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产品丨100V宽SOA MOSFET上市，助力AI服务器热插拔无感升级
随着AI算力需求爆发式增长，2024–2027年AI服务器市场规模预计激增近6倍，单机功率突破3000W，远超传统服务器的600W水平。在此背景下，48V高压架构成为主流，但热插拔（Hot-Swap）过程中的浪涌电流管理成为关键难题——若未限制电容充能电流，可能导致系统电压骤降甚至器件损毁。 芯迈半导体今日正式发布100V N沟道功率MOSFET SDH10N1P8TA-AA，以1.3mΩ超低导通电阻（RDS(on)）和60V/10ms工况下8A安全工作区（SOA）的行业领先性能，直击高可靠性、高效率的电源设计痛点，为AI服务器热插拔电路提供硬核保障。 性能突破：双维度重构行业标准 超低RDS(on)，能效再攀高峰 · 典型导通电阻仅1.3mΩ，较业界1.5mΩ平均水平降低13%，显著减少稳态导通损耗，提升电源转换效率。 · 助力数据中心优化PUE（电源使用效率），降低散热系统负荷，契合碳中和目标下的严苛能效要求。 关键性能突破 1.3mΩ RDS(on) + 60V/10ms Tc=25°C下8A SOA 参数 SDH10N1P8TA-AA芯迈 行业典型竞品 参考 耐压 VDSS 100V 100V Typ导通电阻RDS(on）（VGS=10V,Tj=25°C） 1.3 mΩ 1.5mΩ SOA（VDS=60V, Pw=10ms Tc=25°C） ~8 A ~7 A 封装 Toll Toll 宽SOA设计，可靠性全面升级 · 在60V电压、10ms脉宽的典型热插拔场景中，安全电流高达8A，避免浪涌冲击下的热击穿风险。 · 通过优化器件结构（如图1），芯迈在热不稳定区域实现SOA性能大幅提升，确保系统在极端工况下的稳定运行。 图1：宽SOA对比示意图 图中红色为未优化器件，芯迈新品在关键区间性能显著增强 兼容性与供应链优势：加速客户落地 · 标准化封装：采用通用TOLL封装，客户无需修改PCB即可直接替换，缩短开发周期。 · 快速响应需求：产品已进入试样阶段，具备大规模稳定供货能力，满足云服务商对供应链的高韧性要求。 专家观点：重新定义电源器件标准 芯迈半导体技术负责人表示：“AI服务器对电源器件的可靠性、效率及功率密度提出了前所未有的要求。SDH10N1P8TA-AA在RDS(on)与SOA上的双重突破，使其成为48V热插拔、电子保险丝等高密度电源设计的理想选择，助力下一代AI基础设施的持续进化。”
芯迈
芯迈半导体 . 7小时前 235
方案 | 22kW→350kW+！安森美全功率电动汽车充电方案全覆盖
蓬勃发展的电动汽车（EV）市场推动了包括电动汽车充电器在内的多个行业的发展，为满足日益增长的电动汽车需求并实现低碳目标，通过高效设计电动汽车充电系统来完善充电基础设施至关重要。 直流电动汽车充电器在充电站内部将交流电转换为直流电，充电速度显著提升，因此成为主流选择。它能提高最高电压以适配 400V 和 800V 两种电动汽车电池，并将输出功率提升至 350 kW以上，实现超快充。碳化硅（SiC）技术凭借更高的效率以及更强的高压、高温耐受能力，成为实现这些目标的理想选择。 电动汽车直流充电桩框图 下图展示了安森美（onsemi） 设计的直流电动汽车（DC EV） 充电桩解决方案。 该图阐释了直流电动汽车充电桩中所采用的功率转换与电源管理技术。 其中包含碳化硅（SiC） 分立MOSFET、 IGBT、 电源模块、隔离栅极驱动器等主要元器件， 以及其他相关产品。 如下述推荐产品表所示，该框图中大部分功能块都可采用安森美的器件/方案。 评估板与参考设计 用于1200V M3S 4-PACK F2 EliteSiC MOSFET模块的评估板|EVBUM2878G-EVB 该评估板专为评估安森美采用F2封装的1200V M3S 4-PACK模块而设计。 其主要用途是对以下全桥模块进行双脉冲开关测试和开环功率测试： NXH011F120M3F2PTHG, NXH007F120M3F2PTHG 该评估板可连接外部控制器， 来接收PWM输入信号并处理故障信号。 主要特点： 4层FR4印制电路板，铜箔厚70µm 采用黑色PCB面板，具有高热辐射率 4个隔离式单栅极驱动器，具备2.5 kV绝缘等级 用于输入和输出信号的连接器接口 集成薄膜直流母线 预留安装孔，便于连接罗氏线圈和测量探头 低寄生电感PCB布局设计 图1： EVBUM2878G 评估板正面与背面视图 用于1200V M3S 2-PACK F1 EliteSiC MOSFET模块的评估板|EVBUM2880G-EVB 该评估板专为评估安森美采用F1封装的1200V M3S（半桥） 2-PACK模块而设计。 其主要用途是对以下半桥模块进行双脉冲开关测试和开环功率测试： NXH008P120M3F1PTG, NXH010P120M3F1PTG, NXH015P120M3F1PTG, NXH030P120M3F1PTG 该评估板可连接外部控制器， 来接收PWM输入信号并处理故障信号。 主要特点： 采用F1 封装双 M3S 2-PACK 模块插座 集成260 µF直流母线，供两个2-PACK模块共用（适用于全桥应用设计） 为每个2-PACK模块配备具有5 kVRMS隔离等级的隔离栅极驱动器NCP51561 采用黑色PCB，具备高热辐射率 四路独立 DC-DC 电源插座 低寄生电感PCB布局设计 通过单路 PWM 输入信号生成死区时间，控制双 2-PACK 模块（可选） 通过两路独立PWM 输入信号确保死区时间，控制双 2-PACK 模块（可选） 通过两路独立PWM输入信号直接控制2-PACK模块，无需修改输出逻辑（可选） 图2： EVBUM2880G 正面与背面视图 解决方案推荐 直流电动汽车充电桩市场涵盖多种应用场景， 服务于住宅和商业应用中不同的功率等级和充电时间需求。 作为功率半导体行业的领军企业， 安森美针对直流快充（DCFC） 应用提供定制化解决方案， 并针对各种功率等级提供了全面的建议。 从功率低于22 kW的直流壁挂式充电系统， 到功率超过350 kW的超快速电动汽车充电系统， 安森美的EliteSiC MOSFET和Field Stop 7 IGBT可实现更高效率与功率密度， 同时搭配隔离栅极驱动器， 显著提升系统安全性与可靠性。 表2： 安森美解决方案推荐
安森美
安森美 . 7小时前 265
产品 | 不只快，更会思考！全新NPU5打造AI PC智能体核心引擎
从简单的识别工作，到贴心的智能助手，AI PC正在迎来一次新的进化。而这背后，离不开英特尔® 酷睿™ Ultra处理器（第三代）全新升级的NPU5。准备好，见证你的PC如何从一个工具，蜕变为一个专家级智能助手吧！ Q：这一代平台的AI算力有多强？ 提升显著，暴涨50%！ A：新一代酷睿Ultra的NPU、CPU、GPU三擎发力，全平台算力直冲180 TOPS，比上一代暴涨50%1，能轻松跑各种复杂模型。 这一代酷睿Ultra搭载的NPU5专门为AI任务优化，单位面积算力（TOPS/mm²）提升超过40%2。它的能效比更高，处理AI又快又省电。不仅如此，这一代NPU专为生成式AI量身打造，支持原生FP8数据类型，进一步提升了NPU算力。 Q：我的AI PC将能获得什么增益？ 你的AI将实现功能上的飞跃！ A：随着AI发展进入“智能体时代”，搭载第三代酷睿Ultra的AI PC不再只是帮你生成内容，而会变成一个超懂你的“智能体”专家级助手，规划、思考、执行任务，一站解决，帮你彻底解放脑力。 智能体能力进阶：伴随上下文规模从4K提升至128K token（增长超过15倍），AI智能体模型能力也从Llama 2 7B的20%提升至Phi 4 Reasoning Pro 14B的76%，已接近人类专家级水平（78%）。 Q：这么强的算力和AI，具体能给我怎样的体验？ 新的酷睿Ultra 不仅能跑大模型，还能跑得更快、更可靠、更贴心！ A：AI任务直接在你的PC上运行，数据隐私有保障；离线也能用AI，再也不怕没网了；延迟更低，反应超快，眨眼间助你完成任务。不仅如此，英特尔还在持续与ISV合作，推出更多有用、好用的AI助手。 在AI智能体全面迸发的时代，酷睿Ultra第三代的NPU必将加速智能体融入日常生活，它不仅仅是硬件的升级，还将提升工作效率、丰富娱乐体验、助力个人成长，真正成为日常生活不可或缺的智慧助手。 1. 基于产品对比测试得出，结果可能有所差异。详情请参见ark.intel.com。 2. 基于产品规格。更多信息请参见 intel.com/performanceindex。 3. 数据来源：https://huggingface.co/spaces/TIGER-Lab/MMLU-Pro ©英特尔公司，英特尔、英特尔logo及其它英特尔标识，是英特尔公司或其分支机构的商标。文中涉及的其它名称及品牌属于各自所有者资产。
英特尔
英特尔中国 . 7小时前 450
产品 | 第五代骁龙8至尊版移动平台：释放AI价值，变革终端侧智能体验
当AI大模型从云端向终端加速扩展，终端侧智能正迎来爆发式增长，并迈向新的纪元。第五代骁龙® 8至尊版移动平台正是这场变革的核心载体之一，它不仅将终端侧AI的性能、能效与应用体验推向新高度，拓宽了手机在AI时代的能力边界，也让用户与智能设备之间的交互方式迎来重要转变。 高通AI引擎，终端侧AI的算力基石 第五代骁龙8至尊版移动平台 的AI能力源于底层硬件的突破性升级，全新高通® Hexagon™ NPU作为高通AI引擎的核心处理单元，相较前代平台实现了37%的性能提升与16%的每瓦特性能优化1。它拥有12个标量加速器、8个向量加速器以及升级的张量加速器，其中标量加速器专注于图像识别、音频分析等经典AI任务，同时也支持LLM推理；向量加速器用于加速复杂的像素级图像模型，以及在LLM场景上支持更长的上下文窗口；张量加速器则用于加速更大更复杂的多媒体用例以及LVM模型。此外，高通Hexagon NPU还支持INT2与FP8精度，可通过减少内存占用来提升计算效率并优化能耗。 得益于高通AI引擎先进的异构计算架构，高通Hexagon NPU能够与第三代Qualcomm Oryon™ CPU和高通® Adreno™ GPU以及其他加速单元实现协同工作。第三代Qualcomm Oryon CPU集成的超级内核主频提升至最高4.6GHz，相较前代平台实现了20%的单核性能提升、17%的多核性能提升以及35%的能效提升，不仅可快速响应语音唤醒、界面交互等低延迟即时任务，也能够更加高效地管理与调度复杂任务。 作为SoC中集成的另一个通用处理器，高通Adreno GPU同样具备强大的计算能力，对于处理与人工智能应用相关的密集型工作负载至关重要。在第五代骁龙8至尊版上，高通Adreno GPU相较前代平台实现了23%的性能提升和20%的能效提升，此外还支持容量高达18MB的Adreno独立高速显存（HPM），可对游戏、机器学习、视频处理、图像处理等用例带来性能和功耗的收益。在GPU、NPU、CPU等加速单元的协同工作下，第五代骁龙8至尊版支持高达220 Tokens每秒的出字速度2，可更快响应复杂推理任务。 第五代骁龙8至尊版移动平台还内置了独立的硬件模块——高通传感器中枢，它不仅是数据感知的核心，更是智能体的入口。相较前代平台，高通传感器中枢的功耗降低了33%，通过在本地构建更深入、更个性化的个人知识图谱，它支持随时在线的自然语言识别、周围环境感知等能力，赋予终端侧AI更强的个性化体验与更高的安全保障，让手机成为更懂用户的智能助手。 从“被动响应”到“主动服务” 当前，智能体AI正从工具属性向数字伙伴演进，其核心价值在于重构人机交互模式——用户无需繁琐操作，智能体通过自主感知、分析数据、制定策略并执行任务，实现复杂场景的自动化处理，让用户需求真正可以“一键直达”。 围绕Agentic AI，高通与小米、马蜂窝等合作伙伴展开了深度合作，基于第五代骁龙8至尊版出色的终端侧AI能力，超级小爱x马蜂窝可以为用户贴心制定旅行规划，从行程安排到美食推荐再到天气提醒，用专属定制、完备周到的保姆级攻略让“说走就走”成为可能。 高通还助力面壁智能发布了全新GUI Agent智能体AgentCPM，该智能体能够理解用户的自然语言指令及手机屏幕的图形界面，通过模拟点击、长按、滑动、输入等动作，协助用户自动化完成复杂任务。