没式专用测试框架整合了热学、电气、机械和环境评测，以评测不同条件下的性能。这种方法为数据中心系统工程师提供了设计浸没式兼容组件的实用指南，应对液体冷却不同于空气冷却装置的实际性能挑战。通过改进这些配置，工程师可以提升高密度液冷系统的弹性和效率。 重新思考浸没式互连设计 为空气冷却而设计的互连器件，需要针对浸没式冷却进行有针对性的改进。我们的研究结果表明，浸没式冷却为降低材料成本、提高系统性能创造出了全新的机会。 降低热阻 浸没式冷却可降低互连器件内的热阻，可助力工程师在使用铜等导电性较低的材料时保持热性能。优化流体冷却互连中的散热，使得系统架构师能够满足或超越冷却要求，同时降低材料成本，这是高密度数据中心实现经济高效解决方案的关键因素。 小型化 更小的互连组件可以实现更密集的服务器机架布置，这是数据中心提高机架密度时必须考虑的设计因素。Molex莫仕研究结果表明，在保持载流能力的同时实现互连小型化，可以提高冷却效率，使得数据中心能够实施节省空间的设计。这些小型化组件降低了热阻，进一步优化了紧凑型配置，最终实现稳定、一致的冷却操作。 这些设计修改支持流体浸没式的运行需求，不仅能够满足数据中心大功率需求，同时最大限度地提高效率并降低成本。 数据中心浸没式冷却的未来发展 浸没式冷却不仅仅取代了空气冷却系统，更作为一种变革性解决方案实现高能效、可扩展的数据中心，满足未来的需求。浸没式系统可取代笨重的空气处理设备，实现更密集的机架安排和更高的功率容量。 浸没式冷却尤其适合需要稳定、高性能运行的人工智能和高性能计算应用。借助Molex莫仕的浸没式兼容解决方案，数据中心可进一步提高机架密度，实现可持续的功率分配，从而高效、可靠地满足不断扩大的计算需求。 Molex莫仕：浸没式冷却创新先锋 浸没式冷却正在为数据中心带来改变，助力以实现高密度、高性能计算的目标。Molex莫仕与OCP共同开发的ORV3机架和电源基础设施平台体现了我们为未来数据中心提供可扩展高效解决方案的决心。
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Molex莫仕连接器 . 2025-03-13 2 3 855
汽车 | 宝马发布全新一代智能电子电气架构
全新一代电子电气架构搭载新世代车型，覆盖全动力系统和全细分车型 全新一代电子电气架构集成算力提升20倍，支持AI用户体验和场景 全新一代电子电气架构搭配高速数据传输，为车辆带来数字化神经系统 宝马发布全新一代智能电子电气架构，该架构是全球首个覆盖全动力系统和全细分车型的架构，该架构更智能、更强大、更高效。全新电子电气架构支持AI用户体验和场景，相较于现款车型集成算力提升逾20倍。4台高性能计算机即"超级大脑"负责整合4大核心用户功能：车载娱乐系统、自动驾驶系统、驾驶动态控制系统，以及车辆进入、空调与舒适体验等基础功能。 全新一代电子电气架构搭载新世代车型，覆盖全动力系统和全细分车型 "技术开放性是宝马成功的关键，自首款新世代车型问世起，我们将把强大的‘超级大脑'与全新电子电气架构和软件平台全面引入未来全系车型，覆盖所有细分市场与动力类型。全新智能电子电气架构实现了车辆开发与软件开发的双轨并行，宝马车型可以随时保持数字体验的前沿性和技术的迭代更新。"宝马集团负责研发的董事韦博凡先生表示。 面对软件定义汽车日益丰富的数字功能，确保功能在稳定软件平台上持续迭代至关重要。全新电子电气架构为宝马软件定义汽车的下一阶段发展奠定了基础，新世代车型软件体量逾5亿行代码，约等于绕赤道4圈，新世代车型将率先搭载宝马集团新一代软件架构，该软件架构搭载在全新电子电气架构之上。新一代软件架构承载着4个"超级大脑"，分别运行负责车辆功能的软件平台。同时，"共享服务层"作为连接纽带（中间设备），提供网络安全防护与灵活的OTA升级。 全新一代电子电气架构另一大亮点是全新线束系统和高速数据传输，后者成为了车辆的数字化神经系统，全新线束系统基于区域线束架构理念，这一理念使车辆线束得以更短、更细、更轻，该方案较前代产品减少600米线束长度，实现了30%的轻量化突破。 "超级大脑"通过高速数据接口与更小的控制单元相连，高速数据接口负责管理各区域电子设备的双向数据高速传输。 4个"超级大脑"各司其职，驱动智能驾趣体验 "新世代"不仅仅是一款汽车，它象征着宝马品牌在设计、技术和理念上的重大飞跃。新世代车型由4个集成的超级大脑驱动，4台高性能计算机即"超级大脑"分别负责4大核心用户功能：车载娱乐系统、自动驾驶系统、驾驶动态控制系统，以及车辆进入、空调与舒适体验。 宝马首创BMW全景iDrive超级大脑，运行 BMW首创全景iDrive和BMW新世代操作系统X，塑造宝马智舱新体验。它协调行业首创的视平线全景显示、全新3D抬头显示以及BMW首创向心中控所有内容，并集成语音交互、娱乐与导航功能。行业首创竖幅设计的超感智控方向盘，信息分层配合触控反馈，塑造行业多模态交互新体验。该超级大脑不仅保障BMW首创全景iDrive的直觉化用户体验，更通过智能化AI支持与云端功能持续拓展服务边界，带来划时代的智能交互体验。 宝马首创驾控超级大脑（Heart of Joy），首次实现了将动力传动系统与驾驶动态功能的深度融合，响应延迟低于1毫秒，信息处理速度较以往系统提升10倍。纯电动新世代车型中将首次应用完全自主开发的BMW动态性能控制系统（BMW Dynamic Performance Control）。该系统将成就迄今最精准的驾驶体验、高效能量回收、低速工况下的卓越平顺性，以及动态加速时的完美牵引力。 宝马首创自动驾驶超级大脑，控制最新一代自动与高阶自动驾驶功能，其将此前分散在四个控制单元的功能整合至单一高性能计算单元，算力较前代提升20倍。 宝马首创车辆控制超级大脑，负责基础功能和车况管理。涵盖车辆进入、空调与舒适系统、内外照明、数据流处理及远程软件升级。该单元集成多达100项车辆功能，连接50个传感器。车载超级大脑对数据的智能预处理显著优化了与BMW云端的数据交互效率。 新世代车型标志着软件开发的新纪元，将实现软件开发的可持续演进。针对新世代车型，研发团队正在开发逾千个软件模块、超20GB软件体量以及逾5亿行代码，这些最终将集成至车载"超级大脑"与电子电气架构。车载软件开发依托于支持生成式AI的多元化工具，开发速度与质量获得显著提升，最高支持7.5万个虚拟CPU，可容纳超万名开发者协同作业，峰值期单日完成20万次软件构建。 通过新世代车型，宝马实现了设计、技术与理念的跨越，革命性的数字架构与高度集成的超级大脑，带来智能交互与智能出行新体验，展现出全方位的技术创新与未来出行的前瞻性。
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宝马 . 2025-03-13 3797
方案 | QLC 固态硬盘开辟数据中心节能降本新路径
在人工智能技术重塑全球产业格局的进程中，数字基础设施正面临能源效率的严峻考验，全球数据中心正经历前所未有的电力需求激增。赛迪顾问指出，我国数据中心行业耗电量每年以超过10%的速率增长，2023我国数据中心用电量达到1500亿千瓦时，占全社会用电量1.63%，预计到2030年，数据中心能耗总量将超过3800亿千瓦时。 如此庞大的电力消耗，不仅与全球倡导的绿色发展理念背道而驰，更为企业带来沉重的经济负担。IDC数据显示，存储耗能约占数据中心总能耗的35%，随着大模型训练对于存储I/O吞吐的访问猛增，存储的功耗也将水涨船高。为此，寻找一种既能满足数据存储需求，又能降低能耗、减少成本、保护环境的解决方案迫在眉睫。而QLC 固态硬盘，有望成为AI时代的“节能利器”，在算力根系深处实现一场绿色变革。 传统数据中心面临能耗痛点 在很多的传统数据中心的存储设备中，机械硬盘占主导地位。但它能耗相对较高，每存储1PB的数据，每年大约耗电15万度，且机械硬盘60%的能耗都浪费在了空转等待上。在数据读取和写入的间隙，机械硬盘的盘片依旧在高速旋转，电机持续运转，将造成巨大的能源浪费。随着数据量的指数级增长，传统机械硬盘的能耗问题愈发突出，不仅增加了数据中心的运营成本，也不合法节能减排、可持续发展的大趋势。 QLC固态硬盘具备多重优势 QLC固态硬盘，打破了传统存储在性能和能耗上的瓶颈，为数据中心绿色节能降本带来了新的曙光。 高容量与低成本 在相同的物理空间内，QLC固态硬盘能够存储更多的数据，大大提高了存储密度。QLC固态硬盘单盘容量可达60TB-120TB甚至更高，同时具有开发出250TB及500TB的潜力，更大容量的QLC固态硬盘可以节约 CPU的总线接口，减少服务器的硬件数量,这对于数据中心来说，意味着可以用更低的成本存储海量数据，在存储成本上获得了巨大的优势，显著降低数据中心的成本。 读写性能优化 在读写性能方面，QLC 固态硬盘在读密集型工作负载下表现卓越。对于需要频繁读取大量数据的场景，如AI训练、数据分析等，相比传统机械硬盘，QLC固态硬盘能够快速响应，提供高效的数据读取速度（Gen5接口为16000MB/s, 远远大于机械硬盘 600MB/s的接口速度）。它能够让AI模型更快地获取训练数据，加速模型的训练过程，提高工作效率。在进行大规模数据分析时，QLC固态硬盘可以迅速提取所需数据，为决策提供及时支持。这种出色的读性能，使得QLC固态硬盘在数据中心的应用场景中具有很强的竞争力。 降低能源消耗与物理占用 QLC固态硬盘在能源消耗和物理空间占用方面也有着明显的优势。通过提高存储密度，QLC固态硬盘减少了所需的闪存设备数量。以往需要增加存储设备数量才能完成的存储任务，现在只需要少量的QLC固态硬盘就能实现。同等容量下，QLC固态硬盘拥有更小的体积，不仅降低了系统的能源消耗，还减少了物理空间的占用，使得数据中心可以在更小的空间内部署更多的存储资源，从而显著降低了总拥有成本。此外，固态硬盘支持在线固件升级、降低故障恢复时间、减少启动/碎片整理时间。从环保角度来看，降低能源消耗则更符合可持续发展的理念。 长江存储QLC技术推动行业降本节能 在QLC固态硬盘领域，长江存储有深厚的技术积淀。长江存储的晶栈®Xtacking®架构与QLC技术相结合，为 QLC技术提供了坚实的技术支撑，进一步优化了存储性能，使用寿命和功耗。通过这种创新架构，基于长江存储QLC闪存芯片的固态硬盘不仅在读写速度、稳定性和可靠性方面都有了显著提升，也为大幅降低能耗开辟了新路径。未来，随着技术的不断进步和应用的深入，QLC固态硬盘将在数据中心领域得到更广泛的应用，推动整个行业朝着节能、高存储密度，高效率的方向发展。
