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产品 | 三相无刷电机驱动器IC，兼具低FET发热量和低EMI特性
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出适用于中等耐压系统（12V～48V系统）的采用“TriC3™”技术的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑，该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性，而这两项之间存在此消彼长的关系，通常很难同时兼顾。 电机的耗电量约占全球耗电量的60%，从能源效率的角度来看，进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V～48V电压等级的应用产品中，电机驱动的主流方案通常采用通过MCU控制3个栅极驱动器的简单架构。然而近年来，对高效率控制且精密控制的需求日益高涨，MCU与一体化三相电机驱动器相结合的解决方案正在加速普及。另一方面，三相电机驱动器还存在技术课题—“抑制功耗”与“降低噪声”之间存在着此消彼长的权衡关系，长期以来被认为两者很难同时兼顾。针对这些课题，ROHM充分利用其在电机驱动器等各种栅极驱动器IC开发过程中积累的先进电路控制技术，成功开发出可同时抑制“功耗”和“噪声”的新技术“TriC3™”。 新产品采用ROHM自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃*2的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与ROHM以往的恒流驱动产品相比，新产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，新产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式（UQFN28）和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。 新产品已于2025年9月开始量产（样品价格800日元/个，不含税）。此外，ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板（BD67871MWV-EVK-003）。本产品也已开通电商销售路径，通过电商平台均可购买。 另外，ROHM还推出了与新产品采用相同封装和引脚配置的恒压驱动通用电机驱动器（BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z）。从通用型到此次采用TriC3™技术的高附加值型产品，ROHM可提供满足客户多样化需求的丰富产品群，未来ROHM将继续致力于提升电机效率、助力应用产品增强功能、提升性能并降低能耗。 BD67871MWV-Z BD67870MWV-Z BD67872MWV-Z 查看更多 应用示例 工业设备：电动钻头、电动螺丝刀、工业风扇等设备所用的各种电机 消费电子：吸尘器、空气净化器、空调、换气扇等设备所用的各种电机、电助力自行车 ROHM开发的适时细分恒流控制驱动技术。通过三段式精确设定控制栅极电流，实现高速且高效运行，同时抑制振铃现象，有助于降低噪声并实现稳定工作。 “TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。 术语解说 *1) EMI（Electromagnetic Interference：电磁干扰） EMI是用来衡量对象产品的运行产生多少噪声、是否给外围IC和系统带来问题的指标。“低EMI特性”意味着产生的噪声很少。 *2) 振铃 开关时产生的高频振荡和过冲现象。这是由MOSFET在开、关动作时，电路中的寄生电感和寄生电容发生的谐振所导致的现象。
罗姆
罗姆半导体集团 . 12小时前 300
方案 | 用大容量MLCC代替聚合物电容器，有哪些优点？
在服务器和基站设备中的CPU和存储器的电源需要处理大电流因而需要使用大容量电容器，尤其是聚合物电容器用作DC-DC转换器的平滑电容器。另一方面，电子设备对多功能化、轻薄、体积小及节省能源的要求越来越高，因此，对陶瓷电容器的小型大容量化、低ESR化、高可靠性等方面寄予了更高的期待。通过将电解电容器互换成独石陶瓷电容器，可大幅改良特性，并实现低高度化。 近来，MLCC在增加容量方面取得了进展，现在，村田可以提供超过100uF的MLCC，例如220uF或330uF。在这里，我们将展示一个用大容量MLCC代替聚合物电容的例子，这些MLCC有助于缩小尺寸、提高可靠性和减少噪音。本内容以DC-DC转换器测试板为例，介绍了将输出电容器从聚合物电容器替换为大容量MLCC的好处。 MLCC替换聚合物电容的优点 用MLCC来替换聚合物电容器，有如下三个主要优势。 首先，纹波和尖峰噪声显著降低（图1）。与聚合物电容器相比，MLCC具有更低的ESR和ESL，大大降低了输出噪声。 （a）阻抗，ESR与频率的关系。图中的Polymer Ta是聚合物钽电容器，SWF指开关频率。 （b）S21曲线：可以看出S21低于聚合物电容器，纹波和尖峰噪声可以进一步降低。 图1 阻抗曲线和插入损耗 其次，MLCC来替换聚合物电容器，可以提高可靠性高，产品的使用寿命更长（图2）。这是由于MLCC的ESR较小，因此纹波电流产生的热量很小，比聚合物电容器寿命更长。 a）聚合物电容器 / 1411 size / 100uF （b）MLCC / 1206 size / 100uF。可以看出，MLCC的温升斜率比聚合物电容器的温升斜率更小，因此，使用寿命长，可靠性高。 图2 温度拉米曲线 第三，MLCC来替换聚合物电容器，有助于缩小设备尺寸。因为，MLCC的尺寸比聚合物电容器小，因此使得设备可以做得更小。 DC-DC转换器的替换评估 更换并评估电路的如下。作为替代品进行评估的DC-DC转换器测试板的电路如图3所示，输出侧的聚合物电容C1和C2将被替换。该DC-DC转换器规格如下： C1，C2 : 聚合物钽电容器 330uF/4V/2917尺寸 开关频率 : 400kHz 输入电压 : 14V，输出电压 : 1.5V 输出电流 : 30A （a）DC-DC转换器电路 b）DC-DC转换器测试板 图3 更换并评估电路 将输出电容器从聚合物电容器替换为MLCC，如下所示。更换时，相位补偿电路常数也会根据电源特性进行调整（图4）。 图4 相位补偿电路的调整. 由于高频范围的阻抗低，因此可以降低容值。同时，占用面积可减少83%！ 评估项目及结果 为了评估项目及用MLCC来替换聚合物电容器之后改进的结果，我们测量和比较了以下四个参数： 纹波和尖峰噪声 负载瞬态 稳定性 电源转换效率 Ripple and Spike noise 图5 纹波 / 尖峰噪声 从上图可以看出，纹波减少了24%，尖峰噪声降低了16%！ （a）负载瞬态改变 （b）负载瞬态说明 图6 负载瞬态结果和负载瞬态概念说明 结果显示：负载瞬态等于或小于其初始状态（图6）。 负载瞬态是观察负载电流变化引起的电压波动幅度。在电流突然增加的情况下，DC-DC转换器无法瞬时响应。同时，会产生不足的电荷“⊿Q”。此时，输出电容暂时放电电荷以赶上电流的增加。当输出电压因放电而瞬时下降时，观察到电压降“⊿V”。 ⊿V＝⊿Q/C 如果负载电流突然减小，输出电压将反向瞬间上升。 （a）稳定性结果 （b）DCDC converter circuit （c）Gain/Phase vs. frequency（Bode diagram） 图7 稳定性的结果和说明 在电源电路等反馈电路中，通过观察反馈电路的增益和相位特性（图7b中的蓝色虚线）来检查稳定性。改变输出电容会改变增益和相位特性。此时，如果相位延迟而增益变大，则电源电路将根据条件振荡。如果更换导致不稳定情况，请调整相位补偿电路常数以确保稳定性。评估指标包括相位裕度、增益裕度和交叉频率（图7c）。 从图7a的结果可以看出，用MLCC来替换聚合物电容器，相位裕度、增益裕度、交叉频率均满足稳定性标准值！ _ 初始 替换 方案 标准 Phase margin (deg) 60.8 51.9 ≥45 Gain margin (dB) −8.84 −11.3 ≤−10 Cross over freq. (kHz) 53.1 72.4 ≤80 表一 稳定性的测试参数的标准和结果对比（注：SWF/5=400kHz/5） 图8 更换前后的效率对比 图8显示更换前后的转换效率保持等效。 总 结 我们介绍了一个在DC-DC转换器测试板中使用具有低ESR和低ESL特性的MLCC替换聚合物电容器来作为输出电容的案例研究。通过用MLCC代替聚合物电容器，我们能够降低纹波和尖峰噪声。 此外，负载瞬态和效率特性相当，并且符合稳定性标准；所占面积减少了83%；还提高了电容器的可靠性。对于DC-DC转换器中的大容量电容器，我们建议使用具有小型、可靠性高、噪声遏制效果好的MLCC产品（单击下图搜索村田超过100uF的产品）。
村田
Murata村田中国 . 12小时前 270
产品 | 思特威推出“暗光之王”超星光级全高清智能安防应用图像传感器
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，推出 “暗光之王” Star Light (SL) 超星光级全高清智能安防应用图像传感器——SC285SL。产品基于思特威SmartClarity®-3工艺技术打造，搭载了SmartAOV®2.1、SFCPixel®、Lightbox IR®等多项先进技术，具备高感度、低噪声、高动态范围等性能优势，能够显著提升AI黑光全彩摄像头在户外极低照度场景下的成像质量，让摄像头无需补光即可实现清晰细腻的全彩影像捕捉。同时，SC285SL支持全时录像(AOV)，并对功耗和高温性能进行了全面优化，能够为户外无线摄像头等太阳能及电池供电设备的全天候稳定运行提供可靠支持。 高感度低噪声、打造清晰暗光全彩视界 相较普通红外或星光摄像头，AI黑光全彩摄像头需要图像传感器在暗光环境下捕捉到足够清晰、干净的原始图像数据，以更好地配合AI ISP技术算法处理。SC285SL搭载思特威SFCPixel®先进技术，有着出色的感光度和噪声抑制性能，能够在夜晚户外极暗场景中，为AI黑光全彩摄像头轻松捕捉到清晰细腻的全彩影像画面。 高感度 黑光全彩摄像头通常需要借助补光才能实现暗光环境中的彩色成像。SC285SL搭载思特威专利SFCPixel®技术，拥有4.0μm像素尺寸，感光度高达12236mV/lux*s，SNR1s值低至0.1lux，能够在户外极低照度且无补光的环境条件下，帮助摄像头实现清晰明亮、色彩真实的全彩影像。 并且，SC285SL搭载Lightbox IR®近红外增强技术，近红外感度显著提升，其在850nm波段下的峰值量子效率(peak QE)高达40%，在940nm波段下的峰值量子效率(peak QE)较前代产品提升约25%，能够提供更加明亮清晰的近红外成像效果。 低噪声 SC285SL搭载思特威SFCPixel®专利技术，支持CMS2和CMS4相关多采样模式以及12bit量化模式，具备优异的噪声抑制性能。SC285SL在高增益长曝光下的读取噪声(RN)低至0.82e-，较前代产品显著降低约39%，能够让暗光成像画面更干净、细节更清晰。 SmartAOV®2.1升级技术，7*24小时全天候稳定录像 SC285SL搭载思特威全新升级SmartAOV®2.1技术，支持全时录像(AOV, Always-On Video)功能。在无事件触发时，SC285SL以每秒1帧的低帧率在低功耗状态下持续录制；遇到事件触发时，SC285SL能够快速切换到30fps的常规帧率录制，确保影像信息完整不丢失，实现7*24小时全天候录像，适配户外无线摄像头等太阳能及电池供电设备应用。 与前代技术相比，SmartAOV®2.1技术具有以下升级优势： · 快启时间优化：通过大幅减少寄存器配置数量，进一步提升了CIS启动速度和图像传输效率。 · 新增动态功耗指示功能：通过控制补光灯上升和下降沿的触发时间，实现补光与CIS曝光的精准同步，消除非曝光时段的无效功耗。 · 多颗CIS快启联动：在主从模式下，可实现多摄方案中多颗CIS的快速启动与曝光同步，减少拍摄延迟，提升拍摄响应速度。 · 图像处理效果增强：将CIS自动白平衡功能提升至16x增益，拓宽色温范围，实现更准确的图像色彩还原。 · 支持中断模式：CIS完成启动后，能够主动向主控SoC发送提醒信号，无需主控通过寄存器读取CIS的启动状态，减少主控资源占用，提高运行效率。 低功耗与高温性能优化，长时间持续稳定拍摄 在偏远郊区、乡村小路等户外场景中，依靠太阳能或电池供电的无线摄像头逐渐成为主流的安防监控选择，而这些设备在应用中常需要面对长时间连续拍摄和户外高温环境等难点。基于思特威先进的SmartClarity®-3工艺，SC285SL拥有低功耗和高温成像稳定等性能优势，可充分满足无线摄像头等智能安防应用的长时间及高温拍摄需求。 低功耗 基于内部电路模块的精准化控制设计， SC285SL在30fps、60fps和90fps工作帧率下的功耗分别低至91mW、148mW和205mW，能够有效减少摄像头拍摄发热，助力安防监控的长时间稳定运行。 高温性能优化 SC285SL采用思特威先进的SmartClarity®-3工艺技术，高温成像性能稳定。在80℃高温条件下，SC285SL的暗电流(Dark Current)和白点(White Pixel)较前代产品分别大幅降低约91%和43%，可适用于户外高温以及设备长时间录制的发热等情况，帮助摄像头输出稳定清晰的影像画面。 多种高动态范围模式，明暗细节全面捕捉 SC285SL搭载思特威先进的InSensor HDR™技术，动态范围可达92dB，能够满足安防监控在户外明暗不同光线环境下的视频拍摄需求。InSensor HDR™支持DR100、DR200、DR400三种增益比，可灵活适配从均匀光照到强明暗对比等多种光线场景，让摄像头成像准确，明暗清晰。并且，基于InSensor HDR™片上单帧多增益图像融合技术，SC285SL在实现高动态范围的同时，还能有效抑制运动拖影，为摄像头提供准确无拖影的动态影像信息。此外，SC285SL还支持Staggered HDR模式，可有效提升动态范围，保留更多明暗细节，灵活适配客户多元应用选择。 SC285SL目前已接受送样，将于2026年Q1量产。想了解更多关于SC285SL的产品信息，请与思特威销售人员联系。
思特威
思特威 SmartSens . 12小时前 345
产品 | 东芝推出双通道标准数字隔离器，助力工业应用实现稳定的高速隔离数据传输
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款面向工业设备双通道高速标准数字隔离器——全新的“DCL52xx00系列”，新产品能够以100kV／μs（典型值）[1]的高共模瞬态抑制（CMTI）和50Mbps（最大值）[2]的高速数据速率支持稳定的工作。该系列产品于今日开始支持出货。 “DCL52xx00系列”包含四款产品。其中“DCL520C00”和“DCL520D00”的通道配置为两个正向通道，“DCL521C00”和“DCL521D00”具有一个正向通道和一个反向通道。这些全新双通道产品与之前发布的“DCL54xx01系列”四通道产品一起，将作为工业设备的标准数字隔离器。随着这些新产品的加入，东芝的整体产品线将涵盖14款产品，不仅可提供丰富的通道配置选择，而且还有助于提高设计灵活性。 最新DCL52xx00系列产品采用东芝专有的磁耦合型隔离传输方式，实现了高达100kV／μs（典型值）的CMTI，这一点与DCL54xx01系列产品相同。这种技术提高了输入到输出间隔离信号传输时抗电噪声能力，从而确保了信号的稳定传输和设备操作的可靠性。 此外，新产品还可实现0.8ns（典型值）[3]的低脉宽失真和高达150Mbps（最大值）的高速数据速率，十分适用于I／O接口等支持UART[4]和I2C[5]通信的多通道高速通信应用。 东芝已经开始量产面向工业设备和车载设备的标准数字隔离器。未来，公司将继续扩大在这两个方面的封装产品线和通道数量，并将一如既往地提供高质量隔离器件及光耦合器，为实现工业及车载设备所需的可靠性和实时数据传输做出贡献。 应用 工业设备 工业自动化系统（可编程逻辑控制器和I／O接口等） 电机控制 逆变器 特性 双通道： - 两个正向通道 - 一个正向通道和一个反向通道 高共模瞬态抑制：CMTI＝100kV／μs（典型值） 高速数据速率：tbps＝150Mbps（最大值） 主要规格 注： [1] 测试条件：VI＝VDDI或0V；VCM＝1500V；Ta＝25°C（VDDI为输入端的VDD1或VDD2） [2] 测试条件：VDD1＝VDD2＝2.25至5.5V；Ta＝–40°C至125°C [3] 测试条件：VDD1＝VDD2＝5V；Ta＝25°C [4] UART（通用异步收发器）：异步串行通信。无需时钟信号，即可发送并接收数据的通信方法。 [5] I2C（内部集成电路总线）：同步串行通信。通信方法，用于发送和接收与时钟信号同步的数据。
东芝
东芝半导体 . 18小时前 260