利用第五代骁龙8至尊版的低功耗高通传感器中枢，AgentCPM显著提升了自动语音识别（ASR）模型的运行能力，可实现例如自动挑选图片、编辑文案和发送社交动态等创新智能体AI体验。 多场景赋能，推动体验革新 通过将核心硬件的性能突破与AI技术深度融合，第五代骁龙8至尊版还将更多先进的AI用例带到更广泛的场景，为游戏、影像和连接体验等带来多方位提升，让高性能AI触手可及，为用户带来更流畅、直观、沉浸的智能体验。 在游戏领域，从渲染优化到资源调度，从画质提升到交互革新，AI技术不仅能够带来图形和视觉效果的增强，更赋予了游戏更多玩法和趣味性。例如，高通与一加合作打通了GPU、NPU异构交互框架，运用NPU运算推理来进行AI光流插帧渲染，在3D UI、运动轨迹及半透明特效上实现精美的渲染效果；高通还与网易合作，在《逆水寒》手游中实现利用玩家实时面部表情，控制游戏角色的面部表情的新玩法，带来了更沉浸的游戏社交体验。 第五代骁龙8至尊版的前沿AI能力还在影像创作中发挥了巨大作用，20-bit AI三ISP可实现4倍动态范围提升，并带来专业级拍摄效果。通过Hexagon直连，ISP可以从底层与NPU进行协同，使得NPU能够直接访问ISP上的原始RAW传感器数据，并通过AI算法与ISP硬件协同运行，实现对4K 60fps暗光视频拍摄进行实时AI补光等辅助增强。 设备在复杂网络环境下的出色连接能力同样依赖AI。第五代骁龙8至尊版搭载的高通® X85 5G调制解调器及射频和高通® FastConnect™ 7900移动连接系统均支持AI连接技术，可实现蜂窝网络与Wi-Fi网络之间的无缝切换，从而提升视频通话、游戏等应用的实时性能表现。AI还能够优化连接性能和效率，根据应用程序需求动态分配带宽，并降低能耗以延长电池续航，从而实现更流畅的流媒体传输和浏览，提升整体连接体验。 截至目前，第五代骁龙8至尊版已经赋能小米17系列、荣耀Magic8系列、红魔11 Pro系列、iQOO 15、真我GT8 Pro、努比亚Z80 Ultra、REDMI K90 Pro Max、一加 15等旗舰终端，以强大的端侧AI能力为用户带来触手可及的智能体验。更多旗舰机型陆续发布中，敬请期待！ 1. 与前代对比。 基于ML Perf Geomean 25。基于鲁大师AImark v4 Resnet50模型进行内部功耗测量，与前代骁龙8至尊版对比。 2. 30亿参数的小型语言模型。峰值性能，使用高通公司先进的并行解码技术，针对选定的使用案例，上下文长度为2K。 * 骁龙、高通、以及其他Snapdragon与Qualcomm旗下的产品系高通技术公司和/或其子公司的产品。
高通
高通中国 . 7小时前 380
产品 | 感知准才控得稳，纳芯微推出MT911x/MT912x系列线性位置传感器
纳芯微正式推出新一代线性位置传感器 MT911x与MT912x系列。新品面向无人机、3D打印机、手持稳定器、工业自动化设备等对位置检测精度与响应速度要求严苛的应用场景，兼具高精度、高带宽、低功耗与小型封装优势，为多种位置感知需求提供更可靠、更灵活的解决方案。 在消费与工业位置检测领域，不同设备虽应用各异，但核心性能挑战一致：手持云台、无线打印机等电池设备对低功耗尤为敏感；游戏手柄扳机、磁轴键盘等紧凑设计产品，要求高精度、快速响应及小型化传感器；而在工业自动化场景中，宽温适应与高带宽能力是系统稳定运行和实时控制的关键。 针对不断升级的市场需求，纳芯微MT911x和MT912x系列针对性地给出了适配方案：±1.5%的高线性度确保测量精准；静态电流低于2mA，有效降低整体功耗；高响应速度能够快速捕捉位移变化。同时，MT911x支持双极型选择，MT912x支持单极型选择，可灵活适配不同位移结构满足更广泛的设计需求。 精准与响应兼得，捕捉细微位移 MT911x 和MT912x系列集成了先进磁感应技术，具备±20mV失调电压与±1.5%线性度误差，可实现高精度线性位置与角度检测，细微位移与复杂角度变化均能准确识别。30kHz带宽确保高速运动场景下的实时响应，无延迟、无失真，为动态应用提供更顺滑的控制体验。 低功耗，助力无线续航更进一步 在保持高带宽输出的同时，新系列产品将静态电流控制在 2mA 以内，显著降低功耗。对于依赖电池供电的设备，这意味着更长的续航表现。低压工艺设计进一步平衡了功耗与精度，实现低功耗下的稳定高精度测量。 小体积封装，适配紧凑空间设计 为满足设备结构小型化趋势，MT911x 和MT912x系列提供 DFN1616、SOT23、TO-92S 等多种小尺寸封装，便于在高度集成或空间受限的设计中灵活布局，适用于紧凑型消费类产品和结构复杂的工业设备。
纳芯微
纳芯微电子 . 7小时前 225
市场 | 存储器价格攀升冲击消费市场，下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测
根据TrendForce集邦咨询调查显示，2026年全球市场仍面临不确定性，通胀持续干扰消费市场表现，更关键的是，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。基于此，TrendForce集邦咨询下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%。此外，若存储器供需失衡加剧，或终端售价上调幅度超出预期，生产出货预测仍有进一步下修风险。 DRAM涨势强劲，低端智能手机首当其冲 从个别产品来看，2025年智能手机存储器价格上扬主要由DRAM带动。2025年第四季 DRAM合约价格对比去年同期上扬逾75%，以存储器占整机BOM cost约10~15%估算，2025年该成本已被垫高8~10%。 随着DRAM及NAND Flash合约价格仍持续攀升，预估明年整机BOM cost将在今年的基础上再提升约5~7%，甚至可能更高。对于原本就利润偏薄的低端机种而言，品牌端势必调降该产品占比，同时针对全系列产品分层上调终端售价以维系正常营运。 由于存储器供应紧张状况延续，规模较小的智能手机品牌资源取得难度加大，不排除该市场将进入新一轮洗牌，大者恒大的趋势将更为明确。 供给收缩推升存储器大涨，2026年笔电市场恐迎来成本与需求双重压力 2026年笔电市场同样将面临明显压力，以今年存储器上涨前的成本结构为基准观察，DRAM及NAND Flash合计占笔电整机BOM cost的比重约10~18%，在如此大幅且连续数季的上涨下，预估存储器占整机BOM cost的比重将进一步扩大至20%以上。 若品牌选择将成本转嫁，预估2026年笔电终端售价将普遍上调5~15%，对需求形成实质压力。笔电低价位市场同样对价格变化高度敏感，预期将出现延后换机或转向二手市场的情况。中价位市场的换机动能则可能显著放缓，企业与家庭用户皆倾向延长设备生命周期。此外，高价位市场虽相对具韧性，但预算有限的创作者与电竞用户仍可能调整至较低端配置。 综合来看，存储器价格持续上涨将使2026年笔电市场面临BOM cost推升、通路压力扩大、需求疲软等三重压力，品牌端需在规格调整、库存运作与通路补贴间取得平衡，以降低对销售与毛利的冲击。 至于可视为PC外围延伸的显示器，其所搭载的存储器多为小容量存储器，受直接涨价冲击影响有限。其隐忧来自间接影响，若PC零售价格大幅调涨导致整体出货下修，将连带冲击显示器出货表现，因此显示器年度出货将从微增0.1%转为年减0.4%。
存储器
TrendForce集邦 . 7小时前 260
方案 | 赋能高精度运动控制！极海基于APM32F425/427系列总线型低压伺服方案为机器人、工业自动化注入新动力
随着全球制造业向智能化、柔性化方向加速转型，以及服务消费领域的无人化趋势加速，协作机器人、服务机器人和智能家居市场正迎来爆发式增长。这一波增长的核心驱动，在于机器人与人类工作、生活场景的深度共融，其对核心执行部件——伺服系统，提出了前所未有的要求：不仅需要极高的性能，包括高精度控制、更快的响应速度等，还必须满足严苛的成本约束、紧凑的尺寸等。为进一步满足市场的需求，极海新推出的基于APM32F425/427系列总线型低压伺服方案。 目标应用 方案优势&价值 全闭环控制模式：方案稳定支持位置、速度、转矩三种闭环控制模式，可无缝覆盖精密定位、平稳调速、恒力输出等绝大多数伺服应用场景。 开放的硬件架构：提供丰富的外设接口与可配置的硬件资源，赋予用户高度的设计灵活性，轻松实现深度二次开发与定制化功能集成。 卓越的动态响应性能：电流环更新与功率器件开关频率均高达16kHz，确保系统对指令的响应更快、更准，轻松胜任高速、高动态负载的苛刻应用。 可视化调试：配备功能强大的上位机软件，支持参数整定、实时波形显示、系统状态监控与故障诊断于一体，极大降低开发门槛，加速产品上市。 APM32F425/427总线型低压伺服方案设计基于极海自主研发的APM32F425/427系列高性能拓展型MCU，搭载Arm® Cortex®-M4F内核，最高支持1MB eFlash，其中APM32F427系列内置448KB+4KB的SRAM，APM32F425系列支持256KB Flash零等待，内置192KB+4KB SRAM，全系列支持全温度范围内240MHz主频运行。得益于APM32F425/F427的优秀设计，极海的总线型低压伺服方案在执行同样功能代码时，执行时间更短，客户可以实现更高效的二次开发。 APM32F425/427系列特点 方案参数 输入电压：20-70V 典型功率：400W 控制周期：62.5us（16kHz） 转速范围：-4000~4000rpm 编码器类型：增量编码器、绝对值编码器（RS485） 控制模式：力矩模式、速度模式、位置模式 额定输出电流（Arms）：10 最大输出电流（Arms）：25 方案核心 方案硬件 方案硬件系统可拆解：为电源模块、控制核心模块、信号处理模块、功率驱动模块、保护模块五大核心单元，各单元协同实现电流、速度、位置的闭环控制。其技术关键在于：反馈信号的精准采集，PID 及扩展算法的优化，功率模块的高效驱动三部分。 实现方式 通过TMR1模块，产生3组互补PWM信号输出，实现电机矢量控制 通过高精度ADC模块，可实现两路相电流信号的精确采样，提高伺服控制精度 通过UART模块或TMR模块，实现绝对值编码器和增量编码器通信 通过并口模块，与EtherCAT从站芯片高效通信，实现EtherCAT总线控制 通过UART模块，实现与上位机的数据交互 通过I2C模块，实现外部EEPROM通讯，存储伺服关键参数 丰富的输入输出端口，满足多种控制信号输入或状态输出，提升方案的多场景适用性 方案软件 软件设计框图 软件设计方案采用三环级联模式： 电流环，其给定来自速度环的输出，实现对给定电流的快速跟踪，并对直流母线电压的波动，反电动势的影响，以及被控对象的非线性等因素起到抑制作用。 速度环，其给定来自位置环的输出，也接受来自外部模拟量或者内部多段速的给定，实现对给定速度的跟踪，并抑制负载扰动对系统的影响。 位置环，其位置给定来自总线控制时直接写入的绝对位置值或者增量位置值、IO控制的多段内部设定位置的给定，实现对位置给定的精确定位，并且通过PID调节来保证无超调。 方案采用简易的单中断处理的设计架构，可以实现电机三环闭环控制，客户可以在此基础上进行自定义功能扩展，可支持客户更高性能，更丰富功能的产品设计。 中断处理流程 测试数据 速度波动实验测试 搭载17位磁编码器下的实测各个速度段波形效果如下： 执行效率测试 通过测试对比，具备零等待配置的APM32F425与同类型产品的代码执行效率对比，结果相当，略胜一筹。 APM32F425/427总线型低压伺服方案，涵盖较为完整的软硬件设计，内含全功能软件固件以及极海自研伺服控制上位机，配有详细的使用手册，方便快速使用，性能评估以及二次开发。配套的资料已在极海geehy.com官网上架，更多详情可联系极海各办事处销售经理。
极海
Geehy极海半导体 . 7小时前 200
产品 | 兆易创新推出GD25NX系列xSPI NOR Flash，高性能双电压设计，面向1.2V SoC快速响应需求
