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芯擎科技喜获双奖，汪凯博士荣膺年度经济人物

3月8日，武汉经开区高质量发展“比学赶超创先争优”大会举办。本次大会上，芯擎科技荣获“2024年度中国车谷经济高质量发展企业”，芯擎科技创始人、董事兼首席执行官汪凯博士荣膺“2024武汉经开区年度经济人物”。作为国家级经济开发区，武汉经开区积极打造汽车产业创新高地。芯擎科技立足于经开区稳步发展，已迅速跻身国家级专精特新“小巨人”和全球独角兽行列，荣获中国汽车工程学会“科技进步一等奖”等多项国家级荣誉，充分展示了其在车规芯片领域的创新实力和领先地位。 2021年，芯擎科技推出了国内首款7nm车规级智能座舱芯片“龍鹰一号”，不仅打造了领克08、银河E5、红旗天工05等数十款畅销车型，还与德国大众集团合作，为欧洲和南美等海外国家打造智能汽车。目前，“龍鹰一号”已成为中国乘用车装载量第一的国产智能座舱芯片。2024年，芯擎科技成功推出了拥有自主知识产权的自动驾驶芯片“星辰一号”，预计2025年量产，2026年大规模上车应用。本次大会还授予芯擎科技汪凯博士“2024武汉经开区年度经济人物”的荣誉，该奖项旨在表彰极富企业家精神，为产业发展做出卓越贡献的商界领袖。汪凯博士率领芯擎团队攻克了中国车规级芯片“卡脖子“的难题，推动国产芯片与国际顶尖水平比肩发展，引领行业创新，填补了中国大算力智能座舱芯片和自动驾驶芯片的产业空白。成立6年以来，汪凯博士带领芯擎成为了行业发展的领跑者和国产芯片开拓发展的探路者。汪凯博士表示：“经开区给与芯擎的荣誉，是对我们巨大的鼓舞。芯擎将继续积极地承担行业领军者的责任，推动产业链上下游协同创新，促进汽车芯片生态的繁荣发展，为武汉经开区乃至全国、全球的汽车产业转型升级贡献力量。”

芯擎科技

芯擎科技SiEngine . 2025-03-11 1 940
SK Keyfoundry斥资250亿韩元收购 SK Powertech

SK Keyfoundry 宣布决定以 250 亿韩元的价格从 SK Inc. 收购 SK Powertech 98.59% 的股份。此次收购预计将于今年上半年完成。 SK Keyfoundry 是一家 8 英寸晶圆代工厂，于 2020 年 9 月从 Magnachip Semiconductor 分拆出来，并于 2022 年 8 月成为 SK Hynix 的子公司。 SK Powertech 前身为 Yes Power Technics，于 2022 年被 SK Inc. 收购，以其在设计和制造碳化硅 (SiC) 功率半导体方面的专业知识而闻名。 SK Keyfoundry 表示：“此次股权收购旨在增强我们在下一代化合物半导体业务中的竞争力。我们相信，凭借其半导体量产专业知识，SK Keyfoundry 可以与拥有基于 SiC 的功率半导体技术的 SK Powertech 产生协同效应。” 功率半导体对于管理和转换各种应用中的电能至关重要，包括电动汽车、工业机械和通信网络。作为 SK Keyfoundry 增长战略的核心支柱，收购 SK Powertech 有望加速 SiC 功率半导体能力的发展，最终将 SK Keyfoundry 转变为“功率半导体专业代工厂”。

收购

芯查查资讯 . 2025-03-11 2 715
超800万年薪，汇顶科技总裁胡煜华离职

3月10日晚，汇顶科技发布公告称，公司近日收到总裁胡煜华女士的书面辞职报告。汇顶发公告称胡煜华辞职汇顶科技在3月10日晚间公告称，公司董事会于近日收到公司总裁胡煜华女士的书面辞职报告。胡煜华女士因个人原因，申请辞去公司总裁职务。公告指出，胡煜华女士辞职后将不再担任公司任何职务，根据相关规定，胡煜华女士的辞职报告自送达汇顶科技公司董事会之日起生效。汇顶科技表示，胡煜华女士的辞职不会影响公司日常经营活动的开展，公司将按照相关规定尽快聘任新的总裁，并及时履行信息披露义务。此外，为保证公司运营管理工作的正常开展，在公司未正式聘任新的总裁之前，由公司董事长兼首席执行官张帆先生代行总裁职责。胡煜华教育背景及工作经历胡煜华女士拥有香港科技大学的工商管理硕士学位，以及南华大学计算机科学学士学位‌‌。她曾任德州仪器(TI)中国区市场和销售总经理、公司副总裁及中国区总裁，负责TI在中国的整体运营—— 2013年，担任德州仪器中国区销售和市场应用部总经理，促进TI模拟与嵌入式处理业务在中国市场的发展‌；2015年6月8日，任德州仪器半导体技术（上海）有限公司总裁（德州仪器中国区总裁）；2018年，当选为德州仪器全球副总裁，并继续留任中国区总裁‌。 2021年3月，胡煜华女士加入汇顶科技，担任公司总裁，全面负责公司的整体运营管理，建立全球化的运营体系和流程以不断提升运营和管理效率‌。2025年3月10日，因个人原因辞去汇顶科技总裁职务，由公司董事长兼首席执行官张帆代行总裁职责‌。胡煜华任职汇顶总裁期间的成绩 2021年3月，胡煜华入职汇顶科技，被视作当时处于低潮时期的汇顶科技的“救命稻草”。彼时，由于苹果取消指纹解锁采用面部解锁，叠加智能手机告别高增长，指纹芯片行业的盈利能力也经历了断崖式下滑。胡煜华入职前的2020年，汇顶科技的归母净利润从2019年的23.17亿下降至16.59亿元，降幅近三成；毛利率也从60.4%下滑至52.27%，下降超8个百分点。在胡煜华任职汇顶科技总裁期间(2021年3月至2025年3月)，无论是公司业绩还是产品布局业务，均取得了新成绩。一方面，汇顶科技的业绩呈现“先抑后扬”的V型走势： 2021年营收57.13亿元（同比-14.57%）‌，归母净利润同比下滑48.1%至8.60亿元‌； 2022年受消费电子需求疲软拖累，营收进一步降至33.84亿元（同比-40.77%），归母净利润亏损7.48亿元‌； 2023年通过库存出清和费用优化，前三季度实现净利润1.65亿元扭亏为盈‌； 2024年迎来爆发式增长，上半年营收22.56亿元（同比+11.58%）、净利润3.17亿元（同比+333.29%）‌，前三季度净利润同比飙升3499.3%至4.48亿元，毛利率回升至41.74%‌； 2025年预计延续增长态势，全年净利润预增233.22%-287.75%至5.5-6.4亿元‌。另一方面，汇顶科技在指纹识别芯片、触控芯片、新兴领域布局方面均做出了新成绩。汇顶科技2024年屏下指纹芯片市占率达56%‌，光学指纹产品2023年安卓市场市占率近70%，2024年保持全球领先地位‌ 。第三代超薄指纹方案（厚度≤0.2mm）于2024年已量产并适配主流安卓机型。车规级触控芯片成为核心业务，覆盖智能座舱触控屏等场景‌。在新兴领域布局方面，IoT解决方案（低功耗蓝牙、安全芯片）加速落地‌，智能座舱触控芯片需求增长显著。收购云英谷“折戟” 汇顶科技成立于2002年，是一家基于芯片设计和软件开发的整体应用解决方案提供商，主要面向智能终端、物联网及汽车电子领域提供领先的半导体软硬件解决方案，产品和解决方案主要应用于华为、OPPO、vivo、小米、中兴、一加、魅族、Amazon、Samsung等知名品牌。汇顶科技于2016年10月登陆上交所主板市场。截至3月10日收盘，汇顶科技股价为79.23元/股，总市值约为366亿元。 2024年前三季度，汇顶科技实现营业收入32.23亿元，同比增长0.82%；实现归母净利润4.48亿元，同比增长3499.3%。对于业绩的大幅增长，汇顶科技称，主要系公司聚焦于自身优势明显且市场前景可观的研发项目，持续提升研发效率及加强销售、管理费用管控所致。值得一提的是，此前汇顶科技曾谋求收购OLED显示驱动芯片公司云英谷科技股份有限公司100%股份。汇顶科技称，该次交易将“拓宽上市公司的技术与产品布局，提升上市公司竞争力，同时提升上市公司业务规模，实现公司股东价值最大化”。 3月3日晚间，汇顶科技公告称，因交易双方未能就该次交易对价等商业条款最终达成一致意见，决定终止该次交易事项。云英谷是一家以显示技术研发为核心，专业从事OLED显示驱动芯片的研发、设计及销售的企业。公司采用Fabless的运营模式，主要产品包括AMOLED显示驱动芯片及Micro OLED硅基显示驱动背板芯片。其中，AMOLED显示驱动芯片下游应用终端为智能手机，而Micro OLED硅基显示驱动背板芯片主要的下游应用终端则为VR/AR等智能头戴式设备。2024年12月，世界集成电路协会发布2024中国半导体企业影响力百强报告，云英谷入选百强榜。汇顶科技在投资者说明会上表示，终止该次交易事项系经公司审慎研究，并与交易各方充分沟通、友好协商后做出的决定。公司一直关注OLED的TDDI的发展趋势，正按长期战略推进相关研发工作，公司有信心通过自研方式完成技术积累，实现最终商用。

汇顶科技

芯查查资讯 . 2025-03-11 730
市场 | 2025到2030年，全球智能手机市场将如何变化？

预计2025年全球智能手机市场的增长将快速放缓至1.5%。厂商仍有机会寻求本地化增长机会。长期增长将保持稳定，但幅度有限，且面临多方面挑战，出货量不会出现显著激增。包括俄罗斯/乌克兰局势以及关税/贸易战在内的风险可能会对市场产生更大影响强劲复苏后的2025年呈现降温趋势 2024年，全球智能手机市场增长7.1%，达到12.23亿部，超过了早前在2024年11月发布的预测。年末需求强劲和智能手机厂商积极补充库存是这一增长的重要因素。然而，Canalys预测显示，市场增长预计将在2025年快速放缓至1.5%。市场表现将因地区而异，某些地区将达到增长拐点并开始下滑。市场即将放缓的核心逻辑在全球宏观经济和供应链的临时性背景下，上述驱动因素只能为市场提供短期动力。与此同时，2025年的智能手机市场将面临几项新挑战。库存风险：2024年高企的出货量和激烈的竞争可能导致一些地区，包括亚太新兴市场、印度和拉丁美洲等，出现较大库存升高的风险。智能手机厂商和分销商正将重点转向优化库存，以实现可持续运营。换机周期高峰已过：2024年见证了需求的显著复苏，标志着自疫情和地缘政治冲突导致的经济衰退以来的首次大规模升级和换机。然而，预计从2025年开始，换机需求将明显放缓。需要监测的潜在市场风险一些风险因素可能会在短期内影响市场趋势，Canalys正在密切关注这些因素以评估是否应调整预测。俄乌局势过去一两年内，战争对全球智能手机市场的初步影响已经减弱，因为包括物流瓶颈、全球食品价格上涨和通胀、货币波动和经济衰退在内的干扰大部分已经被消化或释放。只有特定市场（如俄罗斯和乌克兰等）仍面临直接挑战，包括人口流失、渠道重组、经济压力、通胀和营商环境不确定性等。根据当前的地缘政治局势，战争可能在2025年结束或达成可行的解决方案。Canalys概述了如果战争得到解决，短期内可能的结果。关税和贸易战各国之间（包括中国大陆、美国、墨西哥等）持续的关税争端和贸易战带来了持续的风险。