应用 | 氮化镓赋能厨电：美的油烟机采用InnoGaN
双十一购物季即将到来，各大品牌纷纷推出旗舰产品。在美的商城近期主推的美的蒸汽洗AK9pro抽油烟机中，一项突破性技术正悄然改变着家电行业的竞争格局。 美的（Media）AK9pro抽油烟机的电机驱动采用英诺赛科氮化镓芯片，实现了氮化镓技术首次在白色家电电机驱动系统中的量产，也标志着厨房电器正式步入氮化镓高能效时代。 GaN, 重塑油烟机电机强劲内核 传统油烟机大多采用硅基功率器件，其在能效和体积上存在先天局限。而氮化镓所具备的超低开关损耗及无反向恢复损耗特性，尤为适合高能效需求的电机驱动应用。 此次美的推出的AK9pro抽油烟机实现了三大核心突破，打造了运行高效、便捷智能的升级版油烟机产品，提升用户厨居新体验。 新一代30㎡/min新风系统，厨间空气一键焕新 GaN电机驱动出色驾驭厨居新风系统，实现高能效、强静压性能 升级AI感烟芯片与自清洁技术，拥有变频巡航能力，实现自主吸排与智能清洁 在英诺赛科高压氮化镓芯片INN700TK350B 的加持下，美的AK9pro拥有以下出众性能： 强大吸力：25m³/min强劲风量瞬间吸走油烟 超强静压：1000Pa静压，即使在烹饪高峰期也能有效防止油烟倒灌 高效转换：满载效率提升5.4%，驱动损耗降低50%，电能更大程度转化为吸风动能，能耗显著降低 出色温控：最高运行温度降低5℃，电机寿命更持久，性能更稳定 紧凑设计：电驱系统整体尺寸减小52.14%，为烟机内部结构优化提供充足空间 GaN 家电时代正式启幕 今年5月，美的集团（厨热事业部）与英诺赛科正式达成战略合作，共推氮化镓在家电领域的创新和应用。此次美的AK9pro油烟机的上市，展现了氮化镓在家电领域的无限潜力，是家电行业向高能效迈出的关键一步。未来双方将持续推进合作，有望将GaN技术应用于净饮机、洗碗机、空调、洗衣机、冰箱等更多家电产品中，推动整个行业向更高效、节能的方向发展。
英诺赛科
英诺赛科 INNOSCIENCE . 18小时前 535
产品 | 新唐科技推出车规等级、无滤波器的 3 瓦 D 类音频放大器 NAU83U25YG
新唐科技宣布推出全新的 D 类音频放大器 – NAU83U25YG。这款 D 类音频放大器具有高效能立体声、数字输入和高达 3 瓦（负载 4 Ω）／1.7 瓦（负载 8 Ω）的输出功率，并透过两线接口调整增益，非常适合应用于汽车仪表板、紧急呼叫功能（eCall）及车载终端盒（T-Box）等汽车电子产品。 随着汽车电子进入“智能座舱”时代，汽车智能化趋势成为行业热点，车载应用对音频产品的技术提供商提出越来越高的功能要求。新唐科技严格执行汽车行业规范标准，为车载应用提供符合 AEC-Q100 认证的产品，同时减少外围设计，基于 I2S 输入可直接支持由车机主控输出的 I2S 音频信号，节省外围电路设计，减小 PCB 的尺寸。此外，数字音频功率放大器能更好的避免电路干扰和解决 EMI 问题。 NAU83U25YG 立体声 Class-D 音讯功率放大器具备多项先进特性，包括 80 dB 电源抑制比（PSRR）、90% 高效率、超低静态电流（即在 3.7V、双声道时仅 2.1 mA），以及卓越的 EMI 抗干扰表现。其具备更低的失真、更低的背景噪声，以及更宽广的动态范围。此外，这款新型放大器还支持完整的装置保护机制。 NAU83U25YG 关键特色 可以透过 I2C 接口设定增益，范围22 dB 至 -62 dB 立体声 Class-D 功率放大器，2 声道 x 3.0W（4 Ω @ 5V，10% THD+N） 低输出噪声：18 μVrms（@ 0 dB 增益） 丰富的装置保护机制 过电流保护（OCP） 输入过低压保护（UVLO） 过温保护（OTP） 时脉终止保护（CTP） 抑制 Click-and-Pop 封装：QFN20 操作温度可达 -40°C ~ +105°C 车规等级：通过 AEC-Q100 认证并符合 TS16949 标准 优异的 EMI 性能与无滤波器设计 NAU83U25YG 放大器透过展频振荡器技术及回转率控制法，有效降低电磁干扰（EMI），因而不需使用外部输出滤波器。此外，NAU83U25YG 还提供优异的抗干扰能力与在 217 Hz 时大于 80 dB 的电源供应抑制比（PSRR），使 NAU83U25YG 非常适合应用于汽车无线及 AM（调幅）频段的 Class-D 音讯放大器。 突破性的高效能与低功耗特性 D 类放大器在音频装置的功耗效率及噪声最小化上皆具有突破性的进展。D 类放大器能产生方波，使波型为二进制，因此可经由功率装置的交换功能进行放大，使其功率效能高出 AB 类放大器达 66.6%。 NAU83U25YG 数字输入 D 类放大器可高效驱动 4 Ω 负载，提供高达 3W 的卓越输出功率。此外，它实现仅 14 毫秒的快速启动时间，确保高效能运作。
新唐
新唐MCU . 18小时前 1 285
技术 | 从600V到2000V：“隔离+” 如何赋能光伏与储能系统升级？
2025年，“2000V”成为光伏与储能领域的热词。继600V、1000V、1500V之后，行业正加速迈向更高电压平台。随着器件耐压、绝缘与标准体系的完善，更高母线电压正成为提升功率密度与系统经济性的关键方向。 电压提升的背后，安全挑战同步升级。隔离芯片作为系统的核心防线，既防止触电风险，又保障设备稳定运行。数字隔离器、隔离驱动、隔离采样与隔离接口等多类器件协同作用，以确保高低压间信号传输与绝缘安全的可靠性。 纳芯微基于双边增强隔离电容与 Adaptive OOK® 调制技术，构建通过多项国际安规认证的“隔离+”产品体系，为全电压范围与全功率段的光伏与储能系统提供高可靠、高性能的系统级解决方案。本文将聚焦两个方向：一是解析电压升级背景下隔离类器件在绝缘设计与安规标准的最新变化；二是探讨 2000V 与 500+kW 级光储系统中，功率拓扑、驱动与采样架构的技术演进。 面对光储新绝缘安规，隔离类器件耐压、宽度如何变化？ 母线电压升高的原因主要有两点： 光伏板能力持续增强，输出电压和功率不断提升； 根据功率公式（P = U × I），在功率不变的情况下，电压升高可使得电流减小，从而降低导线横截面需求，节省整体系统成本。 母线电压升高，会导致隔离类芯片的工作电压要求提高。纳芯微在售隔离类器件已经支持最高达2121Vdc工作电压的稳定运行，可帮助实现2000V系统下的基本绝缘。同时，纳芯微已经在开发能力更强的隔离技术，可在更高的Vdc下可靠运行。 另一方面，防触电绝缘系统的 CLR（绝缘间距）和 CPG（爬电距离）至关重要。CLR 防止瞬态电压产生空气电离或电弧（短期），CPG 防止在工作电压下产生绝缘击穿或漏电起痕（长期）。一般来说，芯片的宽度需要同时大于等于安规对应用场景下的CLR与CPG的要求。 随着母线电压升高，绝缘需求增加，常规爬电距离的芯片难以满足安全标准，宽体甚至超宽体设计成为必然选择。目前，纳芯微已有多款基于专利Adaptive OOK®调制技术的宽体与超宽体隔离器件，例如超宽体数字隔离器NSI82xx、超宽体隔离驱动NSI6801EC等，可适用于2kV超高母线电压平台。 NSI82xx系列选型表 NSI6801功能框图与Pin脚定义 同时，多款集成隔离功能与隔离供电功能的通讯接口芯片（如RS485 NSI8308xE、CAN NSI1042、NSI1050、NSI1052）也可满足不同应用需求，系统性帮助客户差异化实现系统集成化与低成本。 RS485 NSI8308xE 选型表 NSI1042、NSI1052Pin脚定义 2kV与500+kW：光储场景拓扑与功率器件、驱动、采样如何变化？ 在 600V 至 1500V 进化路径中，组串式系统的 MPPT 级和逆变级拓扑已从 Si 两电平演进成 Si 三电平或 SiC 两电平，系统功率也从 100+kW、200+kW 持续提升至 300+kW。当前，业内针对2000V系统推出的初代组串式光伏逆变器与储能变流器产品普遍已经达到450kW左右。在2000V系统下，大型组串式系统单机功率将快速推进到500+kW级别。 更高的输入电压和功率要求，将直接影响系统方案设计： 系统架构上，MPPT数量、串数及单路功率随系统规模不断提升，保证高效能量转化与功率跟踪。 拓扑结构持续进化，功率器件耐压与通流等级不断提升、驱动方案做出调整。 近年来，SiC碳化硅器件因其高耐压、高开关速度、低损耗、高过载能力等优势开始崭露头角。随着光伏与储能系统的持续进化与SiC器件的持续普及，下一代的光伏与储能逆变器系统将更为广泛地应用SiC器件。针对SiC特性，纳芯微推出了优化的隔离栅极驱动解决方案（如NSI660x系列），能够满足系统高压、高效率升级需求。纳芯微同时还提供电流型输入的隔离栅极驱动器（如NSI6801系列），以高速响应、高拉灌电流能力以及强抗扰能力应对更复杂的电磁环境与设计，确保整机系统的高效稳定运行。 纳芯微隔离驱动功能框图 高压侧电流检测的可靠性与精准度直接影响系统效率与安全。更大的功率带来更高的电流与更具挑战的电磁环境，更先进的功率器件带来更快的暂态特性。这需要电流检测拥有更高的通流、更高的信噪比与抗干扰性、更高的带宽。 现有光储系统中基于半导体芯片的电流检测方案可分为两类： 基于霍尔原理的电流传感器，通过磁场耦合实现天然隔离，简化高低压绝缘设计； 基于分流器的采样方案，需搭配隔离运放或调制器完成电气隔离，但精度更高、非线性度更低、温漂和失调电压特性更优，同时能有效抵御外部磁场干扰，是高精度场景优选方案。 为应对更大的工作电流，纳芯微霍尔电流传感器NSM201x系列采用隔离的方式将±65A以内的电流转换成线性电压输出，适用于多种隔离电流采样场合，满足光伏组串式逆变器DC输入侧MPPT（最大功率点）跟踪的电流检测。其升级版本NSM201x-P系列今年发布，能显著降低灵敏度误差与漂移、零点误差与漂移，同时大幅提升了EMC（电磁兼容性）抗干扰能力。 NSM201x-P系列全温度范围内零点误差和灵敏度误差批量数据分布情况 与此同时，在更具挑战电磁环境下，纳芯微NSI13xx系列电流采样芯片提供适配性解决方案：增强隔离型运放NSI1300、NSI1200及Sigma-delta调制器NSI1306可精准用于相电流采样；NSI1311则以高输入阻抗与2V线性输入范围，满足直流母线电压检测需求，为MPPT DC-DC在高压环境下提供可靠信号支撑。 NSI1311 功能框图 纳芯微从“隔离”迈向“隔离+”，以全生态产品矩阵构筑系统安全防线。“+”不仅意味着超越基础隔离标准的安全保护，为客户系统打造更坚固的高低压屏障，也代表完整的产品生态——以成熟的电容隔离技术 IP 为核心，涵盖数字隔离器、隔离驱动、隔离采样、隔离接口和隔离电源，实现一站式解决方案，深度赋能大功率光储充系统等核心场景。 随着母线电压从600V提升至2000V，光伏逆变器面临更高电压应力与功率密度挑战，纳芯微“隔离+”产品矩阵配合 SiC/IGBT 功率器件，为系统在高压环境下提供精准、高效、稳定的运行保障，为光伏与储能系统安全升级提供坚实支撑。
纳芯微
纳芯微电子 . 18小时前 315
方案 | NVIDIA IGX Thor 机器人处理器将实时物理 AI 引入工业和医疗边缘场景
AI 正由数字世界走向物理世界。在工厂车间和手术室等场景中，机器正逐步进化为能够实时观察、感知并作出决策的协作伙伴。 为加速这一变革，NVIDIA 今日推出了 NVIDIA IGX Thor，这是一个功能强大的工业级平台，专为将实时物理 AI 直接部署于边缘端而打造。该平台将高速传感器处理、企业级可靠性和功能安全性整合到桌面级紧凑模组中。相较于上一代产品 NVIDIA IGX Orin，IGX Thor 的 AI 计算性能提升至 8 倍，能够帮助开发者构建感知、推理和行动更快速、更安全、更智能的智能系统。 工业、机器人、医疗和健康领域的领先企业已经率先使用该平台，如 Diligent Robotics、EndoQuest Robotics、Hitachi Rail、Joby Aviation、Maven 和 SETI Institute。同时，CMR Surgical 正在评估 IGX Thor，以提升其医疗能力。 NVIDIA Jetson IGX Thor 开发者套件 Mini 版 IGX Thor 为边缘 AI 应用提供突破性性能 长期以来，医疗与工业企业在推进医学影像、手术机器人和工业 AI 自动化等应用时面临诸多限制，原因在于边缘系统缺乏处理实时数据的速度和能力，或无法在不影响性能的前提下安全地运行多个生成式 AI 模型。 IGX Thor 通过提供专为工业和医疗领域打造的强大可靠的 AI 计算能力，克服了这些挑战。该平台具备实时智能处理、无缝数据连接、以及内置安全保障功能。 该平台配备两款 NVIDIA Blackwell GPU——集成 GPU（iGPU）和独立 GPU （dGPU），可提供 5,581 FP4 TFLOPS 的 AI 计算能力，并支持 400 GbE 连接。与 NVIDIA IGX Orin 相比，IGX Thor 在 iGPU 上的 AI 算力可提升至 8 倍，在 dGPU 上可提升至 2.5 倍，与此同时，连接性能提升至 2 倍，可在边缘无缝运行大语言模型和视觉语言模型。 该工业级平台提供 10 年产品生命周期支持和 NVIDIA AI 软件栈的长期技术支持，可确保企业和物理 AI 应用即使在最具挑战性的环境中，也能保持加速和安全运行。IGX Thor 可支持运行 NVIDIA AI Enterprise 软件栈，包括可加速从云端到边缘设备的物理 AI 应用开发的 NVIDIA NIM 微服务、用于机器人开发的 NVIDIA Isaac、用于视觉 AI 的 NVIDIA Metropolis 和用于传感器处理的 NVIDIA Holoscan。 另外，NVIDIA IGX Thor 还将 NVIDIA Halos 全栈安全系统的元素集成到机器人开发、医疗和工业 AI 系统中，利用板载和基础设施传感器，确保传统和由外至内的安全，实现可靠的人机协作。 NVIDIA 合作伙伴生态系统加速工业和医疗边缘应用开发 全球工业和机器人领域的领先企业，包括 Hitachi Rail、Maven、SETI Institute 和 Joby Aviation，正在使用 IGX Thor 构建和部署先进的 AI 解决方案，以增强安全性、提高效率，并提升工厂、仓库和交通运输系统的自动化水平。 Hitachi Rail 正在使用 IGX Thor 在轨道网络中部署先进的预测性维护和自主检测系统，从而提高运营效率和可靠性。 Hitachi Rail 集团首席执行官 Giuseppe Marino 表示：“AI 和数据正在改变轨道交通行业。通过采用 NVIDIA IGX Thor，我们正在将全球最强大的工业级实时 AI 性能直接引入边缘设备，帮助运营商更好地优化其轨道和基础设施。同时，这种能力将为乘客和运营商带来更加可靠、高效和优质的体验。” Maven Robotics 将 NVIDIA IGX Thor 集成到其下一代工业机器人中，将先进的具身 AI 性能与内置安全性和大规模实时决策制定相结合。 Maven Robotics 首席执行官 Hamza Derbas 表示：“Maven Robotics 正将通用机器人引入工业环境，并与全球领先的制造业和物流企业合作，实现大规模部署。NVIDIA IGX Thor 是我们下一代机器人的核心，将安全级算力与运行先进的具身 AI 模型的性能相结合，从而同步提升能力和合规性。” 全球医疗设备和健康领域的领先企业 Diligent Robotics 和 Endoquest Robotics 已经开始使用 IGX Thor。CMR Surgical 正在评估 IGX Thor，为其外科手术机器人系统配备先进的 AI 功能，实现手术室内的实时分析和适应性决策。CMR 的愿景是通过提供智能辅助提高手术精度、效率并改善患者治疗效果，而 IGX Thor 的安全性、可靠性和计算性能，正为这一愿景的实现提供有力支撑。 CMR Surgical 首席技术官 Chris Fryer 表示：“精准和患者安全是每台手术的核心。借助 IGX Thor，我们有望部署下一代 AI 助手和实时手术指导，这些功能可实时处理物理真实的数据，从而简化手术流程，实现更安全、更智能的微创手术。” NVIDIA 的设备制造商生态合作伙伴，包括 Advantech、ADLINK、ASRock Rack、Barco、Curtiss-Wright、Dedicated Computing、EIZO Rugged Solutions、Inventec、NEXCOM 旗下的 NexCOBOT、Onyx、WOLF Advanced Technology 以及 YUAN 等企业，提供一系列由 IGX Thor 驱动的边缘服务器、定制载板、设计服务、摄像头和传感器，以及 AI 和系统软件，以加速解决方案开发。 NVIDIA IGX Thor 平台包含两款量产就绪系统——NVIDIA IGX T5000 模组和 NVIDIA IGX T7000 板卡套件，专为具备功能安全需求的多样化物理 AI 应用场景打造。IGX Thor 量产系统和开发者套件计划于 12 月上市。
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NVIDIA . 18小时前 750