兆易创新（GigaDevice）推出新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该系列采用1.8V核心电压与1.2V I/O电压设计，可直接连接1.2V SoC，无需外部电平转换器，显著降低系统功耗并优化BOM成本。作为继GD25NF与GD25NE系列之后的第三代双电压供电产品，GD25NX系列延续了兆易创新在双电压供电领域的技术积累。该产品系列兼具高速数据传输能力与高可靠性，广泛适用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等对稳定性、响应速度、能效比要求严苛的应用场景。 GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR 200 MHz，DTR 200 MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入时间典型值为0.12ms，扇区擦除时间为27ms，其与常规1.8V八通道Flash相比，写入速度提升30%，擦除速度提升10%。为保障数据可靠性，GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验功能，有效增强数据完整性并延长产品使用寿命。同时，该系列支持DQS功能，为高速系统设计提供完整信号保障，满足数据中心和汽车电子等高稳定性应用需求。 依托创新的1.2V I/O接口架构，GD25NX系列在实现卓越性能的同时，也具备出色的低功耗表现。其读取电流在八通道STR 200MHz模式下低至16mA，在八通道DTR 200MHz模式下低至24mA；与常规的1.8V八通道SPI NOR Flash产品相比，GD25NX系列的1.2V I/O接口设计可将读功耗降低50%，在确保高速运行的同时显著提升系统能效，为功耗敏感型应用提供更具竞争力的解决方案。 “GD25NX系列的诞生开创了低电压与高性能兼具的SPI NOR Flash新格局”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“其设计紧贴主流SoC对低电压接口的需求，为客户带来了更高的集成度与更低的BOM成本。未来，兆易创新将持续拓展双电压供电产品线，覆盖更丰富的容量与封装规格，助力客户打造更加高效、可靠的低功耗存储解决方案。” 兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，灵活满足不同应用对存储空间的差异化需求。该系列支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。目前，128Mb的GD25NX128J产品已开放样片供客户评估，64Mb容量的GD25NX64J样片也在同步准备中。如需获取详细技术资料或报价信息，欢迎联系当地授权销售代表。
GD
兆易创新GigaDevice . 7小时前 250
产品丨17.7 GHz至55 GHz高性能宽带微波收发信号链产品
传统的射频微波系统因为采用大量分立器件，面临着体积、重量和功耗的三大瓶颈。目前，这种设计理念已无法满足市场对紧凑、高效解决方案的需求。因此，行业亟需一款革命性的高集成度毫米波芯片，要像sub-6G芯片一样，同时实现低功耗、高性能与小尺寸的完美平衡。 ADMV1355和ADMV1455两款芯片是高性能、宽带微波收发信号链产品，专为在17.7 GHz至55 GHz射频范围内工作的系统进行了优化。内部集成了一个LO信号链，可接受8.85 GHz至27.5GHz范围内的的LO信号。同时，芯片内部集成的放大器、2倍频器、可编程谐波抑制滤波器及相位调整电路，便能自动生成驱动内部混频器所需的17.7 GHz至55 GHz高频信号。
ADI
亚德诺半导体 . 7小时前 280
技术 | 从小白到精通调试瑞萨RZ/T2H PCIe通信
RZ/T2H 本文阐述了RZ/T2H的PCIe外设作为EP，在Windows上做驱动开发、速率测试时，可能会遇到无法被Windows识别的问题。本文总结了一些调试方法和技巧，来排查问题原因和解决方法。 如下图所示，RZ/T2H有着丰富的外设资源。 图1：RZ/T2H系统框图 如红色方框部分，RZ/T2H有两路第三代PCIe接口，可以支持到最高8.0 GT/s的传输速率。物理连接可以是x1，x2的方式，并且2路接口可以独立作为RC和EP使用。 在某驱控一体项目中，客户是将其中1路PCIe作为EP，采用X1配置；Windows PC作为RC，通过PCIe实现快速通信。我们在Windows端基于Windows Driver Framework开发了相关驱动程序。 考虑到Windows是非实时性操作系统，所以将所有与PCIe交互的代码放在了驱动层，以提高通信的实时性。经过测试，Windows PC做RC，RZ/T2H做EP，RC读取数据的传输速率是：33 Bytes/us（考虑到Windows是非实时操作系统，达不到8GT/s的传输速率也属正常）。如果T2H EVK 用作RC端，则速率可以达到PCIe3.0的标准。 PCIe3.0的标准是8.0GT/s的传输速率，根据128b/130b的编码规则，其数据有效率为 128/130=98.46%，从而可以得到有效数据速率为8.0×0.9846=7.877Gbit/s≈0.985GB/s per lane，即985 bytes/us。 T2H默认的MPS（Max Payload Size）最大可以配置成4096B。考虑到加入TLP的header（假如3WD，12B，且MPS配置为256B），则其传输有效数据量为（RC连续发 MRd）。 每us能传输的完整completion次数为：985/（256+12）≈3.67次 对应的有效数据量≈3.67×256≈939B/µs 图2：RZ/T2H驱动程序 图3：Windows端测量PCIe读写速率的消息序列图 客户主板设计上通过PCIe金手指与PC主板的PCIe x1接口相接。遇到的问题是：客户主板烧录程序，连接到PC，无法被PC识别。 由于没有高速示波器来分析PCIe总线上的异常，我们只能从以下几个角度来分析。 1 检查电源是否合理。 依次检查了5V，3.3V，1.8V，0.8V，均正常。 2 由于只有500M的示波器，只能抓启动的波形。通过RZ/T2H EVK的波形与客户板子的波形作对比。 图4：加PCIe延长线，便于抓取必要波形 我们通过PCIe的启动过程了解到，在链路还没有训练（LTSSM还没进入L0正常工作状态）时，允许设备通知对方自己的存在。这种通知被定义为Beacon，它是一种低速、低频的物理信号，并不是 PCIe 8b/10b或128b/130b编码的数据流。 鉴于此，我们采用500M的示波器，将TX+（B14），TX-（B15）通过PCIe的延长线接头处，引到示波器上。C1为TX+，C2为TX-。 图5：RZ/T2H EVK Beacon 图6：客户RZ/T2H主板Beacon 从图五和图六可以看到： RZ/T2H EVK的Beacon持续时间是370ms，TX+和TX-的幅值在400mV左右，且非常对称。 客户RZ/T2H主板的Beacon持续时间是3.5s，猜想该Beacon持续时间太久的原因是一直没有得到EP的应答。且TX+的幅值在400mV左右，而TX-的幅值不到100mV，不对称。 TX+/TX-是从RC端发起的信号，为何在金手指端的波形发生不对称现象？于是我们再仔细核对了客户的PCB，发现客户的第6，7层没有铺地。 由于客户的电路与EVK有局部的不同，为了防止我们判断错误，将RZ/T2H EVK修改成和客户板相同的配置（电阻值以及对应信号悬空等），开发板都能正常启动PCIe，所以基本可以认为是PCB铺地原因导致的差分信号不均衡，从而RZ/T2H作为EP时没有正确收到PC的握手信号，而不响应RC，所以没有下一步动作。 经过客户重新布板，该主板可以进行正常的PCIe通信了。 从这次debug可以看出，PCIe参考地有非常重要的意义。如果PCIe信号线在没有参考地平面的情况下布线，将会导致诸如以下问题： 1 阻抗不连续与严重反射：阻抗在整个走线上剧烈波动，导致信号在每一个阻抗变化点都会发生反射。这会严重劣化信号质量。若地平面断裂/跨分割会导致局部阻抗突变，反射增大，可能引起链路训练失败。 2 信号完整性（SI）问题： 眼图塌陷：在接收端看到的眼图会非常“瘦”，甚至完全闭合，眼高和眼宽都不达标。 振铃（Ringing）和过冲（Overshoot）/下冲（Undershoot）：由于阻抗失配和反射，信号会产生严重的振荡。 时序错误：边沿变得缓慢且不确定，建立时间和保持时间无法满足。 3 电磁干扰（EMI）问题：缺少参考平面，信号产生的电磁场无法被有效屏蔽和约束，会向外辐射，导致EMI测试失败，也可能干扰板上的其他电路。 4 系统不稳定与高误码率：最终结果是PCIe链路训练失败、速率协商不上去、或者在运行中出现大量的数据错误（误码率BER飙升），导致系统频繁蓝屏、卡顿、设备无法识别。 对于PCIe 3.0及以上速率，layout要求较为苛刻， PCB设计者需要足够重视，没有完整的参考地平面，项目失败的风险极高，也会为后期带来不必要的debug工作。PCB一定要遵守RZ/T2H的硬件设计指导书。 RZ/T2H完整的软硬件设计规范、参考例程、工具等，请登录以下网址获取更多资料： https://www.renesas.com/en/products/rz-t2h
瑞萨
瑞萨嵌入式小百科 . 7小时前 235
无源晶振和有源晶振能混用吗
无源晶振和有源晶振能不能混用?这个问题看似简单，却暗藏致命风险！ 一、无源与有源的“基因差异” 无源晶振（晶体谐振器） 它就像一把“哑琴”，需要外部电路（如反相器、电容）才能奏响乐章。结构极简，只有两个引脚，成本低但依赖性强。比如常见的32.768kHz晶振，必须搭配RTC芯片才能工作。 有源晶振（振荡器） 自带“乐队”（驱动电路），通电即可输出稳定信号。四个引脚中，一脚悬空、二脚接地、三脚输出、四脚供电，堪称“即插即用”的懒人神器。其频率稳定度可达±10ppm以内，是通信基站的首选。 二、混用的“三大致命陷阱” 电平不兼容引发的灾难 无源晶振信号电平由外部电路决定，而有源晶振输出固定电平（如3.3V或5V）。若强行混用，可能导致芯片输入过压烧毁，或信号幅值不足引发误判。 负载电容的生死博弈 无源晶振依赖外部电容（如15pF）起振，而有源晶振内部已集成匹配电路。若混用，外部电容会破坏有源晶振的振荡条件，导致频率偏移甚至停振。 驱动能力的冰火两重天 无源晶振需要芯片内部振荡器提供驱动，而有源晶振自带驱动电路。若两者并联，可能形成“电流拔河”，轻则信号抖动，重则烧毁晶振。 三、这些场景千万别踩雷！ 嵌入式系统：STM32等单片机常同时使用8MHz主晶振和32.768kHzRTC晶振，但两者分属不同电路，绝不能接在同一引脚上。 通信设备：5G基站需高精度恒温晶振（OCXO），若误用无源晶振，信号同步误差可能导致数据丢包率飙升。 消费电子：手机WiFi模块若混用两种晶振，可能引发频段干扰，导致网络连接不稳定。 四、正确姿势：按需选择，拒绝“混搭” 低成本方案选无源 适合对精度要求不高的场景，如家电遥控器。但需注意匹配外部电路，否则可能出现“起振失败”的尴尬。 高可靠场景用有源 工业控制、医疗设备等领域，建议选择温补晶振（TCXO），其温度稳定性可达±0.1ppm。虽然成本高3-5倍，但能避免后期维护的天价费用。 多晶振共存的正确打开方式 若需同时使用两种晶振（如主时钟+RTC），务必通过隔离电路或独立电源供电，避免信号串扰。例如STM32开发板中，8MHz晶振用于系统运行，32.768kHz晶振专供实时时钟，两者分工明确互不干扰。
晶发电子 . 8小时前 260
强化信息技术自主创新，德明利加速构建国产存储高可靠体系