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长江存储商用存储方案 . 2025-03-13 725
产品 | 续航神器STM32U3：超低功耗、高安全性与低成本，设备从此“电力十足”
燃气和水表设备的电池续航延长4倍！用户再也无需频繁更换电池，大大降低运营成本。 活动追踪设备的电池续航延长7倍！ 以往需要每天充电的运动手环，现在只需一周充一次，大大提升了用户体验。 这听起来像是天方夜谭。 无论是智能穿戴设备，还是各类工业仪器，电池续航焦虑一直是用户绕不开的难题。但意法半导体STM32U3超低功耗MCU，却可能成为破局神器。STM32U3基于Arm®Cortex®-M33内核，能够满足智能应用中对功耗和性能最严苛的要求，这些应用涵盖可穿戴设备、个人医疗设备、家庭自动化系统以及工业传感器等领域。 STM32U3具备三大突出特性 ，使其在超低功耗领域极具竞争力： ◆ 卓越的能源效率 ：采用创新设计，大幅降低运行功耗，能效比上一代提升5倍，远超竞品。在实际应用中，显著延长活动追踪、燃气水表等设备的电池续航。◆ 强化的安全性能：新增多种安全机制，增强设备认证和防克隆能力。内部加密功能抗攻击，助力实现高级别安全认证，全方位保障数据安全。 ◆ 丰富配置与灵活选择：集成大量数字和模拟外设，通信接口丰富。提供多种封装形式、闪存容量选项，部分支持硬件加密加速，引脚兼容性好，满足不同应用的多样化需求。 强悍内核，性能“时刻在线”STM32U3与之前的STM32U5系列一样，基于40纳米工艺制造，搭载Arm®Cortex®-M33内核，在性能方面，它与STM32L4+处于同一水平，达到144 DMIPS，而在能效方面则表现更加出色。 在智能应用场景中，它能够快速响应各种任务需求。以可穿戴设备为例，在进行实时运动数据监测和分析时，STM32U3可以迅速处理加速度计、陀螺仪等传感器传来的数据，准确计算出运动轨迹、步数、卡路里消耗等信息，并及时反馈给用户。在工业传感器领域，面对复杂的工业环境和高精度的监测需求，它能够精准地采集和处理传感器数据，确保工业生产的安全与稳定。凭借这一内核，STM32U3在处理多任务和复杂算法时也能保持高效稳定，为各种智能应用提供了坚实的性能保障。 超低功耗，续航“开挂”模式在功耗方面，STM32U3堪称“节能大师”，这不仅得益于独特的近阈值设计，还离不开先进的自适应电压调节（AVS）技术等一系列优化措施。传统的40nm MCU，如STM32U5，晶体管的传统阈值电压在1.2V至0.9V之间，而STM32U3通过近阈值设计技术，突破了这一限制，使核心逻辑供电电压最低降至0.65V。根据功率与电压平方成正比的关系，电压的大幅降低带来了功耗的显著下降。 在超低功耗应用中，动态功耗在总能耗中占比很大：在消费类应用中占99%，在计量等工业应用中占80%。因此降低动态功耗对提高整体能源效率意义重大。凭借近阈值设计，在运行模式下，STM32U3的功耗相比前代产品大幅降低，能效高达117 CoreMark/mW，比上一代产品足足提升5倍。STM32U3还采用自适应电压调节（AVS）技术进一步优化功耗。在测试生产过程中，AVS技术会将供电电压调整到最低。它能够实现动态电压调整，在保证最佳性能的同时，将核心电压降至最低，从而实现显著的功耗节省。而且，该技术无需API即可实现，在内部测试生产时预先编程最佳电压值，在产品配置过程中无需API，既节省了时间，又降低了成本。 此外，意法半导体的机器学习工具NanoEdge AI Studio还能对调节器进行微调，优化电压设置，进一步提升性能和设备使用寿命。 与其他竞品相比，STM32U3在能效方面也优势明显。在STM32U3与行业参考产品的能效对比中，STM32U3达到117 CoreMark/mW，行业最高为97 CoreMark/mW，最低仅11 CoreMark/mW。 以STM32U3为基准，其他产品的平均能耗倍数在消费领域约为STM32U3的5倍，在计量领域约3倍，工业领域约2.5倍，说明STM32U3在这些领域的能耗远低于其他产品。 安全升级，数据“保护伞”STM32U3在安全防护方面同样下足了功夫。相较于STM32L4，它的安全性有了显著提升，新增了耦合链式桥（CCB）和工厂预配置认证这两种独立安全机制。CCB就像一个“秘密守护者”，通过加密算法把配置密钥藏得严严实实，连CPU都无法窥探。在实际应用中，如在金融支付设备中，设备的密钥至关重要。CCB确保了密钥的安全存储，为设备提供了关键的硬件保护，有效防止密钥被窃取或篡改。 工厂预配置认证则在生产时给每个产品分配独一无二的“身份证”，也就是唯一且安全的身份标识。物联网设备容易成为黑客攻击的目标。工厂预配置认证让每个设备都有了独特的身份，不仅能有效防止设备被克隆，还能实现设备的精准识别和管理，为客户节省了成本。 同时，STM32U3内部的加密功能具备抗侧信道攻击能力。 侧信道攻击是一种通过分析设备在运行过程中的物理信息（如功耗、电磁辐射等）来获取密钥的攻击方式。 STM32U3的抗侧信道攻击加密功能，能够有效抵御这种攻击，向着PSA 3级认证和满足《网络弹性法案》（CRA）要求大步迈进，全方位守护设备里的数据安全。STM32U3系列可提供高级别的安全服务，同时还能保护数据、IP，并防止黑客攻击或设备克隆：存储器保护，防止非法访问；加密功能，提高硬件安全防御能力；平台保护功能，在产品生命周期内保护设备；代码隔离机制，运行时进行保护。 丰富外设，多样封装，适配各种场景STM32U3集成了丰富的数字和模拟外设，还引入了I3C和CCB等新的IP模块，以及丰富的通信接口。首款产品配备了1MB的双bank闪存和256KB的SRAM。 STM32U3提供512KB或1MB两种闪存选项，还可选配硬件加密加速功能，用户可以根据实际应用需求，灵活选择最适合的配置。STM32U3系列提供了从32引脚到100引脚的9种不同封装形式，塑料封装（QFN、LQFP和BGA）还与STM32U5系列实现了100%引脚兼容，方便用户产品升级或替换。 贴心支持，开发轻松无忧意法半导体为STM32U3打造了完善的生态支持体系。STM32Cube框架贯穿开发全流程，从前期的评估、选型，到中期的硬件和软件配置、应用开发与调试，再到后期的代码和硬件选项编程、运行时应用监测，都能提供有力支持。ST还与众多合作伙伴共同提供开发工具、软件以及开发板，帮助用户加快产品上市。
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意法半导体中国 . 2025-03-13 980
产品 | Qorvo 超宽带（UWB）产品组合推出首款全集成低功耗SoC——QM35825
全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo® （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，推出旗下首款全集成低功耗超宽带（UWB）片上系统（SoC）QM35825，进一步拓展其UWB产品组合。这款高性能、超低功耗SoC凭借基于雷达的传感技术实现精准定位追踪，适用于存在检测自动化、家用安全门禁、非接触式生命体征监测，以及个性化内容体验等场景。 得益于Qorvo在UWB领域深耕超过十年的专业积累，QM35825实现令人瞩目的104dBm链路预算，并拥有片上人工智能（AI）及机器学习（ML）处理能力，显著提升测距精度与稳定性。该全新解决方案立足于以开发者为中心的架构，提供易于访问的 API，确保与现有生态系统的顺畅集成，加速 UWB 创新应用的部署。 “Qorvo 持续推动 UWB 技术创新。我们的解决方案帮助客户迅速将产品推向市场，从而加快了UWB的普及。”Qorvo副总裁兼连接解决方案事业部总经理Marc Pégulu表示，“QM35825凭借卓越的射频（RF）性能，结合雷达功能和精细测距精度，为消费、工业与企业市场的下一代应用铺平了道路。” QM35825目前已开始向关键客户和领先的网络基础设施提供商提供样品，体现Qorvo致力于以行业领先的性能推进UWB技术发展的承诺。为支持新兴应用场景，Qorvo已构建由 30多家企业组成的强大合作伙伴生态系统，并设立活跃的技术论坛以促进协作。QM35825评估和开发套件将于6月起通过Qorvo全球分销商发售；套件包含完整的可配置软件包，以及示例应用和开发者工具。
Qorvo
Qorvo半导体 . 2025-03-13 690
企业 | 江波龙多款新品亮相MemoryS 2025，探索存储商业综合创新之路