产品 | Microchip推出高精度时间传输解决方案TimeProvider® 4500 v3主时钟
各国政府正要求关键基础设施运营商在现有GNSS（全球导航卫星系统）基础上增加备用时间源，以提升系统韧性和可靠性，确保在存在潜在干扰或服务受限情况下能够持续稳定运行。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出TimeProvider® 4500 v3主时钟（TP4500），可在长达800公里的远距离光传输网络中实现亚纳秒级授时精度，为关键基础设施提供独立于GNSS的高精度时间同步解决方案。 这项创新解决方案填补了行业长期以来在定位、导航与授时（PNT）备用技术方面的空白。当全球导航卫星系统（GNSS）无法提供精准授时时，TP4500可提供具备韧性的地面解决方案，有效降低因依赖 GNSS 部署而产生的处理物理遮挡、安全风险及信号干扰的成本。 当前多数部署需在主时钟站点配置GNSS接收机，而TP4500可在无需依赖 GNSS 的情况下实现高韧性时间同步。该设备支持基于UTC(k)（国家实验室提供的协调世界时）的时间基准，是首款符合ITU-T G.8271.1/Y.1366.1（2024年1月）标准的高精度时间传输（HA-TT）主时钟，可实现在800公里传输距离内达到5纳秒级时延（按10个节点计算，单节点平均时延仅500皮秒），树立了行业新的精度标杆。 TP4500 系统可通过多种工作模式进行配置，构建端到端架构——即虚拟主参考时钟（vPRTC），可在长距离光网络中实现主参考时钟（PRTC）级的时间精度。 vPRTC 是一项面向运营商级网络的地面高精度时间传输（HA-TT）架构，已在全球多家运营商网络中得到广泛部署。 与其他尚未在关键基础设施网络中广泛应用、技术成熟度低且仍依赖GNSS作为最终时间源的PNT解决方案相比，HA-TT是经验证且经济高效的方案。 Microchip负责频率与时间系统业务部的公司副总裁Randy Brudzinski表示：“TimeProvider 4500 v3主时钟是一项突破性的解决方案，使运营商能够部署基于标准的地面授时网络，实现前所未有的精度与韧性。这项创新方案体现了Microchip致力于为全球关键服务提供最先进且可靠授时解决方案的承诺。” TimeProvider 4500 v3 是迈向支持 ITU-T G.8272.2 标准的重要一步。该标准在其 2024 年修订版（修订案 2）中定义了一致性网络参考时钟（cnPRTC）的概念。 cnPRTC 架构能够在整个电信网络中实现高精度、强韧性且可靠的时间同步。即使在区域性或全网 GNSS 信号不可用，或因其他故障及中断导致授时中断时，仍能维持网络范围内的 ePRTC 时间精度与稳定性。 TimeProvider 4500 v3系列核心特性包括： - 亚纳秒级精度：在800公里超长距离传输中实现5纳秒时间延迟 - GNSS地面替代方案：使关键基础设施能够在不依赖 GNSS 的情况下，通过具韧性的同步机制保持稳定运行。 - 无缝集成：基于标准的地面网络实现时间传输，可轻松集成商用小型可插拔模块及现有以太网和光纤部署 - 专属功能：高级软件功能仅在 TP4500 v3 上提供，集成Microchip 的 PolarFire® FPGA 与 Azurite 频率合成器，实现无与伦比的精度表现 TP4500主时钟专为电信、公用事业、交通运输、政府及防务等领域优化设计，确保在最关键的应用场景中实现精准可靠的授时。最新版本为运营商提供了一种可扩展的解决方案，能够在长距离传输中实现安全且可靠的时间分配。 TP4500是Microchip IEEE®-1588精密时间协议（PTP）主时钟产品线的最新成员，提供了业界领先的性能与价值。这些经现场验证的解决方案可满足从低密度室内应用到高容量5G网络授时需求的扩展要求。如需了解更多有关Microchip主时钟产品组合的信息，请访问网页。 https://www.microchip.com/en-us/products/clock-and-timing/systems/ptp-grandmaster-clocks/timeprovider-4500
Microchip
Microchip微芯 . 昨天 340
产品 | Littelfuse推出首款新型汽车级低压侧栅极驱动器IX4352NEAU
Littelfuse宣布推出 IX4352NEAU汽车级低压侧栅极驱动器，旨在满足电动汽车（EV）动力总成和DC-DC转换器应用中对SiC MOSFET和IGBT控制日益增长的需求。 IX4352NEAU栅极驱动器 IX4352NEAU是首款符合AEC-Q100标准的低压侧栅极驱动器，提供集成且可调的负栅极驱动偏压，无需外部负电压轨或昂贵的DC-DC转换器来抑制高速功率器件的寄生导通。这一独特功能简化了栅极驱动器设计，改善了开关性能，并降低了系统总成本。 “通过将IX4352NEAU集成到他们的最新设计中，我们的客户可以开发出更安全、更紧凑、更高效的电源系统。”Littelfuse集成电路部产品经理June Zhang表示。“这有助于加快产品上市时间，同时降低不断增长的汽车DC-DC转换器和汽车动力传动系统市场的系统总成本。” 主要功能与特色 · 可调负栅极驱动偏压（低至-10V）：提高dv/dt抗扰度，抑制寄生导通，并确保SiC MOSFET和IGBT的更快关断； · 9A峰值拉/灌电流驱动能力（独立引脚）：支持量身定制的导通和关断时序，以优化效率并降低开关损耗； · 集成保护：DESAT检测、主动软关断、UVLO、TSD和故障输出：提高系统可靠性，并在故障条件下保护宝贵的电源开关； · 3.3V TTL/CMOS兼容输入：耐受电压高达7V，可轻松与大多数控制逻辑连接； · 符合AEC-Q100标准，热稳定性好：确保在很宽的温度范围内保持一致的性能，提高热阈值精度，并在热关断期间保持电荷泵运行。 市场与应用 · 汽车DC-DC转换器； · 电动汽车动力传动系统；· 电动汽车逆变器和电机驱动器； · 开关功率电源。 市场差异化优势 · 与传统的低压侧栅极驱动器相比，IX4352NEAU提高了功率密度，减少了元件数量，并提供了更安全的过流关断过渡。其内置电荷泵调节器具有可调节负偏压，为市场首款，为汽车设计师提供了克服寄生导通并改善基于SiC和IGBT的系统中的开关行为的完全集成解决方案； · IX4352NEAU是久经考验的商业级IX4352NE的汽车级扩展产品，经过优化，可满足汽车环境对可靠性和性能的严格要求。 常见问答（FAQ） 快速解答有关IX4352NEAU栅极驱动器的常见问题。 1. 与其他栅极驱动器相比，IX4352NEAU有何独特之处？ IX4352NEAU是首款符合AEC-Q100标准的低压侧栅极驱动器，集成式可调负栅极偏压低至-10V。因此无需外部负电压电源，从而减少了元件数量和系统成本。 2. IX4352NEAU可以驱动哪些功率器件？ 它专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计，具有独立的9A峰值拉/灌电流输出，可提供量身定制的开关性能，是电动汽车和其他汽车系统中快速开关应用的理想选择。 3. 设备内置了哪些保护功能？ IX4352NEAU包括DESAT检测、有源软关断、热关断和欠压锁定（UVLO）。这些功能可在发生过电流或其他故障情况时保护栅极驱动器和功率晶体管。 4. IX4352NEAU对电动汽车应用有何益处？ IX4352NEAU可帮助电动汽车设计师在牵引逆变器和DC-DC转换器等系统中实现更高的功率密度和开关效率。其符合汽车标准、集成负栅极偏压和强大的保护功能，可简化设计、提高可靠性并减少对额外组件的需求，使其成为要求严苛的电动汽车动力总成环境的理想选择。 供货情况 IX4352NEAU采用卷带封装的16引脚窄型封装（每卷2,000个）。可通过全球授权的Littelfuse经销商提交样品申请。
Littelfuse
Littelfuse . 昨天 390
产品 | 高通发布两款AI芯片AI200和AI250
高通发布面向数据中心的下一代AI推理优化解决方案，包括基于云端AI芯片Qualcomm AI200和AI250的加速卡及机架。两款芯片均采用高通Hexagon NPU，预计将分别于2026年和2027年实现商用。高通称，凭借该公司在NPU技术方面的优势，这些解决方案可提供机架级性能和出色的内存容量，以高性价比实现快速的生成式AI推理，有助于实现可扩展、高效且灵活的生成式AI。沙特支持的AI创企Humain将从2026年开始部署200兆瓦的高通新型AI机架。受此消息影响，高通股价飙升11%。 Qualcomm AI200推出一款专用机架级AI推理解决方案，旨在为大语言模型和多模态模型（LLM、LMM）推理及其他AI工作负载提供更高的内存容量、更低的总拥有成本（TCO）和优化的性能，支持每卡768GB LPDDR。Qualcomm AI250解决方案将首次采用基于近存计算的创新内存架构，通过提供超过10倍的有效内存带宽和更低的功耗，不仅支持分解式AI推理，还能高效利用硬件资源，同时满足客户对性能和成本的要求。两种机架解决方案均采用直接液冷以提高热效率，采用PCIe进行纵向扩展，采用以太网进行横向扩展，采用机密计算以确保安全的AI工作负载，机架级功耗为160kW。 这些解决方案都具有丰富的软件栈和与AI框架的无缝兼容性，使企业和开发人员能够跨数据中心部署安全、可扩展的生成式AI。其AI软件栈端到端覆盖从应用层到系统软件层，并针对AI推理进行了优化。开发者可通过高通的Efficient Transformers Library和高通AI推理套件，获得无缝模型导入和Hugging Face模型的一键部署。高通高级副总裁兼技术规划、边缘解决方案和数据中心总经理Durga Malladi称，凭借Qualcomm AI200和AI250，高通正在重新定义机架级AI推理的可能性。 Malladi还透露，高通将单独出售其AI芯片和其他部件，尤其是针对那些喜欢自行设计机架的超大规模数据中心客户。其他AI芯片公司也可能成为高通部分数据中心部件（如CPU）的客户。高通数据中心路线图每年更新一次，聚焦实现业界领先的AI推理性能、能效和业界领先的TCO。
高通
芯东西 . 昨天 2455
市场 | Omdia：2025年下半年，AMOLED显示屏营收将达290亿美元，低于2024年下半年水平
Omdia的最新《显示屏长期需求预测追踪报告》，到2025年底，全球主动式有机发光二极管(AMOLED)显示屏营收预计将达530亿美元，较2024年的540亿美元略有下降。尽管下半年受益于新智能手机机型发布及移动PC面板增长而实现复苏，但这一增长仍不足以抵消上半年面板价格竞争激烈带来的不利影响，最终导致全年营收停滞。 2025年第三季度和第四季度，AMOLED营收预计将分别实现19%和9%的环比增长。这一营收增长主要由低温多晶氧化物(LTPO)背板柔性AMOLED智能手机显示屏，以及低温多晶硅(LTPS)背板移动PC显示屏的出货量增长所推动。2025年，AMOLED出货量预计将在第三季度环比增长10%，第四季度环比增长7%。 2025年下半年增长的主要驱动因素： LTPO背板柔性智能手机OLED产能扩张，尤其针对新款iPhone 17系列OLED显示屏，以及Oppo、Vivo和Xiaomi等中国品牌新机型的显示屏需求。 移动PC OLED面板持续增长，预计2025年第四季度将创下季度出货量新高。 OLED电视和显示器面板需求上升。 然而，尽管这一强劲表现推动AMOLED营收在2025年下半年达到290亿美元，但总额仍略低于2024年同期的300亿美元。 这意味着2025年AMOLED营收增长陷入停滞。2025年上半年对AMOLED而言是充满挑战的时期：显示屏价格持续下跌，严重影响营收，而尽管多数OLED面板厂商因此亏损，但降价仍被视为刺激采用率的手段。 Omdia预计，2026年AMOLED营收将达560亿美元，较2025年同比增长5%。LTPO智能手机显示屏、OLED移动PC面板，以及65英寸至83英寸OLED电视面板等关键驱动因素，将继续推动2026年AMOLED营收增长。 图1：AMOLED季度营收与增长率 Omdia显示屏部门高级总监谢勤益（David Hsieh）表示：“在2026年迎来复苏前，当前AMOLED营收增长正面临价值缩水问题。智能手机OLED显示屏渗透率已超过50%，缺乏新增长动力，即便加入先进功能以刺激增长，智能手机OLED面板价格仍在持续下跌。与此同时，笔记本电脑OLED和平板电脑OLED虽有望凭借更高规格（尤其是更优形态与功耗表现）继续增长，但PC品牌与原始设备制造商(OEM)正寻求更低成本，导致OLED面板相对于液晶显示屏(LCD)的价格溢价不断缩小。未来几年，更多中国8.6代OLED产线将投入市场，这些产线可生产智能手机、平板电脑、笔记本电脑甚至显示屏等多应用场景面板，因此从现在起，AMOLED的价格和规格竞争将愈发激烈。”
AMOLED
Omdia . 昨天 795
方案 | 从5W到3kW+，安森美SMPS矩阵承包丰富场景电源管理需求
开关电源（SMPS）是一款经典产品，可根据终端负载将电网电力转换为直流电力。由于其通常包含两个电力转换阶段，因此更高能效始终是追求目标。提升能效的方式包括使用性能更优的功率开关，或采用不同的控制策略。此外，还需在不同工况下选择最适配的拓扑结构。本系统解决方案指南将介绍开关电源的基础知识，以及 安森美（onsemi） 提供的特色产品与解决方案。 框图 - SMPS 框图 - SMPS（桥式 PFC + 反激式转换器） 框图 - SMPS（图腾柱 PFC + LLC 谐振转换器） 易于使用的 SMPS 矩阵 安森美SMPS 矩阵（表 1） 提供了一系列全面的电源管理方案， 可根据各类应用场景进行定制， 覆盖的功率范围从 5W 到 3kW 以上。 例如， 其中包含专为以下应用配置设计的控制器、 栅极驱动器及开关器件：功率因数校正 (PFC)、 有源钳位反激 (ACF)、 准谐振反激 (QR) 及同步整流控制器 (SRC)。 这些方案经过优化， 能实现可靠且高效的电能转换， 可满足从低功率 USB-C PD 设计， 到高功率工业与通信应用的各类需求。 通过采用碳化硅 (SiC) 和增强型氮化镓 (iGaN) 等先进技术， 安森美确保 SMPS 矩阵方案能为各类电源管理需求提供出色的性能与能效。 表 1： 安森美“易于使用”的 SMPS 矩阵 图 1：各功率等级对应的应用 SMPS 参考设计 安森美提供品类丰富的开关模式电源 (SMPS) 方案， 可满足从 65W 到 3kW 以上的各类功率需求。 产品系列涵盖控制器、 栅极驱动器、 MOSFET 和先进的宽带隙 (WBG) 材料器件（SiC、 GaN 等） ， 旨在为多种应用场景提供高能效、高可靠性与高性能， 包括 USB-C PD、 工业电源及云服务器电源。 3kW EliteSiC 图腾柱 PFC + LLC PSU 高功率密度拓扑 - 图腾柱 PFC＋ LLC Vin = 85V-264V， Vout = 54V， Iout = 55.5A PFC 效率： 100% 负载时 > 98% 系统峰值效率： 115VAC 时 > 94%； 230VAC 时 > 96% PCBA 尺寸： 280mm x 110mm x 38mm 精选产品： 多模式 TP PFC NCP1681、 带 SR 控制器的 LLC NCP4390、 隔离式半桥栅极驱动器 NCP51561、 650V SiC MOSFET NTHL045N065SC1 应用：工业 PSU 1 kW 通用输入 48V 输出电源 高效图腾柱 CCM PFC + HF LLC Vin = 90-265VAC， Vout = 48V， Iout = 21A 满载效率：在 110VAC 和 230VAC 输入下，分别为 92.5%和 95.4% PCBA 尺寸： 328mm x 93mm x 50mm 功率密度： 10.74W/in^3 精选产品： TP PFC NCP1681、 LLC NCP13994、 iGaN NCP58921、 NCP58920 和 SR 控制器 NCP4306 应用： 计算电源、工业 PSU 图 2： 3 kW 图腾柱 PFC + LLC PSU 评估板 图 3： 1 kW 48V 输出电源评估板
安森美
安森美 . 昨天 520
企业丨瑞萨电子采用下一代功率半导体为800伏直流AI数据中心架构赋能