随着信创替代全面提速，国产存储产业正迈入技术自主与生态协同并进的新阶段。德明利依托17年自主研发积累，在主控芯片、固件算法及系统优化方面实现系列突破，推出面向政企、工业与教育领域的信创存储产品矩阵，并积极推进与飞腾、龙芯、麒麟等平台适配认证，为行业提供高可靠数据支撑，加速信创体系的落地与普及。 当前全球技术经贸格局正经历深刻变革，供应链与核心技术断供存在不确定性因素，我国信息技术发展重点从解决“有无”问题转向“好用与可靠”新阶段。存储系统的性能、可靠性与安全性，直接关系到数字基础设施的稳定与效能。 存储创新成为国产信息体系规模化应用关键 政策与市场需求的双重驱动下，国产存储产业正迈向技术深水区。《2025存力发展报告》显示，国产存储在介质、芯片与系统层面实现三级突破：QLC芯片容量已达2TB，头部云服务商也完成从控制器、分布式存储到整机的垂直整合，存力产业链自主可控能力持续增强。 然而，面对2027年央企国企全产业链100%信创替代，以及关键行业核心系统国产化率超70%的目标，产业规模化部署仍面临稳定性、兼容性及核心系统迁移可靠性的现实挑战，尤其在PCIe/CXL新标准和AI驱动的存算一体架构兴起下，国产存储的性能、标准与生态融合正成为突破重点。 自主研发与全链路国产化，构建可靠存储底座 德明利拥有十七余年主控芯片与固件算法研发经验，构建了“芯片+算法+场景”的全栈技术体系，形成覆盖消费级、工业级、嵌入式与企业的完整产品矩阵。截至2025年6月，公司累计申请知识产权527件（已授权241件），研发人员超350余人，并布局深圳、成都、杭州、北京、长沙五大研发基地，为国产化产品持续创新提供坚实支撑。 基于自主技术积累，德明利打造国产化存储方案，依托自研 SATA SSD 主控芯片 TW6501、国产闪存颗粒与固件算法，实现从核心器件到整机产品的最高产化率。通过覆盖设计、制造与测试的本土化体系，构建可验证、可追溯、可持续的安全供应链，为政企、教育、金融等行业提供高可靠存储支撑。 嵌入式信创方案：筑牢面向端侧生态的高可靠存储支撑 德明利嵌入式AVL系列产品提供LPDDR4X与eMMC 5.1，广泛应用于国产化终端与边缘设备，已与紫光展锐、瑞芯微等国产SoC平台完成深度适配，广泛应用于智能座舱、工业控制与物联网网关等终端设备，具备高集成度、低功耗与长期稳定特性，为端侧生态提供自主可控的高可靠数据支撑。 消费级信创方案：实现全场景适配，兼顾高性能与高兼容 面向桌面办公、终端整机、教育信息化等消费级场景，德明利推出SATA与PCIe系列固态硬盘以及DDR4/DDR5内存条信创产品，具备高速传输、低延迟与稳定耐久等特性，产品已完成银河麒麟桌面操作系统等主流国产平台的兼容性测试，能够满足行业关键应用需求。 工业级信创方案：强化可靠性设计，应对极端环境与关键任务 面向工业制造、轨道交通、能源金融与通信等关键行业，德明利推出ES1020与EP2021系列SSD产品，并在统信桌面操作系统中通过全面兼容性测试。 ES1020系列采用自研SATA SSD主控，具备宽温与超长寿命特性，满足抗震、防潮、防静电等工业级标准，并搭载端到端数据路径保护、增强型掉电保护及安全擦除等功能，实现7×24小时持续稳定运行。EP2021系列凭借PCIe 4.0高速接口与严选颗粒方案，兼顾高速与低延迟，适用于工业控制与边缘计算等高强度应用。 共建信创生态，推动行业标准 德明利积极参与信创生态建设，作为供应链成熟度专委会、光合组织成员和主平台认证合作伙伴，协同芯片、硬件、软件等上下游企业推进全栈国产化供应链体系建设，参与制定存储技术规范，助力构建统一行业标准。 在可靠性方面，德明利与飞腾、龙芯、兆芯及海光等主流国产CPU平台及统信、麒麟、中科方德等操作系统开展联合测试与长期生态适配，通过联合实验室机制持续验证，确保产品在多系统生态中实现“开箱即用、稳定可靠”，为信创产业的规模化应用与运维优化提供关键支撑。通过从底层到系统的深度适配能力，德明利正携手生态伙伴，共同推动安全、高效、可持续的数字化进程。
德明利
德明利 . 8小时前 555
大联大世平集团推出基于易冲CPSQ5453&CPSQ5352的汽车矩阵式大灯方案
大联大控股宣布，其旗下世平推出基于易冲半导体（ConvenientPower）CPSQ5453和CPSQ5352芯片的汽车矩阵式大灯方案。 图示1-大联大世平基于易冲CPSQ5453&CPSQ5352的汽车矩阵式大灯方案的展示板图 在电气化与智能化的双重驱动下，汽车产业正经历着深刻的变革，而汽车大灯作为整车的重要功能部件，也迎来了技术升级与市场扩张的黄金期。随着LED、激光大灯等新技术的普及，车灯已从单纯的照明工具转变为集安全、智能交互于一体的核心系统。 大联大世平基于易冲半导体CPSQ5453和CPSQ5352芯片推出的汽车矩阵式大灯方案，通过高效驱动LED光源，实现了精准的光束控制和动态调节功能，不仅可提升夜间行车的安全性，还支持自适应远近光、弯道辅助照明等智能化应用。 图示2-大联大世平基于易冲CPSQ5453&CPSQ5352的汽车矩阵式大灯方案的场景应用图 CPSQ5453是一款双通道可独立运行的恒压恒流升压电源控制器，具有强大的功能。它支持Boost、Buck-Boost等拓扑控制，输入电压范围4.5V-65V。内置抖频功能可改善EMI干扰，并配备SPI通信接口方便灵活配置功能参数。此外，CPSQ5453采用峰值电感电流控制技术，响应更快。同时芯片提供正常、跛行等多种模式，部分OTP寄存器烧录可独立运行。不仅如此，CPSQ5453拥有电流误差补偿功能，可在低电流工作场景下保持较高的电流精度。安全方面，该芯片具备输出过压、短路、过流等完善保护机制。 CPSQ5352是一款车规级双通道降压型LED驱动芯片，每通道最大输出电流为1.6A，输入电压范围4.5V-65V。它支持2MHz以上SPI通信频率，采用先进的COT控制管道设计，具有快速的动态负载响应能力，特别适合与矩阵大灯控制器配合使用。在所有工作条件下，CPSQ5352都能维持高精度的电流控制。此外，CPSQ5352支持模拟调光和PWM调光，并允许通过编程控制输出电流以及PWM调光的占空比和频率。此外，芯片内部还集成10比特高精度ADC，便于用户实时读取关键参数。 图示3-大联大世平基于易冲CPSQ5453&CPSQ5352的汽车矩阵式大灯方案的方块图 本方案采用高集成度设计，兼具卓越能效表现与稳定性，可充分适配各类应用场景，尤其适用于对响应速度要求严苛的矩阵大灯控制器等应用，不仅能够实现精准调节，还能进一步提升系统监控与管理能力，有力推动智能车灯市场的快速发展。 核心技术优势： CPSQ5453： 支持4.5V至65V输入电压范围； 能够控制Boost、Buck-Boost等多种电源拓扑； 采用峰值电感电流控制技术，具有较快的响应速率； 在低电流工作场景下具备电流误差补偿功能，保持较高电流精度。 CPSQ5352： 每通道最大输出电流可达1.6A； 在所有工况下均保持高电流精度，误差4%以内，适用于多种LED驱动应用； 采用COT控制方式，具有较快的动态负载响应速度； 支持模拟调光和PWM调光，输出电流、PWM调光占空比和频率均可编程控制，适合与矩阵大灯控制器配合使用。 方案规格： 技术支持：提供Demo板使用手册、培训文档、软件开发手册、Demo板等。 本篇新闻主要来源自大大通： 基于CPSQ5453&CPSQ5352的易冲车灯方案
大联大世平集团 . 8小时前 255
禾望电气选择 Wolfspeed，凭借先进的碳化硅技术助力风能未来
此次合作助力禾望电气推出风电行业首个全碳化硅功率柜 创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者 Wolfspeed 公司今日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司（禾望电气，Hopewind）达成合作。两家公司通过将 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模块集成到禾望电气先进的高度模块化、轻量化的 950 Vac 风电变流器之中，共同推动下一代风电解决方案的开发。 作为中国最大的风电变流器供应商之一，禾望电气对其风电解决方案采用了新颖的方法：该产品采用碳化硅（SiC）器件和高可靠性封装技术，实现了功率密度提升 38% 和高达 6 kHz 的高开关频率，显著提高了效率和可靠性。Wolfspeed 与禾望电气的合作有望加速全球市场下一代风电解决方案的开发。 Wolfspeed 的碳化硅解决方案正助力推动向更可持续、更具成本效益的下一代能源系统转型。Wolfspeed 的 2.3 kV LM Pack 模块提供了显著的系统优势，包括简化系统设计、提高效率、增加功率密度以及改善可靠性——这些关键因素有助于降低大型风电应用的整体系统成本并提供卓越性能。2.3 kV LM Pack 模块预计于 2026 年初实现商业化量产供应。 Wolfspeed 与禾望电气的此次合作，标志着风电行业持续发展的一个关键里程碑，有助于为全球范围内更清洁、更高效的能源解决方案铺平道路。 Wolfspeed 副总裁兼中电压与高电压产品总经理 John Perry 表示：“我们很高兴与可再生能源行业公认的领军企业禾望电气达成合作。Wolfspeed 的 2.3 kV LM Pack 模块完美契合了风电行业对更高电压、更高电流和更高效率系统日益增长的需求。此次合作不仅巩固了 Wolfspeed 作为值得信赖的长期碳化硅供应商的地位，也有助于满足全球对可再生能源解决方案日益增长的需求。” 禾望电气总部位于中国深圳市，近期入选全球知名能源研究机构彭博新能源财经（Bloomberg New Energy Finance，简称 BNEF）的光伏逆变器制造商一级名单（Tier 1）。全球仅有七家公司成功进入一级梯队，这肯定了禾望电气在光伏领域的全球影响力和竞争力。 禾望电气副总经理兼风电事业部总经理王琰表示：“禾望电气非常高兴与 Wolfspeed 达成合作，凭借 Wolfspeed 世界级的碳化硅技术来提升我们风电变流器的性能。通过采用 Wolfspeed 先进的 2.3 kV LM Pack 模块，我们正朝着为风电行业提供高效、可靠且具成本效益的解决方案迈出重要一步。” 关于 Wolfspeed, Inc Wolfspeed（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）在全球范围内推动碳化硅技术采用方面处于市场领先地位，这些碳化硅技术为全球最具颠覆性的创新成果提供了动力支持。作为碳化硅领域的引领者和全球最先进半导体技术的创新者，我们致力于为人人享有的美好世界赋能。Wolfspeed 通过面向各种应用的碳化硅材料、功率模块、分立功率器件和功率裸芯片产品，助您实现梦想，成就非凡（The Power to Make It Real TM）。 关于禾望电气 禾望电气是中国领先的风电变流器供应商，专注于为可再生能源领域提供高质量产品。除了风电变流器，禾望电气还开发和制造光伏逆变器、储能系统（ESS/PCS）和氢能解决方案。禾望电气致力于提供尖端技术和可持续解决方案，助力更绿色的未来。 前瞻性声明 本新闻稿包含前瞻性陈述，这些陈述涉及已知和未知的风险与不确定性，可能导致 Wolfspeed 的实际业绩与前瞻性陈述中所指示的业绩存在重大差异。就其性质而言，前瞻性陈述涉及在不同程度上具有不确定性的事项，例如关于 Wolfspeed 的战略计划、优先事项、增长机遇以及实现盈利能力的陈述。实际业绩可能因 Wolfspeed 向美国证券交易委员会（“SEC”）提交的文件（包括其最近的 10-K 表格年度报告以及后续向 SEC 提交的文件）中详述的因素而存在重大差异。这些前瞻性陈述代表 Wolfspeed 截至本新闻稿发布之日的判断。除美国联邦证券法律要求外，Wolfspeed 不承担在本新闻稿发布之日后更新任何前瞻性陈述的任何意图或义务。
Wolfspeed . 8小时前 245
最新低功率压电气泵驱动芯片-LX8201
（摘要）最近静音压电气泵在可穿戴式血压计上的应用出现暴增，国内创新企业深圳乐而信/LOXIM TECHNOLOGIES推出针对低功率压电陶瓷（微孔压电片，以及压电气泵）的专用驱动芯片LX8201，针对20-30KHz, 30-50KPa以及0.5-1.5L/min的气泵，具备良好的工作性能和明显的成本优势。 压电泵是种新型流体驱动器，它不需要外加的驱动电机，而是直接利用压电陶瓷的逆压电效应使压电振子在电场作用下径向压缩，内部产生拉应力，从而使压电振子弯曲变形，再由变形产生泵腔的容积变化实现流体的平缓连续输出或者利用压电振子产生波动来传输流体。 于传统泵所不具备的结构和设计特点，压电气泵具有以下显著优势: 高效节能: 无需额外的驱动电机，能耗低，效率高。 体积小巧: 体积小，结构简单，易于集成到各种设备中。 无噪音: 在工作过程中不产生噪音，适用于对噪音敏感的环境。 无电磁干扰: 不产生电磁辐射，适用于对电磁环境要求高的场合， 尽管压电泵的发明与发展仅20多年的历史，但在航空航天器、机器人、汽车、医疗器械、家电、生物医学、微型机械和IC电路冷却等领域里得到广泛的应用，潜在的社会及经济效益极其显著。 跟很多其他工业器件的发展轨迹一样，压电气泵也是先从发达国家首先研制出来，然后国内的公司开始跟进开发，其中有代表性的公司为： 1. 日本村田Murata 2. 日本高砂TAKASAGO 3. 德国Bartels 4. 台湾CurieJet 5. 广东奥迪威 6. 常州威图 7. 江苏蚂蚁动力 8. 东莞西喆 9. 谐振精密 10. 厦门白边 以常州威图的一款压电气泵MAC20 A-01为例，其主要特性参数如下： 驱动方案的选择 压电气泵一般的工作频率在20-25KHz,驱动的功率也不高，一般采用下面两种驱动电路，但因为此类分立器件组成的电路对死区时间以及电源电压稳定性有很高要求，导致驱动的效率（压力/流量特性）以及压电气泵的发热超出预期，另外因为分立器件的原因，也会导致不同的压电气泵的一致性有明显波动。 改进方案 采用LOXIM的压电陶瓷驱动芯片（LX8201），用在压电气泵的驱动上，采用专利的硬件电路和自动追频算法，初步尝试结果显示： 维持同样的输出特性（P-Q）下，压电气泵的发热会明显降低 不同气泵输出特性曲线的一致性会更好更加稳定 随着压电气泵在可穿戴设备、血压监测、吸奶器、冷却风扇以及其他工业/医疗行业应用的不断拓展，LOXIM压电气泵驱动芯片的应用会越来越广。