智能手机

Canalys . 2025-03-11 1520
24 位高精度 Σ-Δ ADC SGM58201：引领高性能测量新标准

在精密测量领域，市场竞争日益激烈，选择合适的 ADC 芯片成为一个挑战：需要高精度、高集成度、低功耗，同时又要具备较高的性价比。SGM58201 凭借自主研发的 IP 和创新性的架构设计，为工程师提供了一个兼顾性能与应用需求的理想选择。圣邦微电子推出的 SGM58201，作为新一代高性能 24 位 Σ-Δ ADC，支持 4 通道，内置 PGA、MUX、REF、IDAC 等功能，凭借最高 22Bits ENOB 有效分辨率、10ppm/℃ 全温度范围温漂系数，以及万分之二的恒流源匹配精度，树立了行业同品类的新标杆。图 1 SGM58201 功能框图核心优势解析：为何选择 SGM58201 SG Micro Corp 22Bits ENOB：精准还原真实信号在高精度数据采集应用中，实际有效分辨率（ENOB）直接影响可用数据的质量。SGM58201 提供最高 22Bits ENOB，确保用户获取真实、高精度的测量数据。 10ppm/℃ 全温度温漂：极端环境下仍能精准测量温漂是高精度测量系统的巨大隐患，温度变化可能导致 ADC 测量精度下降。SGM58201 全温度温漂系数仅 10ppm/℃，即使在宽温度范围（-40°C 至 +125°C）内，依然能出色的保证测量数据的一致性。万分之二的恒流源匹配精度：精密 RTD 传感测量的利器在 RTD 温度测量等应用中，恒流源匹配精度直接决定了测量精度。SGM58201 的恒流源匹配精度高达 0.02%（万分之二），减少了传统方案中对二次采样需求，显著降低了校准成本。同时，结合单周期稳定技术，实现毫秒级响应，满足高速产线的检测需求。 SGM58201 实测数据验证 SG Micro Corp 表 1 根据 RMS 噪声得出的 ENOB（根据噪声峰值得出的无噪声位）表 2 噪声，单位为μVRMS (μVPP) *测试条件：AVDD = 3.3V，AVSS = 0V，正常模式，内部基准电压 = 2.048V 图 2 SGM58201 电压基准初始精度图 3 SGM58201 线性度（INL）图 4 SGM58201 电压基准全温度误差图 5 SGM58201 基准源长期漂移图 6 SGM58201 恒流源匹配误差 SGM58201 提供多样的评测工具 SG Micro Corp 评估板（EVB）为了帮助客户快速评估 SGM58201，圣邦微电子的产品线支持团队开发了完备且稳定的 EVAL 板和 GUI 软件配套。该套件支持即时配置所有寄存器，并能实时计算和展示时域、频域以及直方图等各种数据。图 7 EVB GUI 软件界面参考设计电路板（Reference Design Demo Board）针对 SGM58201 的典型温度变送器应用，圣邦微电子的 AE 团队搭建了一整套基于公司 ADC、DAC、OPA、REF 等核心物料的 4mA - 20mA 环路供电参考电路设计，支持 TC 和 RTD 等功能，方便客户评估整体系统的综合指标性能。同时配套的专用 GUI 可用于对 ADC 和 DAC 的详细测试，简化了客户的评估工作。图 8 温度变送器参考设计信号链框图图 9 温度变送器参考设计电路板 SGM58201 市场应用场景：高精度测量的理想选择 SG Micro Corp 工业自动化：高精度温度 TC（热电偶）和 RTD（热电阻）、压力传感器数据采集医疗电子：生物信号测量、血氧检测测试仪器：精密电阻测量、电流传感器能源管理：电池监测、能量计量如果您正在寻找一款具备高精度、低温漂和高集成度的 ADC，SGM58201 是一个理想的选择。它不仅能提升测量系统的精度和稳定性，也为高端测量应用提供了可靠方案，助力为工业、医疗、能源等领域的高端测量系统在技术上不断迈上新台阶。

ADC

圣邦微电子 . 2025-03-11 1 670
方案 | ADI发布扩展版CodeFusion Studio™解决方案，助力加速产品开发并确保数据安全

▶️CodeFusion Studio™系统规划器(System Planner)支持在异构架构中实现便捷的资源分配，并能够优化代码生成以提高效率 ▶️ 数据溯源软件开发(Data Provenance Software Development)解决方案旨在确保用户整个数据栈中的数据可信度和可追溯性今日，ADI在其以开发者为核心的套件基础上发布扩展版本，其中涵盖的新解决方案旨在助力开发者提高效率和安全性，同时为客户创造更高价值。CodeFusion Studio™系统规划器能够帮助客户实现智能边缘创新，提升功能，并加快产品上市。全新的数据溯源软件开发解决方案旨在为智能边缘端产生的数据构建信任框架，确保数据从产生到使用或存储的过程中保持可信度和保真度。 ADI发布扩展版CodeFusion Studio™解决方案 ADI软件与数字平台事业部高级副总裁Rob Oshana表示：“嵌入式开发者的工作比以往任何时候都更加繁琐，不仅要应对日渐复杂的处理器，还要面临多团队开发协作和日益严峻的安全环境所带来的挑战。我们多次收到客户反馈，他们希望能够更快速、更轻松地管理系统设计、分配资源、验证概念，同时在边缘端保障数据完整性。为了满足这些需求，ADI推出了扩展版CodeFusion Studio™系统规划器及数据溯源软件开发解决方案。” 近年来，嵌入式设备的处理速度、内核数量、功能及复杂度呈指数级增长，这使得嵌入式设备的成本与空间得以优化，但软件开发流程的复杂性亦显著增加。传统开发工具通常缺乏灵活度和定制性，难以融入现代系统设计所需的高效开发流程和既有代码库。ADI CodeFusion Studio™系统规划器解决了复杂异构设备上项目创建与资源划分的诸多难题。 ADI CodeFusion Studio™系统规划器 ADI的CodeFusion Studio™系统规划器采用获得许可的开源架构，支持在多核平台上灵活地创建项目，并通过图形界面直观地分配内存和外设资源。该产品同时包含配置工具，能够感知内核上使用的实时操作系统或固件平台，为分配给内核的外设或内存块提供上下文感知配置设置。通过深入了解系统性能，并利用便捷的开源工具改善资源分配，开发者将能更有效地优化设计。此外，系统规划器还允许开发者通过基于插件的项目创建系统生成所需的代码。该系统在确保开发者享有极大灵活性的同时，还通过整套通用的配置工具来提升开发效率。针对Zephyr RTOS、ADI SDK等常见固件平台，该系统预置了一组插件，客户不仅能够开箱即用，还能根据自身需求，自由复制和修改这些项目创建和配置插件。插件系统利用了底层的模板引擎，可通过替换特定位置的字符串修改静态文件，并利用JavaScript或TypeScript函数增强代码生成逻辑。最后，系统规划器提供了图形化实用程序来划分内存资源，将分区分配给单个或多个内核。此实用程序旨在帮助客户生成链接脚本或设备树内存覆盖文件。外设模块也可以通过RTOS感知的配置选项，以图形化方式分配给内核。除了CodeFusion Studio™系统规划器之外，ADI还宣布对ADI Assure™可信边缘安全架构进行升级，发布公司首款数据溯源软件开发解决方案先行版，旨在为客户提供贯穿数据生命周期的数据可信度和可追溯性保障。 ADI数据溯源软件开发解决方案目前，ADI新推出的数据溯源解决方案先行版可为信号链数据构建信任框架，确保智能边缘端产生的数据在整个系统传输中的完整性、真实性和保真度。数据溯源解决方案允许附加安全元数据，从而增强所生成数据的可信度和保真度。保真度来源于附加的数据在传输过程中的历史信息，可信度的建立则基于强大的密码学证明，使得用户能够更便捷地评估其数据在复杂网络中的真实性和完整性，无论这些数据是用于简单的仪表板显示还是复杂的机器学习模型。数据溯源通过建立端到端信任并增强数据保真度，使模型输出更加准确安全，同时也能使决策更加精准。其直接应用包括：利用高质量的真实数据构建更可靠的算法或AI模型；提取经过验证的传感器洞察，以提高对信号链输出和操作可靠性的理解；有效减少数据浪费；以及简化对数据完整性和真实性的验证。 Rob Oshana表示：“我们不仅致力于满足客户当前对简化开发工具和支持数据信任的需求，而且同时积极开发更多解决方案，以期将AI和机器学习模型更好地集成到嵌入式系统中。未来几个月，我们将持续扩展CodeFusion Studio™平台的功能，助力客户更轻松地打造拥有嵌入式智能的产品。”

ADI

亚德诺半导体 . 2025-03-11 1 610
产品 | 瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用

瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。这款模块产品 ( IV1B12009HA2L ) 尺寸与标准的Easy 1B封装相同，其壳体紧凑，高度仅 1 2 mm。该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（ DCB）上，具有内绝缘功能，可直接紧贴散热器，无需外加陶瓷绝缘垫片，安全可靠，散热更好；同时，模块采用弹簧安装座，组装方便，集成的安装夹使安装牢固。图1，模块外观模块电路拓扑该模块产品内置1200V 9mΩ SiC MOSFET组成半桥电路，具有较低的杂散电感，简化了应用电路的设计，相对于分立器件方案，提升了功率密度。同时集成热敏电阻(NTC)以监测温度。该产品具有开尔文源极引脚，能在SiC MOSFET高速开关时，抑制驱动电压尖峰，保障高频开关应用安全和可靠。图2，模块拓扑 SiC MOSFET芯片这款模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表现，支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压，额定电流100A。应用场景该产品适用于高频、高效率功率变换系统，具有安全可靠、尺寸紧凑、安装方便等特点，典型应用场景如下：高频开关应用高压直流变换器（DC-DC）直流充电桩不间断电源（UPS）

SiC

瞻芯电子 . 2025-03-11 1 885
技术 | 为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？

电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。 Properties 特性 Si 4H-SiC GaN Energy(eV) Bandgap 禁带能量（eV） 1.12 3.26 3.50 Electron Mobility (cm2/Vs) 电子迁移率(cm2/Vs) 1400 900 1250 Hole Mobility (cm2/Vs) 空穴迁移率(cm2/Vs) 600 100 200 Breakdown Field (MV/cm) 击穿电场(MV/cm) 0.3 2.0 3.5 Thermal Conductivity (w/cm°c) 导热性(w/cm°c) 1.5 4.9 1.3 Maximum Junction Temperature (°C) 最高结温 (°C) 150 600 400 图 1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较什么是碳化硅Cascode JFET技术？众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件开发电源系统。这些器件因各自特性（优缺点不同）而被应用于不同场景。然而，安森美（onsemi）的EliteSiC 共源共栅结型场效应晶体管（Cascode JFET）器件（图2）将这一技术推向了新高度。该器件基于独特的"共源共栅（Cascode）"电路配置——将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET共同封装，形成一个集成化的常闭型碳化硅FET器件。我们的碳化硅Cascode JFET能够轻松、灵活地替代IGBT、超结MOSFET以及碳化硅MOSFET等任何器件类型（图3）。本文将深入探讨安森美EliteSiC Cascode JFET相较于同类碳化硅MOSFET的技术优势。图 2：安森美碳化硅 Cascode JFET 器件框图碳化硅相较于硅的技术优势与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括：对于给定的电压与电阻等级，碳化硅可实现更高的工作频率，从而缩小元器件尺寸，显著降低系统整体尺寸与成本。在较高电压等级（1200V 或更高）应用中，碳化硅可以较低功率损耗实现高频开关。而硅器件在此电压范围内几乎无法胜任。在任何给定的封装中，与硅相比，碳化硅器件具备更低的导通电阻（RDS(ON)）和开关损耗。在与硅器件相同的设计中，碳化硅能提供更高的效率和更出色的散热性能，甚至更高的系统额定功率。碳化硅Cascode JFET：无缝升级替代硅基方案，卓越性能全面释放这些优势也体现在安森美 EliteSiC Cascode JFET 的性能中，这是一种更新且功能更强大的器件，针对多种功率应用进行了优化。与硅基栅极驱动器兼容：实现向碳化硅的无缝过渡首先，碳化硅Cascode JFET 的结构允许使用标准硅基栅极驱动器。这简化了从硅基到碳化硅设计的过渡，提供了更大的设计灵活性。它们与各种类型的栅极驱动器兼容，包括为 IGBT、硅超结 MOSFET 和碳化硅MOSFET 设计的驱动器。图 3：按电压分类的功率半导体器件其他优势在给定封装中，拥有业内领先的漏源导通电阻RDS(ON)，可最大程度地提高系统效率。更低的电容允许更快的开关速度，因此可以实现更高的工作频率；这进一步减小了如电感器和电容器等大体积无源元件的尺寸。与传统应用于这一细分领域的硅基IGBT相比，碳化硅Cascode JFET在更高电压等级（1200V或以上）下能够实现更高的工作频率，而硅基IGBT通常速度较慢，仅能在较低频率下使用，因此开关损耗较高。安森美EliteSiC Cascode JFET器件在给定RDS(ON)的条件下，实现更小的裸片尺寸，并减轻了碳化硅 MOSFET常见的栅极氧化层可靠性问题。 SiC MOSFET vs. 安森美SiC Cascode JFET:深入对比让我们花一点时间来更深入地了解SiC MOSFET 与安森美SiC JFET 技术之间的差异。从下面的图 3 中我们可以看到，SiCMOSFET 技术不同于安森美的集成式SiCCascode JFET——这是精心设计的结果。安森美设计的SiCJFET去掉了碳化硅MOSFET 的栅极氧化层，这不仅消除了沟道电阻，还让裸片尺寸更为紧凑。安森美碳化硅 JFET 较小的裸片尺寸成为其差异化优势的一个关键所在，"RDS(ON) x A"（RdsA）品质因数 (FOM) 得以最佳体现，如图 4 所示。这意味着对于给定的芯片尺寸，SiCJFET 具有更低的导通电阻额定值，或者换言之，在相同的 RDS(ON) 下，安森美SiC JFET 的裸片尺寸更小。安森美在 RdsA FOM 方面的卓越表现树立了行业领先地位，体现在以相对较小的行业标准封装（如 TOLL 和 D2PAK）提供的超低额定电阻产品。图 4：碳化硅MOSFET 与安森美Cascode JFET 的比较 (从外部看，Cascode 是一种常关 FET）与SiCMOSFET 相比，EliteSiC Cascode JFET 具有更低的输出电容 Coss。输出电容较低的器件在低负载电流下开关速度更快，电容充电延迟时间更短。这意味着，由于减少了对电感器和电容器等大体积无源元件的需求，现在可以制造出更小、更轻、成本更低且功率密度更高的终端设备。图 5：安森美碳化硅Cascode JFET 与碳化硅 MOSFET 的竞争产品对比以下是关于SiCMOSFET的其他挑战：碳化硅MOS 沟道电阻高，导致电子迁移率较低。 Vth 在栅极偏置较高的情况下会发生漂移，这意味着栅极到源极的电压驱动范围受到限制。体二极管具有较高的拐点电压，因此需要同步整流。然而，使用安森美的SiCJFET，上述缺陷得以根本解决，因为： SiCJFET 结构的器件上摒弃 MOS（金属氧化物）结构，因此器件更加可靠。在相同芯片面积下，漏极至源极电阻更低。电容更低，这意味着更快的开关转换和更高的频率。为什么选择安森美EliteSiC Cascode JFET？尽管市场上可供选择的SiC功率半导体种类繁多，但在某些特定应用中，一些器件的表现确实比其他器件更为出色。安森美的集成式SiC Cascode JFET便是其中的佼佼者，因其低 RDS(ON)、低输出电容和高可靠性等独特优势，能够提供卓越的性能。此外，碳化硅 Cascode JFET架构使用标准硅基栅极驱动器，简化了从硅到碳化硅的过渡过程，可在现有设计中实施。因此，它为从硅到碳化硅的过渡提供了灵活性--实施简单，同时得益于SiC技术而提供卓越的性能。图 6：EliteSiC Cascode JFET 这些优点帮助安森美的SiCCascode JFET 技术在其他技术无法企及的领域大放异彩。碳化硅JFET 的增强性能使其在用于人工智能数据中心、储能和直流快充等 AC-DC 电源单元中实现更高的效率。随着对更高功率密度和更紧凑外形需求的增加，安森美SiCCascode JFET 能够实现更小、更轻和更低成本的终端设备。由于减少了对电感器和电容器等大体积无源元件的需求，有助于实现更高的功率密度。

