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纳祥科技NX8406，抗干扰能力强的光纤发射数字光纤发射器

数字音频接口发射器，特别是采用光纤同轴传输技术的发射器，是一种将数字音频信号高效传输的设备，具有抗干扰能力强、传输距离远、音质损失小等优点。纳祥科技数字音频发射芯片NX8406，是一款功能强大的192 khz数字音频接口发射器（光纤同轴发射），其设计旨在满足多种音频格式的需求，兼容性好，芯片可以在外持模拟转数字芯片5340/同时外持74HC04D+24.576MHZ，晶体做主时钟芯片就能实现数字发射机功能。在性能上，NX8406可以国产替代CS8406。（一）NX8406主要特性 ①支持完整的EIAJ CP1201/ IEC-60958、AES3、 S/PDIF兼容发射机 ②支持灵活的3线串行数字音频输入端口 ③支持微控制器写访问通道状态和用户位数据芯片上的微分线驱动器 ④支持独立工作模式，允许使用没有微控制器 ⑤支持芯片上的通道状态和用户位缓冲区存储器允许块大小更新 ⑥支持生成CRC代码和奇偶校验位 ▲NX8406框架图（二）NX8406核心优势 NX8406是 COMS 0.18工艺，它根据AES3、IEC60958、S/PDIF、EIAJ/192khz数字音频接口发射机/+3.3 V或5.0 V数字电源（VD）/+3.3 V或5.0 V数字接口（VL）CP1201标准对音频数据进行编码和传输。 NX8406具备高效音频信号处理与数据传输能力，接收音频和数字数据后进行多路复用、编码并驱动至电缆。音频数据通过三线输入端口输入，信道状态和用户位数据经SPI™或I²C微控制器端口输入，可在无外部缓冲器情况下更新数据块，增强传输灵活性。同时，NX8406以TSSOP28封装，体积小巧、成本低且易操作，确保性能稳定，适用于音频/视频发送器、多媒体扬声器、汽车音响系统和机顶盒等消费及专业领域。 ▲NX8406封装展示（三）NX8406案例应用目前，NX8406凭借先进数字信号处理技术，实现高音质、低失真和低功耗传输，确保音频设备在各种环境下表现优异，保障高品质音频体验，被广泛应用于HIFI音响、高解析度DAP、卡拉OK、汽车及家庭影院等高端电子产品。 ▲NX8406应用展示

光纤同轴发射

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-02-11 1 6855
揭秘高压4056H：高压充电 IC 的实力担当

揭秘朗瑞 LR5112E：高压充电 IC 的实力担当、兼容L*4068、C*4056H、M*4056S市面火热产品在充电芯片领域，LR5112E 作为一款充电高压 IC，凭借卓越性能备受瞩目。 LR5112E 采用 ESOP8 封装，FAE 实测数据彰显其强大实力。耐压方面表现惊人，可承受 50V 高压，这意味着在复杂多变的电源环境中，它能稳定工作，有效抵御高电压冲击，保障充电系统安全。30V 热拔插特性也十分突出，即使在带电插拔的情况下，也能保持良好性能，减少因操作不当引发的故障风险。其充电能力同样出色，充电电流可达 1200ma，能为设备快速补充电量，满足用户对充电速度的需求。并且，该芯片带有 OVP（过压保护）功能，就像给电路和电池配备了一位忠诚的 “安全卫士”，一旦电压超过安全范围，会迅速启动保护机制，防止过压对元件造成损害。 LR5112E 的拥有 5 个脚高耐压设计使其具备高度兼容性，能够适配市面上所有高压充电场景。无论是各类移动设备、便携式电子产品，还是其他对充电有高压要求的装置，它都能完美胜任，为产品充电提供可靠保障。 LR5112E 以其出色的耐压、热拔插、充电及保护等性能，以及广泛的兼容性，成为高压充电 IC 领域的一颗闪耀之星，为众多电子产品的充电解决方案增添了强大助力。