3月12日，MemoryS 2025在深圳盛大开幕，汇聚了存储行业的顶尖专家、企业领袖以及技术先锋，共同探讨存储技术的未来发展方向及其在商业领域的创新应用。江波龙董事长、总经理蔡华波先生受邀出席，并发表了题为《存储商业·综合创新》的主旨演讲，分享公司存储商业模式创新和综合服务能力的构建。 蔡华波先生在演讲中指出，江波龙基于自身的半导体存储品牌企业定位，不断探索符合当下产业趋势，又能够解决市场和客户痛点的创新商业模式。为此，江波龙构建了以自研主控芯片提升产品差异化、元成苏州ESAT（Enterprise Semiconductor Assembly and Testing）专品专线定制封测制造，以及以Zilia海外存储产品制造和Lexar全球化品牌渠道为核心的存储综合服务能力。 自研主控芯片矩阵扩充：冒险精神、厚积薄发 蔡华波先生表示，江波龙凭借综合、专业的芯片人才，从2024年的eMMC主控和SD主控，到2025年发布的UFS主控和USB主控，公司不断丰富自研主控矩阵，核心IP自主设计研发，为产品性能带来了跨越式提升，同时也为客户提供了更多创新存储方案的选择。 UFS 4.1：自研主控实现满血性能 WM7400自研主控 | 同时支持TLC和QLC 4350MB/s顺序读 | 750K IOPS随机写 | 容量可达2TB 基于自研WM7400主控，江波龙推出UFS 4.1，采用国际先进Foundry工艺，并融合了3rd Gen. Prime LDPC等多项高可靠特性，可同时支持TLC和QLC NAND Flash。该产品采用高性能芯片架构，同时具备更优的H8待机功耗及能效比，顺序读取速度高达4350MB/s，随机读写速度高达750K / 630K IOPS，容量最高可达2TB。其“满血”性能领先业界同类型产品，助力端侧AI产品（如AI手机、AI平板、智能汽车、人形机器人等）在复杂应用中实现实时决策，畅享流畅体验。目前，该产品已在业界多个主流平台完成兼容性测试。 eMMC Ultra：突破性能瓶颈 WM6000自研主控 | 超协议设计 | 600MB/s协议理论速度 突破eMMC 5.1性能瓶颈 | 性能接近UFS 2.2 64GB水平 eMMC作为成熟的存储产品，江波龙通过技术创新使其性能取得新突破，并将其全新定义为eMMC Ultra。 eMMC Ultra采用超协议设计，搭载WM6000自研主控，突破了eMMC 5.1标准，带宽提升50%，理论速度可达600MB/s，顺序读写性能接近UFS 2.2 64GB水平，随机读写性能与UFS 2.2 64GB水平相当，以更具效益的优势为智能手机等设备的广泛用户带来流畅体验。 自研主控汽车存储：综合产品体现 车规级UFS：自研主控 | 自有封测 | 64GB~256GB | Grade2 车规级eMMC：自研主控 | 自有封测 | 4GB~128GB | Grade2/3 车规级LPDDR4x：高性能 | 低功耗 | 2GB~8GB | Grade2 车规级SPI NAND Flash：自研Flash | 1Gb~4Gb | Grade2 公司汽车存储产品矩阵丰富，涵盖符合AEC-Q100可靠性测试标准的车规级UFS、eMMC、LPDDR4x、SPI NAND Flash等，构建起Flash与DRAM的车规级“双轮驱动”体系。在UFS、eMMC自研主控和创新工艺的加持下，车规级存储产品将陆续基于自研主控和自有创新封测工艺进行研发设计和生产制造，满足汽车客户对自研自控的定制化需求。 在PTM商业模式的推动下，江波龙通过创新定制服务为汽车存储市场注入新活力，广泛应用于ADAS高级辅助驾驶、智能座舱等10余种车载应用，2024年市场增长接近100%。目前，公司已与20余家主机厂和50余家Tier 1汽车客户建立了深度合作关系，并顺利通过20余家主芯片平台的兼容性测试。 企业级存储实现综合竞争力：一站式产品组合满足AI本地化部署 PCIe eSSD：1.6TB~7.68TB | 1~3DWPD SATA eSSD：480GB~3.84TB | 1~3DWPD MRDIMM：128GB~256GB | Up to 8800MT/s | DDR5即插即用 RDIMM：32GB~128GB | Up to 6400MT/s 近年来，江波龙在企业级存储研发领域成果斐然，开发了包括MRDIMM、PCIe eSSD、SATA eSSD、RDIMM等在内的全系列企业级存储产品。面对AI趋势，公司凭借规格、固件、硬件、高阶测试、生产方案等全栈定制能力，提供一站式AI本地化部署解决方案。在高质量交付方面，江波龙打造数据中心存储专线，引入高端设备并配合数字化系统，实现全栈追溯、高可靠性和高一致性，确保产品在数据中心、AI服务器等复杂环境中的稳定性和耐用性。 存储出海：全球供应、本地服务 蔡华波先生在演讲中详细介绍了江波龙的存储出海服务。通过一系列战略收购和全球布局，公司已成功构建了涵盖研发、生产到销售的全链条国际化服务体系。 Zilia（智忆巴西）：赋能海外存储产品制造 江波龙在巴西的布局是公司全球化战略的重要组成部分。Zilia（智忆巴西）拥有27年的本地制造经验，是中南美洲最大的存储制造商。并购后，Zilia于2024年启动了江波龙存储产线，标志着江波龙技术赋能的正式落地。Zilia的加入不仅使公司具备了在美洲本土生产制造存储产品的能力，还通过整合国内外及第三方供应链资源，形成了一个灵活高效、成本优化且能够满足多样化定制需求的全球存储制造供应链网络。公司存储出海将受益于关税政策，进一步服务欧洲和美洲市场。 Lexar雷克沙：品牌渠道服务覆盖全球 江波龙旗下的国际高端消费类品牌Lexar（雷克沙）渠道覆盖全球六大洲70多个国家，拥有全球知名的零售伙伴和官方授权店伙伴。在江波龙的支持下，Lexar雷克沙产品线得到扩展，形成了全品类存储产品。得益于全链路供应、全品类产品，Lexar雷克沙的品牌出海取得了显著成效，欧美市场的业务占比超过67%，且在过去三年中，全球销售能力实现了超过50%的复合增长，展现出强劲的高端市场竞争力和品牌影响力。 TCM / PTM综合创新服务 ：构建开源存储商业 AI的快速普及和技术迭代正在改变行业趋势，应用端的同质化与产品设计瓶颈已成为行业难题。这促使存储产业加速转型升级，以满足市场对独特性、定制化存储的需求。为此，江波龙打造了开放的商业模式，向合作客户开放核心能力，与更多行业伙伴深度协作、优势互补，驱动联合创新，引领存储商业新模式。 TCM商业模式：以最短信息和供应链路径连接原厂和Tier1客户 TCM通过确定性供需，整合上下游复杂环节，以最短信息和供应链路径连接原厂和Tier1客户，从而实现降低综合服务成本、优化库存管理、透明化交易和稳定供应。这种多方共赢的服务模式，正成为行业头部厂商的未来合作趋势。 PTM 产品技术制造（存储产品Foundry）模式 PTM商业模式通过存储Foundry模式，为客户提供从芯片设计、固件硬件、封装工艺，再到工业设计、测试制造全方位的存储Foundry服务，有效解决了行业同质化产品和创新瓶颈问题。目前，PTM模式已覆盖汽车、服务器、工业、手机、穿戴等多个行业，与数十个主要客户达成合作，满足市场差异化需求，新模式合作落地成果显著。 元成苏州：成为TCM & PTM封测制造载体 经过江波龙持续的运营，元成苏州采用ESAT模式（专品专线定制封测制造服务），成为TCM和PTM商业模式的封测制造载体。作为江波龙布局的高端封测制造基地，元成苏州专注于服务国内外Tier1品牌客户，提供增值定制服务，并拥有工业和车规存储专用产线。此外，元成苏州还是复合存储（如uMCP、ePoP、MCP）的制造基地，具备研发制造一体化的生产环境，同时也为Zilia海外制造赋能。 借助ESAT专品专线封测制造服务，江波龙在封装工艺方面取得了显著进展，成功实现了UFS 4.1和LPDDR5x 496Ball的更小体积。近期发布的智能穿戴存储0.6mm超薄ePOP4x和7.2mm×7.2mm超小尺寸eMMC，面积和厚度也实现了突破性精简。 PTM开源协作：存储连接、连接存储 PTM通过以“存储连接、连接存储”为核心，精准对接客户创新需求与差异化定制，通过客户应用场景分析、存储需求定义及性能规格确定，提供从芯片设计到工业设计的全方位存储服务。同时，依托专属高端封装、专线定制生产、定点测试验证及海外封测等能力，实现创新产品全球落地。此外，江波龙整合方案、模具、软件、包材、元器件等多方资源，连接存储产品链伙伴，确保一站式交付，从而超越客户期望。 在MemoryS 2025上展示的开源存储商业模式和综合创新服务，正是公司向半导体存储品牌企业转型举措的集中体现。未来，江波龙将继续深耕半导体存储领域，以客户需求为导向，持续推动商业模式升级，加速创新产品的商业化，并在品牌建设和存储出海方面不断发力，为行业创造更多可能。
存储
江波龙 . 2025-03-13 1 4 885
企业 | 英特尔任命陈立武为CEO，3月18日生效
当地时间3月12日，英特尔宣布，其董事会已任命陈立武（Lip-Bu Tan）担任首席执行官，该任命自3月18日起生效。他将接替临时联席首席执行官大卫·津斯纳（David Zinsner）和霍尔索斯（Michelle Johnston Holthaus）。 陈立武于2024年8月辞去董事会职务后，也将重新加入英特尔董事会。津斯纳将继续担任执行副总裁兼首席财务官，霍尔特豪斯将继续担任英特尔产品首席执行官。在寻找新首席执行官期间担任董事会临时执行主席的 Frank D. Yeary 将在 Tan 出任首席执行官后恢复担任董事会独立主席一职。 图：陈立武（来源：英特尔官网） Yeary 表示： “ 陈立武是一位杰出的领导者，他的技术行业专业知识、与产品和代工生态系统的深厚关系以及创造股东价值的良好记录正是英特尔下一任首席执行官所需要的。在他漫长而杰出的职业生涯中，他赢得了创新者的声誉，他将客户放在他所做的一切的核心位置，提供差异化的解决方案以赢得市场，并建立高绩效文化以取得成功。” Yeary 继续说道： “与业内许多人一样，我过去曾与陈立武密切合作，亲眼目睹了他对客户的不懈关注如何推动创新和成功。我们很高兴他能担任我们的首席执行官，我们正在努力加速转型并利用未来巨大的增长机会。” 对于此次任命，陈立武表示：“我很荣幸加入英特尔担任首席执行官。我对这家标志性公司怀有极大的敬意和钦佩，并且我看到了重塑业务的重大机遇，让我们能够更好地服务客户，为股东创造价值。” 他继续说道： “英特尔拥有强大而差异化的计算平台、庞大的客户安装基础和强大的制造能力，随着我们重新构建工艺技术路线图，这些能力将日益增强。我渴望加入公司，并在整个英特尔团队的工作基础上，为我们的业务未来奠定基础。” Yeary 补充道：“我谨代表董事会感谢 Dave 和 Michelle 作为临时联席首席执行官所发挥的坚定领导作用。他们的纪律性和专注力是我们继续努力实现更好执行、重建产品领导力、推进我们的代工战略并开始重新赢得投资者信心的稳定源泉。” 陈立武是一位长期的技术投资者和广受尊敬的高管，拥有 20 多年的半导体和软件经验，并与英特尔生态系统建立了深厚的关系。他曾于 2009 年至 2021 年担任 Cadence Design Systems 的首席执行官，领导公司进行重塑，并推动以客户为中心的创新文化转型。在他担任首席执行官期间，Cadence 的收入增加了一倍以上，营业利润率有所提高，股价上涨了 3,200% 以上。 陈立武曾担任 Cadence 董事会成员 19 年，自 2004 年被任命以来，一直到担任首席执行官之后的 2021 年至 2023 年担任执行董事长。 他还是 Walden Catalyst Ventures 的创始管理合伙人和 Walden International 的董事长。他拥有丰富的上市公司董事会经验，目前担任 Credo Technology Group 和施耐德电气的董事会成员。 陈立武拥有新加坡南洋理工大学物理学学士学位、麻省理工学院核工程理学硕士学位和旧金山大学工商管理硕士学位。2022 年，他获得了半导体行业协会的最高荣誉罗伯特·诺伊斯奖。