碳化硅

安森美 . 2025-03-11 1 555
纳祥科技一款隔离度高的8T射频开关NX7007，可PIN TO PIN SKY13418、AW13418

纳祥科技NX7007是一款绝缘体上硅（ SOI ）单刀八掷（ SP8T ）天线开关，其要求插入损耗非常低，隔离度高，线性度性能好。 NX7007采用紧凑的2.0mm x 2.0mm、 14引脚表面贴装四扁平无引脚（ QFN ）封装制造，具备优异的高频特性，并能够提供良好的电性能，数据传输率高。在性能上，NX7007可以PIN TO PIN兼容替代MXD8680、MXD8580、SKY13418、AW13418。（一）NX7007主要特性 NX7007是一款采用SOI工艺制造的8T射频开关器件，它主要具备以下这些特性： ① 出色的插入损耗和隔离性能 ② 高线性 ③ GPIO控制接口 ④ 宽带频率范围： 0.1至3 GHz ⑤ 小封装：QFN-14 2.0mm x 2.0mm ⑥ 不需要隔直电容器 ⑦ 所有引脚均具有1kV HBM ESD保护 ▲NX7007功能框图（二）NX7007芯片亮点 NX7007的芯片亮点可圈可点，具体表现为以下3点： ① 低插入损耗&高隔离度 NX7007具备出色的低插入损耗与高隔离度，减少了信号在传输过程中的损失，提高系统的整体效率，在高频通信系统中具有较大的优势。 ② 高线性 NX7007具有良好的线性度，能够保证信号在传输过程中的完整性和准确性，减少信号失真。这对于高质量的无线通信系统非常重要，尤其是在处理高速数据信号时。 ③ 1kV HBM ESD保护 NX7007 的所有引脚均具有 1kV HBM ESD 保护。这一强大的保护机制能够有效防止静电放电对产品造成的损害，提高了产品的可靠性和稳定性，即使在较为恶劣的电磁环境中，也能确保产品正常工作，为用户提供更加安全、稳定的使用体验。 ▲NX7007管脚配置（三）NX7007应用领域因其低插入损耗、高隔离度、高功率处理能力等优异性能特质，NX7007主要被广泛应用在以下领域： ① 2G/3G/4G多模式蜂窝平板电脑和多模式GSM、EDGE、WCDMA、LTE ② 分集天线切换 ▲NX7007产品外形/半成品图 ▲NX7007应用示例图

纳祥科技，单刀8掷射频开关，射频开关，射频开关芯片，蜂窝平板电脑

深圳市纳祥科技有限公司 . 2025-03-11 3720
性能先锋N沟道MOSFET：开关、放大和驱动领域的得力伙伴！

原理 N沟道MOSFET通过控制栅源电压来控制源漏间电子通路的导通与截止。当栅源电压高于阈值电压时，栅极下方会形成N型导电沟道，源极电子在电场作用下流向漏极，实现电流导通，且改变栅源电压可调节沟道宽窄和漏极电流。增强型N沟道MOSFET在VGS = 0时截止，VGS大于阈值电压（Vth）时才会出现导电沟道；耗尽型N沟道MOSFET在VGS = 0时就存在导电沟道，施加反向电压（VGS < 0）会使沟道变窄，VGS达到某负值时沟道消失，器件截止。增强型可以理解为常闭，需要有外来的电压将它打开，耗尽型可以理解为常开，需要有外来的电压将它关闭。产品特性合科泰半导体推出的N沟道MOSFET管HKTD50N03性能卓越，兼具超低导通电阻、高电流承载能力和优异的散热性能等优势。它具备高效功率转换和快速开关能力，特别适用于低功率DC-DC转换器、负载开关以及表面贴装设备等应用。其电学特性表现优异，包括直流反向电压30V、正向电流50A@25℃、正向涌浪电流112A、反向电流1μA@25℃以及正向电压1.0V至3.0V。 HKTD50N03产品采用TO-252封装，这是一种表面贴装（SMD）形式。TO-252封装的产品具有紧凑的尺寸、优异的散热性能和高可靠性，适合于在高密度电路板和自动化生产线中使用。N沟道MOSFET具有非常好的电学性能，如超低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等产品。产品应用 HKTD50N03型号N沟道MOSFET的具有很好的功率处理能力和高效开关性能，应用特别地广泛在低功率DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机驱动以及消费电子产品等产品上，均可见到它的身影。 HKTD50N03产品具有很好的特性，它可以和电容、电阻、电感、二极管以及控制器IC等元器件进行合理的连接，构成高效、稳定的电路，可以实现功率转换、负载控制、信号放大、开关控制以及能量管理等多种功能。公司介绍合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。产品包括： 1、半导体封装材料；2、被动元件，主要有：电阻、电容、电感；3、半导体分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他集成电路等。合科泰设有两个智能生产制造中心： 1、中国华南地区的制造中心，位于惠州市博罗县的合科泰科技智能制造园区，建筑面积75000㎡，拥有先进设备及检测仪器1000多台，在当地配套集团物流配送中心，而东莞塘厦生产中心为目前生产基地； 2、中国西南地区的制造中心，位于四川省南充市顺庆区科创中心，厂房面积35000㎡，拥有先进设备和检测仪器仪表约2000台； 2024年合科泰全面拓宽产品线，在四川南充成立三家子公司，分别是： 1、顺芯半导体，主要负责研发生产集成电路功率器件； 2、南充安昊，主要负责研发生产晶片电阻和车规级电阻； 3、南充晶科，主要负责研发生产半导体封装材料；产品线拓宽后将最大程度满足客户需求。合科泰坚持客户至上、品质第一、创新驱动、以人为本的经营方针，为客户提供一站式应用解决方案服务。同时合科泰提供半导体芯片和分立器件封装测试OEM代工等综合性业务。合科泰在集成电路设计、芯片测试、分立器件工艺设计、可靠性实验等方面积累了丰富核心技术储备，拥有国家发明专利、实用新型专利等100多项。合科泰通过了ISO9001、ISO14001、IATF16949体系认证。产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防仪器、工控、汽车电子等领域。

厂商投稿 . 2025-03-11 1 3775
涨价 | 闪迪（SanDisk）全系存储产品涨价10%

存储芯片厂商闪迪（SanDisk）日前向客户及通路发出涨价函，将于4月1日起对渠道和消费者客户的所有产品提价超过10%，闪迪在涨价函指出，涨价原因是由于内存产业的供需持续变动，预计产业将很快转变为供不应求的状态，加上最近的关税措施将影响供应并增加营运成本。此外，闪迪也预告，由于现阶段交货周期可能拉长，公司将持续进行价格审查，并预计在接下来的几季进一步调高价格。业界认为，闪迪此次调涨颇有测试市场接受度的意味，显现近期 NAND Flash 产业在各家减产、库存调整下，供需状况已逐步改善，若成功调涨，将为NAND Flash 产业下半年确立涨势，相关厂商都可望受惠。有存储企业高管认为，闪迪发布涨价函，虽然关税是理由之一，但核心还是企业要稳住价格下跌趋势，行业通过减产来提高价格。此前几家存储芯片原厂已发布15%-25%的减产计划，按这个计划施行，供应量减少，相应价格就会上涨。也有存储器厂商人士表示，除了存储芯片原厂减产带来涨价的影响，近期AI应用、企业级存储以及消费级存储品牌的增长显著，预计将整体推动今年下半年的存储市场行情向好。群联执行长潘健成看好，随着 NAND 原厂涨价、DeepSeek 带动 AI 边缘装置等效应显现，NAND 供需有机会在下半年转趋紧张。根据调研得知，闪存价格已经回落到2023年年末水平，从去年四季度开始海外头部闪存开始有序减产，预估一季度稼动率降低15%左右。需求侧，AI服务器+AI手机+AIPC，三重需求有望迎来组合共振，需求增速边际增强AI服务器对NAND的需求量显著增长。此前大宗存储DRAM和NANDFlash现货价已经有陆续涨价消息，预计合约价也会跟涨。此次闪迪已率先提价，预计随着AI基础设施建设开启和AI应用拉动存储器需求，后续其他存储大厂有望跟进涨价。