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基础设施发展。 随着GPU驱动的AI工作负载日益密集，数据中心功耗攀升至数百兆瓦级别，现代数据中心亟需兼具能效优化与可扩展性的电源架构。GaN FET开关为代表的宽禁带半导体，凭借其更快的开关速度、更低的能量损耗，及卓越的热管理性能，正迅速成为关键解决方案。此外，GaN功率器件将推动机架内800V直流母线的发展，在通过DC/DC降压转换器支持48V组件复用的同时，显著降低配电损耗，并减少对大尺寸母线排的需求。 瑞萨基于GaN的电源解决方案特别适用于此类应用场景，支持高效且密集的DC/DC电源转换，工作电压范围覆盖48V至400V，并可通过选配叠加至800V。这些转换器基于LLC直流变压器（LLC DCX）拓扑结构，可实现高达98%的转换效率。在AC/DC前端，瑞萨采用双向GaN开关，以简化整流器设计并提升功率密度。同时，瑞萨的REXFET MOSFET、驱动器及控制器则为新型DC/DC转换器的物料清单（BOM）提供了有力补充。更多详情，请访问：renesas.com/power。 Zaher Baidas, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“AI正以前所未有的速度改变各行各业，电源基础设施必须同步快速演进，以满足激增的电力需求。依托我们全系列GaN FET、MOSFET、控制器及驱动器产品组合，瑞萨致力于以面向规模化应用的高密度能源解决方案，为AI的未来赋能。这些创新不仅带来卓越性能与能效，也具备支撑未来增长所需的可扩展性。” 瑞萨电源管理技术优势 作为全球卓越的电源管理产品供应商，瑞萨电子近年来的平均年出货量超15亿颗，其中大量产品服务于计算行业，其余则广泛应用于工业、物联网、数据中心以及通信基础设施等领域。瑞萨拥有业界广泛的电源管理器件产品组合，在产品质量、效率及电池寿命方面表现卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨拥有数十年的电源管理IC设计经验，并以双源生产模式、业界先进的工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
瑞萨电子
Renesas瑞萨电子 . 昨天 730
产品 | 不止多协议！泰凌微电子 TL321X 系列 SoC，藏着物联多面手实力
当智能家居需要更稳定的互联互通，可穿戴设备追求更持久的续航表现，无线控制产品期待更灵活的功能扩展 —— 物联网终端设备的多元化需求，正呼唤一款兼具性能、功耗与兼容性的高性价比芯片。 产品发布 今日，泰凌微电子基于深耕无线连接领域的技术沉淀，推出TL321X 系列 RISC-V 架构 SoC，以 “全能战将” 之姿，为多场景物联网应用提供高效核心支撑。 硬核性能：RISC-V内核+多协议，兼顾效率与灵活 TL321X系列搭载32位RISC-V内核，最高运行频率达96MHz，搭配128KB SRAM与大容量Flash，轻松应对复杂数据处理需求。同时集成FPU浮点运算单元，进一步提升计算效率，为设备流畅运行提供强劲算力支撑。 无线连接能力更是亮点十足。该系列全面支持Bluetooth® Core 5.4、Mesh Networking、802.15.4、Zigbee、Thread等多协议，其中支持的Matter协议，可轻松帮助客户实现不同品牌、不同品类智能设备的互联互通。此外，还支持Apple Find My、Google Nearby等生态功能，以及2.4GHz私有协议，满足多样化场景连接需求。 功耗优化：主流应用的高效能 选择 TL321X 系列在功耗控制上表现出色，适用于主流物联网应用。在低功耗模式下，其发射和接收电流较低，深度睡眠电流更是不到1μA，有效延长设备电池使用寿命。TL321X在性能与功耗之间实现了优化平衡，确保设备在实际使用中的高效运行。 同时，芯片支持 1.8V~4.3V、4.5V~5.5V 宽电压供电，适配不同类型电源方案，为设备设计提供更多灵活性。 丰富接口+全面安全：为开发“减负”，为数据“护航” TL321X系列配备超丰富外设接口，包括GPIO、I2C、UART、SPI、USB 2.0、PWM，以及12bit ADC、AMIC、DMIC等，可轻松连接传感器、显示屏、音频设备等外设，满足智能家居控制器、无线HID、遥控器等多场景硬件扩展需求。 安全方面，芯片内置Root of Trust与Secure Boot机制，搭配AES-128、ECC、Hash、TRNG等加密算法，以及Secure OTA功能，从启动、运行到固件升级全流程保障设备与数据安全，有效抵御恶意攻击。 灵活选型+完善工具：加速产品落地 为适配不同场景需求，TL321X系列提供多款细分型号，覆盖QFN、LGA等不同封装，提供多种Flash容量，USB接口、音频接口等配置灵活差异化，开发者可根据产品需求精准选型，降低成本的同时避免功能冗余。 同时，泰凌微电子提供配套开发板，支持RF传导测试、电流测试、音频输入输出测试等功能，内置调试接口与扩展Flash，搭配通用SDK及Matter、FMN+Nearby双模软件支持，帮助开发者快速完成原型验证与产品开发，大幅缩短研发周期。 从智能家居的互联互通，到可穿戴设备的长效续航，再到资产追踪的精准连接，TL321X系列SoC以“全能”实力为物联网创新注入新动力。未来，泰凌微电子将持续深耕无线连接芯片技术，以更优质的产品与服务，赋能更多万物互联应用场景！
泰凌微
泰凌微电子 . 昨天 620
企业 | Cadence发布财报，Q3营收 13.39 亿美元，同比增幅14%
2025 年第三季度，全球电子设计自动化（EDA）巨头楷登电子（Cadence）公布财报显示，公司当季营收达 13.39 亿美元，较市场预期的 13.2 亿美元高出 1.4%，同比增幅达 14%；核心业务硬件与 IP 板块均创下季度营收新高，推动公司在手订单规模突破 70 亿美元（约合人民币 500 亿元），刷新历史纪录。受益于业绩强势表现，Cadence 将 2025 全年营收指引上调至 52.6 亿至 52.9 亿美元区间，较此前预期显著提升。 财报明确指出，NVIDIA、TSMC、英特尔等核心客户在 AI 芯片与高性能计算（HPC）领域的持续加码，是业绩增长的关键驱动力。Cadence 首席执行官 Anirudh Devgan 强调：“AI 正从模型训练阶段，全面转向系统级设计优化的核心环节。客户如今不仅需要算力突破，更渴求可扩展、可验证的全流程设计能力。” 图片来自Cadence官网 为响应这一需求，Cadence 正通过 AI 驱动的系统设计平台及 JedAI 智能数据架构，构建芯片到系统层的自动化协同能力。据公司技术披露，其代理式 AI 技术已能自主处理 3nm 及以下先进制程的高复杂度设计任务，将工程师从重复性试错工作中解放，专注于架构创新。目前超过 50% 的 Cadence 工具已集成 “优化 AI”，预计未来两年这一比例将升至 80% 以上。 为巩固 AI 时代技术优势，Cadence 近期动作频频：完成对 Arm Artisan IP 的收购，并签署收购海克斯康设计与工程业务（D&E）的协议。这一系列布局与行业趋势高度契合 —— 当前 EDA 巨头正通过并购加速向多物理场仿真、系统级分析（SDA）等领域延伸，以应对 3D-IC 等复杂设计挑战。 不过财报也透露短期压力：公司预计第四季度调整后每股收益（EPS）为 1.88-1.94 美元，中值 1.91 美元略低于市场预期的 1.92 美元。路透社分析指出，这一预期反映出中美贸易关系的不确定性风险。尽管美国在 7 月暂时解除 EDA 软件出口限制，但政策反复已影响中国客户的采购节奏与授权周期。数据显示，中国市场占 Cadence 全球营收的 13%，是其重要增长极。 面对短期波动，Cadence 强调 AI 驱动的系统设计需求将支撑长期增长。公司计划加快在设计 IP、多物理场仿真、系统级分析（SDA）等领域的战略投入，同时通过收购完善 “芯片 - 封装 - 整机系统” 的协同设计能力。Devgan 表示：“数字孪生技术已成为我们的跨产业战略支点，结合近期并购的仿真技术，将进一步提升系统设计的覆盖率与效率。” 行业分析师指出，随着 3nm 及以下先进制程普及，芯片设计复杂度呈指数级增长，传统方法已逼近物理极限，Cadence 等巨头的 AI 驱动型工具链有望持续抢占市场份额。尽管政策不确定性仍存，但全球 AI 芯片市场的爆发式增长，将为其长期业绩提供强劲支撑。
Cadence
芯查查资讯 . 昨天 1425
方案 | 让SiC驱动更简更省：米勒钳位+负压自举供电方案来了！
碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET）凭借高速开关特性，大幅降低开关损耗，目前已在各行业应用中加速渗透。然而，其器件特性所伴随的高 dV/dt（电压变化率），易引发寄生开通风险，已成为各行业应用设计中需重点规避的核心挑战。 本篇应用笔记聚焦自举供电场景，重点介绍一种 SiC MOSFET 的可靠驱动方案，通过将简易负压生成电路与具备米勒钳位功能的驱动芯片相结合，从而省去了专门的负压隔离电路设计。这一方案不仅简化了驱动电路架构，还显著减小PCB 布板面积，并有效降低系统成本。 负压供电的主流方案比较 负压关断是一种常见的避免SiC MOSFET误导通的方式，而为栅极驱动芯片提供负压供电主要有两种方式。其一是通过隔离变压器产生独立的辅助电源，如下图所示： 图1 通过隔离变压器生成VEE的典型拓扑 其二是在SiC MOSFET的驱动回路上串联稳压管、电容、电阻等元器件，通过正常发波动作即可直接产生负压。 以下介绍这种负压发生的原理。如下图2所示，负压生成电路是由驱动电阻Rg，负压支撑电容Cneg，负压钳位稳压管Dz，电流控制电阻Rc组成。其中控制电阻Rc直接并联于SiC MOSFET的GS之间。 图2 负压生成电路的基本拓扑 在芯片内部置高时，内部PMOS将芯片VDD短接至芯片OUT。此时如下图3，VDD通过驱动电阻Rg、稳压管Dz与控制电阻Rc线路形成电流。此时Dz需要维持其在该电流下的钳位电压，Cneg的B-A间将形成负压Vneg，SiC MOSFET的栅极电压值则为VDD-|Vneg|。 图3 负压生成电路置高时的工作原理 置低时内部NMOS将芯片GND短接至芯片OUT输出。此时如下图4，Cneg的A点通过芯片内部短路MOS对接至了SiC MOSFET栅极的负端，即C点。此时SiC MOSFET的栅极电压等于Cneg的B-A点间电压，即负压Vneg。 图4 负压生成电路置低时的工作原理 这种负压生成电路正常发波便能够使SiC MOSFET负压关断，自然地便可以用于低成本的自举供电。一个经典的通过自举方式便能够在高低边产生负压的拓扑如下图所示： 图5 一个典型的自举供电加负压生成电路的拓扑 相对于使用隔离变压器方式生成负压，这个简易负压生成电路有以下明显优势： 1）省却了隔离变压器的单独供电回路，可以有效降低系统成本； 2）省却了占板面积较大的变压器等元器件，有利于实现更为紧凑的布板设计。 但在一些高dv/dt应用场景，如果SiC MOSFET仅采用负压关断仍然存在应用风险，此时就有必要将米勒钳位功能与负压关断相结合，从而实现最可靠的驱动方案。 有源米勒钳位功能介绍 SiC MOSFET由于米勒效应造成寄生导通的机理是，在本管闭合时，对管开通，本管DS间的电压瞬变通过Cgd会对栅极GS间造成浪涌电流。由于本管所串联的栅极驱动电阻影响，使得SiC MOSFET的栅极电压瞬态越过了开通阈值造成误开通可能。 而有源米勒钳位功能原理如下图6，芯片判断出本管闭合状态下（监测CLAMP与VEE管脚间电压低于V_THR），会将栅极驱动电阻R1通过内部MOS短路，使得SiC MOSFET栅极的GS间阻抗极大降低，最终使浪涌电流造成的栅极电压摆幅明显降低。 图6 有源米勒钳位工作原理 米勒钳位叠加负压关断的典型应用 下图7展示了使用纳芯微低边驱动芯片NSD1015MT与隔离驱动芯片NSI6601ME芯片组合而成的半桥拓扑的典型驱动电路，该电路将有源米勒钳位引脚连接到稳压二级管的阳极，从而与负压生成电路叠加使用，可最大程度实现SiC MOSFET的可靠关断，并适用于各类反激、半桥、全桥等电源拓扑。 图7 负压生成电路在半桥应用的典型拓扑 NSI6601ME是最新一代集成米勒钳位功能的隔离驱动，具备出色的驱动性能和抗干扰能力。NSD1015MT是单通道低边驱动，除有源米勒钳位外还具备DESAT功能，从而为SiC MOSFET提供快速短路保护；故障上报引脚可向MCU实时反馈欠压、过流等故障信息，同时内部集成5V LDO输出，可以为系统内其他芯片供电。注意，对3.3V的PWM信号输入，NSD1015MT需要前置一个缓冲器芯片将信号转至5V。 米勒钳位叠加 负压关断的效果 为对比SiC MOSFE在高速开关下，驱动走线距离、负压关断、米勒钳位等影响因素对米勒效应的影响，本文采用同样的驱动电阻大小（10欧姆），同款SiC MOSFET进行对比测试。 该SiC MOSFET的栅极开通阈值Vth为最低2V，栅极电压最大安全工作区为-5V至22V——即栅极过冲电压过高有误开通的风险，过低有损坏栅极的风险。下表是采用双脉冲测试，观测对管开关时，保持关断状态的SiC MOSFET的栅极过冲情况汇总。 表1 栅极驱动典型配置对比* *考虑到不同厂家不同型号的SiC MOSFET米勒比存在一定差异，同样条件下实测的米勒峰值电压可能也会不同。 从上表中可以得出如下结论： 1）栅极驱动回路的layout走线长度在SiC MOSFET的米勒效应影响中占据非常大的权重。无论是负压还是有源米勒钳位功能，在驱动回路走线很长的情况下，都很难使其过冲保留在栅极安全工作电压范围内。因此在SiC MOSFET应用中，应尽量实现良好的驱动回路layout设计。 图8 PCB layout长引线（左）与短引线（右）的对比示意 2）在驱动回路走线良好的情况下，如果仅采用负压关断，由于米勒效应造成的正向震荡尖峰幅值降低，可以避免寄生导通；但由于震荡摆幅仍然很大，会造成负向震荡尖峰超出安全工作电压范围。 3）有源米勒钳位功能可以极大抑制米勒效应造成的栅极电压摆幅，如果仅使用有源米勒钳位功能与零压关断，在驱动回路走线良好的情况下可以做到正向震荡尖峰不超过SiC MOSFET开通阈值，达到临界安全工作状态； 4）最佳方案是有源米勒钳位功能与负压关断措施同时使用，米勒钳位使得对管动作所造成的摆幅将被极大降低，同时负压的引入又能够将寄生上冲至开通阈值电压Vth的安全裕量控制于希望的位置，两者结合的效果将大于仅使用其中一种。由下图实测波形亦可以看出，若仅有负压，对管开通时依然有误开通风险，对管关断时产生的负压应力也更大。而同时施加了负压加米勒钳位功能后，效果远比单一措施更好。 图9 仅有负压（红）与负压加米勒钳位（绿）的实测波形对比 左图为对管开通时的波形，右图为对管分断时的波形 负压生成电路中的选型计算 根据上述分析，采用图7所介绍的自举驱动方案，将有源米勒钳位和负压关断电路相结合，可实现对SiC MOSFET的可靠驱动。以下将对一个典型的负压生成电路做选型计算，以实现将栅极驱动的正压维持于18V，负压维持于-3V左右的设计目标。 5.1 稳态正负电压值的设定 图7中的Rc即可控制Vneg的负压具体值。可通过型号稳压管对应的曲线来控制所需要稳定的负压。如使用下图10中2V7型号的稳压管，想控制其电压于-2.7V，可看到其对应的Iz电流为5mA。 对于VDD=21V的电源电压，SiC MOSFET的栅极正压会是Von=VDD-|Vneg|=VDD-Vz=21V-2.7V=18.3V。根据图2原理，可令控制电阻Rc=Von/Iz=18.3V/5mA=3700 Ohm。即Rc为3700欧姆时，可令负压维持在-2.7V。 图10 稳压二极管典型正向特性图 由于在每个功率管的开关周期，负压值会跳变，从而产生负压的纹波。如果Cneg的容值为SiC MOSFET的栅极电容量的N倍，则该跳变可估算为VDD/N。即N越大，跳变越可被忽略。也就是说，此Cneg本身的容值越大，功率管开关所造成的纹波也就越小，一般推荐该N值大于250。 5.2 负压建立时间估算 根据前述原理易知，只有在驱动芯片置高时才可以建立负压。驱动芯片输出置低时将维持该负压值。当置高时，VDD通过控制电阻Rc向Cneg充电至钳位电压Vz，负压达到稳定。即通过电流ic= (VDD-|Vneg|)/Rc为Cneg充电至Vneg，于是充电时间可表示为：t=|Vneg|*Cneg/ic 。对于刚才的设定，如果Cneg设定为1uF，则将Cneg从0V充电至-2.7V的电流为5mA，时间为2.7V*1uF/5mA=540us 。 在实际应用中，建议采用第一个PWM输出常高的方式为电容预充电，在负压稳定建立后再正常发波。 5.3 小占空比的稳态负压 在每个开关周期内，驱动芯片输出置高时负压电容被充电，驱动芯片输出置低时负压电容被放电。当占空比足够小时，芯片输出置高时Von为Cneg充电速度无法覆盖Voff时的放电速度，此时设定的Vneg会产生偏移，最终|Vneg|将维持在VDD*D伏（开通周期与关断周期达到安秒平衡后可有Von*D=|Vneg|*(1-D)，结合Von+|Vneg|=VCC，化简后可得|Vneg|=VDD*D） 。 如5%占空比时，Vneg负压的值将无法维持于-2.7V，将会维持在-1V左右 。由于该电路是将米勒钳位和负压关断叠加使用，因此-1V的关断负压仍然可以实现SiC MOSFET比较安全的关断。 结语 本文通过将驱动芯片的有源米勒钳位功能和简易负压关断电路结合，设计了一种适用于自举供电的SiC MOSFET可靠驱动方案。本文介绍了这个方案的基本原理和主要指标的设定方法，以及关键器件的选型方法，同时也通过实验比较展示了方案的优势。 本方案介绍的简易负压关断电路可以实现自举供电，相比隔离供电产生负压，在简化设计和降低成本方面都有很大收益。
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企业 | 芯科科技Works With开发者大会深圳站成功举办，展示全球AIoT先进科技与协同创新