压电气泵
原创 . 8小时前 245
纳祥科技多通道DAC NX1227，如何兼容替代已停产的CS4361，用于5.1家庭影院？
针对已停产的CS4361六通道DAC，纳祥科技提供了一款可行的国产替代芯片——支持I2S接口的6路数模转换芯片NX1227，功能对标替代，通过兼容设计降低了供应链风险。 （一）芯片概述 纳祥科技NX1227 系列是一款完整的 6 声道输出数模转换芯片，内含插值滤波器、multi-bit 数模转换器、输出模拟滤波器。NX1227系列支持大部分的音频数据格式。 NX1227 系列基于一个带线性模拟低通滤波器的四阶 multi-bit Δ ∑ 调制器，而且可以通过检测信号频率和主时钟频率，在 2KHz 和 216KHz 之间自动调节采样率。 NX1227系列含有数字去加重模块，可以在 3.3V 和 5V 下工作，另采用TSSOP20封装，性能上可国产替代CS4361。 （二）主要特性 ❶Muti-bit Δ ∑ 调制器 ❷24bit D/A 转换器 ❸自动检测最大到 192KHz 的信号频率 ❹100dB 动态范围 ❺-90dB 总谐波失真+信噪比 ❻低时钟抖动敏感度 ❼3.3V 或 5V 工作电压 ❽线性滤波输出 ❾片上数字去加重 ❿输出静音控制 （三）应用领域 NX1227是一款高性能、低成本的多通道数模转换芯片。它外置元件少，可自动调节采样率，具备去加重功能，支持丰富的音频接口和大部分音频数据格式，同时兼具低功耗与高稳定性优势。目前，该芯片已广泛应用于车载5.1音箱、5.1家庭影院等设备中，为专业设备提供可靠保障，是CS4361的高质量国产替代方案。
DAC
深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 8小时前 1 240
晶振驱动功率测试与计算
无源晶振本身不具备振荡功能，必须依靠外部电路驱动才能工作。激励功率指驱动晶振所需的能量，高驱动功率造成Crystal的特性恶化(如频率异常跳频、内阻值异常Jump)，甚至可能会使晶体损坏；低驱动功率有时会使Crystal内阻值变大，当再次启动振荡器时，可能会时振时不振的无再现性的现象。正确匹配激励功率是确保晶振长期稳定工作的核心要素。 计算公式 驱动功率 DL 的计算公式为： DL=I2×ESR 其中：I为流过晶振的电流有效值（单位：A/mA），ESR 为晶振的等效串联电阻（单位：Ω），DL 的单位为瓦特（W），常以微瓦（μW）表示。 测试方法 准备设备：PCB板、晶振（具有等效电路常数数据）、示波器、电流探头。 电路连接：将晶振一侧引脚脱焊，串联一根引线并连接电流探头，重新焊接回PCB，确保电路完整。 1、测量电流波形：给PCB上电，用示波器观察晶振电流波形，确认为正弦波或类似波形。 2、读取电流有效值：读取电流有效值RMS。 3、计算驱动功率：根据 DL=I2×ESR 计算驱动功率，其中 ESR 可通过专业设备测试出晶振单体的等效值。结果判断：比较计算得到的DL与晶振规格书中的最大驱动功率，确保DL不超过最大值。 注意事项： 测量精度：使用高精度电流探头和示波器，确保测量结果准确。 电路完整性：改造电路时，引线尽量短，避免引入额外干扰或寄生参数。 波形确认：确保晶振电流波形为正弦波，若波形畸变，需检查电路是否过驱动或存在其他问题。 安全操作：避免短路或过电流，防止损坏晶振或电路元件。 通过以上步骤，可准确测试和计算晶振驱动功率，确保晶振在安全范围内工作，保障电路的稳定性和可靠性。
晶振,有源晶振,无源晶振
扬兴科技 . 8小时前 190
MDD辰达半导体防护器件，全方位防护USB充电口浪涌静电
一、USB快充发展趋势与防护挑战 随着USB快充的发展，支持的产品种类也越来越多，比如手机、笔记本电脑、平板、电动工具、各种消费类产品乃至小型家电等高能耗设备。然而，随着功率的提升，充电口面临的浪涌和静电威胁也越来越严重，对产品可靠性提出了更高的防护要求 二、关键线路与潜在风险 充电功率从5V/3A逐步提升至36V/5A，用于充电功能的关键线路（如USB-A中的Vbus、DP、DM，以及USB-C中的Vbus、DP、DM、CC1、CC2）成为防护的重点。EOS浪涌和ESD可能通过这些线路侵入后级电路，甚至因插拔操作产生的浪涌也可能导致主控芯片损坏。 三、SDxxX系列防护器件介绍 MDD推出的SDxxX系列防护器件，功率覆盖300~450W，具备强大的浪涌防护能力，静电防护可达接触和空气放电±30KV。该系列采用SOD-523贴片小型封装，符合产品小型化需求，适用于各类充电头、电动剃须刀、电动牙刷、小型蓝牙音响等USB充电产品的充电口防护。 四、MDD质量保障体系 MDD工厂位于安徽滁州，占地面积2w㎡，已全线引入全自动化生产设备。工厂通过IATF16949认证及ISO 9001/ISO 14001等体系认证，工厂配备有可靠性实验室。MDD拥有完整的器件生产线，从材料输入，到成品输出，皆经可靠性实验室进行测试，确保所有出厂产品皆经过严苛测试，全程可控。 五、典型快充充电头防护电路示意图 六、选型推荐 MDD目前推出的高性能、小封装的ESD与浪涌防护器件，具备高防护等级、低漏电、低钳位电压和优良的温度适应性，适合现代便携电子设备中对空间与可靠性要求并重的USB接口及其他高速数据线的保护设计。
静电防护
MDD辰达半导体 . 8小时前 280
高精度机器人控制的核心——基于 MYD-LT536 开发板的精密运动控制方案
一、背景：机器人迈向“微米级控制时代” 随着智能制造和自动化产业的持续升级，工业机器人不再仅仅承担重复搬运，而是被要求在装配、检测、精密加工等高精度场景中完成微米级控制任务。 在这些“高精度机器人控制”应用中，系统必须具备高计算力、低延迟控制环路、实时反馈和多传感器融合能力。 传统的PLC或单片机方案在高并发计算与多轴同步控制方面往往性能不足，因此越来越多的工程师开始采用基于高性能SoC平台的机器人控制系统，例如米尔的 MYD-LT536 开发板。 二、MYD-LT536：为机器人控制系统而生的核心平台 米尔 MYD-LT536 开发板基于全志T536 高性能四核 Cortex-A55 处理器，支持 1.8 GHz 主频，并集成2Tops NPU、G2D、VPU 4K高清视频编解码器，为复杂控制算法与视觉融合计算提供充足算力。 米尔MYD-LT536开发板 在“高精度机器人控制”场景中，MYD-LT536 具备以下突出优势： 1. 高算力与实时性兼顾 四核 Cortex-A55 架构可并行运行多线程控制任务，满足多轴机器人同步控制与动态补偿算法的实时计算需求； T536 AMP多核异构设计，满足高性能计算和实时控制的需求场景需求； 2. 丰富接口助力系统集成 板载 双千兆以太网、PCIe2.1/USB3.1、Localbus、4*CANFD、17*UART、SDIO、SPI、PWM 等工业接口，方便连接编码器、伺服驱动器、激光雷达、IMU、工业相机等设备； 支持 MIPI-DSI、Parallel DSI、Dual-LVDS和MIPI-CSI、Parallel CSI、5M ISP多媒体接口，适合构建机器人视觉-运动融合系统，实现工件识别与动态定位。 3. 支持闭环控制与误差校正 可结合高分辨率编码器反馈数据，运行机器人闭环控制算法； 利用AI 协处理器实现机器人误差校正方案，实时补偿位置偏差与温度漂移，显著提升轨迹规划精度与重复定位精度。 4. 模块化系统集成方案 MYD-LT536 提供完整SDK、Linux 驱动与开发文档，可快速构建机器人系统集成方案； 开发者可直接对接上层 ROS 框架，实现多轴机器人同步控制与智能路径规划。 三、典型应用：高精度装配机器人控制系统 在某高端电子装配项目中，工程团队基于 MYD-LT536 构建了一套高精度装配机器人控制系统： - 视觉定位模块：通过 CSI 接口将数据实时传输至 MYD-LT536； - 反馈环路：编码器信号经 CAN 总线反馈，实现机器人闭环控制与误差自适应补偿； - 误差修正算法：AI 模块基于历史误差趋势自动拟合机器人位置反馈误差模型，最终使装配误差稳定在 ±0.05 mm 以内。 整个系统架构紧凑、响应快速，为高精度装配提供了可靠的技术底座。 四、面向未来的机器人控制平台 随着工业机器人向更高精度、更复杂任务迈进，控制平台需要兼具算力、扩展性、实时性与AI能力。 MYD-LT536 开发板在软硬件生态上已完全满足这些要求： - 支持 Linux RT、ROS、Python 算法与 C++ 实时模块开发； - 可作为控制核心部署在高精度测量机器人、激光切割机械臂、协作机械臂、AGV导航车等系统中； - 具备机器人动态补偿算法与误差校正方案运行环境，为“高精度机器人控制”应用提供了强大的硬件支撑。 五、结语 “高精度机器人控制”是智能制造时代的核心竞争力。 米尔 MYD-LT536 开发板凭借强大的计算能力、丰富的工业接口与成熟的系统生态，能够帮助工程师快速搭建高精度机器人控制平台，实现从“算法到执行”的全闭环控制。 无论是在工业装配、视觉检测、智能搬运还是协作机器人领域，MYD-LT536 都将成为高精度控制系统的理想选择。
高精度机器人控制
米尔电子 . 8小时前 245
ROHM推出广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器IC！
ROHM（罗姆半导体）宣布，推出可广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器IC“BD60210FV”（20V耐压，2通道）和“BD64950EFJ”（40V耐压，1通道），新产品适用于包括冰箱、空调等白色家电在内的消费电子以及工业设备领域。 近年来，从白色家电等消费电子到工业设备领域，控制机构的电动化进程加速，对更加节能的直流有刷电机的需求日益增长。另一方面，要求电机驱动器实现设计标准化、减少外置元器件数量、可靠性高、体积小巧。如何兼顾成本和设计效率已成为重要市场需求。ROHM针对这些需求，推出兼顾通用性、空间节省程度及设计便捷性的两款产品“BD60210FV”和“BD64950EFJ”，助力提升应用产品的设计效率与性能。 两款产品均采用通用性好的封装形式，不仅易于引入新设计中，还可显著提升电路变更、衍生型号开发以及设计标准化的效率。另外，新产品还实现低待机电流（Typ：0.0μA，Max：1.0μA），可大幅提升应用产品待机时的节能性能。 “BD60210FV”是一款可驱动2个直流有刷电机或1个步进电机的双路（2ch）H桥*1直接PWM控制*2型电机驱动器。通过采用无需升压的H桥电路结构，更大程度地减少了外置元器件数量，从而有助于进一步节省空间和简化设计。 而“BD64950EFJ”则采用单路（1ch）H桥电路，同时支持直接PWM控制和恒流PWM控制*3两种控制方式。另外，采用低导通电阻设计，可有效抑制发热，实现高效率电机驱动。该产品耐压40V，适用于需要高电压（24V）驱动的有刷直流电机。 新产品已经开始量产（样品价格300日元/个，不含税），并已开始通过电商进行销售，均可购买（BD60210FV、BD64950EFJ）。另外，ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板（BD60210FV-EVK-001、BD64950EFJ-EVK-001）。 未来，ROHM将继续扩充消费电子和工业设备领域的电机驱动解决方案，为社会舒适性的提升和节能贡献力量。 ＜应用示例＞ ・消费电子设备 冰箱（制冰机旋转和风门控制）、空调（百叶窗控制）、打印机（导轨移动） 扫地机器人（刷头旋转）、热水器和电饭煲（阀门控制）、加湿器（驱动风扇控制） ・工业设备 自动门和卷帘门（动作控制）、小型传送带（传送控制）、电动工具（旋转控制） 其他各种小型电机控制 ＜术语解说＞ *1) H桥 一种用来控制电机旋转方向的电子电路。在绘制电路图时，因4个开关（晶体管或MOSFET）呈H形排列而被称为“H桥”。 *2) 直接PWM控制 直接将PWM（脉宽调制）信号传输至H桥等电路，以此直接控制电机转速的方式。通过PWM占空比调节供给电机的电压。电路结构相对简单，响应速度较快。 *3) 恒流PWM控制 为保持电机电流恒定而采用PWM控制方式。这种控制方式能使电机在低速时仍能保持转矩，适用于需要精密控制的设备等应用。