存储

芯查查资讯 . 2025-03-10 800
禁令 | 美国欲加征中国成熟制程芯片关税

据路透社报道，美国贸易代表办公室将于当地时间3月11日就中国制造的传统芯片（也称为基础或成熟制程芯片）举行听证会。此举可能将会推动特朗普政府对来自中国大陆的传统芯片加征更多的关税。美国已于今年1月1 日起对产自中国的多晶硅加征50%的关税。早在去年12月23日，前拜登政府就宣布，要求美国贸易代表办公室发起301条款调查，以审查中国将传统半导体作为主导地位的目标以及对美国经济的影响。该“301调查”最初将侧重于中国的传统半导体的制造，包括它们作为组件纳入国防、汽车、医疗设备、航空航天、电信、发电和电网等关键行业的下游产品。该调查还将初步评估中国的行为、政策和做法对碳化硅（SiC）衬底（或用作半导体制造投入的其他晶圆）生产的影响是否会导致对美国商业的任何不合理或歧视或负担或限制。值得注意的是，自去年以来，美国的多家成熟制程芯片厂商的业绩大跌，并引发了裁员。曾是碳化硅晶圆领导者的Wolfspeed，股价三年来下跌96%，裁减20%员工；美国微控制器（MCU）大厂微芯科技（Microchip）截至2024年12月31日为止的2025会计年度第三财季（自然年2024年四季度）营收暴跌41.9%，还宣布今年将关闭部分工厂并裁员；美国芯片大厂安森美2024财年GAAP净利润同比下滑32.5%，宣布2025财年全球裁员约2400人。以上这些厂商都是成熟制程芯片厂商，虽然不能将所有业绩下滑和裁员都主要是由于市场需求下滑，但美国政府则将其归咎于，是中国成熟制程芯片产业的快速发展所带来的价格战冲击。对此，中国商务部当时回应称，中国产芯片仅占美市场份额的1.3%。中国芯片对美出口，远低于自美进口。同时，敦促美方尊重事实和多边规则，立即停止错误做法。中方将密切关注调查进展，并将采取一切必要措施，坚决捍卫自身权益。” 不过，美国商务部去年12月也曾表示，使用中国芯片的美国产品中，有三分之二使用中国传统芯片，一半的美国公司不知道其芯片的来源，其中包括一些国防行业的公司。显然，美国政府并不打算仅仅针对直接从中国进口到美国的成熟制程芯片加征关税，可能还计划对于进口到美国的采用中国成熟制程芯片的终端产品加征关税，比如电视机、洗衣机、汽车等家产品。根据机构统计，中国大陆的半导体厂商2023年生产能力同比增长12%，达到每月760万片晶圆，预计到2024年将启动18个新项目，年产能将同比再增13%，达到每月860万片。由于美国等国对先进设备实施出口限制，中国大陆制造商选择向成熟制程（28nm及以下）转型，预计到2027年成熟制程的产能占比将飙升至39%。对此，某德国芯片制造厂商的销售主管表示，仅仅两年前，Wolfspeed的一块主流150毫米晶圆的价格还是1500美元，但如今中国厂商的报价只要500美元。这位主管绝望地称，中国发起了“一场血腥的淘汰赛”(a bloody knockout match)。这一系列变化让欧美企业感受到了前所未有的压力，自作孽又何人能解？或许，他们的一些决策，正在且将继续影响全球芯片市场的格局和动力。

禁令

芯查查资讯 . 2025-03-10 2 810
飞凌微推出AIoT应用系列高性能端侧视觉AI SoC芯片A1

今天思特威（SmartSens，股票代码：688213）宣布，其子公司飞凌微电子（Flyingchip®，以下简称“飞凌微”）正式推出AIoT应用系列首款高性能端侧视觉AI SoC芯片 —— A1。新品A1搭载了高性能AI ISP、0.8TOPS@INT8轻算力自研NPU、1Gb DDR3L内存等模块，集优异的图像处理性能和端侧处理运算效率、低功耗、小封装尺寸等性能优势于一身。此外，A1可适配多分辨率规格的CMOS图像传感器，共同形成端侧AI SoC + Sensor系统级组合方案，能为消费和工业级智能视觉模组带来高精度、低延时的实时智能影像并提供轻量级AI视觉应用运行结果，加速智能硬件（如AI玩具）、智能家居、工业扫码、夜视模组等多元智能终端应用的进一步升级。人工智能(AI)和物联网(IoT)等技术的不断成熟和普及应用，推动了物联网设备智能化水平持续提升。随着搭载AI算力的智能终端设备（如智能家居、AI玩具等）快速渗透至市场端，作为核心硬件的SoC芯片将迎来新的市场发展机遇。高性能AI ISP，暗光成像快速且清晰作为飞凌微首颗AIoT应用高性能端侧视觉AI SoC芯片，A1搭载了自研AI ISP技术，覆盖0.3MP至8MP分辨率，在图像处理能力方面具备以下核心性能优势： ·高性能暗光降噪和图像增强算法 A1内置的高性能暗光降噪和图像增强算法，相较传统ISP算法，能在超低照度环境下实现更好的降噪效果，为摄像头提供高清晰度、高对比度、低噪点的实时影像，提升智能视觉设备在夜晚无灯的户外等暗光条件下图像捕捉和处理优化的精度与效率。 ·最多3帧HDR合成 A1支持最多3帧HDR合成，动态范围高达120dB，能有效解决强光、逆光等复杂光线条件下画面局部细节过曝或暗部细节丢失的情况，为设备带来层次分明、画面细节丰富的图像。 ·高分辨率RGB-IR图像处理 A1内置的RGB-IR ISP模块，能实现RGB、IR两种图像格式的同步输出，可满足机器人深度模组对彩色图像处理和深度计算的要求，保障机器人等智能设备在进行运动、导航、避障等任务决策时的精度和响应速度。 ·最高2路Sensor输入和同步处理 A1支持最多2路图像输入和同步处理，可适配多种规格和快门类型的图像传感器，灵活实现双目立体视觉相机模组等多种工业和消费级多目视觉应用场景。自研轻算力NPU，数据处理端侧加速飞凌微A1芯片搭载了0.8TOPS@INT8轻算力自研NPU，支持业内主流的CNN架构，并对轻量级神经网络结构和视觉任务进行了优化。相较行业同类型产品，A1芯片在轻量级分类模型、检测模型的推理效率分别大幅提升了约97%和260%，能进一步帮助智能视觉感知应用提升视觉数据处理计算的准确性和效率。此外，A1芯片兼顾低功耗和小封装尺寸两大优势。得益于飞凌微先进的低功耗技术，新品A1具备优异的低功耗性能表现，帮助降低摄像头模组端整体功耗，减少摄像头模组发热量。在封装方面，A1提供9mm*9mm(QFN)、7mm*7mm(BGA)两种小封装尺寸版本，有利于形成结构小型化的摄像头模组方案，为智能设备节省机身空间。端侧AI SoC + Sensor组合方案，赋能多元智能视觉终端为满足智能终端设备的性能升级以及市场需求，飞凌微面向消费和工业级智能视觉模组提供基于A1芯片产品的一系列端侧AI SoC + Sensor组合方案，助力客户端打造小型化、高性能的多元智能视觉终端应用。 ·智能硬件 AI宠物机器人等新兴智能硬件，因其智能感知、自然交流和互动的能力，已成为消费类智能终端市场极具关注度和增长潜力的细分应用领域。作为机器人之“眼”的视觉感知相机模组，凭借其精准、快速的实时影像采集与处理性能，能为机器人在完成定位导航、检测识别等决策时提供及时、可靠的视觉感知信息。A1 AI SoC芯片适配0.3MP-2MP全局快门CMOS图像传感器，灵活形成多样的单目/双目智能视觉感知模组方案。在这些组合方案中，A1 AI SoC芯片不仅能实现精准、优质的RGB或IR影像处理与输出，而且支持运行人脸/物体检测识别等视觉算法应用，能帮助AI宠物机器人等智能硬件设备在视觉感知模组端侧完成对用户的表情、状态和情绪的实时感知，也为设备系统后端的运算处理减负。值得一提的是，基于A1 AI SoC芯片和RGB图像传感器打造的单目模组方案兼顾视频拍照、检测识别两种应用，可为小体积的智能硬件节省系统架构设计和硬件空间。 ·智能家居 A1 AI SoC芯片可与3MP-6MP低功耗快启CMOS图像传感器和鱼眼镜头搭配，共同形成具备大视场角的低功耗视觉感知方案。该方案在检测到视野范围内有人出现时，能迅速唤醒并开启实时感知。由低功耗快启CMOS图像传感器结合鱼眼镜头捕捉到的大视场角影像，依托A1芯片内置的暗光降噪、畸变矫正等图像处理算法以及人形检测等视觉识别算法，为视觉感知摄像头带来快速、精准的识别感知结果，帮助智能空调/电扇等智能家居设备确定人员位置分布，及时调整设备出风角度和风速，为用户提供智能化的舒适体验。 ·工业扫码面向自动化生产线等工业机器视觉系统应用场景，A1 AI SoC芯片适配0.3MP-2MP全局快门CMOS图像传感器，通过内置AI ISP功能对高帧率Sensor图像输入进行实时处理优化，实现了影像清晰度的显著提升。此外，A1芯片支持轻量级算法应用（条码读取识别、计数检测等）的运行和结果输出，在工业相机端侧实现了快速、精准的扫码识别与检测功能，提升工业机器视觉系统整体的运行效率与成本效益。 ·夜视模组 A1 AI SoC芯片能与4MP-8MP夜视全彩CMOS图像传感器搭配，共同形成高性能夜视模组方案。在该方案中，由夜视全彩图像传感器捕捉的高品质实时影像，通过A1芯片内置的高性能AI ISP功能优化处理，实现了优异的暗光成像效果。该方案可适用于多种夜视场景摄像头应用，为设备提供画面清晰、层次分明、低噪点的夜视全彩影像。 A1 AI SoC芯片目前已成功量产并接受送样。想了解更多关于A1 AI SoC芯片以及组合方案的信息，请与飞凌微销售人员联系。

思特威 . 2025-03-10 3960
亿咖通与大众集团达成合作，芯擎助力打造智能座舱解决方案

近日，亿咖通科技（纳斯达克股票代码：ECX）（以下简称“亿咖通科技”）宣布，正式与大众集团达成合作，为大众（Volkswagen）和斯柯达（Skoda）品牌的全球车型提供智能座舱解决方案。作为本次合作的核心伙伴，芯擎科技的智能座舱芯片“龍鹰一号”将助力亿咖通为大众全球车型的智能化升级提供芯片支持与服务，首批车型将率先亮相巴西和印度两大新兴市场。本次合作中，芯擎科技凭借7nm车规级智能座舱芯片“龍鹰一号”的卓越性能，为亿咖通·安托拉®1000计算平台提供了大算力、高性能的支持。双方携手合作，共同为大众集团打造全场景的智能座舱解决方案，致力于为全球用户带来更加能化、更便捷的出行体验。 “龍鹰一号”是芯擎在2021年推出的国内首款7纳米车规级智能座舱芯片，自2023年上车应用以来，一直稳居国产智能座舱芯片市占率第一的领先地位。该芯片采用多核异构架构设计，实现了高效的算力分配和功耗管理：内置8核CPU、14核GPU、8 TOPS算力的独立NPU，以及双HiFi 5 DSP处理器，集成了ASIL-D最高功能安全等级的独立安全岛。同时，它还支持高带宽、低延迟的LPDDR5内存和7屏高清画面输出，高效准确地提供数字仪表、HUD、4K高清显示、大型3D游戏、DMS(驾驶员监控系统)和OMS(乘客监控系统)等功能，为车厂打造创新智能座舱应用提供了全方位的支持。芯擎科技创始人、董事兼首席执行官汪凯博士表示：“我们非常高兴能够助力亿咖通与大众集团达成这一重要合作，这为国产芯片的发展注入了一剂强心剂，也展示了国产芯片在全球竞争中的卓越实力。未来，我们将继续与亿咖通等合作伙伴携手共进，为更多车企提供优质的智能座舱和智能驾驶解决方案，推动全球智能汽车的发展。” 德国大众集团作为全球最具影响力的汽车集团之一，其旗下的大众和斯柯达品牌在全球范围内拥有庞大的用户群体和深厚的市场基础。亿咖通与大众集团的深度合作，是亿咖通科技全球化战略的重要里程碑。芯擎科技将发挥自身在芯片设计和研发领域的引领优势，持续助力协助亿咖通和大众集团提供优质的智能座舱解决方案。