英特尔
芯查查资讯 . 2025-03-13 2 3 1655
产品 | 安森美推出面向工业应用的先进深度传感器Hyperlux™ ID 系列
中国上海 - 2025年3 月 12日--安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其首款实时、间接飞行时间 (iToF) 传感器Hyperlux™ ID 系列，可对快速移动物体进行高精度长距离测量和三维成像。Hyperlux ID 系列采用安森美全新专有全局快门像素架构且自带存储，可以捕捉完整场景，同时实时进行深度测量。这种创新方法突破标准 iToF 传感器的局限性，实现最远 30 米的深度感知，是标准 iToF 传感器的四倍，而且外形尺寸更小。 此外，该传感器系列还能同时生成黑白图像和深度信息。 通过结合这两种输出，该传感器系列可以提供全面的环境视图，而无需为视觉和深度数据分别配置传感器。 因此，Hyperlux ID 系列实现了简化设计和业内领先的超深度感知能力，能在动态场景条件下工作以及捕捉快速移动物体，这在以前都是无法实现的。 随着自动化和机器人技术在工业领域的广泛应用，快速且高效地获取高精度深度信息对于提升在复杂环境中的生产效率和安全性变得至关重要。然而，到目前为止，iToF传感器由于测距范围有限、在恶劣光照条件下性能不佳且无法对移动物体计算深度，其应用受到了限制。 由于能够对移动物体和高分辨率图像进行精确测量，Hyperlux ID 系列将有助于减少错误和停机时间，优化制造系统的流程，从而降低运营成本。 此外，Hyperlux ID 系列还适用于面部识别、手势检测和 3D 视讯会议等消费应用场景。 Hyperlux ID 系列非常适合用于广泛的工业环境，例如： 自动化与机器人：通过检测物体以实现更好的导航和避障，从而提高工厂车间的安全性。 制造与质量控制：通过测量物体的体积和形状、检测缺陷，确保产品符合质量标准。 物流与物料处理：通过测量托盘和货物的位置、尺寸及货物比例，以优化仓储管理和运输流程。 农业与种植：通过测量植物高度、检测疾病以及优化灌溉和施肥过程，来监测作物生长和健康状况。 访问控制系统：为支付终端、家庭和商业入口系统等提供高精细、高准确度的面部识别。 Hyperlux ID 传感器系列融合了全局快门架构和iToF技术，实现精确且快速的深度感知。iToF技术通过测量从一个或多个垂直腔面发射激光器（VCSEL）发出的反射光的相移来感知深度。专有的像素架构使传感器能够在一次曝光中同时捕获并存储四种不同的光相位，即时捕捉完整场景并提高深度测量的准确性。此外，全局快门技术将所有传感器像素与VCSEL同步，从而显著减少来自其他光源的环境红外噪声。自带的深度处理功能还可输出实时结果，而无需昂贵的外部存储器和高性能处理器。 “Hyperlux ID 系列不仅具备比市场上其他iToF传感器更高的分辨率和更好的环境光抑制能力，其集成处理功能也给我们留下了深刻印象。该功能可高速生成深度、置信度和强度图，使其特别适合捕捉移动物体。” IDS Imaging Development Systems董事总经理Alexander Lewinsky表示，“得益于与安森美的紧密合作，我们能够非常迅速地开发并扩展我们的3D相机系列，推出了一款高性价比的飞行时间相机，大规模用于室内和室外应用。” Hyperlux ID 系列包括120 万像素全局快门、3.5µm背照式（BSI）像素传感器。AF0130型号还自带处理功能，令集成更简单并降低系统成本。对于那些希望集成自有深度检测算法的客户可以选用AF0131，为他们的系统增加了更大的灵活性。
传感器
安森美 . 2025-03-13 530
产品 | AMD 推出第五代 AMD EPYC 嵌入式处理器9005 系列
2025 年 3 月 11 日，德国纽伦堡（嵌入式世界大会）— AMD（超威，纳斯达克股票代码：AMD）今日宣布推出第五代 AMD EPYC™（霄龙）嵌入式处理器，扩展其 x86 嵌入式处理器产品组合。 图：第五代 AMD EPYC 嵌入式 9005 系列处理器 AMD EPYC 嵌入式 9005 系列 CPU 针对嵌入式市场进行了优化，在尖端计算能力与专属打造的嵌入式功能之间实现了平衡，从而提升了产品寿命、可靠性、系统弹性和嵌入式应用开发的简易性。该处理器采用业经验证的“Zen 5”架构，可提供领先的性能和能效，使网络、存储和工业边缘系统能够更快、更高效地处理更多数据。 AMD 高级副总裁兼自适应和嵌入式计算总经理 Salil Raje 表示：“AI 驱动的网络流量、激增的数据存储需求以及工业边缘算力的扩展，正推动嵌入式平台对更高计算性能的需求。第五代 AMD EPYC 嵌入式处理器为嵌入式客户带来了领先的性能和效率，以及长产品生命周期和强化的系统弹性，使他们能够自信地进行设计并确保在严苛的‘始终在线’环境中持续运行。” 领先的核心密度、性能与能效 AMD EPYC Embedded 9005 系列处理器专为支持计算密集型嵌入式系统而设计，支持单个插槽中从 8 到 192 颗核心数量。行业领先的核心密度分别可将网络和存储工作负载的数据处理吞吐量提升至多 1.3 倍与 1.6 倍1,2，使该器件成为网络和安全防火墙平台、存储系统以及工业控制应用的理想选择。 利用全新“Zen 5c”核心架构可提供更高吞吐量和更高能效，每个插槽的 DDR5 存储器高至 6TB 的容量、扩展的I/O 连接性、通过 CXL® 2.0 支持至多 160 个 PCIe® Gen5 通道，这些都为网络和存储应用实现了存储容量扩展和高速数据传输。 专为特定应用构建的功能 AMD EPYC Embedded 9005 系列处理器包含一套先进的嵌入式功能，旨在提供强大、安全且持久的平台。 延长使用寿命：为了满足嵌入式市场更长的产品生命周期和运行要求，AMD EPYC 嵌入式 9005 系列 CPU 将提供延长的 7 年产品制造支持，助力系统设计人员确保产品长久可得，减少重新设计与认证工作。此外，AMD 计划将目前样片 AMD EPYC 嵌入式 9005 系列 CPU 5 年的设计寿命运行目标延长至量产 SKU 的 7 年，以确保嵌入式系统的长期产品稳定性。这些延长的设计寿命运行目标对于在恶劣条件下运行关键任务应用的嵌入式系统至关重要，可以最大限度减少计划外停机、维修和高昂的系统更换。 系统弹性和安全性：功能包括非透明桥接（ NTB ），可在容错多主机配置中提供更高可用性。NTB 经由 PCI Express（PCIe®）在双活（主动/主动）配置中实现两个 CPU 之间的数据交换，为网络和存储系统增强了系统冗余和故障转移功能，以允许在发生故障时继续运行。DRAM Flush 通过将数据从 DRAM 转移到非易失性存储器中，帮助防止在发生电源故障时丢失数据，从而强化了任务关键型存储部署的可靠性。双串行外设接口（ SPI ）使客户能够加载安全且专有的引导加载程序来验证平台，确保可信的执行环境。 应用开发简易性：内置的 Yocto 框架支持简化了嵌入式系统部署，支持创建针对客户系统的定制 Linux 发行版。存储性能开发套件（ SPDK ）和数据平面开发套件（ DPDK ）通过执行用户空间驱动中的网络和存储工作负载数据处理来提高系统性能。 行业支持与供货情况 AMD 正与生态系统合作伙伴以及领先的 ODM 和 OEM（包括思科和 IBM）紧密协作，将这些下一代嵌入式处理器的优势推向市场。 思科产品管理总监 Lukasz Bromirski 表示：“我们选择 AMD EPYC 嵌入式 9005 系列处理器用于我们的一款高端防火墙产品，因为它提供了我们所需的高计算性能，从其至多 192 颗核心的可扩展性到其高存储器和 I/O 带宽。我们知道我们可以信赖 AMD，不仅因为出色的性能，还因为一流的质量和支持以及一致的路线图执行。” IBM Storage for Data、AI 和 HPC 产品管理部门 Matthew Geiser 表示：“IBM Storage Scale System 6000 旨在为要求严苛的企业 AI 工作负载提供速度、性能和可靠性。AMD EPYC 嵌入式 9005 处理器的主要优势之一是引入了冗余路径，提供了高数据可用性和强大的连接选择，这将与在 IBM Storage Scale System 上运行的性能密集型应用程序出色匹配。” AMD EPYC 嵌入式 9005 系列处理器目前正向早期试用客户提供样片，预计将于 2025 年第二季度开始量产出货。AMD EPYC 嵌入式 9005 系列处理器采用 SP5 插槽尺寸规格，与前代 AMD EPYC 嵌入式 9004 系列兼容，为客户提供了简单的升级路径。