ROHM . 8小时前 200
市场周讯 | 涨涨涨！闪迪、三星存储涨幅超50%；新思裁员2000人；影石推出全景无人机
| 政策速览 1. 中美：11月10日13时01分起，我国对美关税正式调整，保留10%的对美加征关税税率。 | 市场动态 2. 存储： AI驱动供需失衡致存储市场一天一价，涨价潮蔓延至移动硬盘、闪存盘等。本月SanDisk再度调涨50%，模组厂也暂停出货报价，部分代理商满仓囤货，业界称涨势超黄金，市场转机或2027年下半年才会出现。 3. 市场： Q3全球半导体销售总额达2084亿美元，同比增长25.1%，环比增长15.8%。全球地区涨幅依次为：美洲22.2%、亚太（不含中国）19.2%、中国10.2%及欧洲7.2%。 4. 电视： Q3全球电视出货量4975万台，季增6%、年减4.9%，为历年同期首度跌破5,000万台，前五大厂商依次为三星、海信、TCL、LGE与小米。 5. 智慧屏： Q3中国大陆移动智慧屏市场销量7.0万台，同比增长29.0%，预测今年中国市场销量低于40万台，但同比增速略超40%。 6. 市场： 近期汽车级射频器件价格上涨3倍，交期延至半年；工业级功率器件缺货致价格持续上涨。 7. 摩根士丹利：在最新的“AI供应链产业”报告中指出，英伟达、AMD等AI大咖，甚至连电动车大厂特斯拉都积极抢占3nm产能，致使台积电3nm产能出现短缺，并紧急扩张产能。大摩预估，今年底前，台积电3nm产能每月将额外扩增2万片至11~12万片，高于预期；2026年则将再增加至14~15万片，使得台积电明年资本支出将由原计划的430亿美元提升至480~500亿美元。 8. 韩国：大韩商工会议所（KCCI）可持续增长倡议（SGI）于近日发布的一份报告显示，工业用电价格已上涨75%，从2021年初的每千瓦时102.4韩元涨至2025年上半年的每千瓦时179.2韩元。该报告警告称，过去五年能源成本的急剧上涨显著加重了生产负担，削弱了先进科技产业的盈利能力和出口竞争力。报告指出，受人工智能数据中心和电动汽车快速扩张的推动，电力需求增速超过供应，给电价带来更大压力，半导体和显示器等行业预计将面临最沉重的生产成本负担。 9. TrendForce：DRAM方面，尽管DDR4和DDR5现货价格因卖家持观望态度而持续攀升，但DRAM芯片报价已超过模块报价，预示着模块价格可能在短期内大幅上涨。与此同时，NAND方面，512Gb TLC NAND晶圆现货价格本周上涨17.1%，达到每片6.455美元。由于预计供应紧张的局面将持续，价格上涨势头可能会延续到下个季度。 10. CFM：自上个月月底以来，多家原厂公开明确表示客户需求已超过自身供应，甚至个别原厂明年产能已被提前锁定，且正在评估2027年客户的需求预期。而近期，部分原厂NAND价格大涨50%的消息迅速在现货市场传开。从Flash Wafer价格来看，经过长达近两个半月的涨价行情，NAND Flash价格累计涨幅基本在50%-100%区间，其中，512Gb TLC NAND Wafer价格几近翻倍。值得注意的是，拉长周期看，1Tb QLC/TLC NAND Wafer价格创历史新高，其余容量价格也已逐渐逼近最高点。在NAND资源大涨的带动下，嵌入式eMMC/UFS同步大幅上调报价。从目前来看，原厂仍维持收紧的供货策略，短期内资源供应难有改观，预计嵌入式存储价格继续维持上涨趋势。 11. Jon Peddie Research：2025年Q3全球客户端CPU市场连续三个季度实现环比扩张，增幅为2.2%，但同比出现2.2%下滑。JPR认为，客户端CPU市场的这一态势主要是由Windows 10的EOL驱动，关税也在其中起到了一定作用。该机构预计该领域今年第四季度的势头不会非常强劲。 12. 湖北：今年前三季度，湖北全省集成电路产业（包括高端芯片在内）营收突破千亿元，同比增长超过30%。目前，湖北全省已形成从设计、制造到封装测试，以及从材料、设备到终端应用较为完整的产业链。 | 上游厂商动态 13. 安世：荷方表示安世中国将很快恢复芯片供应，将继续与中方、欧盟等密切协调。 14. 安世：德国Continental AG（大陆集团）子公司、汽车零组件供应商Aumovio高管表示，已于日前收到首批来自中国的安世半导体芯片。这也是首批确认获得中国半导体出口管制豁免批准的厂商，他们的客户有大众汽车、Stellantis 和宝马等。 本田执行副总裁海原矩亦表示，目前已收到中国方面开始出货的通知，正努力恢复受影响工厂的生产。展望未来，目前还很难做出明确判断。 因为安世半导体芯片供应短缺，本田10月底暂停墨西哥一家工厂生产，并调整美国和加拿大工厂营运。 15. 地平线： 与大众汽车设合资企业自研SoC芯片，预计在未来3-5五年内量产交付，用于L3及以上级别的自动驾驶汽车。 16. 新思：该公司将裁员约 10%，即约 2000 名员工，以寻求将投资重新导向增长机会。 17. 高通：高通推出高通跃龙™ IQ-X系列，旨在面向可编程逻辑控制器（PLC）、高级人机界面（HMI）、边缘控制器、面板式PC和箱式PC提供下一代工业级处理器。该系列专为严苛的工作环境而设计，采用加固封装并提供丰富的外设支持，便于集成各类工业设备并支持跨应用的灵活部署。IQ-X系列还以高能效设计提供丰富的多媒体功能。 18. 存储：三星电子、SK 海力士、铠侠、美光等全球八大 NAND 闪存制造商正协同缩减今年下半年的 NAND 闪存供应量。分析人士指出，此类减产不可避免将造成产出损失 —— 厂商一方面通过控制供应引导价格上涨，另一方面正加速将生产线转向四层单元（QLC）制程，以应对人工智能（AI）数据中心带动的强劲 QLC 需求增长。 19. 英飞凌：2025财年第四季度：营收为39.43亿欧元，利润为7.17亿欧元，利润率 18.2%。2025财年：营收为146.62亿欧元，同比下降2%；利润为25.6亿欧元；利润率为17.5%；调整后每股收益为1.39欧元；由于收购Marvell公司汽车以太网业务，自由现金流为负10.51亿欧元；调整后的自由现金流为正18.03亿欧元。 20. Cadence：Cadence Design Systems 同意收购ChipStack，该公司是一家位于西雅图的初创公司，致力于开发人工智能工具以加速芯片验证和设计。 21. 闪迪：闪迪大幅上调NAND Flash合约价格，涨幅高达惊人的50%，并明确表示预计NAND产品供不应求的局面将持续至2026年底。 22. 三星：三星电子本月提高了某些内存芯片的价格，这些芯片因全球建设AI数据中心的热潮而供应短缺，提高后的芯片价格比九月份上涨了多达60%。 23. 中芯国际：存储芯片产能供应紧张，致使智能手机领域客户拿货趋于谨慎。 24. 百度：百度发布新一代昆仑芯M100和M300。其中，M100针对大规模AI推理，预计2026年年初上市。M300面向超大规模的多模态大模型训练和推理，预计2027年年初上市。 25. 旺宏：随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，NOR Flash用量提升约50%，存储旺宏订单满手，将在明年第一季度调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成。 26. 摩根大通：台积电N3（3nm）制程产能在2026年前几乎将达上限，即便通过转换旧产线与跨厂协作提升产能，仍将出现明显缺口。目前英伟达、苹果、高通、联发科、亚马逊、Meta与微软等主要客户都已提前锁定N3产能。部分客户为确保交期，已开出高出一般订单50％至100％的“加急单”（hot-run）报价。 27. 思瑞浦：思瑞浦高管在第三季度业绩说明会上表示，公司光模块相关业务前三季度实现快速增长，多家龙头客户份额稳步提升，新客户也已进入放量阶段。公司在光模块应用中已有多款高价值模拟芯片产品实现规模化出货，其中AFE产品技术壁垒高、价值量大，在核心客户中份额持续提升。随着产品从400G向800G逐步升级，并布局更高规格1.6T产品，公司将持续扩展高价值产品线，提升技术竞争力。 28. 英特尔：英特尔晶圆代工业务（IFS）持续低迷，其营收规模远远落后于台积电。根据半导体分析机构SemiAnalysis分析师Sravan Kundojjala的数据，2025年英特尔晶圆代工营收预计1.2亿美元，仅为台积电同期收入的千分之一。 29. ASML：ASML全球执行副总裁、中国区总裁沈波在接受《科创板日报》记者采访时表示，“目前，ASML中国区员工人数已经超过2000人，相较去年有约10%的增长。”谈及未来发展趋势，沈波认为，当AI终端应用扩展到消费、工业等广泛领域，将带来半导体产业的全面发展，但同时AI发展也带来算力和能耗两大挑战。 | 应用端动态 30. 中国电子&中国电科： 中国电科与中国电子两大央企重磅联手，交叉持股下属企业。 31. 小鹏： 小鹏发布新一代人形机器人IRON，目标2026年实现规模量产。 32. SAS：据美国软件公司SAS Institute在北京的一名员工透露，该公司在华运营25年之后，已经完全撤出中国市场，同时解雇了全部400名员工。SAS Institue公司成立于1976年，总部位于美国北卡罗来纳州卡里市，提供数据管理、统计分析、预测建模、数据挖掘、商业智能等全流程解决方案，微软、谷歌、亚马逊、红帽等巨头都是其服务客户。 33. 影石：影石Insta360联合第三方团队推出的影翎Antigravity A1全景无人机，其计算芯片采用地瓜机器人全新一代旭日5智能计算芯片。据了解，该芯片具备10TOPS AI算力，深度优化BEV、3D Occupancy等算法并兼容Transformer模型，可完成端到端全栈计算，提升无人机的避障精度与飞行稳定性。
半导体
芯查查资讯 . 昨天 1 1 2415
还在头疼MCU停产缺货？一键找出“最优替代料”
据Supplyframe预测，全球Top 100 MCU型号中，约有20%面临停产风险。2025年各大原厂也在进行激烈的变革和调整。 图注：芯查查网站截图，下同 面对这些难题，【芯查查】重磅推出“MCU替代料”功能，输入原型号，系统自动匹配多个备选方案。 我们不仅比对引脚，更深度分析： 内核架构、主频、Flash/RAM 外设数量与性能（UART/SPI/IOS/ADC等） 功耗指标、封装形式 为工程师们提供相近竞争力的替代型号 📌 实测推荐： 输入“STM32F031K6T7“，系统快速匹配“MKL02Z32VFG4”。一颗应用定位相似的竞争对手（二者均属Cortex-M0家族，主频与存储相近，M0+能效更优）。美中不足是系统提示相似度53%，两者封装与软件生态不同（如图-使用替代参数对比），建议作为初期备选，结合实际需求评估。 你是否也有MCU替代料查找烦恼，立即搜索您的MCU型号，体验升级版查替代🔍，评论区留下你的体验和建议，更多型号相关可关注我们社区（问型号、问专家，问行情），查芯片，找替代就在芯查查！
芯查查
芯查查 . 昨天 1240
企业 | 三星电子部分存储芯片价格上调 60%
11 月 14 日消息，据路透社报道，两位知情人士透露，三星电子本月大幅上调部分存储芯片价格，较 9 月份涨幅最高达 60%。受全球竞相建设人工智能数据中心推动，此类芯片目前供应紧缺。 上述人士表示，此举紧随这家全球最大的存储芯片制造商决定推迟其 10 月份供应合同定价公告之后；他们补充称，定价细节通常每月公布一次。 这些主要应用于服务器的存储芯片价格飙升，可能进一步加剧大型企业在扩建数据中心基础设施过程中面临的压力，同时也可能推高智能手机、电脑等其他终端产品的制造成本 —— 此类芯片亦被广泛用于上述设备中。 半导体分销商 Fusion Worldwide 总裁托比・贡纳曼（Tobey Gonnerman）表示：“众多头部服务器制造商与数据中心建设商如今已认清现实：他们几乎无法获得足量产品。当前客户所支付的价格溢价已达到极端水平。” 他透露，三星 11 月 32GB DDR5 存储芯片模组的合约价已涨至 239 美元，较 9 月的 149 美元大幅上升。 DDR 存储芯片广泛应用于服务器、电脑及其他设备中，通过临时存储数据并高效管理高速数据传输与读取，显著提升计算性能。 贡纳曼还指出，三星将 16GB DDR5 与 128GB DDR5 芯片价格分别上调约 50%，至 135 美元和 1,194 美元；64GB DDR5 与 96GB DDR5 芯片价格亦上涨逾 30%。 另一名由三星方面通报相关情况的消息人士亦证实了此次涨价，但因信息尚未公开，该人士要求匿名。 三星方面拒绝对此置评。