芯擎科技

芯擎科技 . 2025-03-10 660
市场周讯 | 特朗普呼吁废除《芯片法案》；Microchip裁员2000人；Allegro拒绝安森美收购邀约

| 政策速览 1. 中国：美方宣布以芬太尼等问题为由，自3月4日起对中国输美产品再次加征10%关税。中方对此强烈不满，坚决反对。 2. 商务部、国务院关税税则委员会接连发布多项对美反制措施。包括在世贸起诉美国、对原产于美国的部分进口商品加征关税、将15家美国实体列入出口管制管控名单、将特科姆公司等10家美国企业列入不可靠实体清单、对美国因美纳公司采取不可靠实体清单处理措施。 3. 广东：广东省发改委党组书记、主任艾学峰近日主持召开民营企业恳谈会，芯粤能半导体、粤芯半导体、亿航智能、中科宇航、白云电气、文远知行、明珞装备、视源电子、原点智能、中科安齿、天太机器人、华数机器人等12家民营企业参加。会上，艾学峰对企业关心的问题进行了逐一回应。他表示，民营企业是广东经济的重要支撑，支持民营经济发展是各级政府部门的重要职责。接下来，广东省发改委将会同省有关单位和各级发改部门认真研究企业意见建议，把各项政策落实到位，用心用情用力为企业排忧解难，为民营企业的发展创造更加良好的环境。 4. 美国：美国总统特朗普在国会联席会议上呼吁废除2022年的《芯片法案》，认为该法案是一项糟糕的协议，并呼吁国会取消该法案的拨款以减少赤字。 5. 深圳：深圳市工业和信息化局印发《深圳市加快打造人工智能先锋城市行动计划（2025—2026年）》，支持大模型关键核心技术攻关。加速布局人工智能和机器人科技重大专项，产出一批重大创新成果。加强关键技术研发，加快算法理论创新，支持企业加强智算芯片、具身智能、高阶智驾、端侧轻量化模型、超大参数模型、高效推理模型、全模态模型、空间智能模型等核心突破，提升大模型可信与可靠度。重点攻关具身智能，完善具身智能数据仿真、数据合成等技术工具链，持续研发具身智能多模态“大脑”和运动控制“小脑”，支持VLA（视觉语言动作）大模型研发应用，加速突破高功率密度伺服驱动器、仿人机械臂和灵巧手等“机器肢”关键技术，攻关高精度传感、高强度本体结构、高能量密度动力、轻量化骨骼等“机器体”关键技术。支持智算芯片企业加强研发，持续提升端侧和推理芯片的计算能力和模型适配能力，加快突破超大规模智算集群网络通信等关键技术问题。 6. 新加坡：新加坡副总理兼贸工部长颜金勇今日宣布，新加坡科技研究局将投资近 5 亿新元（约 27.18 亿元人民币），在新加坡半导体技术转化创新中心（NSTIC）增设国家半导体研发制造设施，新设施将于 2027 年投运，最初会聚焦先进封装技术。 | 市场动态 7. Canalys：2024年，全球可穿戴腕带设备市场实现稳步增长，出货量达1.93亿部，同比增长4%。中国依然是全球最大的可穿戴腕带设备市场，出货量占全球30%，同比增长20%。 8. Omdia：2025年中国工业中低压电机市场将保持增长态势，到2028年市场规模将达到76亿美元，2025年到2028年年复合增长率为6.7%。 9. TrendForce：2024年第四季NAND Flash价格反转向下，平均销售价格季减4%，整体出货位元也下滑2%，整体产业营收为165.2亿美元，较2024年第三季减少6.2% 。第一季NAND Flash整体产业营收可能季减高达20% 10. CINNO：2024年全球半导体设备商半导体营收业务Top10营收合计超1,100亿美元，同比增长约10%。 11. Canalys：2024年全球个人智能音频设备的出货量达到4.55亿台，同比增长11.2%。所有产品类别的出货量均有所增长，其中中国和新兴市场（亚太地区、拉丁美洲、中东和非洲地区）是主要的增长的市场。 12. Omdia：2024年，前三大电视芯片供应商的市场占有率已达到82%。预计到2025年，这一比例将微幅上升至83%。 13. 中国海关：前两月，集成电路出口表现尤其亮眼，出口额达251.04亿美元，实现了11.91%的同比增长，延续了良好的发展态势。 14. SIA：2025年1月全球半导体销售额达到565亿美元，较2024年1月的479亿美元同比增长17.9%，创同期历史新高，但比2024年12月的575亿美元下滑1.7%。 | 上游厂商动态 15. ADI：文晔主动给客户发出声明，已经接到ADI的通知，将会取消文晔的代理权。文晔需要将所接到的所有采购订单在4月下旬之前全部发送给ADI，后续将不能再接受新的订单。而ADI给文晔客户的产品交付日期最晚到2025年7月26日。 16. 台积电：台积电计划向美国工厂额外投资 1000 亿美元，以提高其在美国本土的芯片产量，并支持唐纳德·特朗普总统增加国内制造业的目标。 17. 士兰微：兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。项目争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。 18. 安森美：安森美已经聘请专业顾问团队推进对Allegro的收购进程。随后，Allegro表明拒绝接受安森美的收购邀约。 19. 美光：存储芯片厂美光今日宣布，任命前台积电董事长刘德音与勤业众信资深合伙人Christie Simons为公司董事，以迎接未来AI市场发展。此次也是刘德音退休后，首度出任半导体公司的董事职位。 20. 镓仁半导体：杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。 21. 台积电：应NVIDIA、博通两大客户要求，台积电CPO技术正在加速推进，预计2025年下半年小量生产，2026年开始放量。 22. 盛美上海：其单晶圆中/高温硫酸过氧化混合物（SPM）设备已成功通过一家逻辑芯片制造商的大批量制造验证。截至目前，该设备已交付了13家客户。 23. 三星：三星电子正在对其负责芯片设计的大规模集成电路（LSI）事业部进行全面的业务评估，可能会进行业务重组，包括高管调整和员工调动。 24. 西部数据：西部数据已正式剥离其 NAND 闪存业务，这意味着该公司后续将不再生产 NAND 及 SSD。未来西部数据将专注于自己的机械硬盘市场，西部数据原有的 NAND 和 SSD 业务都将由闪迪接手。 25. 博通：博通公布了 2025 财年第一财季（截至 2025 年 2 月 2 日）的财务数据。在该季度中博通实现 149.16 亿美元（当前约 1080.88 亿元人民币）营业收入，较去年同期增长 25%，环比则增长了 6%。 26. 英特尔：将继续保持约 30% 的晶圆制造依赖外部合作伙伴，主要外包给台积电。英特尔表示，台积电是“优质供应商”，其参与为英特尔代工业务（Intel Foundry）创造了良性竞争环境；英特尔正在考虑 15-20% 的长期晶圆外包目标。 27. 新思：英国监管机构批准新思科技 350 亿美元收购工业软件公司 Ansys。 28. SK海力士：在内部宣布将关闭其CMOS 图像传感器部门，该团队的员工将转岗至 AI 存储器领域。SK 海力士称此举是为了巩固其作为全球领先 AI 芯片企业的地位。 29. Microchip：将裁员约 2,000 人，约占员工总数的 9%，以重组业务以应对汽车制造商需求放缓的问题。 | 应用端动态 30. 阿里巴巴：Arm 发布与阿里巴巴双方经由 Arm KleidiAI 的集成，成功让多模态人工智能 (AI) 工作负载通过阿里巴巴经指令调整的通义千问 Qwen2-VL-2B-Instruct 模型运行在搭载 Arm CPU 的移动设备上。该版本的通义千问模型专为端侧设备的图像理解、文本到图像的推理，以及跨多种语言的多模态生成而设计。 31. 富士康：墨西哥哈利斯科州州长Pablo Lemus Navarro表示，富士康计划在Guadalajara附近建设AI服务器超级工厂，预计将在一年内建成。Lemus称，富士康的投资金额约为9亿美元，建成后将成为全球最大的AI服务器组装工厂。