嵌入式处理器
AMD . 2025-03-13 795
MDD辰达推出大电流低内阻MOS，助力电机驱动管理系统新突破
MDD辰达半导体是一家专注于半导体分立器件的研发设计、封装测试与销售的国家高新技术企业。产品线涵盖MOSFET、整流器件、保护器件、小信号SiC等，打造全品类的高可靠性、高性能产品服务矩阵。 在智能家居和电动工具领域，电机驱动的效率与可靠性直接决定了用户体验。无论是洗地机的强劲动力、扫地机器人的持久续航，还是电动工具的高效作业，都离不开一颗强大的“心脏”——MOSFET。 MOS在电机设备中具有至关重要的作用，主要基于其在控制、效率提升、保护等多方面的独特优势，以驱动电机正常工作，使电机能够输出足够的动力，满足各种工业和民用设备的需求。 面对电机驱动、不间断电源，或是直流/直流转换系统，MDD推出采用先进Trench工艺的 N沟道MOS——MDD100N03D，采用TO-252封装，30V/100A，以超低导通电阻、极速开关性能为智能设备注入澎湃动力。 一、核心性能：高效能，低损耗 MDD100N03D的最大亮点在于其极低的导通电阻（RDS(on)）。在VGS = 10 V、ID = 30 A的条件下，RDS(on)仅为3.6mΩ，这意味着在电流通过时，能量损耗被降至最低，尤其在高频开关场景中（如直流/直流转换），可显著减少发热，提升系统整体效率。 此外，MDD100N03D还具备极低的反向恢复电荷（Qg），这不仅减少了开关损耗，还进一步优化了系统的动态响应能力。对于需要快速开关的应用场景（如电机驱动和电源转换），这一特性尤为重要。 二、可靠性：100%通过UIS测试 在工业环境中，设备的稳定性和可靠性是重中之重。MDD100N03D经过严格的UIS（非钳位电感开关）测试，确保其在极端条件下仍能保持优异的性能表现。无论是突发的电压波动还是高电流冲击，MDD100N03D都能提供可靠的保护，确保系统长时间稳定运行。 同时，MDD100N03D符合RoHS规范，无铅无卤素设计，满足全球环保法规要求，适用于全球市场的广泛应用。 三、应用领域：广泛适配，性能卓越 电信设备：在基站电源管理中，MDD100N03D的低功耗和高效率特性，能够显著降低能耗，延长设备寿命。 工业自动化：在电机驱动器和PLC控制系统中，MDD100N03D的快速开关能力和高可靠性，确保了设备的高效运行。 不间断电源（UPS）：MDD100N03D在UPS中的应用，能够提升电源转换效率，保障关键设备的持续供电。 直流/直流转换系统：在同步整流（SR）和电流开关场景中，MDD100N03D的低反向恢复电荷和低导通电阻，能够显著降低损耗，提升系统效率。 五、选型推荐 除了MDD100N03D，MDD 还针对 MOS 产品线展开了更为全面的布局。现特别推出一系列能够满足不同设计需求的 MOS 型号。这些产品经过了严格的性能测试与参数校准，以确保在各种复杂应用场景中都能展现卓越性能。 若您在选型过程中有任何疑问或需求，欢迎通过后台与我们联系，我们将为您提供专业的选型推荐，并根据情况为您提供样品以供测试评估。
MDD辰达半导体 . 2025-03-13 3385
差分晶振--LVPECL到LVDS的连接
随着通讯速度的提升，出现了很多差分传输接口，以提升性能，降低电源功耗和成本。早期的技术，诸如emitter-coupled logic（ECL），使用不变的负电源供电，在当时用以提升噪声抑制。随着正电压供电技术发展，诸如TTL和CMOS技术，原先的技术优点开始消失，因为他们需要一些-5.2V或-4.5V的电平。 在这种背景下，ECL转变为positive/pseduo emitter-coupled logic （PECL）,简化了板级布线，摒弃了负电平供电。PECL要求提供800mV的电压摆幅，并且使用5V对地的电压。LVPECL类似于PECL也就是3.3V供电，其在电源功耗上有着优点。 当越来越多的设计采用以CMOS为基础的技术，新的高速驱动电路开始不断涌现，诸如current mode logic（CML），votage mode logic（VML），low-voltage differential signaling（LVDS）。这些不同的接口要求不同的电压摆幅，在一个系统中他们之间的连接也需要不同的电路。 · 转换原因 1、电平特性差异 a）LVPECL电平的差分摆幅较大（典型值约800mV），共模电压较高（约1.3V-1.9V），需外部端接电阻匹配；而LVDS差分摆幅较小（350mV），共模电压较低（约1.2V），且LVDS接收端内置端接电阻。 b）直接连接可能导致LVDS接收端共模电压超出范围或信号幅度不足。 2、应用场景需求 a）LVPECL常用于高速时钟或数据传输场景（如FPGA输出），而LVDS因低功耗特性更适合长距离或低功耗设计。 b）不同器件间接口不兼容时需电平转换（如FPGA输出LVPECL，但接收端仅支持LVDS） · 转换方式 1、直流耦合 LVPECL到LVDS 的直流耦合结构需要一个电阻网络，如图1.1中所示，设计该网络时有这样几点必须考虑：首先，我们知道当负载是50Ω接到Vcc-2V 时，LVPECL 的输出性能是最优的，因此我们考虑该电阻网络应该与最优负载等效；然后我们还要考虑该电阻网络引入的衰减不应太大，LVPECL 输出信号经衰减后仍能落在LVDS 的有效输入范围内。注意LVDS 的输入差分阻抗为100Ω，或者每个单端到虚拟地为50Ω，该阻抗不提供直流通路，这里意味着LVDS输入交流阻抗与直流阻抗不等.经计算，电阻值为：R1=182Ω，R2=48Ω，R3=48Ω。电阻靠近接收侧放置。 （a)等效电路 （b）LVPECL到LVDS的连接 图1.LVPECL到LVDS的直流耦合结构 2、交流耦合 LVPECL 到LVDS 的交流耦合结构如图2 所示，LVPECL 的输出端到地需加直流偏置电阻（142Ω到200Ω），同时信号通道上一定要串接50Ω电阻，以提供一定衰减。LVDS 的输入端到地需加5KΩ电阻，以提供近似0.86V 的共模电压。 图2.LVPECL到LVDS的交流耦合结构 在信号转换方面，LVPECL到LVDS的转换则需要考虑衰减电阻和交流耦合电容的放置，以及LVDS接收器的重新偏置。相反，LVDS到LVPECL的转换也需要适当的电路设计和元件选择。 LVDS和LVPECL各有其特点和应用场景。LVDS适用于板内信号传输和高速变化信号的传输，而LVPECL则适用于背板传输和长线缆传输等需要强驱动能力和高传输速度的应用。不过，虽然LVPECL到LVDS的转换可以通过电路的设计可以实现，这边建议客户尽量选用相同类型波形的差分传输接口，毕竟电路转换会有很多其他不确定的影响。
差分晶振,LVDS,LVPECL,晶体振荡器
扬兴科技 . 2025-03-13 3445
方案 | 英诺赛科推出48V系统四相2kW降压电源方案
随着服务器和人工智能应用的发展，CPU/GPU的功率越来越高，为了降低传输损耗，传统供电架构已经从12V升级到48V。受限于服务器内的空间尺寸，需要高功率密度的电源帮助实现从48V到12V的供电转换。 英诺赛科针对48V架构开发了两款行业领先的降压电源方案（四相2kW交错降压电源方案），为更高效、节能的数据中心赋能。 “小身板、大能量” 优势尽显 英诺赛科此次推出的两款降压电源方案利用氮化镓高频高效的优势和四相交错Buck拓扑结构，实现了高功率密度的紧凑设计，内置超小体积氮化镓半桥驱动 IC INS2002 和双面散热低压氮化镓 INN100EA035A，效率高达98%，功率部分面积68mmx30mm，仅为智能手机（iphone 15）的1/5大小。 InnoGaN+Driver IC：小体积、低损耗的关键 与Si MOS相比，GaN具备更优越的开关特性和更低的开关损耗, 可以带来更高的转换效率，更高的开关频率，更小的磁性器件尺寸和滤波电容的体积，以及更高的功率密度。此次发布的两款2kW 四相交错降压电源方案均采用4颗英诺赛科100V氮化镓半桥驱动 IC（INS2002FQ）和16颗100V双面散热的低压氮化镓功率晶体管（INN100EA035A）。 INS2002FQ 采用英诺自研的 FCQFN 3mmx3mm 封装，专为驱动GaN打造，十分适合高功率和高频率应用。该产品具备如下特点： 内置自举电路BST钳位电路，能够保护GaN栅极在安全的驱动电压范围内工作 单独的驱动上拉和下拉输出引脚，可分别调节开通和关断速度 支持3态PWM输入，可以通过调节外部配置电阻灵活调节死区时间 和竞品驱动相比，驱动能力更强，传播延迟更低 100V 氮化镓增强型功率晶体管INN100EA035A，采用En-FCLGA3.3x3.3封装，具备超低的导通电阻和双面散热特性，可以使能量损耗大幅降低的同时提升散热能力，是实现高功率密度方案的关键。 四相交错 Buck，提升系统效率 英诺赛科2kW四相交错降压电源方案采用四相交错Buck拓扑，每相使用1颗INS2002FQ和4颗INN100EA035A实现功率传输。 两款方案分别采用双耦合/四耦合电感，将传统Buck方案中的分立电感替换为低耦合系数的耦合电感，有效降低了电感纹波电流，同时降低电感和电容体积，有助于提升系统功率密度，同时具有十分灵活的拓展功能。 在输入40Vdc-60Vdc，输出12V/167A的条件下，两款方案的最大输出功率2000W。其中采用双耦合电感的峰值效率为98%@1200W，满载效率为97.6%@2000W；采用四耦合电感的峰值效率为98.1%@1000W，满载效率为97.7%@2000W。功率级尺寸均为68*30*18mm。峰值效率和满载效率均比市面上最好性能的Si MOSFET高1%以上。 “高效率、低损耗” 行业领先 四相交错 Buck 拓扑，生态成熟，拓展性灵活； 效率超98%，峰值效率和满载效率均比最优的Si MOSFET高1%以上； 高开关频率、高功率密度，且大幅降低能耗，满载无风条件下器件热点温度比最优的Si MOSFET低15度以上 多领域适配，助力系统升级 英诺赛科此次开发的两款降压电源方案可应用于数据中心领域的服务器48V供电系统、新能源汽车48V供电架构，以及工业和通信的电源模块，借助氮化镓的性能降低系统损耗，大幅提升效率，帮助实现低碳、节能发展。