中国，深圳 – 2025年10月27日 – 低功耗无线解决方案创新性领导厂商Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）日前在深圳湾万丽酒店成功举办“2025年Works With开发者大会”深圳站。作为已成功举办六届的全球物联网（IoT）领域最具影响力的技术盛会之一，本届大会聚焦人工智能（AI）与无线连接技术创新，吸引了超过500名顶尖技术专家、行业领袖、开发人员及生态伙伴的积极参与，共同探讨人工智能物联网（AIoT）技术的前沿趋势与落地应用。芯科科技同期发布的Simplicity Ecosystem软件开发套件以其AI使能的开发流程亦获得广泛关注。 作为芯科科技立足全球创新积极投入中国市场和深度融入中国AIoT创新生态的重点项目之一，Works With开发者大会于去年在上海取得丰硕成果后，本届大会首次移师深圳，其目的是将全球领先的物联网技术带到以大湾区为核心的快速发展的新兴技术社群之中，在区域内外的创新企业、开发者、芯科科技及其生态伙伴之间搭建一座面对面沟通的桥梁。芯科科技亚太及日本地区业务副总裁王禄铭带领区内管理及技术支持团队莅临大会现场并与开发者展开全面的交流。 王禄铭在大会的开幕致辞中表示：“Works With开发者大会的目标是实现全球技术与本地需求的无缝对接，我们去年在上海举办的Works With开发者大会完美地实现了这个目标，因此促使了芯科科技继续加大投入在中国举办线下的开发者大会。地处大湾区核心的深圳市作为全球电子制造与充满活力的创新枢纽，拥有完整的物联网产业链和丰富的前沿应用场景，为全球物联网及边缘智能技术落地提供了理想环境。因此尽管本届大会是芯科科技首次在深圳举办Works With开发者大会，我们也相信中国开发人员将再一次从此项活动中充分了解全球领先的无线技术并在其实际工作实现更多创新。” 芯科科技携生态伙伴尽展前沿技术 大会期间，芯科科技通过主题演讲、圆桌论坛、技术培训及实作演示等形式，展示了其最新技术成果。在主题演讲环节，芯科科技总裁兼首席执行官Matt Johnson表示：人工智能正在从数据中心转移到边缘，因此行业的下一个巨大浪潮将是智能网联，设备将不是只是连接到网络，而且还要能够实时地了解、学习和行动，而低功耗且安全的无线连接以及嵌入式机器学习将引领下一个时代，芯科科技已抢占先机并愿意和在座的业界伙伴共同开拓物联网的新未来。 随后，涂鸦智能联席董事长兼总裁陈燎罕在其主题演讲中介绍了AI+IoT可能带来的更多应用，同时也预示着AI将很快进入价值实现之年；移远通信副总经理孙延明也介绍了物联网领域的最新发展趋势，即从连接万物到赋能智能世界转换的过程中，业界可以获得的巨大机会；松诺市场总监李楠分析了用跨生态、跨协议的方式实现从孤岛到互联，人车家生态进化与Matter构建智能新秩序；作为本次大会的赞助商伙伴，艾睿电子也发表了主题演讲。 大会还准备了精彩的圆桌论坛，连接标准联盟（CSA）中国区代表商瑞云、Wi-Fi联盟亚太区商务事务总经理黄家瑞、Wi-SUN联盟中国分部主席周明拓与CSHIA创始人周军，深入探讨了AI如何重塑无线连接标准，推动更智能的设备、网络与生态系统的发展。在下午的技术培训时段中，大会共开设了蓝牙、远距离连接（Long Range）、Matter和Wi-Fi四大主题，介绍了诸如蓝牙信道探测、Matter新协议、Amazon Sidewalk、Wi-SUN及Wi-Fi 6等业界最新无线技术，并现场演示了基于它们的创新解决方案和开发实践。 引领全产业链赋能创新 本届Works With开发者大会得到了众多行业领军企业的鼎力支持，赞助商阵容涵盖芯片、模组、设备、测试、测量、电子元器件分销及代理等物联网全产业链。其中，铂金赞助商包括艾睿电子和贸泽电子；黄金赞助商有得捷、泰克、Teledyne LeCroy、涂鸦智能；银牌赞助商包括益登科技、华普微、移远通信和松诺等。这些赞助商不仅展示了各类智能网联解决方案，覆盖了多个应用场景，还为参会者提供了全方位的产业化和落地支持，共同推动智能物联网产业和市场的发展。 涂鸦智能展示了基于Matter协议的智能照明系统，通过芯科科技的无线模块实现跨品牌设备互联，用户可通过同一APP控制不同厂商的灯具，提升了智能家居的便捷性与兼容性；华普微演示了Sub-GHz无线组网技术在工厂环境中的远程监控方案，其低功耗特性支持传感器在恶劣条件下长期运行，助力实现设备预测性维护；移远通信分享了基于Wi-SUN的智慧城市部署案例，芯科科技的芯片方案为高密度人流区域提供稳定连接，支持智慧交通与安防系统的实时数据传输；松诺展示了便携式医疗监测设备，利用蓝牙信道探测技术实现亚米级定位，确保患者生命体征数据的精准采集与低延迟传输。 从集成开发环境（IDE）到AI赋能的生态系统 同期，芯科科技还宣布推出Simplicity Ecosystem软件开发套件，它不仅是下一代模块化的软件开发套件，而且还计划增添人工智能（AI）增强功能，旨在全面变革嵌入式物联网开发流程。该生态系统以Simplicity Studio 6为核心，并辅以最新发布的Simplicity AI SDK框架，从而将安装、配置、调试和分析功能整合到一个智能的、且以开发人员优先的环境中，可在产品开发的每个阶段提供自动化和洞察力。Simplicity Ecosystem代表了实现智能、内容感知开发的重要一步。通过将人工智能集成到我们工具的每一层中，我们将为开发人员提供一个在整个物联网生命周期中学习、适应和加速创新的平台。 总结与展望：开启AIoT新时代 Works With开发者大会深圳站的举办，是芯科科技全球技术落地中国的重要里程碑。通过与中国开发者的紧密合作，共同推动了AIoT从概念到规模化部署的进程，为全球物联网生态注入了新动能。 芯科科技对于无法到现场参加实体活动的专业人士，还将在11月19至20日以完全免费、线上直播的形式盛大举办Works With在线开发者大会，为大家提供更多了解最新物联网和人工智能技术的机会。
AIoT
芯科科技 . 2025-10-27 650
企业 | 赋能边缘人工智能：2025贸泽与你大咖说即将重磅启幕
2025年10月27日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布，2025年“贸泽与你大咖说”系列技术活动将于11月1日14:00-17:00在线举办。本期贸泽电子将联袂半导体巨头恩智浦和电子元器件领导企业国巨，汇聚多位资深技术专家，以“边缘AI 破晓，技术变革驱动产业新生”为主题，共同探讨边缘智能时代的关键技术突破，为产业升级注入强劲动能。 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平表示：“随着算力下沉至边缘，低延迟、高效率的边缘AI正成为产业智能化的关键驱动力。未来，它将向‘泛智能化’演进，深度融合千行百业，构建分布式智能新生态。为此，贸泽联合恩智浦与国巨，不仅探讨技术创新，更致力于厘清规模化应用路径，为产业落地扫除障碍。” 边缘AI作为人工智能与边缘计算深度融合的前沿技术，通过将AI算法部署在数据产生源的终端设备，不仅能够实现数据的实时处理与毫秒级响应，还能有效避免原始数据上传至云端，从源头保障数据隐私与安全。本期直播将聚焦边缘AI解决方案的市场现状与技术热点，解析行业变革趋势，并深入介绍恩智浦与国巨的整体产品与市场战略。专家将分享全面产品线如何精准匹配市场需求，涵盖工业自动化（如电机驱动）、AI边缘服务器（电源管理）、汽车智能化与机器人等关键领域的完整落地方案，同时展望边缘AI的未来发展方向。通过多维度、深层次的探讨与前瞻洞察，本次活动旨在助力行业突破技术瓶颈，激发创新活力，推动边缘AI在更多场景中实现规模化应用。 “贸泽与你大咖说” 是贸泽2020 年推出的系列技术访谈栏目，深度聚焦前沿产业发展。节目每期特邀来自国际知名半导体及电子元器件厂商及行业大咖，以圆桌形式在线分享最新应用趋势与创新解决方案。本期活动将通过贸泽电子B站账号与微信视频号平台同步直播。
边缘AI
贸泽电子 . 2025-10-27 1 620
产品丨8通道高压同步采样ADC，专为直流与交流精密采集场景设计
AD4858是ADI最新发布的高压同步采样ADC，属于ADI同步采样ADC家族系列产品，目前已在ADI官网正式发布，配套的数据手册、软件资源及评估板资源均可在官网获取。作为该家族中聚焦高压场景的代表性产品，AD4858主打8通道高压同步采样功能，专为直流与交流精密采集场景设计，可适配ATE（自动测试设备）、半导体测试、电能质量分析、高/低边电压电流采样等仪器仪表领域，能满足不同场景下对宽电压输入、高动态范围及简化系统设计的需求。 作为一款完全缓冲的8通道同步采样、20位、1 MSPS数据采集系统(DAS)，AD4858具有差分、宽共模范围输入。其采用5 V低电压电源、灵活的输入缓冲器电源供电，并使用精密低漂移内部基准电压源和基准电压源缓冲器，支持独立配置每个通道的SoftSpan范围，以匹配本机应用信号摆幅，从而尽可能地减少额外的外部信号调理。为了进一步充分扩大单次转换动态范围，AD4858采用了无缝高动态范围(SHDR)技术。通道的输入信号路径增益使能后会逐个样本地自动优化，从而在不影响线性度的情况下，尽可能地降低每个样本上的转换器噪声。 AD4858具有11 MHz带宽、皮安级输入模拟缓冲器、宽输入共模范围和120dB共模抑制比(CMRR)，因此该DAS能直接将INx+和INx−上任意摆幅的输入信号数字化。AD4858不仅提供输入信号灵活性，而且具有±160 μV积分非线性(INL)、20位无失码特性、97.2 dB信噪比(SNR)和111.4 dB动态范围(DR)，使其非常适用于需要在紧凑的解决方案中实现高准确性、吞吐量和精度的应用。使能24位过采样可进一步改善SNR和动态范围。可选的每通道失调、增益和相位调整提供了校准和消除DAS上游系统级误差的能力。 AD4858具有串行外设接口(SPI)寄存器配置总线（0.9 V至5.25 V），并支持低压差分信号总线(LVDS)和互补金属氧化物半导体(CMOS)转换数据输出总线，可使用LVDS/CMOS引脚进行选择。可在CMOS模式下采用1至8条数据输出线路，使用户能够优化总线宽度和吞吐量。 AD4858的7.00 mm × 7.00 mm、64引脚球栅阵列(BGA)包括所有关键电源和基准电压源旁路电容，充分缩减了完整解决方案尺寸和元件数量，并降低了对应用印刷电路板(PCB)布局的敏感性。其工作温度范围为−40°C至+125°C的扩展工业温度范围。 图片来源：芯片框图，来源ADI
ADI
亚德诺半导体 . 2025-10-27 1 410
新品推荐 | 思瑞浦推出汽车级SBC TPT1169xQ，实现 100% 国产化供应链
近期，国内模拟与数模混合芯片企业思瑞浦推出了一款汽车级系统基础芯片（System Basis Chip，SBC）TPT1169xQ产品系列。该系列芯片不仅集成了LDO（低压差稳压器）、Watchdog（看门狗）和高性能CAN SIC（Signal Improvement Capability，信号改善能力）收发器，更具备对8Mbps高速通讯的支持、卓越的EMC性能，以及多重诊断和保护功能。更重要的是，该系列芯片实现了100%全面国产化供应链。 核心技术突破：CAN SIC赋能8Mbps高速稳定通信 传统的CAN FD网络在面对多节点、复杂星型拓扑结构时，常因阻抗不匹配导致信号反射，产生严重的“振铃”现象，这会极大地影响通信质量，增加误码率，甚至导致通信失败。TPT1169xQ系列直面这一行业痛点，凭借其集成的CAN SIC技术，实现了革命性的性能提升。 该系列产品符合最新的ISO 11898-2:2024规范要求，并采用思瑞浦自研的振铃抑制专利技术，能够有效减少总线中的信号反射。测试数据显示，在复杂的星型组网环境下，相较于常规的CAN-FD SBC，TPT1169xQ能显著改善总线电平波形质量，大幅抑制信号振铃。这一特性不仅确保了高达8Mbps的数据通信速率得以稳定实现，还极大地增强了整车网络架构设计的灵活性和可靠性，为智能辅助驾驶、车身域控制器等需要海量数据实时交互的应用场景奠定了坚实的物理层基础。 主要特性：高度集成与全方位诊断 TPT1169xQ是一款高度集成的SBC芯片，其设计初衷便是为微控制器（MCU）提供一个稳定、可靠且功能全面的运行环境。 图：TP1169xQ部分参数（来源：芯查查） 双路LDO稳压器：芯片内置两路高精度LDO。其中，LDO V1可提供5V或3.3V电压，最大输出电流达250mA，精度高达±2%，主要为MCU等核心负载供电，并支持通过外部PNP晶体管扩展电流能力。LDO V2/VEXT则输出5V电压，最大电流150mA，用于为CAN收发器和其他板上负载供电，并具备对电池和接地的短路保护功能。 灵活的控制与诊断：TPT1169xQ支持16位、24位和32位SPI接口，方便MCU对其进行配置、控制和诊断，适应不同应用场景的需求。芯片集成了多种唤醒机制，包括本地唤醒、远程总线唤醒和选择性唤醒，并具备唤醒源识别功能，有效降低系统在休眠或待机模式下的功耗。 强大的监控与保护体系：为了确保系统安全，芯片集成了可配置的超时和窗口看门狗（时间范围8ms至4096ms），实时监控MCU运行状态。此外，LDO具备过压/欠压保护、短路保护、过温报警及关机保护等多重保护机制。当检测到严重故障时，专用的LIMP（跛行模式）输出管脚会发出指示，便于系统采取应急措施。 看门狗：支持Window窗口模式、Timeout超时模式和Autonomous自主模式。 总线故障保护：±45 V。 总线引脚保护：±8kV IEC61000-4-2接触放电。 封装：DFN3.5X5.5-20L，芯片封装工艺有利于AOI自动光学检测。 AEC-Q100 Grade 1标准。 车规级标准与功能安全：为生命保驾护航 作为一款面向汽车应用的核心芯片，TPT1169xQ在设计、制造和测试的每一个环节都遵循了最严苛的车规级标准。该产品已通过AEC-Q100认证，其总线引脚的IEC61000-4-2接触放电ESD能力达到±8kV，确保了在复杂电磁环境中的高可靠性。 更重要的是，TPT1169xQ遵循功能安全开发流程，在设计中融入了电源故障检测、窗口看门狗、复位机制以及LIMP故障输出等功能安全机制。思瑞浦可提供包括功能安全手册、FMEDA、FIT在内的完备文档，以支持客户进行诊断覆盖范围、失效模式分布、故障率计算等功能安全评估，助力整车系统轻松通过ISO26262 ASIL-B等级认证。 全国产供应链：构筑产业安全“护城河” 在当前复杂的国际形势下，半导体供应链的安全性已成为汽车产业发展的关键。 TPT1169xQ的推出具有里程碑式的意义，它是国内首款采用全国产供应链、并已通过多家主流车厂和Tier1供应商认证并实现量产的CAN SIC SBC产品。这标志着思瑞浦不仅在技术上达到了国际先进水平，更在供应链层面实现了自主可控，为国内汽车厂商提升整车设计国产化率、保障供应链安全提供了坚实可靠的选择。 图：TPT1169xQ典型应用框图（来源：思瑞浦） 应用场景与市场前景 凭借其超低功耗、强大的EMC性能、对CAN SIC高速通信的支持以及完善的保护和诊断功能，TPT1169xQ系列产品可广泛应用于各类汽车电子模块中，包括： 车身电子：如车身控制模块（BCM）、车门/车顶/座椅模块等。 车载照明系统：先进的动态照明控制模块。 热管理系统：如暖通空调（HVAC）系统。 智能辅助驾驶系统（ADAS）：为传感器和控制器之间的数据传输提供可靠链路。 总而言之，思瑞浦TPT1169xQ不仅是一款技术领先的SBC芯片，更是国产汽车半导体产业自强不息的缩影。它以性能、安全与可靠的供应链，为下一代汽车电子系统的设计提供了强大的核心支持，无疑将在未来的汽车市场中扮演至关重要的角色。
思瑞浦
芯查查资讯 . 2025-10-27 3380
晶圆厂 | 2025年全球晶圆产能情况，及欧、日、韩、及东南亚等地最新晶圆厂分布