个人创作 . 2025-02-11 6880
携手并进，共筑绿色未来 | 爱普生荣获阳光电源ESG最佳实践奖

盛会聚焦，共探供应链发展之路 2025 年 1 月 9 日，阳光电源诚邀全球 600 余位合作伙伴齐聚阳光大厦，召开了一场意义非凡的大会。此次大会以 “创新质领共享共赢全球协同” 为主题，旨在共同探寻变革浪潮下供应链可持续发展的前行方向。在当前复杂多变的市场环境与全球能源转型的关键时期，这样的交流与探讨显得尤为重要，为行业的未来发展提供了宝贵的思路与方向。长期合作，爱普生技术赋能光伏爱普生与阳光电源保持着长期且稳固的合作关系。在阳光电源的光伏逆变器产品中，爱普生的实时时钟（RTC）得到了广泛应用。爱普生的实时时钟（RTC）具有诸多显著优势，其高精确性确保了时间的精准记录，即使在复杂多变的环境下，也能为设备提供稳定可靠的时间基准。而高稳定性使其能够适应各种恶劣条件，尤其是面对光伏逆变器常处于的户外复杂环境，无论是酷热的夏日，还是严寒的冬季，甚至在温差极大的情况下，爱普生的实时时钟（RTC）都能稳定运行，保证时间的精准度。这一特性对于光伏逆变器这种长期在户外使用的设备而言至关重要，为光伏逆变器的稳定运行与高效工作提供了坚实保障。荣耀时刻，爱普生斩获 ESG 大奖在此次阳光电源全球合作伙伴大会上，爱普生凭借在 ESG 领域的突出表现，荣获了阳光电源颁发的 ESG 最佳实践奖。这一奖项不仅是对爱普生与阳光电源合作成果的高度认可，更是对爱普生在可持续发展道路上不懈努力的肯定。爱普生始终坚定地将绿色理念融入到企业运营的每一个环节，从绿色承诺到绿色行动，都展现出了强大的执行力与责任感。在与阳光电源的合作过程中，爱普生积极配合，扎实推进 ESG 管理落地。绿色行动，爱普生的可持续发展在可持续发展的道路上，爱普生始终积极作为，以实际行动践行着对绿色未来的承诺。除了在与阳光电源的合作中展现出卓越的 ESG 实践成果外，爱普生在自身的生产运营、产品研发等多个环节都融入了绿色理念。在生产制造方面，爱普生积极推动能源转型，截至 2024 年 1 月，爱普生集团全球所有工厂已完成向 100% 可再生电力的转型，这一举措预计每年可减少约 40 万吨二氧化碳排放。展望未来，深化合作共创辉煌此次荣获阳光电源 ESG 最佳实践奖，是爱普生与阳光电源合作历程中的一座重要里程碑，更是双方迈向未来深化合作的坚实起点。未来，爱普生将继续秉持可持续发展的理念，与阳光电源在更多领域、更深层次开展紧密合作。双方将携手加大在技术创新方面的投入，不断优化产品性能，提升产品的环保标准，为全球客户提供更加优质、高效、绿色的产品与解决方案。爱普生也将持续发挥自身在电子元器件领域的技术专长，为阳光电源的光伏及储能等业务提供更强大的技术支持，共同推动行业的技术进步与可持续发展。相信在双方的共同努力下，定能为全球能源转型与可持续发展贡献更多的力量，共创更加美好的未来。