英诺赛科
英诺赛科 . 2025-03-12 1 1130
技术 | Allegro机器人电流传感解决方案：确保每一个动作精准、高效且安全
机器人技术正以日新月异的速度蓬勃发展。我们常常惊叹于机械臂以超乎想象的精度组装复杂电子设备，手术机器人以无比精妙的操作实施微创手术，还有自动驾驶汽车在复杂环境中看似轻而易举地自如穿梭。然而，在这些令人瞩目的工程成就背后，隐藏着一个极为关键却常被忽视的组件——电流传感器。这些身形小巧却功能强大的组件堪称现代机器人的关键要素，它们构建起重要的反馈机制，助力机器人能够精准、高效且安全地与周围世界交互。 电流传感器是机器人“大脑”（控制系统）与其“肌肉”（电机）之间的桥梁，不断监测流经电机的电流。电流与电机产生的扭矩（或旋转力）成正比，为了解机器人的物理消耗提供了实时窗口。监测此持续反馈回路是构建精确运动控制的基础。如果没有准确且响应迅速的电流传感，机器人就会变得笨拙且不可预测，无法执行制造、手术和自动导航等领域所需的精细操作。想象一下，如果不知道施加压力的准确性，机械臂试图将一个微型组件放置在电路板上——结果很可能是组件损坏或电路板损坏。电流传感器不仅能够实现精度，而且在优化能源效率方面也发挥着至关重要的作用。通过密切跟踪电流消耗，控制系统可以微调输送到每个电机的功率，从而极大限度地减少能源浪费并最大限度地延长电池寿命。这对于移动机器人（例如用于仓库、勘探或送货服务的机器人）尤其重要，因为延长它们的运行时间至关重要。 此外，电流传感器对于确保机器人和与其一起工作的人员安全至关重要。它们可以快速检测过流情况，这可能是由于电机过载、短路或其他故障引起的。传感器可以触发保护性关闭，防止机器人及其周围环境损坏，并可能防止附近人员受伤。 Allegro解决方案：一颗具有巨大影响的小芯片 Allegro ACS37030/32 高带宽电流传感器，专为要求严苛的机器人领域而设计。无人机、紧凑型协作机器人 (cobot) 和微型医疗机器人都需要在微型空间中实现高性能。ACS37030/32 在 4.9x6mm 的小封装中精确地实现了这一点。这些器件采用巧妙的双路径传感架构。霍尔效应传感器捕获直流和低频电流信息，而感应线圈则处理高频分量。这种巧妙的组合产生了从直流到 5MHz 的宽带宽，捕获了电流动态的全部频谱。40ns 的典型响应时间即使在最动态的机器人应用中也能实现实时控制。这些器件可以配置为三种检测范围：+/- 20A、+/-40A 或 +/-65A。精度至关重要，这些芯片在整个温度范围内提供 ±2% 的灵敏度误差和 50mARMS 的低输入参考噪声，确保一致的性能和清晰的信号。 超越规格：机器人的重要特性 但 ACS37030/32 的价值超越了原始性能数据。正是这些经过深思熟虑的功能才使这些芯片在机器人领域真正脱颖而出。例如，ACS37030 为差分布线提供专用参考电压输出 (VREF)。这在机器人系统（尤其是紧凑型机器人系统）中常见的电噪声环境中是一个至关重要的优势，在这些系统中，组件的紧密接近会导致干扰。使用 VREF 的差分布线有助于抑制共模噪声并确保干净、准确的电流测量。ACS37032 型号通过集成用于过流检测的专用故障输出，进一步提高了安全性。此功能对于防止过载或短路造成的损坏非常有用，这在较小型机器人中尤其重要，因为空间限制会增加此类事件的风险。ACS37030 和 ACS37032 均采用紧凑的 6 引脚 SOIC 封装，极大限度地减少了它们的占用空间，并简化了与空间受限设计的集成。此外，AEC-Q100 温度等级 0 认证表明这些芯片符合严格的汽车级可靠性标准，即使在非常恶劣的机器人环境中也能保证可靠的性能。这种高可靠性对于不容许出现故障的应用（例如自动导航或关键安全系统）至关重要。 为大型和小型机器人的未来提供动力 ACS37030/32 的低功耗（在 3.3V 时典型值为 20mA）和低内部导体电阻（典型值为 0.68mΩ）在小型机器人中尤其突出，因为电池寿命通常是主要的设计限制。这些特性有助于极大限度地延长运行时间并有利于最大限度地减少因散热造成的功率损耗。这种效率对于移动机器人和无人机尤其重要，因为每节省一毫瓦就意味着更大的航程和任务能力。除了运动控制、效率和安全性的基本要素之外，ACS37030/32 等电流传感器还支持先进的机器人功能。它们是力传感和控制的关键，使机器人能够以精细的触感与其环境互动。它们还通过检测电机性能的细微变化来实现预测性维护，从而为主动维修铺平道路并尽量最大限度地减少停机时间。在协作机器人领域，电流传感器对于确保人机交互的安全至关重要，可在意外接触时触发立即停止。无论是大型工业机器人还是小型、灵活的协作机器人，电流传感器都在为下一代机器人技术提供动力。它们堪称精准、高效和安全的基石，正塑造着一个机器人与人类能够无缝且安全协同作业的未来。 机器人技术的未来与传感技术的进步密不可分。以 Allegro 的创新型电流传感器 ACS37030/32 为例，它们不仅仅是组件，更是构建智能、高效、安全机器人的基础。随着机器人不断融入我们生活的各个方面，电流传感所发挥的重要作用只会变得更加突出，从而开启人机协作和创新的新纪元。这些传感器是每一个精确动作、每一个高效操作和每一个安全交互背后的无声力量，塑造了机器人和人类无缝协作以实现非凡成就的未来。
Allegro
Allegro微电子 . 2025-03-12 2 810
产品 | 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。 新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）*4电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。 随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速，对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外，对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势，预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要24小时不间断运转（始终通电），因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生很大影响。 特别是在AC-DC转换电路中，其导通损耗占比较高，因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外，服务器配备了热插拔功能，可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备，在更换等情况下，服务器内部会产生较大的浪涌电流*5。 因此，更大的安全工作区范围（宽SOA范围）对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此，ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装，与以往封装形式相比，封装内部的芯片可用面积增加，从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。 新产品均采用新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻，30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ（Typ.），80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ（Typ.），非常有助于提高服务器电源电路的效率。 另外，通过优化封装内部的夹片形状设计，提高了散热性能，同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”，其SOA范围达70A以上（条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时），与以往的HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。 新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格：710日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Oneyac、Sekorm等电商平台均可购买。 ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来，ROHM将继续扩大相关产品阵容，为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。 产品阵容 查看详情 RS7E200BG RS7N200BH RS7N160BH 应用示例 ・企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路 ・AI（人工智能）服务器48V系统电源的AC-DC转换电路 ・工业设备48V系统电源（风扇电机等） 术语解说 *1）导通电阻（RDS(on)） MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。 *2）SOA（Safe Operating Area）范围 元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。 *3）功率MOSFET 适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。 *4）热插拔控制器（HSC：Hot Swap Controller） 可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC（集成电路），发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流，并保护系统和所连接元器件的重要作用。 *5）浪涌电流（Inrush Current） 在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