重点内容速览： 1. 欧洲地区晶圆厂分布与产能 2. 韩国晶圆厂分布与产能 3. 日本晶圆厂分布与产能 4. 东南亚地区晶圆厂分布与产能 根据Semi最新发布的《全球晶圆厂预测》报告，以及多家市场研究机构（TrendForce、TechInsights、IDC、Knometa Research等）的分析，受益于人工智能、高性能计算和边缘设备需求的驱动，2025年全球半导体晶圆产能将持续增长，预计全球晶圆产能将达到每月3,360万片8英寸等效晶圆（wpm），同比增长约6.6~7%。 产能扩张的核心动力来自先进制程节点（5nm及以下）、存储器领域、晶圆代工，以及新建晶圆厂产能的释放。其中，先进制程节点的产能预计同比增长17%，主要是由台积电、英特尔和三星等厂商推动2nm制程的量产，主要用于生产AI服务器和数据中心用芯片；存储器领域受益于HBM的高需求，DRAM产能将增长9%，NAND Flash的需求也在增长；晶圆代工的产能2025年将增长10%，到2026年达到1,270万片/月，主要是因为受到了台积电和中国厂商扩张的影响；新建晶圆厂方面，2025年全球将启动18座新晶圆厂建设（15座12英寸和3座8英寸），预计2026~2027年投产，主要分布在北美、日本和中国。 这些产能主要分布在中国大陆、中国台湾省、韩国、日本和美洲等地区。由于中国国产化战略，中芯国际、华虹等厂商投资扩张，中国大陆的晶圆产能增速最快，预计将同比增长14%，达到1,000万片/月，约占全球产能的1/3。 图：全球晶圆产能分布情况（来源：公开信息，芯查查）从产能节点细分来看，先进制程（7nm以下制程）的月产能在220万片左右，增长率为16%，台积电预计将贡献70%以上的营收；主流制程（8nm~45nm）的月产能在1,500万片左右，增长率为6%；成熟制程（45nm以上制程）的月产能在1,400万片。 至于这些晶圆都是由哪些晶圆厂生产出来的，我们在前面三篇文章中分别介绍了美国、中国大陆及中国台湾省的晶圆厂分布及产能情况。接下来，我们将聚焦在全球其他地区，比如欧洲、韩国、日本、东南亚地区的晶圆厂布局情况。 欧洲地区晶圆厂布局与产能 过去几年，由于全球供应链的脆弱性及地缘政治的紧张局势，让欧盟及其成员国也开始决定投入资金，提升本土芯片制造能力。目前欧洲地区的半导体产业呈现高度集群化的特点，主要的制造基地集中在德国、法国、意大利、荷兰和奥地利等国，同时比利时和爱尔兰等国也在研发和特定制造领域扮演着关键角色。 以德国德累斯顿为中心的萨克森硅谷（Silicon Saxony）是欧洲最大的半导体集群。博世、英飞凌、GlobalFoundries、X-FAB，以及台积电欧洲的第一家晶圆厂均聚集在此处。 其中GlobalFoundries位于德累斯顿的Fab1是欧洲规模最大的晶圆厂之一，专注于FD-SOI等特色工艺；英飞凌在德累斯顿和雷根斯堡都设有生产基地；X-FAB在德国埃尔福特有一座专注于模拟/混合信号、MEMS和高压技术晶圆厂；英特尔计划在德国马格德堡建设“Mega-Fab”项目，预计2027年投产。 法国和意大利的半导体制造主要是由欧洲本土半导体公司ST所驱动。ST在欧洲有6座晶圆厂，其中3座位于法国，分别是位于法国克洛勒（Crolles）的12英寸晶圆厂，主要生产FD-SOI制程技术；位于鲁塞（Rousset），ST最大的8英寸晶圆厂，2019年投入14亿美元进行了产线升级；位于图尔（Tours），开发GaN工艺技术的主力工厂，2025年9月宣布投资6,000万美元建LPL封装中试线。2座位于意大利，分别是阿格拉泰的12英寸晶圆厂和卡塔尼亚的8英寸晶圆厂。其中阿格拉泰厂是一座新工厂，其BCD工艺晶圆厂已经投入运营，专注于智能功率、汽车电子和模拟器件生产，而卡塔尼亚则主要专注于SiC产品的研发和生产。 恩智浦在荷兰有一座8英寸的晶圆厂，但最新的消息是恩智浦计划逐步关闭8英寸晶圆厂转而建设12英寸晶圆厂。 爱尔兰是英特尔在欧洲的传统制造重镇，其位于莱克斯利普（Leixlip）的园区在过去几年经历了重大投资和扩建，已经成为了英特尔Intel4等先进EUV工艺的重要生产基地。 英国的Newport Wafer Fab已经出售给了Vishay，该工厂每月能生产3.2万片8英寸晶圆，专注于化合物半导体和功率器件。 从晶圆产能方面来看，由于受到汽车、工业和功率半导体市场需求的驱动，欧洲的晶圆产能主要为成熟制程（50nm以上）和主流制程（8nm~45nm），先进制程（7nm以下）占比不足5%。 欧洲的晶圆产能主要来自IDM厂商，比如英飞凌、ST、博世等，占比约70%；Foundry厂商的产能约为30%，主要来自GlobalFoundries、X-FAB和Mikron的贡献。 图：欧洲地区晶圆厂分布与产能（来源：各公司官网、财报等，芯查查） 韩国晶圆厂布局与产能 韩国的半导体产业比较集中，其晶圆厂主要分布在京畿道（Gyeonggi Province）的平泽（Pyeongtaek）、华城（Hwaseong）、器兴（Giheung）和利川（Icheon），以及忠清北道（Chungcheongbuk）的清州（Cheongju）。 IDM厂商当中以三星电子与SK海力士为主，其中三星电子在韩国的12英寸晶圆代工产能以华城为核心，形成了三角支撑布局，平泽作为新兴基地正在持续扩建。目前三星正在华城扩建2nm生产线，但尚未完全投产。据悉，平泽计划建设5个厂区，目前P1、P2、P3已经建成，P4和P5正在建设中，其中P3虽然以存储芯片为主，但也包含晶圆代工产能。 近年来，由于AI的火热，对HBM需求旺盛，SK海力士与三星都是DRAM市场的主要供应商，其晶圆产能需求旺盛。其他厂商的晶圆厂分布和产能情况见下表。 图：韩国晶圆分布与产能统计（来源：公开渠道，芯查查） 日本晶圆厂布局与产能 与欧洲专注于汽车、工业和功率半导体不同，日本的半导体产业在某些细分市场占据着全球的主导地位，比如在NAND Flash、CMOS图像传感器和功率半导体领域。有一点与欧洲类似，那就是IDM及其强大，代工业务相对较弱，缺乏像台积电或三星那样的规模化纯代工企业。 不过近几年，日本也在半导体产业方面积极投入，一方面吸引外国代工企业，比如台积电、Tower、力积电等到日本设厂，另一方面扶持本土企业，比如Rapidus攻坚尖端工艺。 从IDM来看，日本的索尼、瑞萨、铠侠、罗姆、富士电机、三菱电机、东芝等晶圆厂都在日本本土。比如索尼是全球CMOS图像传感器的绝对霸主，全球市占率仅50%，其晶圆厂专注于生产高端CIS。而且在过去4年，索尼不断投资半导体产能，例如2021年其长崎厂落成，同年就宣布了与台积电合资建立JASM；2022年又投资了Rapidus；2024年在JASM不远处，熊本县再兴建一座新晶圆厂。 瑞萨电子从2010年开始，宣布未来将朝着轻工厂战略迈进，使用代工厂生产28nm及以下制程的器件，且不再大规模投资晶圆厂，制造工厂的数量从2011年的22座，缩减到了现在的5座，且都位于日本。包括茨城县那珂工厂、爱媛县西条市西条工厂、山梨县甲府工厂、熊本县熊本市川崎工厂，以及群马县高崎工厂。其中那珂工厂主要生产车规级芯片（MCU、SoC等）、功率半导体等，拥有8英寸和12英寸晶圆生产线，是瑞萨车规级芯片的主要生产基地；甲府工厂曾经在2014年10月关闭了，但2022年5月，瑞萨宣布重新投资900亿日元，将原来的6英寸和8英寸生产线，升级成12英寸生产线。甲府工厂已经在2024年4月开始正式运营，计划2025年开始大规模生产以IGBT为主的功率器件，以满足电动汽车市场的需求。据悉，甲府工厂的12英寸生产线主要生产750/1200V的IGBT。 另外，美光通过收购尔必达在日本拥有一座晶圆厂，位于广岛县，主要生产DRAM产品。近年来，美光加大了广岛工厂的投资。 代工厂方面，Rapidus于2023年宣布在北海道千岁市建造工厂，2025年4月，其试产线正式启动，7月完成了2nm芯片样品。预计2027年正式量产，达产后，每月产能为2万片晶圆。 JASM是台积电与索尼、丰田等合资的企业，位于熊本县，熊本一厂（Fab1）已经建成，而且已于2024年底开始量产，主要生产28/22nm车用芯片，一期目标产能为5万片/月。熊本二厂也已经于2025年10月动工，预计2027年底开始运营，产能规划为5万片晶圆/月，主要生产用于AI和自动驾驶领域所用的6nm制程芯片。两座工厂总投资225亿美元，日本政府补助了约77亿美元。 另外，联电通过收购也在日本运营着一家晶圆厂，主要生产先进逻辑LSI、非易失性存储器（NVM）和超低功耗技术，支持汽车（IATF 16949认证）和工业应用。2025年，该厂处于满产状态，利用率约80%。 从产能分布来看，日本晶圆产能主要分布在九州地区（熊本、长崎）、中部地区（三重、爱知）和关东地区（东京周边），以成熟制程（≥50nm）和功率半导体/图像传感器为主，先进制程（≤7nm）占比不足10%。日本产能以IDM厂商为主，占比约85%，Foundry占比15%（主要为TSMC新厂贡献）。2025年，利用率预计达80%，受益于汽车、工业和AI边缘设备需求，但非AI需求疲软导致部分新厂延期。具体的数据可以参见下表，当然，更详细的数据欢迎使用芯查查SaaS查询。 图：日本晶圆厂分布与产能情况（来源：各公司官网、公开渠道、芯查查） 东南亚地区晶圆厂布局与产能 东南亚地区，新加坡是拥有成熟前端晶圆产能最多的国家，以GlobalFoundries为核心，产能达到了150万片/年，而且在持续扩产中。马来西亚有英飞凌的海外居林工厂，以及一家本土代工企业Silterra；泰国和越南正处于“首座晶圆厂”建设阶段；印尼和菲律宾目前仅具备后端封装和测试能力，缺乏前端晶圆制造设施，短期内仍难以形成本地化前端产能。 新加坡的晶圆产能还在扩张中。2024年6月5日，世界先进和恩智浦半导体宣布，计划在新加坡共同成立一家制造合资公司Vision Power Semicunductor Manufacturing Company，VSMC，兴建一座12英寸晶圆厂。投资金额约为78亿美元，专注于130纳米至40纳米混合信号、电源管理及模拟芯片的生产。这家工厂预计将于2027年开始量产，2029年实现月产5.5万片12英寸晶圆产能。 联电Fab 12i位于新加坡白沙晶圆科技园区，是联电的特殊技术中心，提供客户多样化的应用产品所需IC，产能达5万片/月；目前，Fab 12i正在进行扩建，扩建计划分两期完成，一期新增3万片/月(2026年量产)，提供28/22nm制程，总投资50亿美元。 英飞凌位于马来西亚居林的200mm SiC功率晶圆厂第一阶段建设已经圆满完成。 世界先进新加坡厂（四厂）是2020年收购格罗方德的Fab 3E 8英寸厂。 总的来看，东南亚主要分布在新加坡、马来西亚，以成熟制程（≥50nm）和8英寸/12英寸为主，先进制程（≤7nm）占比不足5%。东南亚产能以Foundry厂商为主，占比约60%，IDM约40%。 图：东南亚地区晶圆厂分布与产能（来源：各公司官网，公开资料、芯查查） 结语 到此，芯查查本期的全球晶圆厂布局与产能介绍文章就介绍完了，如果想了解更多晶圆厂的资料与信息欢迎关注芯查查网站或APP，我们会持续跟进半导体各厂商的动态。
原创
芯查查资讯 . 2025-10-27 3 1 1855
企业 | 芯科科技推出智能开发工具Simplicity Ecosystem软件开发套件开启物联网开发的新高度
中国，北京 – 2025年10月23日 – 低功耗无线解决方案创新性领导厂商Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日在深圳盛大举办享誉业界的Works With开发者大会，同时宣布推出Simplicity Ecosystem软件开发套件，它不仅是下一代模块化的软件开发套件，而且还计划增添人工智能（AI）增强功能，旨在全面变革嵌入式物联网（IoT）开发流程。该生态系统以Simplicity Studio 6为核心，并辅以最新发布的Simplicity AI SDK框架，从而将安装、配置、调试和分析功能整合到一个智能的、且以开发人员优先的环境中，可在产品开发的每个阶段提供自动化和洞察力。 芯科科技软件开发高级副总裁Manish Kothari表示：“Simplicity Ecosystem代表了实现智能、内容感知开发的重要一步。通过将人工智能集成到我们工具的每一层中，我们将为开发人员提供一个在整个物联网生命周期中学习、适应和加速创新的平台。” 从集成开发环境（IDE）到生态系统 十多年来，Simplicity Studio一直在帮助工程师构建快速可靠的联网产品。全新的Simplicity Ecosystem通过将工具链分解为模块化、可互操作的组件来扩展这一传统，每个组件都设计旨在无缝地融入现代工作流程，无论是基于图形用户界面（GUI）还是自动化。Simplicity Ecosystem支持芯科科技的第二代和第三代无线开发平台产品以及主要的物联网标准，包括低功耗蓝牙（Bluetooth LE）、Zigbee、Thread、Matter、Wi-Fi、Wi-SUN和Z-Wave。 核心工具包括： • Simplicity Installer - 一个轻量级的数据包管理器，支持按需安装SDK、示例和工具。开发人员可以只安装他们需要的东西，从而减少开销和启动时间。 • VS Code和CLI集成 - Simplicity Studio 6将VS Code作为其主要IDE，通过一项Simplicity Studio扩展来提供灵活的环境。Studio 6还提供了一个现代的CMake和Ninja构建环境，使功能强大的CLI自动化支持一系列工具链。 • 设备管理器 – 一个统一的接口，用于对芯科科技的硬件进行识别、管理和编程。它简化了固件烧录、串行通信和电路板检测，全面支持从启动到生产的各个环节。 • Simplicity Commander – 用于编程、调试和安全配置的命令行工具。工程师可以用它来可以擦除、烧录或查询器件，这使其成为CI/CD和生产自动化的理想选择。 • 网络分析仪 – 一款用于无线流量的协议感知追踪工具，提供了低功耗蓝牙、Zigbee、Thread和Matter网络中数据包交换的实时可视化能力。工程师可以直观查看事件并高效地诊断性能问题。 • 能耗分析仪 – 一种实时功耗测量工具，可将能耗与代码执行直接关联，帮助开发人员在电池供电的设计中最大限度地减少电流消耗。 • 无线工具 – 一整套适用于所有无线技术的配置、控制/调试和分析工具，帮助开发团队微调无线性能。 每个工具都可以独立运行，也可以作为完整Simplicity Ecosystem软件开发套件的一部分。它们共同提供了一个模块化的工作流程，可以简化设置，提高生产效率，并提供对器件行为的深入洞察。 通过Simplicity AI SDK提升开发人员体验 芯科科技还发布了Simplicity AI SDK智能化框架，它将生态系统中的开发人员优先的设计规则扩展到用人工智能增强的工作流程中，从而在创新和生产效率方面取得重大进展。Simplicity AI SDK结合内容感知和智能自动化来加速开发。它通过充当协作者来赋能工程师，能够解读代码、提供见解，并在从项目设置到现场调试的整个生命周期中协助完成任务。 第一个版本将与VS Code集成，让开发人员可以“与他们的代码聊天”。它可以解读功能、追踪错误，并在了解项目背景和芯科科技SDK的基础上实时提出改进建议。开发人员和智能工具之间的这种合作标志着向人工智能辅助设计的转变——在这种设计中，创造力和精确度并存。 Simplicity AI SDK的核心是动态内容工程，它在恰当的时间为AI代理提供准确的数据。这使它们能够了解项目结构，解读文档，并提供情景化支持，而无需手动查找。未来的更新版本将在芯科科技的工具中扩展这些功能，支持自适应调试、优化和应用程序生成。 关于Simplicity AI SDK的路线图和理念的全面探索，请参阅芯科科技软件开发高级副总裁Manish Kothari的博客文章《通过Simplicity AI SDK塑造物联网开发的未来》。 Simplicity AI SDK将于2026年公开提供，一开始会提供开发人员反馈和早期用户测试版本。 Simplicity Ecosystem入门 Simplicity Studio 6现已可在https://www.silabs.com/software-and-tools/simplicity-studio网页上下载。 Simplicity AI SDK计划于2026年公开发布。加入Simplicity AI SDK的早期使用者排队名单，成为首批接收更新版本的用户。
物联网
芯科科技 . 2025-10-24 3 1195
产品 | 4路复合电源IC“NP8700系列”开始上市
近年来，车载摄像头模组多被用于驾驶员监控、后座检测、手势操作等车室内的各种用途，其需求不断增长。由于这些模组安装在车顶、后视镜、控制台等有限的空间内，因此对模组小型化、薄型化的要求非常高。 为了解决这一问题，本产品将四个稳压器集成在一个封装中。此外，备有独立的时序设定功能和power good功能（无需复位IC），因此减少了外围元件数量并节省了电路板空间。 本产品内置的4个稳压器广泛涵盖了摄像头模组所需的规格。 Ch.1: 中耐压（工作电压: 最大20V）、输出电流1.2A、降压型同步整流稳压器 Ch.2: 低耐压（工作电压: 最大5.5V）、输出电流1.0A、降压型同步整流稳压器 Ch.3: 低耐压（工作电压: 最大5.5V）、可选稳压器（输出电流1.0A降压型同步整流稳压器 或者 输出电流0.2A LDO） Ch.4: 低耐压（工作电压: 最大5.5V）、输出电流0.2A LDO（根据需要也可以作为HS-SWITCH使用） 此外，还配备了将Ch.2和Ch.3相对于Ch.1的开关相位偏移的反相控制功能和分散噪声的扩频功能，这些功能可以有效地抑制噪声，有助于提高摄像头模组的画质和工作稳定性。 产品特点 1. 单片集成了车载摄像头模组所需的电源 仅用单片封装IC即可提供CMOS传感器和外围控制所需的4路电源。对于要求低噪声的模组，可选择LDO输出，因此可以提高摄像头模组的画质和稳定的信号质量，从而实现更高的分辨率和更可靠的运行。 2. 与以往产品的“NJW4750”相比，大幅提高易用性 NP8700 将Ch.1的降压稳压器从以往的NJW4750的二极管整流方式变更为同步整流方式，从而减少了元件数量。并且，通过重新设计输出电流规格，可以支持更广泛的应用。此外，由于备有扩频功能对EMI 性能的改善和应对电压降低时序设定，进一步提高了设计灵活性和易用性。 主要性能指标 应用示例 车载摄像头模组 驾驶员监控系统
日清纺
NISSHINBO Micro Devices . 2025-10-24 2 1015