半导体

芯查查资讯 . 2025-03-10 5 2 1825
IC 品牌故事 | NVIDIA并不总是胜者，可一旦赢了就是大获全胜

NVIDIA，成立于1993年，总部位于加利福尼亚州的圣克拉拉。作为全球加速计算的霸主玩家，NVIDIA在2024年全年收入创下609亿美元的纪录，同比增长126%，其中，仅数据中心这一块业务斩获475亿美元的业绩，较去年同比增长409%。NVIDIA主要产品分为硬件和软件两部分。硬件核心产品为GPU，以及以GPU为核心的消费、工业、汽车、AI、机器人、数据中心等成熟产品及方案。软件部分包括不同应用领域的框架、工具、游戏创作、基础架构和云服务。 NVIDIA代理商有中电港、艾睿、ADG、英迈等。当NVIDIA开始钻研深度学习时，并不知道这项工作能带他们走多远，也无人知晓它会发展到什么程度。现在，全世界都开始认识到深度学习的巨大潜力时，NVIDIA已经身处计算革命的核心地带。算力就是生产力，算力重新锚定了科技坐标。黄仁勋和他带领的NVIDIA，几乎凭借着一己之力，交付AI算力卡的增长。这家公司究竟如何从电子游戏硬件商成长为全球最具价值的公司？接下来就请跟随芯查查一探究竟吧！图注：图源NVIDIA官网逆风启航：在失败中找寻生存法则故事起源于1993年。在圣何塞一家24小时营业的丹尼餐厅（Denny's）里，三位年轻的工程师，黄仁勋、克里斯·马拉科夫斯基（Chris A Malachowsky，下文简称马拉科夫斯基）和柯蒂斯·普里姆（Curtis Priem，下文简称普里姆），喝着无限免费续杯的咖啡，吃着3.99美元的超值套餐，他们紧盯着面前的电脑，桌上的资料洒了一地。 5000万美元。黄仁勋认为初创公司的年收入至少要达到这个数才算值得。最后，他说服了自己，与其他两位伙伴达成一致，决定成立一家专门设计“图形加速卡”的公司。最初，这家公司的名号是NV，即New Venture（新企业）。创始人之一普里姆翻阅了各种语言词典，整理一套有关NV概念的词汇表。一开始，他们选定了“Nvision”，但发现这个名字已被一家环保公司注册。列表中的下一个单词是“NVIDIA”，源于拉丁词“invidia”，意思是“嫉妒”，他们要打造一款让竞争对手“嫉妒地发狂”产品，于是便有了现在人们熟知的NVIDIA。确定名字后，三人在丹尼餐厅敲定职责分工，黄仁勋为CEO，普利姆为CTO，马拉科夫斯基为工程副总裁，每个人持有的股份额度相同。这家孕育了世界市值最高企业的丹尼餐厅，在他们仨当初喝咖啡、吃快餐的餐饮区这里摆放着一块精美的牌匾，有兴趣者路过可以看看。彼时，显卡市场被视作蓝海，英特尔和AMD在CPU领域激战正酣，而三人却瞄准了一个“0亿美元市场”——专为3D游戏设计的图形芯片。说是0亿美元，实际上，当时已经有至少35家公司投身于图形加速卡的研发制造，只是还没有出现巨无霸企业。还记得前文黄仁勋在丹尼餐厅放话：“除非公司能在一年内实现5000万美元销售额，否则我不会加入。”果然，成功不会来得很轻易。 1995年，《毁灭战士》和《神秘岛》两款PC 3D游戏取得百万份的巨额销量，NVIDIA推出的首款产品NV1完全不愁卖。随后，《文明2》、《命令与征服》这类经典PC游戏接踵面世，3D图形卡的发展超出市场预期。NVIDIA捆绑了《VR战士》这款游戏，让NV1芯片在1995年年底的销量超过10万颗。仅仅过了3个月，1996年的第一季度，《VR战士》热潮退去，越来越多的玩家发现NV1在渲染其他游戏时，没有深度缓冲区，只能渲染曲面。简单来说，NV1渲染的游戏，游戏角色总是在穿模，甚至电脑直接死机。 NV1惨遭滑铁卢不说，更糟糕的是，NVIDIA已经围绕该设备的后续迭代建立了整条供应链，还计划推出NV2、NV3……技术路线与市场脱节，资金链断裂速度之快，让NVIDIA瞬间濒临破产，资金仅够维持30天运转。生死存亡之际，黄仁勋做出了3个关键决策。仿真豪赌：黄仁勋将公司最后一笔大资金购入仿真器，跳过花费高昂的原型制造环节，直接依靠数字草图进行大规模制造。NV3（又名Riva）是NVIDIA第一款仿真器下诞生的产品，索性结果是好的。NV3成品与仿真结果完全一致，画面毫无瑕疵。加上NV3功能多样，加速视频游戏、调整电子表格、播放DVD都不在话下，销量在4个月内售出100万张。技术转向：黄仁勋放弃NV1的“全能娱乐芯片”路线，全面倒向微软Direct 3D标准。1997年推出的RIVA 128显卡以3D加速能力横扫市场，仅用22个月便击败当时的霸主3dfx，成为新“显卡之王”。写信求助：当Riva显卡需求量超出欧洲供应商的生产能力时，NVDIAI曾经向台积电在硅谷的销售团队求。但是，这支销售团队为了英特尔的订单正忙得昏天黑地，所以直接忽视了NVIDIA的小订单需求。黄仁勋直接向台积电创始人张忠谋手写亲笔信求助。张忠谋亲自回电，最终促成合作。1998年，台积电甚至派驻两名生产计划师进驻NVIDIA，协助其优化供应链——这种“保姆式服务”在当年的代工行业里极为罕见。此外，黄仁勋和普里姆因为NV1项目产生不可调节的矛盾。由于黄仁勋在公司拥有绝对话语权，普里姆逐渐边缘化。自1998年起，NVIDIA的潮落潮起，与普里姆再无牵连。黄仁勋曾说：“NV1教会我们：创新必须与生态同步进化。”当RIVA 128以每秒1.2亿多边形生成速度把3dfx Voodoo打回古董，硅谷才意识到——这个濒死的公司已在悬崖边完成进化。图注：NVIDIA产品发展，图源网络颠覆式创新：从游戏到AI的“曲线救国” 2006年，黄仁勋提出“GPU将成为通用计算引擎”。换句话说，是让显卡成为像CPU一样能够处理计算的工具。这个想法一经提出，立遭群嘲，公司内部认为这是天方夜谭，有甚者直言道：“我们明明是卖显卡的，干嘛去抢英特尔的饭碗？”。《华尔街日报》也公开戏谑：“谁会拿法拉利去拉货？” 但是，黄仁勋力排众议，铁了心要做。他在员工大会上说：“如果只盯着眼前的市场，我们永远只是显卡公司。”当时他甚至抵押了自己的房子给公司输血。最初5年，CUDA几乎无人问津。NVIDIA坚持赔钱赚吆喝——给大学免费送显卡，帮科学家改代码。转机出现在2012年，多伦多大学的研究生用两块GeForce显卡训练出了AlexNet神经网络，图像识别错误率从26%暴跌到15%。黄仁勋得知消息后，立刻买下20台服务器送给该团队，并在邮件里写道：“你们证明了，疯子不止我们一个。” 2023年，ChatGPT爆火，让全球意识到AI时代已经来临。OpenAI训练GPT-4消耗的算力中，95%来自NVIDIA GPU。使用NVIDIA的GPU必定要使用CUDA平台，在全球疯狂屯卡的背景下，CUDA成了AI开发者不可或缺的第二根筷子。这一战略暗合“颠覆式创新”理论：避开与英特尔的正面竞争，从游戏这一边缘市场切入，最终以并行计算优势颠覆整个计算行业。技术比人诚实，它终将证明谁对谁错。光速主义：要么跟上，要么滚蛋在NVIDIA，黄仁勋的管理风格被形容为“将团队绷成一根钢琴弦”。他奉行“光速决策”管理理念：周五晚上宣布转型AI芯片，周一全员已切换赛道。光速主义下，NVIDIA研发内部有个“18个月定律”：每代显卡性能必须翻倍，研发周期不能超过18个月。为了做到这点，黄仁勋发明了三班倒开发模式：当第一代显卡还在测试时，第二代团队已经开工三年了。工程师吐槽：“在这里工作就像参加铁人三项，喘气的机会都没有。”这种极致效率源于他对物理极限的执着——设定期望速度，再倒推现实方案。 “光速”背后的方法论时间预判：假设无任何限制，一切都是最理想的情况下，某项任务完成的最快速度。公开失败：黄仁勋常在全员会议上播放产品缺陷视频，直言：“失败必须被公开，否则永远无法改进。”一旦项目延期，相关负责人会向在场的每一位员工详细解释出错环节。黄仁勋会对他们的解释进行严厉、刻薄地分析，有时甚至会变成怒吼。并非所有人都能接受这样。保持透明度：黄仁勋有60位直接下属。此外，每周五公司每位员工列出手头最重要的5件事，邮件给黄仁勋。每周五，黄仁勋都会收到2万封邮件。他会随时随地随意挑选其中的邮件进行回复。努力工作：确保这件事已经到了工作极限。开发Volta架构时，黄仁勋要求加入AI专用的Tensor Core芯片。工程师们集体抗议：“这会让芯片面积增加20%！”他直接摔了样品：“要么现在改，要么五年后公司倒闭！”结果Volta架构让AI训练速度提升12倍，成为行业标准。一位员工曾表示，在3dfx，座右铭是“努力工作，尽情玩乐”，在NVIDIA，只有努力工作。当然，如此高强、高压的工作背后，别忘了NVIDIA提供薪资绝对具有你为他卖命的理由，员工可以以过去两年任意时段的最低股价位基准购买公司股票。生态霸权：从硬件垄断到算力帝国 NVIDIA的生态帝国并非一蹴而就，而是通过长达二十年的战略布局逐渐成型。 CUDA——温水煮青蛙 2006年CUDA平台推出时，NVIDIA采取了三步走计划：第一步，学术渗透。向全球顶尖高校免费赠送显卡，麻省理工学院、斯坦福大学等50所高校成为首批“试验田”。NVIDIA甚至派工程师帮学校老师改写气象模拟代码，就为了证明GPU比CPU快。第二步，工具驯化。推出可视化编程工具Nsight，让开发者无需精通底层代码即可调用GPU算力。2010年Adobe Premiere接入CUDA加速后，视频导出时间从3小时缩短到23分钟，直接带动GeForce显卡销量增长40%。有个大学教授说：“让我换平台？除非你把过去十年写的代码都重写一遍！” 第三步，版本绑架。NVIDIA每代新架构都会淘汰旧API，迫使开发者持续升级。2024年，全球92%的AI研究论文依赖CUDA加速，迁移成本高到连谷歌都不敢轻易换平台。图注：NVIDIA官网截图算力——手心手背的双重生意有了CUDA和性能强劲的显卡，NVIDIA的商业模式堪称环环相扣。例如NVIDIA既卖显卡给谷歌，又通过亚马逊出租算力，两头赚钱。更狠的是DGX超级计算机——把8块顶级显卡打包成算力集装箱，价格直接翻十倍。有客户抱怨太贵，NVIDIA却表示：“买得越多，省得越多。” 黄仁勋坦言：“生态建设的最高境界，是让对手的工程师都为你的平台打工。”2024年，全球300万CUDA开发者中，有15%同时为AMD和英特尔工作，但他们提交的代码优化方案反而强化了NVIDIA的生态壁垒。一位跳槽到竞争对手的工程师抱怨：“我花三年为AMD优化代码，结果性能提升还不如CUDA自动更新一次驱动。” 头悬利刃：越是巅峰，崩塌风险越大 2024年，NVIDIA市值突破3万亿美元，成为全球市值最高的企业。但是，因为NV1的失败，黄仁勋总是在NVIDIA内部强调：“我们离破产永远只有30天。”NVIDIA虽然风头无量，但并不代表可以就此高枕无忧，它正在面临来自客户、能源和政治方面的多重风险。客户方面，NVIDIA的大客户谷歌开始谷歌自研TPU芯片。2024年TPUv5训练效率达到H100的80%，成本仅60%；微软Azure数据中心开始采用自研Athena芯片，并通过补贴政策吸引企业迁移，微软甚至为改用Athena的企业报销前六个月算力费用。能源方面，H100芯片功耗达700 W，训练GPT-5需要8万块这样的芯片，仅电费就超过2亿美元；液冷服务器虽能降温，但部署成本增加200%，例如Meta曾因散热问题退货3000块H100，损失超1亿美元。政治方面，美国一纸禁令让NVIDIA一点点丢失其主要营收市场——中国。NVIDIA特供给中国的H20，性能缩水，价格翻倍，迫使中国企业在AI算力领域另辟蹊径，苦心钻研。最近大火的Deepseek则是对算力堆砌主义的一次有力反击，让全世界看到AI不仅仅只有狂堆算力唯一解。欧盟方面，则以“算力垄断”为由对NVIDIA开出180亿欧元罚单，要求强制开源CUDA核心代码，这相当于让云南白药公开配方。笔者相信，没人能一直稳坐钓鱼台，下一个坐上王座的企业，会是谁呢？结语从丹尼餐厅的免费续杯咖啡到全球AI教主，NVIDIA的30年是一部关于技术信仰、偏执生存与生态统治的现代商业典范。黄仁勋的标志性黑色皮夹克，不仅是个人风格的象征，更暗喻NVIDIA这家企业对“质感与算力并存”的追求——正如黄仁勋所说：“绝望才是成功之母，灵感不是。” NVIDIA用3%的时间创造85%的成长，2023年其净利润从44亿飙升至298亿美元，市值一年翻五倍。但这份辉煌背后，是二十年的技术积累与无数次生死抉择。在算力革命的下半场，NVIDIA的故事仍在续写。真正的创新者从不等待未来，而是以光速创造未来。 Tips 截至发稿前，芯查查已收录NVIDIA 物料数据、应用方案，datasheet，国内外及同品牌替代料等信息。进入芯查查NVIDIA 品牌页即可查看相关数据。