MOSFET
罗姆半导体集团 . 2025-03-12 625
夯实国产供应链安全、践行功能安全体系，纳芯微再获更高等级功能安全管理体系认证
近日，纳芯微宣布，其功能安全管理体系通过德国莱茵TÜV（以下简称"TÜV莱茵"）的严格审核，正式获得ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证。 此次认证确认了纳芯微在国产首颗具备功能安全的ABS轮速传感器、国产首颗具备功能安全的隔离式栅极驱动等项目上的体系实践，标志着纳芯微成为国内少数在功能安全领域完成从“Managed”（体系建立）到“Defined-Practiced”（体系实践）能力跃迁的芯片企业，其功能安全研发能力及管理体系成熟度获得权威认证机构的认可，通过公司在研发管理、质量保障、流程建设方面的能力提升，为全球客户提供高安全等级的芯片奠定了坚实基础。 体系进阶：从符合标准到实践落地 自2021年12月通过ISO 26262 ASIL D "Managed"（体系建立）级别认证以来，纳芯微持续、系统性地推进功能安全研发能力建设及流程体系优化。此次认证中，TÜV莱茵重点审核了功能安全全生命周期管理、安全文化建设、研发能力等若干维度，针对轮速传感器NSM41xx系列和隔离式栅极驱动NSI6911等项目进行了全面的流程、技术评审，最终确认其体系成熟度达到进阶的"Defined-Practiced"（体系实践）标准。 ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证证书 国产首颗具备功能安全的ABS轮速传感器 NSM41xx系列是国内首颗基于AMR技术、符合功能安全要求的ABS轮速传感器，严格按照ISO 26262 ASIL B（D）要求开发，支持最高ASIL D等级的系统集成。该系列产品通过集成先进的磁性传感敏感单元与ASIC技术，能够精准监测车轮转速，为防抱死制动系统（ABS）、车身电子稳定系统（ESP）以及电动转向助力系统（EPS）等控制系统提供有力支持，确保在极端条件下仍能保持高度的功能安全性和可靠性。 国产首颗具备功能安全的隔离式栅极驱动 NSI6911是国内首颗用于新能源汽车主驱动并符合 ASIL D 功能安全等级的隔离式栅极驱动，其集成12位高精度ADC、具备完善可靠的诊断功能与SPI可编程接口，能够可靠驱动和保护SiC MOSFET 和 IGBT。NSI6911具有隔离耐压高、驱动电流大、响应延迟低、保护机制全、可靠性高等特点，为新能源汽车的安全行驶保驾护航。此外，NSI6911的生产交付基于全国产供应链，满足供应链多元化的需求，全面提升客户的供应链韧性和安全性。 落实可靠、可信赖的研发和质量管理体系 作为国内车规芯片领军企业，汽车应用是纳芯微一直以来聚焦的核心领域。汽车芯片对安全性、可靠性的严苛要求也对纳芯微的研发能力和质量体系提出了更高的要求。 秉承“可靠、可信赖”的价值观，纳芯微将功能安全能力建设作为关键战略，构建了符合ISO 26262:2018的全流程开发能力以及完备的车规质量管理体系，在保障产品质量的同时，实现了大批量稳定量产供货。截至2024年，纳芯微汽车芯片累计出货量超过5亿颗，汽车业务占比超过35%，产品已经全面覆盖新能源汽车主机厂和零部件供应商。 纳芯微致力于成为全球汽车产业链首选的芯片供应商，通过坚实的研发能力、可靠的质量保障、稳定的量产交付、灵活的定制化服务，为行业用户提供高质量、高可靠性、高性能的汽车级模拟及混合信号芯片产品和一站式、系统级解决方案。
纳芯微
纳芯微电子 . 2025-03-12 805
产品 | 安森美推出面向工业应用的先进深度传感器
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其首款实时、间接飞行时间(iToF)传感器Hyperlux™ ID 系列，可对快速移动物体进行高精度长距离测量和三维成像。 Hyperlux ID 系列采用安森美全新专有全局快门像素架构且自带存储，可以捕捉完整场景，同时实时进行深度测量。这种创新方法突破标准iToF传感器的局限性，实现最远30米的深度感知，是标准iToF传感器的四倍，而且外形尺寸更小。此外，该传感器系列还能同时生成黑白图像和深度信息。通过结合这两种输出，该传感器系列可以提供全面的环境视图，而无需为视觉和深度数据分别配置传感器。 因此，Hyperlux ID 系列实现了简化设计和业内领先的超深度感知能力，能在动态场景条件下工作以及捕捉快速移动物体，这在以前都是无法实现的。 随着自动化和机器人技术在工业领域的广泛应用，快速且高效地获取高精度深度信息对于提升在复杂环境中的生产效率和安全性变得至关重要。然而，到目前为止，iToF传感器由于测距范围有限、在恶劣光照条件下性能不佳且无法对移动物体计算深度，其应用受到了限制。 由于能够对移动物体和高分辨率图像进行精确测量，Hyperlux ID 系列将有助于减少错误和停机时间，优化制造系统的流程，从而降低运营成本。此外，Hyperlux ID 系列还适用于面部识别、手势检测和3D视讯会议等消费应用场景。 Hyperlux ID 系列非常适合用于广泛的工业环境，例如： 自动化与机器人：通过检测物体以实现更好的导航和避障，从而提高工厂车间的安全性。 制造与质量控制：通过测量物体的体积和形状、检测缺陷，确保产品符合质量标准。 物流与物料处理：通过测量托盘和货物的位置、尺寸及货物比例，以优化仓储管理和运输流程。 农业与种植：通过测量植物高度、检测疾病以及优化灌溉和施肥过程，来监测作物生长和健康状况。 访问控制系统：为支付终端、家庭和商业入口系统等提供高精细、高准确度的面部识别。 Hyperlux ID传感器系列融合了全局快门架构和iToF技术，实现精确且快速的深度感知。iToF技术通过测量从一个或多个垂直腔面发射激光器（VCSEL）发出的反射光的相移来感知深度。专有的像素架构使传感器能够在一次曝光中同时捕获并存储四种不同的光相位，即时捕捉完整场景并提高深度测量的准确性。 此外，全局快门技术将所有传感器像素与VCSEL同步，从而显著减少来自其他光源的环境红外噪声。自带的深度处理功能还可输出实时结果，而无需昂贵的外部存储器和高性能处理器。 “Hyperlux ID系列不仅具备比市场上其他iToF传感器更高的分辨率和更好的环境光抑制能力，其集成处理功能也给我们留下了深刻印象。该功能可高速生成深度、置信度和强度图，使其特别适合捕捉移动物体。”IDS Imaging Development Systems董事总经理Alexander Lewinsky表示，“得益于与安森美的紧密合作，我们能够非常迅速地开发并扩展我们的3D相机系列，推出了一款高性价比的飞行时间相机，大规模用于室内和室外应用。” Hyperlux ID 系列包括120万像素全局快门、3.5µm背照式（BSI）像素传感器。AF0130型号还自带处理功能，令集成更简单并降低系统成本。对于那些希望集成自有深度检测算法的客户可以选用AF0131，为他们的系统增加了更大的灵活性。
安森美
安森美 . 2025-03-12 635
产品 | 国内首颗车规级数字环境光传感器
随着汽车智能化加速演进，传感器技术正向集成化、微型化、低功耗方向迭代。矽力杰率先推出国内首颗车规级数字环境光传感器SA88137AS22-J00,该器件凭借小封装、超高灵敏度及低功耗，为智能座舱环境光自适应系统、ADAS摄像头光感优化等场景提供精准感知支持。 芯片简介 SA88137AS22-J00 *芯片示意图 ◆ 国内首颗通过车规认证，符合AEC-Q100 Grade 2 标准 ◆ 双通道精准感知： ♢ALS通道+CLEAR通道，动态优化环境光检测精度 ♢最高灵敏度达0.2mlux/count ◆ 低功耗： ♢工作电流150μA ♢待机电流低至10μA ♢可配置不同睡眠时间，进一步降低运行功耗 ◆ 全温域稳定运行：工作温度-40°C~105°C ◆ 智能中断功能： ♢可编程阈值+滤波机制 ♢实时响应光照变化 *应用场景 核心优势 ◆ 接口：通用I2C，支持设备地址切换 ◆ 小封装：2.0×2.0×0.6mm³ ◆ 超高灵敏度：16位ADC ♢最高灵敏度 0.2mlux/count，实现弱光捕捉 ◆ 供电范围：2.5V~3.6V，兼容主流车载电源 ◆ 可调增益和积分时间： ♢增益范围：1x-256x，可动态调整增益，轻松应对从黑夜到强光的多变场景（最大检测量程达107klux） ♢积分时间：25ms-800ms ♢睡眠时间：100ms- 1600ms ◆ FOV：±50°的视场角，使设备接收光强的角度大，照度值也更加贴近真实 *典型原理图 *FOV示意图
矽力杰
矽力杰半导体 . 2025-03-12 615