技术 | 助力AI数据算力突破，慧能泰推出四分之一砖高效电源参考设计
随着处理器核心的性能提升，加上数据中心越来越多传统AI数据中心采用54 V低压直流架构，在应对兆瓦级机柜功率时，会因电流过大而产生高昂的电阻损耗，并导致铜缆线径粗、用量大，在经济性和实用性上均面临挑战。为此，NVIDIA提出转向800 VDC直流配电系统。该新架构从传统的415 VAC或者480 VAC交流电转向构建端到端的800 VDC直流母线，省去了中间多余的交直流转换环节，直接将高压直流电输送至计算节点。此举不仅显著降低了传输损耗，相比传统多级转换方案，还能节省高达26%的空间。 图1: 数据中心算力电源架构 在数据中心的分级电源架构中，中间总线转换器（IBC）扮演着承上启下的关键角色：它负责将来自前端（如UPS）的48 V直流电源进行转换，产生一个较低的中间总线电压（如12 V或6 V），该电压作为负载点（POL）转换器的输入，最终为CPU、ASIC等具体芯片提供精确、稳定的电压。IBC的功率等级和物理尺寸已形成标准，例如常见的1/4砖封装。针对这一标准形态，慧能泰公司以其HP1000多功能DC-DC数字电源控制器为核心，开发了高效的1/4砖电源参考设计，展示了该芯片在优化电源密度与效率方面的应用潜力。 传统电源开发往往面临着 “空间不够、效率低、周期长、多样化需求” 四大痛点，既要反复调试电路参数以满足不同场景的功率需求，又要花费大量时间调试软件代码等难题，更麻烦的是，想实时监测电源输出功率，还得额外搭建计量电路、编写数据采集代码，稍有不慎就会导致项目延期，甚至增加额外的研发成本。HP1000专为解决行业痛点打造的砖模块电源参考设计正式亮相，凭借 “无需代码、即拿即用、高效可靠、灵活适配” 的核心优势，且内置功率计量功能，让电源监测更简单，成为工程师们的 “全能助手”。HP1000 4 mm x 4 mm QFN-24L的封装可以实现与XDPP1100-Q024、XDPP1140-100B和XDPP1148-100B实现兼容设计。 图2: HP1000 QFN-24L封装及引脚定义图 HP1000芯片特性✦ 多功能数字控制器，支持各种48 V输入的隔离和非隔离拓扑 符合PMBus Revision 1.2通讯接口，支持PEC和自定义扩展指令 最大6路可编程PWM输出，312.5 ps等效分辨率 可编程开关频率范围50 kHz到1 MHz 50 MHz高速电压采样ADC和25 MHz高速电流采样ADC 高性能环路控制 4个可编程通用IO 丰富多样灵活的故障检测和保护机制 兼容DOSA标准模拟调压 通过直观的图形用户界面（GUI）进行编程 官宣！多功能DC-DC数字电源控制器重磅首发 HP1000 600 W 1/4砖模块全桥变换器参考设计基本参数如下： 输入电压：42 ~ 75 VDC 输出电压：12 VDC 输出电流：50 A 输出功率：600 W 开关频率：265 kHz 峰值效率：96.3%（30 A） 满载效率：95.7%（50 A） 电源尺寸：58.4 mm x 36.8 mm x 12.7 mm HP1000 600 W 1/4砖模块全桥变换器参考设计实物图如下： 图3: 慧能泰600 W 1/4砖模块电源实拍图 利用HP1000芯片设计600 W 1/4砖模块电源四大核心优势，破解电源设计难题。 1.全场景兼容性，无需敲代码也可适配需求 HP1000内置非常丰富的配置选择，支持多种PWM输出类型、时序配置、环路配置、输出电压配置、工作频率、占空比、死区、保护点、保护方式等。无论是为工业控制模块供电，还是为通信基站的核心设备提供稳定电源，工程师无需从零开始编写驱动代码或控制程序，只需根据实际需求进行简单的GUI参数配置，即可快速集成配置到HP1000芯片中，显著降低重复开发的时间与资金成本。 图4:PWM配置界面 图5: 环路配置界面 图6:环路实测曲线：相位+60度，增益-12.6 dB 2. 内置多重保护，保障系统稳定运行 电源的可靠性直接决定了整机系统的安全与寿命。这款1/4砖模块电源参考设计包含输入欠压、输入过压、输入过流、变压器饱和（变压器副边短路）、输出过压（包括反馈脚短路到地单点过压）、输出过流、过温、输出短路等多重保护机制，当出现异常工况时，能迅速自动启动保护功能，避免模块与后端设备损坏。 图7:实测输出过压保护波形（配置13 V过压和重启二次） 图8:实测短路反馈脚输出过压波形（输出最高13.9 V） 图9:电流保护配置界面（配置40 A过流和打隔） 图10:实测输出过流保护波形（输出电流达到41 A时打隔保护） 图11:电流保护配置界面（配置55 A过流和重启3次） 图12:实测输出过流保护波形（输出电流达到56 A时保护且重启3次后待机） 3. 内置功率计量，无需代码实时掌握电源状态 HP1000芯片还自带了高精度功率计量功能，使得此600 W砖模块参考设计全程无需编写代码，无需额外的功率计量，芯片就能实现高精度功率计量功能！HP1000内部已集成计量功能与数据处理电路，能实时采集输入/输出电压、电流、功率、能耗等关键参数，校准后精度可达±1%。工程师无需额外搭建计量模块或开发数据采集程序，且只需通过I2C接口，连接显示屏或电脑，即可通过GUI直观读取实时数据；也可直接接入设备控制系统，实现功率数据的自动上传与监控。 无论是新能源储能项目中需精准监测电池充放电功率，还是工业自动化设备中需实时把控负载功耗，这一功能都能省去繁琐的代码开发与电路搭建工作，让功率监测一步到位。 图13:实测输入输出等数据 图14:实时监测功率计量数据 4. 高密度高转换效率，降低能耗 在42 V-75 V输入电压范围内，转换效率最高可达96.3%。相比传统设计，不仅能大幅降低设备的能耗损失，还能减少热量产生——这意味着工程师无需在散热方案上反复纠结，无论是紧凑型设备还是高功率应用场景，都能轻松适配，间接缩短了整机的研发周期。 图15:效率曲线 以下是HP1000 600 W 1/4砖模块全桥变换器其他的性能测试数据： 图16:Vin=48 Vdc, Io=0 A---常温预偏置启机 图17:Vin=48 Vdc, Io=50 A---常温满载启机 图18:Vin=48 Vdc, Io=0 A---常温空载启机 图19:Vin=48 Vdc, Io=0 A---常温空载纹波 图20:Vin=48 Vdc, Io=50 A---常温满载纹波 图21:负载跳变，输入电压48 V, 输出电流0 A到25 A，负载斜率2.5 A/μs 图22:负载跳变，输入电压48 V, 输出电流25 A到50 A，负载斜率2.5 A/μs 图23:负载跳变，输入电压48 V, 输出电流0 A到50 A，负载斜率2.5 A/μs “够用”到“卓越”，HP1000让电源设计更简单、更高效、更智能！
慧能泰
慧能泰半导体 . 2025-10-24 2205
方案 | 为什么你的服务机器人落地难？
餐厅里，机器人听不懂方言反复卡壳；医院中，送药机器人遇到障碍就偏航；北方冬天，设备一冻就死机…… 这些日常运营中的小麻烦，却成了服务机器人规模化落地的大阻碍。 芯讯通AI模组SIM8668，基于瑞芯微RK3568平台打造，专门针对服务机器人的落地痛点设计，让技术更能适配场景需求。 交互痛点：方言听不懂、响应慢？ 在服务机器人的实际运营中，交互体验直接影响用户接受度与运营效率。餐饮场景中，方言使用频次较高的区域，部分机器人因语音模型适配不足，指令识别率难以提升；在高峰时段环境噪声叠加，每天需要多次进行手动干预，反而增加工作人员负担；医疗场景中，患者身份核验与指令响应的及时性，更是关系到服务可靠性。 SIM8668如何解决： 硬件算力精准匹配 搭载瑞芯微RK3568芯片，内置4核 Cortex-A55处理器（主频最高 2.0GHz）与 1 TOPS 算力 NPU，算力组合精准匹配服务场景轻量级AI任务需求。满足语音唤醒、方言识别、基础人脸核验等核心交互功能的同时，又避免冗余算力造成的成本浪费。 软件生态兼容性优化 原生支持TensorFlow、PyTorch、MXNet、Caffe四大主流AI框架，开发者无需额外进行框架适配，可直接基于现有模型进行本地化微调。 导航痛点：人多就碰撞、偏航？ 医院病区、商场中庭等动态场景，人员流动密集、障碍物类型复杂（如推床、儿童玩具、临时货架），对机器人导航精度与避障响应速度提出高要求。在因动态环境导航失准引发的服务机器人的故障中，低矮障碍物识别延迟、多传感器数据处理卡顿是主要诱因。 SIM8668如何解决： 多传感器接口支持 模组集成多组MIPI CSI接口，配合SPI、I2C总线接口，可同步连接激光雷达、红外避障传感器，实现360°无死角环境探测。相较于传统模组仅支持1-2路传感器接入，SIM8668的全维度感知能力可有效规避低矮、移动障碍物带来的碰撞风险。 双屏显示辅助交互 支持LVDS与HDMI2.0双独立屏输出，机器人正面屏幕可显示服务进度，侧面屏幕同步显示避让提示，减少工作人员与机器人的交互冲突。 工况痛点：低温死机、续航短？ 服务机器人的应用场景覆盖南北不同地域，面临低温、高温、高湿等多样工况挑战：北方冬季户外温度低至零下，部分模组因低温性能衰减导致设备死机；南方梅雨季湿度较高，接口腐蚀问题影响设备寿命；24小时连续运营场景中，续航不足与供电波动也会导致服务中断。 SIM8668如何解决： 宽温与防腐设计 工作温度商规版为 -10℃ ~ +75℃，工规版为－40℃~+85℃，接口部分采用防腐蚀处理 低功耗与续航优化 通过低功耗架构设计提升续航能力 宽电压适应能力 3.3V-5V 宽电压输入，适配不同场景供电波动，减少电压不稳导致的宕机 落地痛点：适配周期长、成本高？ 外设适配是服务机器人研发落地的关键环节，传统模组因接口类型不全，对接扫码枪、票据打印机、激光雷达等外设时，需定制转接板，导致研发周期延长。 SIM8668如何解决： 全类型接口集成 集成LVDS、PCIe、USB等12类常用接口，可直接适配服务机器人所需的各类外设，无需额外定制转接板。 完善的开发支持体系 芯讯通为客户提供完整开发套件+技术文档，配备专属行业工程师，针对复杂适配场景，可提供远程协助调试服务，解决研发过程中的技术卡点。 SIM8668不搞冗余算力，只做场景适配。帮您解决交互、导航、工况、落地的核心难题，让机器人从实验室能用变成现场好用。
芯讯通
芯讯通SIMComWirelessSolutions . 2025-10-24 710
产品 | 国内首颗!思瑞浦TPT1462xQ斩获C&S/VeLIO/IHR三证，权威认证再启新程
在汽车电子智能化升级的浪潮中，CAN总线作为车辆内部关键的通信链路，正面临高速通信、复杂拓扑与强电磁干扰的三重严峻挑战，信号失真、数据丢帧等问题已成为制约车载系统可靠性的核心瓶颈。在此背景下，思瑞浦（3PEAK）自主研发的全国产供应链TPT1462xQ CAN SIC收发器，凭借创新性的CAN SIC（Signal Improvement Capability，信号改善）功能，成功通过C&S、VeLIO、IHR三大国际权威认证，以全项达标成绩斩获三份认证报告，成为国内首颗通过该三项顶级认证的高性能 CAN SIC芯片。为汽车ADAS（高级驾驶辅助系统）、三电系统（电池、电机、电控）、智能座舱等核心场景，提供了集“抗干扰、高兼容、降成本”于一体的全能通信解决方案。 CAN SIC功能 攻克高速CAN通信的难题 CAN SIC功能的核心价值在于解决CAN FD协议在复杂星型拓扑、高传输速率场景下的信号振铃问题。所谓振铃，是指因总线阻抗不匹配导致信号反射振荡，在高速通信时极易引发数据传输错误，严重影响车载系统稳定性。 无SIC功能表现 有SIC功能表现 TPT1462xQ的CAN SIC功能凭精准电路构建振铃抑制机制：总线电平从显性转隐性出现振铃时，内置电路实时捕捉变化，激活抑制模块，动态调整电平以保信号完整、降误码率，确保CAN FD在复杂拓扑中高速可靠通信。其核心优势： 通信速率突破上限：速率最高达10Mbps，远超CAN FD标准 5Mbps、满足 ISO11898 标准 8Mbps 要求； 误码率显著降低：强电磁干扰下仍精准传数据，保障车辆控制稳定； 组网更灵活：打破传统CAN FD架构局限，多节点星型组网仍保波形质量，适配多样需求。 C&S IOPT认证高速通信场景的 “兼容性通行证” TPT1462xQ通过C&S互联互通一致性与兼容性测试（IOPT测试），意味着其具备与整车CAN总线上下游设备（控制器、传感器、执行器等）的无缝对接能力，可与其他C&S认证CAN收发器无障碍通信，无需车企投入大量资源做整车兼容性测试，既缩短车型研发周期，为CAN总线通信稳定性提供国际权威保障。 C&S认证报告 C&S认证针对SIC芯片测试，严格参考CiA 601-4专项测试规范，通过搭建特定振铃网络模拟复杂车载信号干扰场景，重点考察接收端表现；TPT1462xQ依托出色的SIC振铃抑制电路设计，测试中能有效抑制信号振铃，保障干扰环境下数据可靠通信，充分验证其在复杂车载通信场景的稳定性与兼容性。 SIC振铃网络 日本ACDC VeLIO认证 敲开日系整车厂供应链大门 VeLIO认证由丰田主导制定，是日系整车厂CAN收发器强制准入标准，核心考察芯片车载局域网互操作性与性能优化能力，因丰田市场影响力，该认证已成芯片进入日系车企供应链的关键。 作为国产首颗通过VeLIO认证的CAN SIC收发器，TPT1462xQ全面满足CAN/CAN-FD及CAN SIC评估规范，尤其在2Mbps SIC模式下通信稳定性与时序精度均达到认证要求，为思瑞浦进入丰田等日系主流整车供应链奠定了关键基础。 其认证测试不仅覆盖了CAN FD和CAN SIC常规认证测试，包括收发器延迟、dV/dt特性、静态阈值电压响应、阈值电压频率响应、单端S参数、静态测试等测试项目，还针对CAN SIC还额外增加了几项核心测试，考验芯片SIC电路的性能：SIC激活响应、总线电平精准度、信号对称性能、高速数据稳定性等。 两个不同节点通信期间的数据稳定时间 TPT1462xQ在上述所有测试项目中均一次性顺利通过，充分验证了其在高速通信、信号完整性、电磁兼容性（EMC）方面的卓越表现。 VeLIO认证报告 IHR IOPT认证 多场景组网可靠性的“硬核证明” IHR是LIN联盟（Local Interconnect Network，本地互联网络）认可的LIN一致性测试权威机构，亦是AUTOSAR（汽车开放系统架构）组织的核心成员，在车载网络测试领域技术积累深厚。 认证测试中，TPT1462xQ以8节点星型组网，5Mbps高速通信下全程无中断、无误码，即便节点数量动态变化、总线负载波动，仍保持稳定传输，充分验证其在高速多节点复杂拓扑中的可靠性，为芯片应用于智能座舱多屏交互、ADAS 多传感器融合等多 ECU（电子控制单元）协同车载场景提供有力支撑。 IHR SIC 5Mbps速率测试规范 IHR认证报告 自主搭建CAN网络互联验证平台 赋能产业链高效研发 针对车载CAN网络测试复杂、验证周期长的痛点，思瑞浦自研可模拟整车CAN网络真实工况的互联验证平台，以灵活配置与精准模拟能力，为芯片研发、客户测试、第三方认证提供全流程支持，核心功能包括： 参数灵活可调：CAN控制器参数可根据行业标准（如ISO 11898）或客户个性化配置需求进行动态调整，适配不同车型的总线设计； 拓扑自由配置：支持CAN节点数量的任意增删，可模拟星型、总线型、混合型等多种网络拓扑，覆盖主流车载通信架构； 设备智能识别：通过板内信号自动识别收发器类型，实现对不同型号芯片的单独配置与精准测试； 故障场景模拟：可通过程序控制模拟总线短路、断路、异常负载、电磁干扰等故障场景，验证芯片在极端工况下的抗风险能力； 全维度功能测试：支持芯片功能测试、反复休眠唤醒测试、反复上下电测试等多维度验证，全面考核芯片长期工作稳定性。 该平台应用成效显著，可有效缩短芯片验证周期、提前评估认证可行性，还能为客户提供整车网络问题深度分析服务，助力客户加速产品研发进程，降低测试成本。 CAN网络互联验证平台 此外，针对部分OEM（整车厂）测试规范与C&S IOPT标准存在差异的情况，思瑞浦通过该平台搭建定制化测试环境，采用4颗TPT1462VQ与3颗TPT1463Q进行互联互通测试，有效确保客户端产品的顺利导入。 CAN SIC测试拓扑 实测结果显示，TPT1462VQ/TPT1463Q收发器借优秀的SIC电路可有效抑制复杂总线拓扑的信号反射振铃，加上独有接收端口滤波设计能滤除振荡过冲，在5Mbps和8Mbps通信速率下，仍能保证RXD有效位宽和无误翻转，实现长期通信无错误帧。相比市场上同类产品在相同环境中，TPT1462xQ/TPT1463Q有显著优势，可有效保证通信稳定性。 TPT1462VQ测试表现 市场同类产品测试表现 全流程国产化保障 从晶圆制造到封装测试自主可控 TPT1462xQ不仅在性能上对标国际一流水平，更实现了从晶圆制造、芯片设计到封装测试的全流程国产化，为供应链安全与成本优化提供双重保障： 晶圆制造：采用国内成熟晶圆厂的汽车级工艺平台，核心材料与制造流程均实现本土供应，避免国际供应链波动影响； 封装环节：采用国内头部封装企业汽车级封装方案，提供SOP8 与DFN8两种封装形式，DFN8封装支持AOI检测（自动光学检测），兼顾小型化需求与生产可靠性； 测试环节：全项测试均通过国内具备汽车电子认证资质的实验室完成，确保芯片性能符合车载标准的同时，进一步缩短研发与量产周期。 全流程国产化既保障供应链稳定安全，又能借本土产业链协同降本，为国内车企提供高性价比自主可控方案。 SIC 功能 高速 CAN 时代的 “必选刚需” 汽车电子已迈向 “高速化、复杂化、高可靠化”，CAN SIC功能已从 “性能加分项” 变为 “市场准入必选项”，缺少该功能会导致高速通信丢帧、复杂拓扑兼容失效、恶劣电磁环境通信中断，增加车企系统优化成本；而TPT1462xQ的SIC功能，经IHR、C&S、VeLIO三大权威认证，可解决这些行业痛点。 TPT1462xQ现已实现全面量产，SIC功能相关的三大认证报告可直接向客户提供。思瑞浦将持续以技术创新为核心，为车企及Tier 1供应商提供优质的芯片产品与技术支持，助力汽车智能化升级避开信号陷阱，筑牢CAN通信可靠性防线，推动我国汽车电子产业高质量发展。