爱普生官方 . 2025-02-11 6905
台积电16/14nm新政策对中国半导体行业的影响

事件回顾美国当地时间2025年1月15日，美国商务部工业与安全局（BIS）出台了新的出口管制法规（EAR），要求前段半导体制造工厂和外包半导体封装与测试厂商（OSAT）对使用“16/14nm节点”或以下先进制程节点的芯片进行更多尽职调查程序。该出口管制新规在正式公布15天后，即北京时间2025年1月31日正式生效。据外媒2月7日报道，近日台积电已经向很多中国IC芯片设计公司发出了正式通知，16/14nm工艺也将严格限制使用。具体的措施是，从2025年1月31日起，如果客户的16/14nm及以下工艺的相关产品，不在BIS白名单中的“Approved OSAT”进行封装，而且台积电没有收到该封装厂的认证签署副本，这些产品将被暂停发货。很明显，台积电此次的举措是在配合美国1月份公布的最新出口管制法规。根据BIS公布的最新清单，获得批准的OSAT白名单共有24家企业，包括美国厂商安靠（Amkor）、格罗方德（GlobalFoundries）、英特尔、IBM等；中国台湾厂商台积电、日月光控股、联电、力成、全智、瑞峰半导体、矽格、欣铨、以及微矽电子；再加上韩国的三星电子等厂商。目前，多家受影响的IC设计公司都确认消息属实，确实需要将规定内的芯片，转移至美国BIS批准的封测厂进行封装。此外，还有部分中国IC设计公司被要求，将部分敏感订单的流片、生产、封装、测试全部外包，而且在整个生产流程中，IC设计公司本身不能进行任何干预。对中国半导体行业的影响中国IC设计公司在台积电流片的产品，有些是在位于中国境内的中国台湾封测厂进行封装的，比如日月光中国厂等；有些是在中国境外的封测厂进行封测，比如安靠，韩国的封测厂等；也有些是在中国本地封装厂进行封测的。本次台积电出台的限制措施，简单来说就是，中国IC设计公司的16/14nm及以下的芯片，只要是在中国境内的封装厂进行封测的，全部都暂停发货，即使是日月光、矽品等的中国境内封装厂也不行，必须要在美国BIS白名单上的封装厂才可以，这些封装厂全部都在中国境外。从短期来看，中国IC设计公司的产品发货一定会受影响，延迟出货是必然的，还会造成成本的增加。因为如果中国IC设计公司的16/14nm芯片是在台积电流片，但在中国境内封装的，此时就必须赶快找境外封装厂进行转单。但芯片封测转单不是今天说转，明天就能转过去的，需要考虑许多问题，比如，境外的封装厂愿不愿意接单？产能如何重新配置？产品的良率，认证等一系列的问题。这一系列程序走下来，国内IC设计公司的产品交货时间必然受到影响，甚至会造成成本的增加。中长期来看，在过去三年里，美国一直都在稳步采取措施，限制我国获取先进计算机芯片的能力，特别是AI芯片的获取能力。美国的目的很明显，就是要延缓我国在研发先进AI模型上的进步速度。但就算美国严格限制，中国在AI模型方面依然取得了不少的进步，比如DeepSeek最近几周发布的AI大模型产品引起了全球关注，这让美国的面子有点挂不住。因此，可以预见的是美国接下来可能会出台更加严格的芯片管制措施，进一步控制我国获得AI芯片的能力。现在在美国的压力下，台积电出台新的措施，目的就是让所有16/14nm以下芯片从前段到后段的生产过程都要透明化，甚至不让中国客户插手和过问，就是为了防止利用白手套策略采购芯片。台积电只是第一家，后面三星，英特尔等其他晶圆代工厂商可能也会出台类似的措施。这可能是我国先进工艺上的重要事件，这几年我国一直在高科技领域大量投入，特别是在先进工艺上投入很大，目的就是为了摆脱美国的限制。但如果我国16/14nm产品如果按照台积电的新限制，从投片、生产、封装、测试全部委外，将中国本地生产商隔绝，中国距离一直想要做到的半导体自主可控目标会越来越远。因此，这必然会倒逼我国半导体产业加快自主研发和国产替代的步伐。一方面，我国晶圆厂、封装测试厂将迎来发展机遇，加快加大16/14nm工艺技术的研发，争取早日达到自主可控的目标。另一方面，IC设计公司也将加大研发投入，探索更先进的芯片设计技术，减少对国外先进工艺和封装的依赖，就像春节期间的DeepSeek事件一样，穷则变，变则通。芯查查观点： 1.影响产品领域：16/14纳米以下的芯片因其先进的工艺技术，拥有更高的性能与能效比，智能手机、数据中心、自动驾驶汽车、高性能计算（HPC）、物联网（IoT），都是必须使用14nm以下芯片的领域。 2.短期应对策略：加大囤货量，尽量减少欠料缺口，同时与客户做好沟通，争取调整计划的时间，减少产品和客户的丢失。 3.长期应对策略：企业需要快速调整战略，寻找新的合作伙伴或技术突破路径,面对断供，中国企业可以采取多种应对措施，如转向算力租赁平台、加强与国内代工厂的合作，转单与已获得美国商务部批准的封装测试企业合作，确保产品能够顺利封装和测试。