NVIDIA

芯查查资讯 . 2025-03-10 8 2 2115
存储 | 一文了解NAND Flash的前世今生及相关企业

重点内容速览： 1. NAND Flash 发明期 2. NAND Flash 缓慢发展期 3. NAND Flash 爆发成长期 4. NAND Flash 全面普及期 5. 利基型NAND Flash的供应商 6. NAND Flash 主控厂商半导体存储器（Semiconductor Memories），又称为存储芯片，是用半导体集成电路工艺制成、用于存储数据信息的固态电子器件，由大量能够表征0和1的半导体器件（存储元）和输入输出电路等构成，是计算系统的重要部件。半导体存储器具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点，更重要的是存储元阵列和主要的外围逻辑电路兼容，可以制作在同一芯片上。因此，现在的半导体存储器不仅用作计算系统的内存，也在逐渐取代磁性存储器，而作为外存，比如说现在流行的固态硬盘等。也就是说，现在的半导体存储器已经广泛应用于内存、U盘、固态硬盘、智能手机、消费电子，以及智能终端中。 NAND Flash是半导体存储器市场中的第二大“扛把子”，除了DRAM就数它的销售额最大，据CFM闪存市场统计，2024年全球NAND Flash的销售额为696.09亿美元，差不多占整个半导体存储器销售额的四成。但其实它最开始出现的时候并不被人看好，甚至一度被束之高阁，但如今，不论是我们的电脑、手机，还是数据中心和汽车等等都离不开NAND Flash的鼎力支持。那么NAND Flash是如何一步一步发展到今天这么不可或缺的呢？这个市场有哪些重要的玩家呢？芯查查带你一探究竟。 NAND Flash的发明期 1967年的某一天，中国台湾科学家施敏和MOSFET发明人之一韩国的金大中（Dawon Kahng）博士，在贝尔实验室喝下午茶。他们在吃起司蛋糕的时候，突然想到，为何MOSFET的栅极不能像蛋糕一样多叠一层来束缚住电子呢？于是，他们俩利用这个想法，发明了Floating-Gate MOSFET.（浮栅MOSFET，这是一种特殊类型的MOSFET，主要用于非易失性存储器，比如电可擦除可编程ROM，EEPROM和闪存）。这是人类第一次发现，原来除了电容和磁性材料之外，半导体也可以储存数据。图：单浮栅Flash的读写过程（来源：嵌入式存储器架构电路与应用）不过，当时的浮栅只能在制造的时候把数据烧录进去，如果出厂之后想要再修改的话，就非常麻烦，需要使用紫外光长时间的照射来激发储存的电子，修改储存的内容，这就是当时的可擦可编程ROM（EPROM）。 1978年，英特尔的Eli Harari发现，当浮栅MOSFET最下面的绝缘层做得足够薄的时候，就可以使用电压，让电子穿过绝缘层，不再需要使用紫外光来照射。这个发明就是电擦除可编程ROM（EEPROM）。Eli Harari后来还离开英特尔，创办了SanDisk这家存储器公司。 1984年，一位东芝的日本科学家舛冈富士雄在看到EEPROM的发明后，觉得这就是未来。于是，他花了大量的时间来改良EEPROM的读写机制。开始，他提出了NOR Flash的想法，NOR Flash其实就是简化了原来EEPROM的读写方式，虽然写入数据的速度比较慢，但是读取速度变快了，可以用来存储电脑的BIOS程序。发明NOR Flash之后，舛冈富士雄并没有停止研发，而是继续改良他的发明。1986年，他又提出了NAND Flash的想法，NAND Flash的优点是单位成本低、存储密度高、适合大容量存储，而且写入速度很快。其缺点是随机访问速度慢，需要复杂的错误校正机制。但当时舛冈富士雄任职的东芝的主营业务是DRAM，而且当时DRAM市场正一片欣欣向荣，竞争者众多。东芝并不想花太多的资金和精力在NAND Flash这个不知道有没有市场的新产品上，便没有继续投资Flash存储器的研究，他们甚至还冷落这个NOR Flash和NAND Flash的发明者，并将这项技术闲置了。舛冈富士雄觉得继续在东芝待着也没什么意思，于是就心灰意冷地辞职了。1994年，他回到其母校东北大学教书去了。后来不知道为什么，东芝竟然还不承认舛冈富士雄是NAND Flash的发明人，导致他们还闹上了法庭。反倒是英特尔率先看到了Flash存储器的潜力，1988年，英特尔推出了第一款商用NOR Flash芯片，取代了原来的EEPROM产品。同一年，EEPROM的发明者Eli Harari看到了Flash存储器的潜力，决定自己出来创业，创办了SunDisk（后来改名为SanDisk）存储器公司，专注在开发Flash存储器的各种应用。 1989年，东芝终于也推出了他们的第一款NAND Flash产品。 1991年，SanDisk推出了他们的第一款容量为20MB的SSD（固态硬盘）。 1992年，东芝为了缩小与英特尔在Flash方面的产能差距，决定将NAND Flash技术授权给三星。 1993年，SK海力士也进入了NAND Flash市场。 1994年，SanDisk发现，当时的NAND Flash固态硬盘的容量实在是太小了，在PC市场根本没有什么竞争力。但是在数码相机等嵌入式系统中，小容量就可以满足需求，于是他们推出了2MB的Compact Flash存储卡，该产品大获成功，成为当时许多数码相机的主要存储介质。 NAND Flash的缓慢发展期 1995年，虽然Flash存储器市场才刚刚开始，但发展势头强劲。此时，专注于Flash存储器的控制芯片设计及NAND Flash存储卡等产品的Silicon Motion在美国加州硅谷成立。 1996年，当时的电脑接口非常混乱，导致各种设备外围设备会产生非常多的兼容性问题。为了解决这个问题，英特尔、微软、IBM等多家科技公司联合推出了USB接口，统一了电脑设备的接口。 1997年，为了满足当时快速成长的存储卡需求，SanDisk联合西门子推出了4MB的MMC存储卡格式。这一年，英特尔还在继续研发NAND Flash技术，他们开始尝试一次可以储存2bit的MLC NAND Flash技术。同样是1997年，慧亚科技在中国台湾新北市成立，主要产品为NAND Flash存储器控制芯片。 1998年，因为存储卡的需求成长速度很快，所以SanDisk、东芝和松下联合推出了新的存储卡格式——SD卡，在当时，他们已经可以制造32MB的SD卡。 1999年由于存储卡产品的热销，导致NAND Flash第一次大缺货，这促使更多的厂商前仆后继地投入研发更大容量的NAND Flash产品。 2000年，潘建成及其他4位交通大学的学生，在读硕士研究生期间，被指导教授安排去慧亚实习，因此他们学会了NAND Flash控制芯片的技术。毕业后，他们顺理成章地成为了慧亚的员工。但由于看不惯当时公司主管的作风，后来跟主管闹翻了，于是他们与其他年轻的同事，总共12人，决定一起出来创业，成立了群联电子（Phison）。但创业并不是一件容易的事情，更何况是一群20几岁的年轻人。他们拿到了3,000万元新台币的投资，但不到9个月就亏掉了1,600万元新台币。正在他们不知道该何去何从的时候，无意间听到了有一个欧洲贸易商想要一个可以储存信息的USB设备，于是他们便想到可以把NAND Flash存储卡的技术做成USB接口。根据这个创新的想法，他们开发出来了8MB的PenDrive USB存储器，这就是我们现在常见的“U盘”，这个产品成为了“爆品”，救活了群联。 NAND Flash的爆发成长期 2001年，东芝在DRAM市场遭遇到了三星的狙击，市场份额一落千丈，此时东芝决定战略性放弃DRAM，转而专心研发NAND Flash产品。同时间，SD卡已经有64MB的产品面市了。 2002年，Silicon Motion与慧亚科技合并，更名为慧荣科技（Silicon Motion），总部设于中国台湾。该公司2005年6月顺利登陆美国纳斯达克，成为中国台湾第一家赴美挂牌的IC设计公司。 2003年到2004年之间，东芝推出了128MB到1GB的MLC NAND Flash产品，代表着MLC NAND Flash产品开始正式商用。 2003年，因为USB2.0的普及，导致U盘热下，让NAND Flash出现第二次大缺货，当时市面上已经有128MB的U盘在销售了。 2005年，美光和英特尔合资成立了Intel-Micron Flash Technologies（IMFT）公司，联合研发NAND Flash及革命性的3D XPoint存储芯片，进入NAND Flash市场。当年在DRAM市场中，英特尔在日本和韩国的企业步步紧逼下，节节败退，这次英特尔预感到NAND Flash市场可能也会发生同样的事情，因此赶紧拉上美光，共同对抗三星和东芝。 2005年这一年，在终端市场还发生了一件大事，那就是苹果推出的iPod nano第一次使用了NAND Flash产品，容量高达4GB。 2006年，为了解决各大NAND Flash供应商的产品规格混乱的问题，各大NAND Flash公司，包括英特尔、东芝、美光、三星、SK海力士、群联等联合起来成立了一个统一的组织，即Open NAND Flash Interface Group（ONFI），并且提出统一化的NAND Flash颗粒规格。同年，为了面对像是iPad，数码相机等嵌入式系统增长高速的NAND Flash需求，JEDEC固态技术学会，进一步提出eMMC的规格。那么，什么是NAND Flash存储器架构、ONFI，以及eMMC呢？其实NAND Flash的产品大概组成如下图，最右边的NAND Flash颗粒，主要用来存储数据，主要的供应商有三星、东芝（现在叫铠侠）、美光、SK海力士等。因为NAND Flash颗粒可能会因为使用过度而损坏，因此需要一颗主控芯片来帮忙做错误校正，或者记录坏掉的区域，群联、慧荣、联芸、点序、国科微、得一微等就是供应主控芯片的厂商。而ONFI就是NAND Flash与主控之间的通信接口。他们共同组成了一个NAND Flash存储器，这个存储器需要一个与电脑或者其他设备沟通的接口，USB、eMMC、UFS、NVMe都是属于这类型的接口。图：固态硬盘大致结构（来源：网络）同样是2006年，三星推出了带有32GB固态硬盘的笔记本电脑，宣告SSD固态硬盘正式进入笔记本市场。 NAND Flash全面普及期 2007年，东芝发表了BiCS 3D NAND Flash的技术，取代原本stack NAND Flash的发展路线。同年，苹果推出了iPhone智能手机，NAND Flash的需求迎来井喷式增长。当时的iPhone搭载的是三星4GB或8GB的NAND Flash存储器。2008年，MacBook Air首次提供可以选配64GB SSD固态硬盘的选项。 2009年，HDD控制器芯片供应商进入固态硬盘主控芯片市场。2010年，苹果MacBook Air全面使用固态硬盘，可以选配64GB到256GB的容量。 2011年，由于智能手机对NAND Flash的传输速率需求越来越高，原来的eMMC规格显得捉襟见肘了，此时，JEDEC技术协会推出了全新的UFS规格。此时，除了智能手机对NAND Flash的需求量越来越大，笔记本电脑和家用电脑硬盘也开始从机械硬盘转向固态硬盘。同一年，英特尔、三星，以及SanDisk等公司，利用PCIe接口推出了NVMe接口，取代机械硬盘时代常用的SATA/AHCI接口。 2012年，三星推出TLC NAND Flash的512GB固态硬盘。NAND Flash从SLC、MLC，发展到了TLC时代。每一次技术的转换，其容量都得到了大幅度的增加，从SLC的256MB~32GB，到MLC的32GB~256GB，再到TLC的256GB~2TB。 2013年，三星基于其研发的V-NAND技术，推出了第一代3D NAND Flash产品，总层数是24，容量为128GB的固态硬盘。三星推出的该产品宣告了NAND Flash正式从2D时代步入3D技术时代。这一年，为了制造更小的固态硬盘，PCIe组织推出了更小的M.2接口。图：Flash单元结构（来源：嵌入式存储器架构电路与应用） NAND Flash在2D时代使用的浮栅结构技术也更新成了电荷捕获型（Charge Trap）技术，以适应3D时代的需求。 2014年，三星推出了1TB的固态硬盘，企业级的固态硬盘还可以达到3.2TB，让NAND Flash存储器正式进入TB时代。从3D NAND Flash时代开始，制造商们便很喜欢比较谁的层数更多，虽然都是3D NAND Flash，但其实各家厂商的技术上不同的。三星使用前面提到过的V-NAND技术；东芝使用期2007年开始持续研发的BiCS技术；SK海力士使用类似BiCS的SP-BiCS技术；美光则使用CMOS under Array（CuA）技术。从2013年三星推出24层的3D NAND Flash产品后，各家厂商开始了层数大比拼。2015年东芝推出48层、SK海力士推出36层的NAND Flash产品。2016年，美光马上也推出了32层的NAND Flash产品。随后层数一路狂奔，今年各家有可能推出300层的3D NAND Flash产品。 2016年中国的长江存储成立，重点发展NAND Flash产品。该公司主要使用自己研发的XTacking技术来制作3D NAND Flash产品。 2018年，QLC技术正式商用，三星推出了4TB的QLC固态硬盘。SK海力士的第四代3D NAND Flash改使用4D NAND Flash PUC的技术，推出96层的3D NAND Flash。 2019年，三星推出其V-NAND第六代128层，美光推出基于CuA第四代128层NAND Flash的产品。从这一年开始，NAND Flash的竞争逐渐进入白热化，每一次的投资都越来越庞大，这些寡头们彻底垄断了这个市场。这一年，美光与英特尔理念不同，英特尔想推广企业级的3D XPoint技术，但美光希望专供消费级固态硬盘，最后分道扬镳，合资公司IMFT被美光收购，英特尔获得15亿美元的分手费，并退出了NAND Flash市场。 2017年时，东芝为了筹集更多的3D NAND Flash研发资金，将存储器部门独立，以180亿美元的价格出售给了私募基金Bain Capital。东芝以母公司控股的方式，控制着新的存储器子公司，并在2019年时，将存储器品牌改名为铠侠。2020年，主流手机的存储容量已经到了64GB至512GB之间。此时，三星和SK海力士也分别都可以做到176层的3D NAND Flash。 2021年4TB消费级的SSD硬盘开始普及。 2023年，各大厂商正式突破200层，三星推出第八代236层、海力士推出了238层、美光推出了232层，铠侠推出218层。在美国的设备制裁下，2022年12月美国将长江存储列入了实体清单，尽管如此，长江存储仍然取得了突破，目前市面上已经有232层的长江存储颗粒固态硬盘在销售。 2024年，手机主流的存储容量也到了256GB至1TB之间，在2025年，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据、长江存储等这些NAND Flash的头部企业的目标瞄准了300层的3D NAND Flash商用化。三星甚至宣称将在2030年推出1,000层的NAND Flash产品。利基型NAND Flash的供应商虽然现在动辄几百，上千GB的固态硬盘随处可见，但其实几GB的NAND Flash也依然存有市场。因为这些SLC NAND Flash虽然存储密度最小，但使用寿命更长，经常会用在那些可靠性要求更高的领域，比如工业自动化设备、通信基站等。这些NAND Flash被称为利基型NAND Flash产品。在三星、SK海力士等厂商逐渐退出SLC NAND Flash市场的时候，仍然还有不少企业在这个市场风生水起。比如美光、旺宏、华邦电子、铠侠、兆易创新、江波龙、东芯股份、北京君正、复旦微电等。据市场公开信息，江波龙在2024年11月实现了1亿颗SLC NAND Flash的累计出货。 SLC NAND Flash的主流制程仍是2x~3x nm。近两年来，主要SLC NAND Flash厂商在2x nm制程节点的产品开始逐步上市销售，预计在未来将陆续取代38nm~40nm制程节点产品。部分SLC NAND Flash厂商正在研发1x nm节点的制程，但大规模量产还需要时间。目前SLC NAND Flash芯片的升级方向为低成本功耗，高数据读取速度和可靠性等。 NAND Flash主控厂商前面有提到，NAND Flash存储器需要有一颗主控芯片来帮忙做错误校正，或者记录坏掉的区域，当然，主控芯片的作用还不仅于此，它还会负责NAND Flash存储器芯片的读写操作，确保数据的高效传输和存储、与主机的通信，以及运行固件算法等。固件是模组厂商自主开发的各种板载运行软件的合称，比如说坏道检测、磨损平衡、错码纠正、数据保护等算法。也就是说，不论是SD卡、SSD硬盘，还是U盘等都需要有主控芯片，而且主控芯片的好坏将直接决定NAND Flash存储器的性能、稳定性、使用寿命，以及消费者的使用体验。目前，NAND Flash的主控芯片供应商主要分为两大阵营，一类是NAND Flash存储器原厂，比如三星、美光、SK海力士，以及西部数据等，它们会生产主控芯片供自己的固态硬盘等NAND Flash存储器产品使用，基本不单独出售；另一类是专门生产主控芯片的第三方Fabless厂商，比如Marvell、慧荣、群联等。当然，除了前面这些市场占有率比较高的厂商，国内这几年也有不少企业在设计制造自己的主控芯片，比如江波龙在2023年下半年就推出了自己的嵌入式NAND Flash存储器主控芯片，用在其eMMC 5.1产品中；康盈自研了eMMC 5.1主控芯片；得一微已经量产了eMMC5.1与UFS3.1等多款嵌入式存储主控芯片，其针对SSD产品的PCIe 5.0存储器主控芯片预计今年会量产；联芸科技已推出SM8366 PCIe Gen5 x4 NVMe SSD控制芯片，搭载16个NAND通道，最高可支援2400MT/s的TLC和QLC NAND；华澜微则量产了eMMC 5.0嵌入式存储主控芯片，且其PCIe4.0 SSD主控芯片已经在研发当中了；英韧科技在近期也已经成功研发出了PCIe5.0 SSD主控芯片。此外，国科微、点序科技、德明利、华存电子、忆芯科技、得瑞领新、康芯威、大普微电子、大唐存储、瑞昱、Microchip等也都有NAND Flash主控芯片提供。