三星
芯查查资讯 . 2025-11-14 3 4020
技术 | 工业控制无处不在：从PLC到电机的感知—控制—执行闭环解析
在我们的日常生活中，工业控制元素无处不在。工业控制作为自动化技术的核心，其本质是通过对机械、电气系统的精准调控，旨在实现生产流程的无人化与智能化。这一技术看似高深，实则早已融入日常生活。例如，游乐园的设施背后，正是由无数旋转电机与直线电机构成的复杂控制系统。在工程师眼中，过山车的疾驰、旋转木马的律动，本质上都是电机在精密算法下的协同舞蹈。 工业控制系统中核心要素：变频器、伺服电机、步进电机与PLC 在工业控制系统中，变频器、伺服电机、步进电机与PLC构成了核心控制要素。变频器通过调节电机运行频率，实现节能与稳定运行；伺服电机具备高精度闭环控制能力，广泛应用于机器人、机床等高精度场景；步进电机以开环控制为特点，适用于3D打印机等中低精度设备；而PLC作为上层控制单元，负责信号采集与逻辑处理，通过预设程序协调各执行机构的协同动作，共同构建起工业自动化的“神经系统”。 无论是新能源汽车的热管理系统，还是工厂生产线的多轴机械臂，工业控制的核心逻辑始终如一：感知 → 控制 → 执行 → 反馈。纳芯微深耕工业控制领域多年，凭借对信号链、MCU、隔离与驱动等核心环节的深刻理解，构建出从“感知—决策—执行”的完整控制体系，为工业设备提供高精度、高稳定性的系统级解决方案。 PLC与驱动：工业控制的“大脑与神经” 一套完整的工业控制系统宛如同人体，需要“大脑”、“神经”与“肢体”的协同。PLC作为控制“大脑”，负责接收温度传感器、压力开关等输入信号，并通过逻辑编程输出控制指令。 传统PLC依赖大量光耦器件实现信号隔离。纳芯微推出的多通道数字隔离芯片NSI860x（包括四通道的NSI8604和八通道的NSI8608）可将32路光耦集成至单颗芯片，不仅大幅节省了PCB面积，更将信号延迟从微秒级压缩至纳秒级。 NSI8608 PIN脚定义和功能框图 驱动层设备则扮演“神经传导”的角色：变频器通过调节交流电频率改变电机转速，使电梯实现平滑启停；伺服驱动器则需同时处理编码器反馈与多轴协同指令，确保六轴机械臂的复杂轨迹分毫不差；步进驱动器虽结构简单，但其脉冲细分技术可将单步角从1.8°细化至0.007°，足以满足消费电子的精度需求。 从系统架构看，工业控制的层级化特征显著：PLC统筹全局逻辑，驱动器解析具体动作，电机执行物理操作。这种分工在汽车产线中尤为典型——当焊接机器人接收到PLC的“车门焊接”指令后，伺服驱动器需在0.5秒内完成路径规划、电流分配与碰撞检测，最终由电机驱动焊枪以0.01毫米重复精度完成作业。 电机：自动化系统的“心脏” 如果说工业控制是自动化系统的“神经系统”，那么电机便是驱动整个体系运转的“心脏”。根据控制需求的不同，工业电机可分为三大类：控制类电机、功率类电机与信号类电机。 信号类电机——感知与反馈的起点 信号类电机的价值常常被人们低估，却是控制精度的关键保障。以纳芯微磁编码器为例，其核心器件AMR磁头可检测电机转轴的细微角度变化，配合纳芯微的隔离通信芯片，将位置信号无失真地传递至控制器。这种“感知-反馈-修正”的闭环机制，使得现代工业设备能够像人类肌肉一样具备“本体感觉”。 控制类电机——精度与响应的核心 在控制类电机中伺服电机凭借闭环控制与高精度特性，成为工业机器人关节驱动的首选，其内部编码器可实时反馈位置信息，确保机械臂抓取误差小于0.1毫米。纳芯微高精度工业编码器MT6835具有21bit分辨率，可实现光编的高性价比替代。 MT6835 TSSOP-16封装外观图和功能框图 步进电机具有开环控制与低成本优势，它通过脉冲信号实现“步进式”转动，广泛应用于3D打印机等消费级设备。纳芯微差分霍尔磁性角度编码器MT6701、15位磁性角度编码器MT6826s等产品可用于步进电机控制的位置反馈。 左：MT6701（SOP-8和QFN-16 封装）功能框图 右：MT6826s（ TSSOP-16和 QFN4x4-24L封装）功能框图 纳芯微的NS800RT5049实时控制MCU工规版已正式量产，在伺服电机和步进的控制应用中，均能发挥出色的性能，已通过各行业数十家客户的严苛测试与验证，收获了积极正面的市场反馈。 NS800RT5049功能框图 无刷直流电机（BLDC）因低噪音、长寿命的特点，在汽车油泵、散热风扇等场景中占据主导地位。纳芯微的NSUC1610就是一款集成了4路半桥驱动器的ARM MCU，主要用于控制小功率直流电机，可支持驱动直流有刷电机、直流无刷电机、步进电机等，在新能源汽车中广泛使用，包含汽车电子执行器、电子出风口、电子水阀、AGS控制器电子充电小门控制等。纳芯微角度传感器MT6511、霍尔锁存器MT836x等可以实现油泵旋转、移动机构的位置检测等 功率类电机——能量输出的源泉 功率类电机则更强调动力输出，例如交流同步电机驱动的新能源车主驱系统。纳芯微霍尔电流传感器NSM203x、MT951x系列可实现电机母线电流、相电流的精准测量，可在瞬间爆发数百牛米的扭矩，而变频空调中的异步电机则通过变频器调节转速，实现节能30%以上的效果。 NSM203x系列功能表 MT951x系列-MT9519功能框图 针对功率类电机的安全运行需求，纳芯微将于年底推出国内首款 ASIL-D 功能安全驱动 NSI6911F。该产品历经四五年迭代优化，集成 ADC、隔离电源管理、LDO 及自检（BIST）功能，堪称完整的模拟芯片总成，兼具原副边电源管理能力，拥有 19A 快速关断性能与多种安全关断保护策略，内置 12 位高精度 ADC 模块（通过 ASIL-B 认证），且具备过温保护功能，可守护驱动电路免受过热影响。 纳芯微功能安全驱动NSI6911F一览 样品申请 工业控制的本质是系统协同，而不是单点性能。纳芯微凭借在信号链、控制MCU与隔离通信等核心环节的突破，成为国内为数不多具备系统级控制能力的企业之一。从PLC板卡、伺服驱动到终端电机模块，纳芯微产品已在工业控制多个场景批量应用，助力客户提升系统稳定性与控制精度，缩短产品开发周期。
纳芯微
纳芯微电子 . 2025-11-14 725
产品 | 高通发布高通跃龙IQ-X系列：变革工业PC和边缘智能
要点 • 高通跃龙™ IQ-X系列面向下一代工业PC打造，融合行业先进的单线程和多线程计算能力，为在严苛工业环境中运行的系统提供更高效的边缘智能。 • 作为公司首款工业级PC处理器，该系列旨在通过支持Windows系统的可编程逻辑控制器（PLC）、面板式PC和边缘控制器等终端，加速智能制造发展。 • 研华、康佳特、新汉、瑞传科技、SECO赛柯和Tria等龙头OEM厂商将采用IQ-X，商用终端预计将在未来数月推出。 高通技术公司今日宣布推出高通跃龙™ IQ-X系列，旨在面向可编程逻辑控制器（PLC）、高级人机界面（HMI）、边缘控制器、面板式PC和箱式PC提供下一代工业级处理器。该系列专为严苛的工作环境而设计，采用加固封装并提供丰富的外设支持，便于集成各类工业设备并支持跨应用的灵活部署。IQ-X系列还以高能效设计提供丰富的多媒体功能。 高通技术公司汽车、工业及嵌入式物联网事业群总经理Nakul Duggal表示： 凭借高通跃龙IQ‑X系列，我们将Qualcomm Oryon™ CPU业界先进的单线程和多线程性能引入工业PC领域，让工厂车间的边缘控制器具备更强能力并实现更快响应，助力打造更智能的工厂。高通跃龙IQ‑X系列为OEM厂商和ODM厂商提供了一个支持其长期开发的卓越平台，同时降低了复杂性并加快产品上市时间。 助力满足现代工业需求 高通跃龙IQ-X系列旨在满足工业OEM厂商和ODM厂商的严格要求，提供先进的单线程和多线程计算性能、长生命周期支持、先进的安全特性、卓越的连接能力以及行业先进的能效表现。该系列的核心是基于先进4纳米制程工艺定制设计的处理器——Qualcomm Oryon CPU，支持8至12个高性能内核的可扩展配置，以及高达45 TOPS的AI性能。高通跃龙IQ-X系列支持工业级温度范围（-40°C至105°C），适用于严苛的环境下运行。 高通跃龙IQ-X系列支持行业标准COM模块形态，可直接替换现有载板上的模块，并配套提供评估套件，为不同行业细分领域提供可扩展的解决方案。该系列广泛兼容业界使用的标准硬件外设和桥接芯片，为客户体验提供支持。该平台支持在Windows 11 IoT企业版LTSC上运行的一系列行业先进的软件、中间件和应用，包括Qt、CODESYS、EtherCAT等强大的工具，为各类工业应用带来更高的灵活性、性能与集成度。 工业解决方案如今也能通过高通 ® AI软件栈和ONNX、PyTorch等通用runtime，利用NPU运行AI应用。高通跃龙IQ-X系列为工业自动化提供了关键的AI基础设施，能够轻松实现AI模型移植，以及面向预测性维护、状态监测和缺陷检测等关键用例的应用开发。高通跃龙IQ-X系列为工业领域合作伙伴规模化部署智能边缘解决方案奠定了卓越基础。 加快OEM厂商和ODM厂商的产品上市时间 高通跃龙IQ-X系列专为快速定制和可扩展性而设计，在满足严苛系统要求的同时简化设计流程，并通过免去外部AI或多媒体模块来减少物料清单（BOM）。其灵活的架构和长期可用性，使OEM厂商和ODM厂商能够面向工厂自动化、机器人以及智能边缘系统领域打造可配置、高价值的平台，为工厂自动化提供可配置、坚固耐用并具备高性能的平台方案。研华、康佳特、新汉、瑞传科技、SECO赛柯和Tria等龙头OEM厂商将率先采用这一平台，商用终端预计将在未来数月推出。
高通
高通中国 . 2025-11-14 620
应用 | 黑芝麻智能助力川行致远无人车实现安全冗余新突破，华山A1000芯片赋能末端物流智能化
11月11日，智能汽车计算芯片引领者黑芝麻智能宣布，其旗舰产品华山A1000车规级高性能辅助驾驶芯片，成功搭载于德赛西威全新低速无人车品牌 “川行致远”S6 系列，作为副域控核心与主控系统构成 “双脑冗余” 架构，为末端物流无人化运营提供安全保障。 德赛西威将川行致远定位为“专注低速无人配送的可靠解决方案”，通过车规级标准解决城市 “最后一公里” 物流效率问题，安全冗余是其规模化运营的核心支撑。川行致远S6系列采用“双脑冗余”方案，华山A1000芯片作为“安全备份大脑”，实时监控主控系统状态，检测到异常时可快速接管控制权，消除园区、商超、社区等场景的失控风险，保障配送安全。 华山A1000芯片已通过多项权威车规认证，包括ISO 26262 ASIL-B功能安全认证及AEC-Q100 Grade2车规可靠性认证，内置双核锁步安全处理器与独立安全岛；芯片搭载黑芝麻智能自研的DynamAI NN引擎，具备58TOPS高性能算力与低功耗特性，既能支撑多类型传感器数据处理，也能保障关键场景下的实时响应；同时，芯片配备丰富的车规级接口与灵活的计算架构，可实现与系统的高效协同；此外，芯片还具备优异的极端环境适应能力，能够在-40°C~105°C广泛的温度范围内稳定运行，能够全面覆盖的户外、低温仓储等多场景运营需求，为无人配送提供持续可靠的技术支撑。 此次合作，双方将推动华山A1000芯片与川行致远S6的深度落地应用，黑芝麻智能以成熟的芯片技术助力德赛西威川行致远打造 “安全可靠、皮实耐用”的低速无人车产品，提升其在高安全需求场景的竞争力；同时，这也将巩固黑芝麻智能在低速无人配送芯片领域的领先地位，后续公司还将持续为川行致远S6规模化部署提供安全冗余支撑，助力其建立市场优势。黑芝麻智能将持续以技术实力守护无人配送安全，为智慧物流高质量发展注入动力。
黑芝麻智能
黑芝麻智能 . 2025-11-14 865
方案 | 以开放的高速SerDes技术，赋能软件定义汽车多千兆连接：恩智浦迈出重要一步！