产品 | 申矽凌CHT8325-Q车规级温湿度传感器芯片 —— 智感未来，芯动出行
在智能汽车与新能源浪潮下，申矽凌推出车规级温湿度传感器芯片CHT8325-Q，以国产自主创新技术重新定义汽车环境感知标准，为座舱舒适、电池安全与智能驾驶提供可靠保障。 车规级认证，严苛环境从容应对 CHT8325-Q通过AEC-Q100认证，支持-40℃ ~ 125℃超宽温域运行，抗振动、耐高低温冲击，满足引擎舱、电池包等严苛场景需求。单芯片集成传感器与信号处理单元，减少外部干扰，确保长期稳定性。 高精度感知，守护每一度舒适与安全 温度精度±0.1℃(Typ.)，湿度精度 ±1.5% RH（Typ. @20%~80% RH），支持动态补偿算法，精准调控座舱温湿度，提升驾乘体验。 实时监测电池包 / 电机热管理系统，预警异常温升，保障新能源汽车核心部件安全。 低功耗设计，高效协同车联网 宽电压1.8V~5.5V 适配车载电源，平均电流5.5μA，待机电流低至 0.36μA。 I2C/SMBus 高速通信，支持多地址配置，助力汽车电子系统高效协作。 国产创新，赋能供应链安全 作为国产自主知识产权芯片，CHT8325-Q 核心模块（ADC、校准算法）完全自研，性能对标国际一线品牌。 通过 IATF 16949 体系认证，提供本地化 FAE 支持，助力车企构建安全可控的供应链。 应用场景 智能座舱温湿度调控 电池包热失控预警 HVAC 系统节能优化 自动驾驶环境感知
申矽凌
申矽凌微电子 . 2025-03-12 1 560
产品 | TI推出全球最小MCU
德州仪器 (TI) 今日推出了全球最小的 MCU，扩展了其全面的 Arm Cortex -M0+ MSPM0 MCU 产品组合。 这款名为MSPM0C1104 MCU 的晶圆芯片级封装 (WCSP) 尺寸仅为 1.38mm²，大约相当于黑胡椒片的大小，使设计人员能够优化医疗可穿戴设备和个人电子产品等应用中的电路板空间，而不会影响性能。 TI MSP 微控制器副总裁兼总经理Vinay Agarwal表示：“在耳塞和医疗探头等微型系统中，电路板空间是一种稀缺而宝贵的资源。随着全球最小 MCU 的加入，我们的 MSPM0 MCU 产品组合提供了无限可能，让我们在日常生活中实现更智能、更互联的体验。” TI 的 MSPM0 MCU 产品组合拥有 100 多种经济高效的 MCU，可提供片上模拟外设的可扩展配置和一系列计算选项，以增强嵌入式设计的传感和控制功能。 TI表示，消费者不断要求日常电子产品（例如电动牙刷和触控笔）在更小的体积内提供更多功能，同时降低成本。为了在这些不断缩小的产品中进行创新，工程师越来越多地寻求紧凑、集成的组件，使他们能够在节省电路板空间的同时增加功能。MSPM0C1104 MCU 利用 WCSP 封装技术的优势，以及有意的功能选择和 TI 的成本优化努力。八球 WCSP 的尺寸为 1.38mm²，比竞争设备小 38%。 该 MCU 具有 16KB 内存、三通道 12 位模拟数字转换器、六个通用输入/输出引脚，并兼容通用异步接收器发送器 (UART)、串行外设接口 (SPI) 和集成电路间 (I 2 C) 等标准通信接口。将精确、高速的模拟组件集成到世界上最小的 MCU 中，使工程师能够灵活地保持其嵌入式系统的计算性能，而无需增加电路板尺寸。 TI在博客中介绍说，封装创新是半导体领域为数不多的肉眼可见的改进之一。为了帮助减小封装尺寸，半导体制造商能够通过从传统引线选项转向高级封装选项来去除不必要的塑料外壳和引线。这些封装选项的尺寸与芯片尺寸直接相关，可以减少实现预期功能所需的面积。 TI 在其嵌入式处理产品组合中提供了几种微型封装： • 四方扁平无引线 (QFN)。QFN 封装与传统引线不同，它由塑料外壳边缘周围的扁平触点和底部的裸露导热垫组成，以提高热性能。 下图显示了 MSPM0C1104 的封装图，这是一款 20 引脚微控制器，面积仅为 9mm²。 晶圆芯片级封装 (WCSP)。与其他封装类型相比，这些封装具有最小的外形尺寸。焊球阵列直接连接到硅片，使封装尺寸等于硅片（见下图）。在 1.38mm²中安装八个焊球，每平方毫米可集成更多功能。MSPM0C1104 还采用 WCSP 封装，比竞争器件小 38%，是世界上最小的 MCU。 在TI看来，解决电路板空间有限问题的另一种方法是优化设备中的功能集成。每个组件都有自己的塑料封装、引线和所需的布局空间，它们占用的电路板空间比具有集成功能的单个芯片要大得多。 在推动小型化的过程中，集成模拟和数字外设的 MCU 和处理器可以证明是有用的。以脉搏血氧仪为例。与离散设计方法相比，如上图所示，将模数转换器 (ADC)、比较器和电压基准集成到 MCU 中可以减少所需组件的数量，从而减小 PCB 尺寸，如下图所示。 不过，TI也坦言， 选择将哪些功能集成到 MCU 中需要做出一些权衡。功能集成可以减少设计中的组件数量，但包含不必要的功能可能会违背意图并增加单芯片解决方案的大小。这就是功能优化如此重要的原因。添加的外设与芯片大小和设备成本直接相关。未使用的功能会浪费空间和金钱，并降低空间受限设计的效率。了解市场的真正需求可以带来具有成本和尺寸竞争力的嵌入式解决方案。例如，MSPM0C1104 8 球 WCSP 不仅体积小，而且具有众多集成功能和组件。它在 1.38 mm² 封装中提供 16KB 闪存、具有三个通道的 12 位 ADC 和三个计时器。通过使用 MSPM0C1104 等器件来优化每平方毫米的特征数量，工程师可以在设计中发挥更多作用。 随着物理集成电路变得越来越小，设计和生产方法也在不断发展。虽然转向更小的电气元件可以帮助最小化 PCB 尺寸，但也需要考虑布局、处理和生产流程。 使用芯片级封装进行设计时，两种类型的 PCB 焊盘图案很有用：阻焊定义 (SMD) 和非阻焊定义 (NSMD)，如下图所示。SMD 类型包含与基板重叠的较大铜焊盘，而 NSMD 类型包含尺寸更紧凑的较小铜焊盘。 NSMD 型焊盘在芯片级封装中提供更好的均匀覆盖、更好的布线和更低的应力。 元件的放置和处理也非常困难。对于半导体和产品制造商而言，制造过程中使用的贴片机和真空笔可最大程度地降低损坏 WCSP 和 BGA 封装裸露芯片的风险。为了提高贴片精度，贴片机中的视觉系统可以定位封装轮廓或单个凸块。焊料凸块的几何形状可实现 PCB 焊盘的自动定心和校正。随着电子元件尺寸的减小，制造机械也随之发展以弥补这一缺陷。 TI表示，全新 MSPM0C1104 加入了 TI 的MSPM0 MCU 产品组合，该产品组合具有可扩展性、成本优化和易用性，可加快产品上市时间。TI 的 MSPM0 MCU 具有引脚对引脚兼容的封装选项和功能集，可满足个人电子产品、工业和汽车应用中的内存、模拟和计算要求。该产品组合的起价为0.16 美元（1,000 件），还包括其他小型封装，有助于减小电路板尺寸和物料清单。该产品组合的优化和功能集成可帮助工程师设计任何尺寸的产品，同时降低系统成本和复杂性。 为了提供进一步的支持，TI 的综合生态系统包括针对所有 MSPM0 MCU 的优化软件开发套件、用于快速原型设计的硬件开发套件、参考设计以及子系统（常见 MCU 功能的代码示例）。TI的 Zero Code Studio工具使用户能够在几分钟内配置、开发和运行 MCU 应用程序，而无需编码。工程师可以利用这个生态系统来扩展设计并重复使用代码，而无需进行重大的硬件或软件修改。除了这个生态系统之外，TI 的 MSPM0 MCU 产品组合还得到了 TI 对其内部制造能力不断增加的投资的支持，以满足未来的需求。
TI
芯查查资讯 . 2025-03-12 1 8 2375
产品 | 兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR Flash：专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半
兆易创新今日宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比，数据读取性能提升了20%，写入速度提升60%，擦除时间缩短30%。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。 为进一步满足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列采用超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2µA，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还保持了Flash器件的高性能表现，同时简化了SoC的系统设计。 “GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完美平衡，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够满足新一代1.2V SoC持续演进的需求。未来，兆易创新还将不断拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，致力于为客户提供更高效、更可靠、更前沿的闪存解决方案，助力创新应用的发展。” 目前，兆易创新GD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封装选项。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已开始提供样片。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出。
兆易创新
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