思瑞浦
思瑞浦3PEAK . 2025-10-24 2 835
产品 | 高效车规级全集成电机驱动芯片LCA067AK45LU8
领芯微电子推出一款32位内核的面向汽车电子应用的SOC产品——LCA067AK45LU8。集成LIN PHY，集成6相NN MOS，可灵活配置为3相或者4相工作模式，可直接驱动三相电机绕组，以及步进电机，并通过AEC-Q100 Grade1认证。 该SOC芯片输入电压范围5.5V~28V，最大耐压40V；配置为4相工作模式，持续电流为0.5A，配置为3相模式，持续工作电流可达 1A。广泛适用于汽车空调出风口电机、AGS进气格栅执行器、电子水阀、座椅风机等电机应用控制系统。 产品介绍 MCU性能 72MHz 32位M0内核 -硬件除法器 -Cordic计算单元 -CRC计算单元 支持低功耗模式 工作环温：-40℃~125℃ 储存器 64KBytes 嵌入式 Flash，支持预取功能和读/写保护，支持 Parity 校验 10KBytes SRAM，分为两个独立分区，分别为 4KB 和 6KB，支持 Parity 校验 16KBytes ROM，支持从 ROM 启动和安全故障处理 电源管理与复位 2.0V 到 5.5V 供电和 I/O 内置两个 LDO：正常 LDO 和低功耗 LDO 高精度上电、掉电复位（POR_PDR） 8个可编程低压复位（LVR），8个可编程电压监测器（LVD） 时钟系统 内置出厂校准过的 16MHz RC 振荡器（RCH，1%精度） 32KHz 的低速晶振（OSCL） 内置出厂校准过的 32KHz RC 振荡器（RCL，10%精度） 内置 PLL，最高输出 288MHz，抖动小于100ps 通讯模块 2 个 UART 1 个 SPI 1 个 I2C LIN-PHY模块 内部集成了 LIN 收发器和驱动芯片，兼容 “ LIN 2.x/ISO 17987-4:2016 (12V)/SAE J2602 ”标准；通过AEC-Q100认证 支持12V应用，工作电压范围5.5~27V 支持远程唤醒， LIN 传输数据速率高达 20kbps 内置过温保护功能（热关断） 内置显性超时功能 总线限流保护功能 电池欠压保护功能 极低功耗的休眠模式 最大支持 15 个从机自动寻址 模拟模块 1个12位A/D转换器，最高转换速率为2MSPS，双采样保持电路，灵活可配的序列模式，支持ADC通道挂起和注入 3个差分运算放大器（OPA），2个模拟比较器(ACMP)，1个10位D/A转换器(DAC) 电机驱动模块 输入电压范围VSM5.5-28V，最大耐压40V 集成 6 路 NN 预驱和 6 路 NN MOS，集成 charge pump 可配置为 4 相和 3 相工作模式，4相工作电流 0.5A，3相模式工作电流 1A（持续） 内置相电压采样BMEF分压单元，和VDC 分压模块，分压精度 1%精度以内 内置欠压、过流、过温保护（170°C），VDS 过压保护，VDS 过压保护点：可配置为 1.75V、2V、2.25V、2.5V、2.37V、2.71V、3.05V 或 3.39V 5V LDO输出电流最大50Ma ，低功耗电流< 70 uA 支持-40°C 至 150°C 的结温 产品描述 LCA067AK45LU8高度集成电机控制所需部件，所需外围元器件少、噪声低、电机转矩脉动小。内置 EEPROM，可配置客户电机参数、启动和调速方式。调速接口可选择PWM、模拟输入和 UART调节电机转速，同时集成电机转速指示功能，可通过FG引脚或UART接口实时读取电机转速。速度控制方式可选择恒转速、恒电流和恒功率。芯片集成过流、欠压、过压、过温、缺相、堵转等多种保护模式。 系统框图 ▲基于LCA067AK45LU8的三相/四相电机控制系统框图 应用场景 使用场景功能参数 输入电压 5.5 ~ 25 V 功率范围 1 ~ 12 W 适用电机 两相四线步进电机控制 / 三相无刷电机控制 控制方式 有感 / 无感FOC、 有感 / 无感BLDC、 两相步进电机 应用产品 空调出风口电机、AGS进气格栅执行器、电子水阀、座椅风机等 Demo板展示 电机控制系统框图 ▲两相步进电机控制系统框图 ▲三相无刷电机控制系统框图（外置Auto Address） LCA067AK45LU8产品全集成设计，解决了分立器件方案控制系统复杂程度高、成本高、稳定性不足等问题，使得整体控制电路简洁高效，降低经济成本，并缩短产品开发周期。同时在产品设计中降低电磁干扰风险，满足车规应用严格EMC要求。该SOC芯片可实现3 相和 4 相工作模式，从而适配步进电机、三相直流无刷电机等不同电机的驱动控制，有效降低车企多场景开发的适配成本。
领芯微
领芯微电子 . 2025-10-24 2655
产品 | i.MX 952人工智能应用处理器发布：推动汽车人机交互与座舱感知技术发展
i.MX 952应用处理器集成eIQ Neutron NPU，能够智能融合多传感器输入，全方位提升驾驶体验。 恩智浦半导体宣布推出i.MX 9系列的新成员——i.MX 952应用处理器。该处理器专为AI视觉、人机接口（HMI）及座舱感知应用而设计，通过集成eIQ Neutron神经处理单元（NPU）驱动的传感器融合技术，可实现驾驶员状态监测、儿童遗留检测等功能。 i.MX 952 SoC与i.MX 95系列处理器引脚兼容，能帮助开发者基于单一平台灵活扩展软硬件设计，覆盖不同价位的市场需求，有效降低成本并加速产品上市。 重要意义 在全球法规与标准（如欧洲新车安全评鉴协会Euro NCAP）的推动下，座舱感知系统不断升级，需具备精准判定驾驶员注意力水平、确保安全气囊精准校准，以及检测车内遗留儿童等关键能力。i.MX 952应用处理器充分利用AI技术，融合多源传感器数据，提供更稳健、可扩展且高性价比的座舱感知解决方案，不仅提升了安全性与用户体验，也满足了下一代汽车的合规要求。 恩智浦边缘微处理器副总裁兼总经理Dan Loop表示：“AI赋能的传感器融合技术，让车辆能够为驾驶员提供更精准、更具实用价值的车内及周边环境信息。通过整合摄像头、超宽带（UWB）、超声波等多种传感器的数据，i.MX 952 SoC提升了系统的智能水平，实现更直观的人车交互体验。OEM厂商和一级供应商能在安全功能之外提供更多附加价值，例如健康监测、个性化设置等。同时，i.MX 95系列的兼容性可助力降低系统的软硬件的总拥有成本，产品上市时间也进一步缩短。” 除了汽车应用，i.MX 952还可广泛应用于工业领域，例如AI驱动的安防监控、环境感知以及人机接口（HMI）系统。现代工业环境要求7×24小时不间断运行，必须能够快速识别并响应设备故障、物流瓶颈或安全隐患等问题，并随着生产环境的演变而灵活调整。i.MX 952应用处理器借助AI技术，为整个工厂车间提供实时分析与异常检测，同时支持为从单一办公室扩展至多站点的监控与管理提供低功耗、高性价比的方案。 更多详情 在恩智浦eIQ AI软件开发环境的支持下，i.MX 952应用处理器为视觉处理与传感器融合提供了高性价比、低功耗的解决方案。i.MX 952集成了eIQ Neutron NPU，支持多路摄像头传感器；同时配备的集成式图像信号处理器（ISP）具备高达500兆像素/秒的处理能力，并支持RGB-IR传感器。 作为i.MX 9系列的新成员，i.MX 952 SoC与i.MX 95系列引脚兼容，开发者可按需扩展性能、调整成本，并大幅缩短设计周期。 i.MX 952 SoC通过多核应用域（包含多达四个Arm Cortex-A55内核）和独立的安全域（由Arm Cortex-M7和Arm Cortex-M33内核构成），实现低功耗、实时性与高性能处理的有机结合。该系列处理器旨在支持符合ISO 26262 ASIL B标准及SIL2/SIL3标准的平台，加速工业安全关键环境中的部署进程。 局部调光提升可视性与能效 i.MX 952 SoC也是首款集成局部调光（Local Dimming）功能的汽车与工业处理器，可降低车内LCD显示屏和抬头显示系统（HUD）的能耗，提升对比度，同时还能通过动态调整亮度增强户外HMI面板在强光环境下的可视性。这有助于降低系统功耗，并减少额外元器件的使用。通过有效抑制阳光直射下的屏幕泛白现象，此技术还能显著提升两轮车及其他敞篷车辆的显示清晰度，同时优化户外HMI面板的视觉表现。 利用先进安全特性抵御量子攻击 i.MX 952应用处理器集成了EdgeLock安全区域（Secure Enclave）（高级安全配置），旨在满足ISO 21434和IEC 62443等安全标准，以及欧盟《网络韧性法案》等法规要求。 内置的EdgeLock安全区域作为硬件信任根，简化了安全启动、安全更新、设备认证和安全访问等关键安全功能的实现，并同时支持经典密码学和后量子密码学（PQC），为未来的长期安全需求提供保障。 结合恩智浦的EdgeLock 2GO密钥管理服务，OEM厂商可为基于i.MX 952 SoC的产品安全配置凭证，实现对现场部署设备的远程安全管理，包括安全的无线更新（OTA）。 为开发者提供系统解决方案 i.MX 952应用处理器旨在为开发者提供全面的系统级解决方案支持。这包括与恩智浦的PF09安全系统电源管理芯片（PMIC）及PF53核心电源稳压器搭配使用，实现高效的电源管理。座舱感知及其他汽车应用则通过Trimension NCJ29D6实现，该产品是一款完全集成的汽车单芯片超宽带系列产品，融合了下一代安全精确实时定位与短距离雷达功能。 此外，i.MX 952系列还能与恩智浦广泛且可扩展的无线解决方案产品组合无缝集成，包括高集成度的IW693和AW693 SoC。支持 Wi-Fi 6/6E 并发双频 Wi-Fi（CDW）、蓝牙、低功耗蓝牙（BLE）及 BLE 音频技术，提供增强的连接能力。
NXP
NXP客栈 . 2025-10-24 610
方案 | 英伟达 × ST联手突破！12kW/800V AI数据中心电源被塞进手机大小的配电板
近期，英伟达（NVIDIA）已完成对意法半导体（ST）12kW配电概念验证板的设计验证测试，这一成果标志着该项目正式迈入生产验证测试阶段。在开放计算项目（OCP）2025峰会上，这家GPU制造商展示了由意法半导体设计的完整12kW电力传输板样机。同时，ST也即将发布一份关于下一代人工智能数据中心高功率密度配电解决方案的白皮书，帮助工程师深入了解该电力传输板的工作原理，以及高功率密度的实现方式等。该白皮书将涵盖拓扑结构、设计考量、宽禁带晶体管、架构优化等核心内容。 白皮书下载链接： https://content.st.com/high-density-ai-data-center-power-delivery-mcdcdc-whitepaper.html 意法半导体是英伟达新推出的800V机架配电开发计划中的重要合作伙伴。双方合作的核心原因是意法半导体研发的高功率密度电力传输板（PBD）。这款传输板采用小型化设计，却能承载12kW的功率。依托碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）功率芯片技术的最新突破、STGAP硅基嵌入式电隔离专利，以及先进的模拟数字信号处理能力，意法半导体正推动数据中心行业迈入新时代。借助这款电力传输板，英伟达得以缩减线缆体积、提升系统效率。此次合作实现了数据中心领域的一项重要突破：ST首次达成12kW电能持续输出，且能效超过98%；在输出电压为50V时，功率密度更是突破2600W/in³。 英伟达为何选择800V架构？ 打破传统非可持续模式 过去数十年间，数据中心普遍采用48V配电系统，15kW功率的机架足以满足处理器、内存与外存的用电需求。但随着人工智能技术兴起与GPU应用市场爆发，这类场景需依托大型架构才能充分发挥并行运算优势，如今系统架构工程师面临着600kW至1MW大功率机架的设计挑战。电能需求的激增，迫使行业寻求全新电源架构——以48V电压输出600kW功率为例，需承载高达12500A的电流。仅需试想处理该功率所需的电缆、母线与散热器尺寸，便足以让不少工程师却步。 展望配电技术未来：800V成人工智能数据中心必备技术 要降低大功率输出所需的电流，最直接的方案便是提高输入电压。电流降低不仅能大幅缩减电缆与母线尺寸，还可减少交流电网与机架直流配电之间的电力变换环节。事实上，英伟达曾提及，相较于当前的54V配电系统，升级至800V平台可将能效提升最高5%。简言之，在超大规模数据中心可持续性备受关注的当下，升级至800V架构是提升资源利用率、从技术层面满足人工智能创新需求的最佳方法之一。 ▲ 800V是人工智能数据中心的必备技术 然而，设计理想配电系统仍面临挑战：需将800V高压转换为母线中压，进而生成GPU核心电压，同时要保证紧凑尺寸以适配服务器机架安装。机架的标准尺寸对配电系统的体积限制极为严格，而元器件的紧密排布又会加剧电磁干扰与热管理难题。因此，工程师需找到既能应对更高电压，又能保持紧凑外形的解决方案。此外，800V平台还需全新的电隔离与接地系统，安全保护机制及故障处理的复杂性也随之大幅提升。基于此，英伟达向意法半导体寻求技术支持。 ST如何实现紧凑空间内的12kW功率集成，达成2600W/in³功率密度？ 满足带电插拔要求 为应对800V机架的固有挑战，同时满足计算机系统的带电插拔要求，意法半导体将解决方案分为两部分：带电插拔保护电路与电能功率转换器。其中，带电插拔保护电路采用意法半导体的1200V碳化硅（SiC）器件与电隔离型BCD（BIPOLAR-CMOS-DMOS）控制器。2021年，IEEE正式认可意法半导体为BCD系列硅半导体制造工艺的发明者。该工艺可整合模拟与数字元件，有效提升电源管理解决方案的效率与可靠性。与此同时，意法半导体在碳化硅器件领域拥有近30年研发经验，是首家将该技术应用于电动汽车的厂商。长期的技术积累，为我们应对此次挑战奠定了坚实基础。 ▲ STGAP产品 优化原边设计 解决方案的第二部分是DC-DC转换器，其功能是将整个机架的800V电压转换为单台服务器所需的50V电压。为在极小的机位空间内实现这一转换，意法半导体在原边采用650V氮化镓（GaN）晶体管堆叠式半桥架构，搭配STGAP电隔离栅极驱动器。得益于3.4eV的宽带隙和1,700cm²/Vs的电子迁移率使GaN具有独特的特性，可以实现低输出电容和较低的导通电阻，使其成为处理高频应用的理想材料。 优化副边设计 在副边设计中，意法半导体采用100V低压氮化镓（GaN）晶体管、低压栅极驱动器及STM32G4微控制器。这款微控制器的定时器分辨率低于200皮秒，能够实现与转换所需开关频率相匹配的高性能控制。同时，STGAP器件的优异隔离能力可实现电源转换器初级侧与次级侧的完全隔离，有效抵御电磁干扰（EMI）及其他可能影响紧凑型设计的异常情况。 变压器拆分设计：两组四单元架构 除精选元器件外，意法半导体还需应对严苛的空间限制，这意味着要缩减磁性元器件尺寸——尤其是10kV隔离设计已占用变压器的部分预留空间。为减少变压器磁芯用量，ST将传统大尺寸全桥拓扑拆分为两组架构，每组包含四个小型并联整流全桥。这种拆分设计可降低进入磁芯的磁通量，分散耗散功率；同时，采用四个小型全桥后，可使用更小的铁氧体磁芯，从而大幅缩减变压器整体尺寸。 上述元器件与拓扑解决方案，凝聚了意法半导体多年的技术积累与经验沉淀，正是这些专业能力让我们的方案具备独特优势。许多厂商需从外部采购相关元器件，而意法半导体可提供自研整体解决方案，这对配电系统优化至关重要。此外，新的800V配电架构也凸显了封装小型化、寄生电感最小化与双面散热技术的重要性——若器件尺寸过大或封装未经优化，根本无法实现如此紧凑的设计。而意法半导体始终致力于提供最小封装器件，这也是我们成为英伟达重要合作伙伴的关键原因之一。 全局视角：适配多元需求，推动行业升级 当前，业界正积极探索更高效的超大规模人工智能基础设施开发路径，不同企业选择了差异化技术方向。例如，部分企业正研发±400V系统。依托自身专业技术与产品组合，意法半导体可轻松复用现有电源转换设计方案，满足不同功率需求。事实上，我们可为所有寻求提升人工智能数据中心能效与可持续性的企业提供支持。 英伟达发布的测试公告及双方的合作成果具有重要意义和深远影响。目前，英伟达已批准ST的概念验证板，下一步将推进电路板制造与测试工作。这一里程碑充分体现了合作对数据中心格局的变革作用，实现了数年前难以想象的能效提升。英伟达的800V高压直流架构与意法半导体的配电板，共同标志着数据中心行业迈入新时代。
ST
意法半导体工业电子 . 2025-10-24 1 10 3885