NAND Flash

芯查查资讯 . 2025-03-10 1 15 4205
数据 | 全球半导体市场喜迎"开门红"：1月销售额同比增长17.9%

据美国半导体行业协会（SIA）3月6日发布的数据显示，2025年1月全球半导体销售额达到565亿美元，较2024年同期的479亿美元同比大增17.9%，但较2024年12月的575亿美元环比微降1.7%。该数据由世界半导体贸易统计组织（WSTS）采用三个月移动平均值统计法编制，SIA会员企业覆盖美国99%的半导体产业营收，以及2/3海外芯片企业。据SIA总裁兼首席执行官约翰·纽佛（John Neuffer）分析，在创纪录的2024年全球销售额基础上，半导体市场延续了增长态势，2025年1月单月销售额刷新了历史同期峰值，这已经是全球半导体销售额连续第9个月保持超过17%的同比增幅，其中美洲市场同比暴涨50.7%，成为主要的增长引擎。从区域方面来看，美洲地区同比增幅最大，达到了50.7%，亚太地区（除中国和日本之外）及其他地区增长了9%，中国同比增长6.5%，日本同比增长5.7%，仅欧洲市场同比下滑6.4%。而从不同地区的环比情况来看，仅亚太地区（除中国和日本之外）及其他地区增长了1.6%，欧洲（-1.3%）、中国（-2.0%）、日本（-3.1%）和美洲（-3.5%）均出现了不同程度的回调。

半导体

SIA . 2025-03-10 1 1 1085
石英晶体的品质因数Q值及其等效电路参数

晶发电子专注17年晶振生产,晶振产品包括石英晶体谐振器、振荡器、贴片晶振、32.768Khz时钟晶振、有源晶振、无源晶振等，产品性能稳定,品质过硬,价格好,交期快.国产晶振品牌您值得信赖的晶振供应商。石英晶体谐振器是电子振荡器中的关键组件，其性能的优劣直接影响到整个电子系统的稳定性和可靠性。品质因数Q值是衡量石英晶体性能的一个重要参数，它由晶体的动态参数决定，并在其等效电路中有着清晰的体现。石英晶体的等效电路参数石英晶体的等效电路通常包括以下几个参数： R1：等效电阻，代表晶体的内部损耗。 C1：等效电容，与晶体的机械特性有关。 L1：等效电感，与晶体的机械振动特性有关。 C0：寄生电容，与晶体的谐振频率无关，但会影响电路的整体性能。在这些参数中，R1、C1和L1是与石英晶体谐振频率直接相关的参数，而C0则独立于谐振频率。品质因数Q值的定义品质因数Q值的定义是回路内贮存的能量与每周内消耗的能量之比，可以表示为：回路内贮存的能量每周内消耗的能量通过进一步推导，可以得到品质因数Q的表达式：其中，W是角频率，W = 2πF，F为频率。 Q值与等效电路参数的关系 R1：等效电阻R1代表回路损耗，R1越小，损耗越小，Q值越高；反之，R1越大，Q值越低。 L1：等效电感L1与Q值成正比，L1越大，Q值越高。 F：频率F也是影响Q值的因素，频率越高，Q值可能越高。实际应用中的Q值计算以常用的32.768KHz石英晶振为例，其Q值的计算如下：这表明，石英晶体的Q值可以达到非常高的水平，例如上述计算中的晶振Q值可达115,000。石英晶体的品质因数Q值是衡量其性能的关键指标，它直接反映了晶体的频率稳定性和能量损耗情况。通过对等效电路参数的理解和计算，我们可以更好地评估和优化石英晶体谐振器的性能，从而在电子设备中实现更稳定、更可靠的振荡信号。在高精度要求的场合，如石英表、通信设备和导航系统中，高Q值的石英晶体谐振器是不可或缺的。

晶振

晶发电子 . 2025-03-10 4055
WRC2025世界机器人大会

WRC2025世界机器人大会主题：人机互联，智创未来时间：2025年8月20日-24日地点：北京亦创国际会展中心中国电子学会北京市经济和信息化局北京经济技术开发区管委会世界机器人合作组织参展咨询刘生 ①3⑥ ⑧17③ ⑨92⑦ 观众数量：25万人次，大会国际支持机构（30+）展示内容：关键零部件的性能关系到机器人的整体性能质量。增强产业链供应链韧性，有利于助推机器人产业高质量发展。本展区主要展示控制器、减速器、伺服系统、传感器及末端执行器等机器人+ 制造业：展示内容：中国拥有完备的工业产业链，是世界上最大的机器人市场，为机器人产业发展提供了广阔的空间。本展区全面展示全球工业机器人龙头企业在制造业领域的最新应用和成果，中国机器人企业除3C和汽车传统工业应用外，还突出展示机器人在“新三样”中的应用，为世界工业机器人产业发展提供中国智慧和解决方案。产品类别：焊接机器人、人形机器人、协作机器人、装配机器人、喷涂机器人、搬运机器人等。机器人+建筑：展示内容：本展区将展示建筑场景下各类机器人智能化应用，劣力传统建筑行业提升生产安全，改善工人工况。除展示超高建筑外立面清洁、建筑物内表面高粉尘打磨、有毒有害涂料抹刮等传统应用外，还将展示建筑钢结极预制件焊接、泳池清洁等新共应用。产品类别：爬壁机器人、自劢抹灰机器人、钢筋绑扎机器人、智能喷涂机器人、焊接机器人、泳池吸污机器人、测量机器人、3D智能建造机器人、建筑外观检测机器人等。机器人+农业：展示内容：随着科技的发展，农业机器人已经深入到耕作、种植、管理、收获等相兰环节，本展区将展示农业场景下的机器人智能化应用，改善农业提高生产效率和质量，助力农业实现现代化和可持续发展。产品类别：大田作业机器人、林果作业机器人、畜禽养殖机器人、水产养殖机器人机器人 + 能源：展示内容：目前在能源领域，机器人正在得到广泛应用，降低运营成本幵增强安全性，本展区将展示机器人在光伏电站、水电站、核电站、油气管网、电厂等能源基础设施场景的应用。关中巡检机器人应用最为广泛。核电站放射性废物处理机器人体现了机器人在材料选择、结极设计、辐射防护、废物处理工艺等方面的高技术水平。产品类别：巡检机器人、爬壁机器人、充电机器人、防腐机器人、光伏清洁机器人、水下维护机器人、泄漏检测机器人等。机器人 + 商贸物流：展示内容：机器人在服务现代商贸物流产业已形成定制化物流解决方案，通过数字化转型提速，打造现代物流“升级版” 。国内外智慧物流行业领军企业集中展示，重点展示自动导引车、配送机器人、智能分拣机和物流无人机等产品的新应用。产品类别：智能仓储、智能运输、智能识别系统及分拣系统、无人机。机器人 + 医疗健康：展示内容：机器人在多个医疗领域得到有效应用，提高了医疗服务的效率和质量。本展区将全面展示机器人技术在医疗健康领域解决方案，国内外龙头手术机器人企业集中亮相，除展示机器人在腔镜、骨科、神经外科应用外，重点展示机器人在穿刺，血管介入，牙科等医疗领域中的新应用。产品类别：手术机器人、庩复机器人、医疗服务机器人、人巟智能不医疗影像等。机器人 + 养老服务：展示内容：机器人在积极应对人口老龄化，增进老年人福祉，发展银发经济，培育经济发展新动能等方面作用明显，本展区将展示机器人在养老服务领域的应用案例和成果，推动机器人技术在养老服务领域的应用和发展。产品类别：护理机器人、康复机器人、智能家居机器人、智能健康监测系统等。机器人 + 教育：展示内容：本展区将展示机器人产教融合成功案例，推动产学研用融合和机器人人才培养，促进实现高校、企业和科研机极之间的优势互补和资源整合。产品类别：前沿科技、产教融合、科普教育。机器人 + 商业社区服务：展示内容：商业社区服务机器人可以实现多模态交互行动，满足商业及社区消费体验升级需求，为商业社区提供一体化解决方案，提升商用不生活服务的智慧化水平。产品类别：商用机器人、家用机器人等。机器人+安全应急和极限环境应用：展示内容：机器人在安全应急领域的应用大规模的降低了风险，提高了效益，本展区将展示机器人在矿区、厂区、港区、机场等典型工业环境中开展的民爆风险监测预警、应急处置救援、智慧安全服务等应用。产品类别：安防机器人、巡检机器人、消防机器人、排爆机器人、矿山机器人。机器人 + 全民健身：展示内容：随着科技的进步，机器人已经深入到了体育产业和全民健身的多个环节，机器人技术在体育领域的应用，正逐渐成为推动体育经济发展和增强人民健康的重要力量。本展区将展示机器人在全面健身领域的应用案例和成果，增添现场动力，激发全民健身热情。产品类别：羽毛球机器人、潜水机器人、围棋机器人、乒乓球机器人等。前沿技术展区：本展区将邀请国内外机器人科研机极、重点实验室、顶尖科技期刊、高校等，展示机器人仿生感知不认知技术、电子皮肤技术、机器人生机电融合技术、人机自然交互技术、软体机器人技术、机器人集群技术等前沿技术创新成果。论坛板块将围绕1内4外、6主N专，汇聚30余家国际机极，300余位国内外知名学者，100余家国内外头部企业，凸显国际化、与业化和高端化，聚焦科技前沿风向，聚焦未来产业发展，云集顶尖嘉宾，论道前沿议题。整体思路论坛将围绕机器人领域产业发展、技术革新和生态建设三大主题展开研讨，从加深国际合作，推动产业发展，丰富行业应用，加快技术融合，完善生态建设等斱面进行深度探讨，充分发挥大会平台作用，以科技创新推动产业创新，推动培育新质生产力，为推进新型工业化建设、制造强国、极建现代化产业体系提供坚实支撑，为全面建成社会主义现代化强国作出贡献。论坛亮点主论坛将不国际支持机构深入合作，积极利用全球创新资源，邀请国际前沿科技创新企业，分享机器人赋能千行百业最新的研究进展和发展前景。与题论坛将深化“机器人+”应用行动实施方案，联合相兰部委合力打造面向十大兵型场景的行业应用论坛。北京市将结合关机器人产业发展重点领域，组织有关单位承办与题论坛，服务北京机器人产业高质量发展。展位价格 1、标准展位16700元/9m2(3m×3m)，包含展出场地、三面展板、一块中英文楣板、一张桌子两把椅子、地毯、220V电源插座一个、两支射灯。 2、光地展位(36㎡起租)，1480元/㎡，包含展出场地、保安服务、公共责任保险、无任何设施。

机器人

WRC . 2025-03-10 5940