随着汽车变得更加智能、更安全且由软件定义，对高速数据传输的需求达到了前所未有的高度。 高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和车载娱乐中控系统依赖于海量实时数据，这些数据需要在传感器、显示器和处理器之间以非对称模式无缝流动，即在一个方向高速传输数据，在另一个方向低速传输。现代汽车配备高分辨率摄像头、激光雷达和雷达，可支持自动驾驶，为乘客提供沉浸式娱乐体验，因此需要超可靠、低延迟的通信协议。 然而，许多高速车辆联网技术往往是专有的。这些专有解决方案将汽车制造商锁定于单一供应商，增加了成本并限制了可扩展性。在这个转型时代，汽车制造商必须最大限度地重复利用每一项开发工作和每一行代码。即使最小的开发工作也会产生成本，并且随着每个新应用的增加而迅速累积。这使得开放、标准化的网络解决方案变得至关重要。采用开放的方法可以降低集成工作量，汽车制造商和一级供应商能够专注于实现差异化创新并加快产品上市进程。 车载数据网络的变革者 为满足这一关键需求，恩智浦收购了Aviva Links，一家旨在改造车辆数据架构的高速非对称网络解决方案知名提供商。该公司的技术与专有网络方法不同，提供开放、标准化且可扩展的解决方案，全面提升各种车辆数据系统的互操作性、安全性和创新。 与将汽车制造商禁锢于特定供应商生态系统的封闭系统不同，ASA Motion Link基于一个开放的网络框架构建，该框架符合由恩智浦参与创立的汽车SerDes联盟 (ASA) 的标准。它具有三大关键优势，是下一代具有高速数据需求和新架构车辆的理想解决方案： 开放、无缝的互操作性：来自多个供应商的ADAS传感器、显示器和ECU可以不受兼容性限制地进行集成。这种开放的方法确保了无缝互操作性，各种组件能够在车辆网络架构内高效地协同工作。多源独立性广受行业支持，提供了供应链韧性。 可扩展性与成本效益：标准化架构可简化开发，降低集成复杂性并减少系统成本。通过采用开放的生态系统或开放框架，汽车制造商可以实现可扩展性，并为其架构选择最具成本效益的解决方案。这种方法有助于简化集成流程，新技术的整合更加轻松，并能有效降低整体研发成本。 增强安全性：Motion Link融合了强大的内置安全功能，以保护关键车辆数据，从而简化构建可靠、安全系统所需的开发工作。安全性内置于链路层，避免在更高层增加开销 (这可能导致系统速度减慢和复杂性增加)。这有助于确保汽车网络内高效、安全的数据传输。 这些全新、先进且高集成度的连接解决方案的推出，将进一步完善我们的汽车网络解决方案，覆盖CAN、LIN、以太网交换机及物理层设备等，同时巩固我们在市场上的地位。Aviva Links团队加入恩智浦后，我们将携手无缝整合Aviva Links在多千兆技术与网络协议领域的深厚专长。 我们的目标是通过提供灵活、面向未来的构建模块，以及可替代具有局限性的专有解决方案的产品，使SDV成为现实。汽车制造商正在积极调整战略，以顺应未来出行朝着更可扩展、高度互联和电气化方向发展的趋势，我们已准备就绪，致力于提供他们所需的灵活网络解决方案，以驱动创新不断向前。
NXP
NXP客栈 . 2025-11-14 870
方案 | 小体积·低功耗·高能效——炬芯科技发布全新CGM连续血糖监测方案
近日，炬芯科技正式发布全新连续血糖监测（CGM, Continuous Glucose Monitoring）方案。该方案以“超低待机电流、极低发射峰值电流、小型化设计”为核心优势，为专业医疗监测及数字健康设备提供小体积、低功耗、高能效的解决方案，为医疗级连续血糖监测系统提供可靠的硬件基础。 随着数字医疗与生理数据监测需求不断发展，传统CGM设备在功耗、体积及无线传输性能上仍面临挑战。炬芯科技凭借在低功耗无线通信与系统级能效管理的深厚积累，推出全新CGM方案，为行业带来兼顾精度与能效的选择。 新一代小体积Bluetooth®LE芯片ATB1119G，在形态设计上，模块直径低至20mm，实现极致小型化设计，为智能穿戴终端提供轻量化和紧凑集成的基础。核心芯片基于炬芯自研的低功耗Bluetooth®LE架构与低功耗模拟前端（AFE）适配，在数据采集与无线传输过程中实现极高能效比，显著降低整机功耗与峰值电流，满足医疗穿戴设备对小体积、低功耗、高能效的多重需求。 技术亮点 极致小型化设计：3x3mm 超小封装兼顾轻量化与高集成度，为医疗智能穿戴终端带来更灵活的空间设计。 高效协同供电架构：使用一次性纽扣电池（CR920）供电，方便用户维护操作。由Bluetooth®LE主芯片为AFE供电，凭借其低漏电优势精准管理功耗。 超低待机功耗：ATB1119G 运输模式电流低至10nA、Bluetooth®LE保持连接电流低至6uA，有效延长运输与存储时长。 凭借这一系列低功耗设计，炬芯科技CGM方案可在更小体积、更长续航的条件下支持多通道生理信号采集及实时数据传输，为专业医疗设备等提供高可靠性的硬件基础。 炬芯科技穿戴与感知事业部产品经理陶永耀表示：“在智能穿戴与健康监测领域，功耗和体积始终是产品创新的核心命题。炬芯科技将持续以自研架构和系统优化能力为核心驱动力，为客户打造更高效、更灵活的低功耗解决方案，加速多场景终端的智能化升级。” 作为国内领先的低功耗AIoT芯片设计企业，炬芯科技正不断拓展其技术版图，从智能音频到智能穿戴，从无线连接到健康感知。此次CGM连续监测方案的推出，标志着炬芯科技在智能穿戴低功耗应用方向又迈出重要一步，为行业客户提供更具竞争力的CGM连续血糖监测方案。 人工智能时代，炬芯科技基于存内计算技术路径踏出了打造端侧AI大算力第一步，推出CPU+DSP+NPU三核异构的端侧AI芯片平台，提供低功耗、大算力、高能效比、高集成度和高安全性的端侧 AIoT 芯片产品，推动 AI 技术在端侧设备上的融合应用，助力端侧AI生态健康、快速发展。
炬芯科技
炬芯科技 . 2025-11-14 1 1875
产品丨瑞萨电子推出行业首创第六代DDR5寄存时钟驱动器，以9600MT/s的传输速率树立AI服务器性能新标杆
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出业界首款面向DDR5寄存双列直插式内存模块（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存时钟驱动器（RCD）。这款全新RCD率先实现了9600兆传输/秒（MT/s）的数据速率，超越当前行业标准。与瑞萨第五代（Gen5）RCD 8800MT/s的性能相比，本次突破实现了大幅提升，为数据中心服务器的内存接口性能树立了全新标杆。 瑞萨第六代DDR5 RCD的关键特性 带宽较瑞萨第五代RCD提升10%（9600MT/s vs 8800MT/s） 向后兼容第五代平台：提供无缝升级路径 增强信号完整性与能效：支持AI、HPC，及LLM工作负载 扩展的决策反馈均衡架构：提供八个Taps和1.5mV精度的电压调整，实现卓越的裕量调谐 决策引擎信号遥测与裕量调节（DESTM）：改进系统级诊断功能可提供实时信号质量指示、裕量可视化以及诊断反馈，以支持更高速度运行 新型DDR5 RDIMM旨在满足人工智能（AI）、高性能计算（HPC），及其它数据中心应用对带宽日益增长的需求。瑞萨在新型RDIMM的设计、开发与部署过程中发挥关键作用，协同包括CPU和内存供应商等在内的行业领军企业，及终端客户开展了深度合作。凭借在信号完整性与功耗优化领域的深厚积淀，瑞萨已位于DDR5 RCD领域的前沿。 Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示：“生成式AI的爆发式增长推动了系统芯片核心数量的激增，进而将内存带宽与容量的需求推向前所未有的高度，成为数据中心性能的关键驱动力。第六代DDR5寄存时钟驱动器充分彰显出瑞萨致力于内存接口创新、开拓前沿技术，并提供满足市场需求解决方案的坚定承诺。” Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示：“三星与瑞萨在多代内存接口组件领域保持着紧密合作，包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的认证。如今，我们很高兴将Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中，覆盖多个SoC平台，以满足AI、HPC，及其它内存密集型工作负载日益增长的需求。” 供货信息 RRG5006x第六代RCD专为满足下一代服务器平台的严苛要求而设计，具备卓越的性能、可靠性，与可扩展性。目前，瑞萨已开始向包括所有主流DRAM供应商在内的特定客户开放全新RRG5006x RCD样品，预计于2027年上半年启动量产。
瑞萨电子
Renesas瑞萨电子 . 2025-11-14 655
企业 | 荷兰安世仍未向中国安世供应晶圆
据英国《金融时报》11月12日报道，欧盟官员们警告说，尽管中方恢复芯片出口，但欧洲汽车制造商和其他工业公司仍继续面临“毁灭性”的芯片短缺，这可能会在数周内导致全球生产线停工。 安世生产的基础汽车芯片广泛用于汽车电子系统，控制从照明和安全气囊系统到车锁和车窗等设备。 这些关键部件在英国、荷兰和德国生产，后被送往中国子公司进行组装，然后再出口。 据欧洲汽车行业官员透露，安世（荷兰）仍没有向安世（中国）供应晶圆。 一名欧洲汽车行业高管表示，该行业仍处于“非常具有挑战性的”境地，问题现在源于安世（荷兰）与安世（中国）之间的紧张关系。 一家汽车制造商的高管表示，中国工厂虽然有一些晶圆库存，“但如果无法从德国和欧盟获得晶圆，库存将会耗尽”，并补充说，该公司仅剩几周的芯片供应。该高管呼吁安世（荷兰）尽快恢复供应，并称“现在发生的事情令人费解，会对数百个行业造成毁灭性后果”。 为避免全球范围内的芯片短缺，汽车制造商正在争分夺秒。这名高管表示：“我们的团队正夜以继日地寻找替代来源。我们可能还有几周的供应，但需要迅速解决这个问题。” 代表欧盟汽车制造商的欧洲汽车制造商协会（ACEA）表示：“我们欢迎中国予以豁免。但只要（安世荷兰）对中国工厂的晶圆出口存在限制，我们就无法获得足够的芯片来满足全球需求。我们正朝着正确的方向前进，但问题尚未解决。” 德国大众汽车方面同样表示，情况仍“处于不确定状态”。该公司称，芯片短缺目前“对大众在德国的车辆制造工厂的生产没有影响”，但无法完全排除未来的中断。 据一名欧盟官员称，中国工厂的供应预计可维持到12月初至中旬，虽然当前情况仍不稳定，但安世（中国）正在尝试寻找替代晶圆来源。为避免大规模供应链中断，中国工厂还可能放缓生产速度。 香港《南华早报》3日曾报道，尽管来自欧洲的晶圆供应可能受阻，安世（中国）仍有望为国内半导体供应链的客户交付产品。根据来自工业咨询公司“智能汽车”的一份报告，包括无锡新洁能功率半导体有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司和扬州扬杰电子科技股份有限公司在内的多家中国晶圆厂，都能够向总部位于东莞的安世中国供应晶圆。 目前，安世半导体在德国和英国的工厂生产半导体晶圆，再送往中国进行封装和测试，约80%的最终产品都在中国完成。而实际上，这场全球芯片供应危机，完全由荷兰政府引发。 10月14日，阿姆斯特丹上诉法院公开的法庭文件显示，早在今年6月，美国官员就已向荷兰表明立场——若安世半导体想从美国新变化的“实体清单”中获得豁免，其中国籍CEO“必须被替换”。 10月30日，商务部表示，美方将暂停实施其9月29日公布的出口管制50%穿透性规则一年，中方将暂停实施10月9日公布的相关出口管制等措施一年，并将研究细化具体方案。 美国对“50%穿透性规则”按下暂停键后，之前追随美方脚步抢占安世半导体的荷兰处境相当尴尬。 香港大学地缘政治分析师、亚洲全球研究院院士塞巴斯蒂安·孔廷·特里略-菲格罗亚直言，“海牙方面此前的行动看似出于必要，但特朗普的一句话就让这种所谓‘必要性’不复存在……荷兰正面临着法律一致性、政治可信度以及产业存续的多重复杂困境。” 11月4日，商务部新闻发言人称，安世（荷兰）10月26日宣布停止向安世（中国）供应晶圆，导致后者无法正常生产，造成了全球半导体产供链的动荡和混乱。对此，荷方应承担全部责任。 11月11日，商务部部长王文涛应约与德国联邦经济和能源部部长赖歇举行视频会谈。 王文涛重申，要确保全球半导体供应链长期稳定，需要荷方展示出建设性态度和实际行动。希望德方发挥积极作用，敦促荷政府尽快采取实际行动，纠正错误做法，撤销相关措施，推动问题早日解决。
安世
电子技术应用ChinaAET . 2025-11-13 2 7050