台积电

芯查查资讯 . 2025-02-10 2 8 5715
飞腾派部署DeepSeek-r1:1.5b模型！轻松拥有专属智能AI！

飞腾派部署DeepSeek-r1:1.5b模型　　最近DeepSeek爆火，成功吸引了大众的目光，也让大家对国产AI的关注度持续攀升，DeepSeek作为国产AI领域的杰出代表之一。它不仅在语言理解、文本生成、知识问答等任务上表现出色，还具备强大的学习能力和适应性，能够快速适应多种应用场景。而飞腾派作为一款国产自主可控的开源硬件，凭借其高性能和灵活的开发环境，同样是众多开发者探索创新的选择。今天就给大家分享一个在飞腾派上部署DeepSeek-r1:1.5b模型的教程，让我们一起体验国产AI智能发展带来的无限可能吧！一、安装ollama 为了让大家更高效地完成部署，我们提供了ollama的离线安装包和在线安装两种方法方法一：在线下载，只需要输入下载指令即可进行在线安装。 curl -fsSL https://ollama.com/install.sh | sh 方法二：离线安装包，在⽹盘中下载 ollama-linux-arm64.tgz ，解压到指定路径 sudo tar -xzvf ollama-linux-arm64.tgz -C /usr/ 网盘链接 : https://pan.baidu.com/s/1A1laIfddL8PzLJq-2i6o4A 提取码 : 5x4r 二、配置服务器配置组 sudo useradd -r -s /bin/false -m -d /usr/share/ollama ollama sudo usermod -a -G ollama $(whoami) 创建服务，使⽤ vim 创建 /etc/systemd/system/ollama.service 并加⼊以下内容 [Unit] Description=Ollama Service After=network-online.target [Service] ExecStart=/usr/bin/ollama serve User=ollama Group=ollama Restart=always RestartSec=3 [Install] WantedBy=default.target 启动服务器 sudo systemctl daemon-reload sudo systemctl enable ollama sudo systemctl restart ollama 查看 ollama 服务，可以看到已经正常启动三、运⾏deepseek-r1:1.5b 首次运行deepseek-r1:1.5b，会自动在线下载模型。 ollama run deepseek-r1:1.5b 由于近期DeepSeek太火爆，在线下载过于拥堵可能会出现失败的情况，可从网盘中下载模型，解压到 /usr/share/ollama/.ollama/models/ sudo tar -xzvf models.tar.gz -C /usr/share/ollama/.ollama 网盘链接 : https://pan.baidu.com/s/1A1laIfddL8PzLJq-2i6o4A 提取码 : 5x4r 下载成功后，再次输入启动指令 ollama run deepseek-r1:1.5b 部署成功!尝试提问测试回答正确！飞腾派成功运行DeeSeek模型啦！现在大家可以充分利用飞腾派硬件优势，持续培训 DeepSeek，挖掘模型的更多潜力，探索更多创意应用，期待大家创造出精彩的成果！

deepseek

iCEasy商城 . 2025-02-10 1880
“域”见48V——整车低压48V电网架构趋势及影响

自1960年代以来，汽车的低压电网一直采用12V电气系统，沿用至今。特斯拉在2023年底发布的Cybertruck首先采用了48V低压电网架构，取消了12V电池，并宣称后续车型都会往48V演进，将48V带入大众视野。究其原因，还是因为辅助驾驶(更多的传感、冗余备份)，线控底盘及“移动生活空间”相关的信息娱乐舒适功能(冰箱、彩电、沙发、主动悬架等)的应用，车辆平均功耗逐年增加(图1)。从配电角度看，提高低压电源的电压势在必行，否则传统12V电网很快就会到达极限的3kW-4kW，无法满足相关应用需求。图1：低压电网功率需求演进图（引自博世电网白皮书:为未来移动出行升级下一代整车电网【Powernets】) 成本及演进方式分析 48V系统有众多好处，不仅可以提高低压电网的整体功耗，实现更多的大功率功能应用，还能帮助整车节省线束线径、减重和提升整车效率，从而带来一定程度降本。但当前48V产业链不成熟，可用的芯片主要集中在电源、驱动、配电等方面，芯片种类有限。芯片和负载可用性较低，短期内对整车技术和成本的挑战较大。图2基于某中端车型进行了成本预估。假设该车型使用混合配电架构，即一级配电使用传统保险，二级配电通过区域控制器实现电子配电。同时该车上大部分50W以上低压负载从12V升级为48V，其余保持12V不变。可以看出，短期内整车成本增加较多。图2 48V整车短期成本增加长远来看，48V零部件的成本会逐渐降低，整车整体的成本也会相应下降，但这也并不意味着所有负载都需要变成48V。对于部分低功率负载，通过转换成48V减少线束成本和提高效率带来的收益并不明显，因此可以仅将带来较大收益的负载变为48V，其余负载维持12V不变，通过内部电压转换实现驱动。所以在不同的阶段，基于48V芯片和负载的可用性情况，相应的电网形态会有所不同，如图3所示。图3 48V低压电网演进方式示例总的来说，对于不同的车型，48V并不一定是优于12V的解决方案，须明确相应车型电网架构变更的真正驱动力，才能带来更好的商业收益。影响分析转换成48V对传统控制器、执行器影响较大，图4以联合电子批产的某个区域控制器为例进行了相关分析。假设该区域控制器驱动/配电端50W(电流>4A)以上的主要负载都转换成48V，结构设计、材料选型、实验测试、工厂生产整个开发生产环节都需要更新升级，导致开发和生产成本增加，相应的变更及影响如下：图4 48V区域控制器示例硬件层面的电源转换、驱动和通信等芯片需要升级，同时需要增加内部48V/12V DCDC及考虑电压隔离和散热设计；软件层面，对应的电源芯片、 I/O驱动需要重新开发，相应的基础诊断、通信代码需要适配，48V转12V DC/DC软件需要重新开发；结构方面，外壳和连接器需重新考虑耐腐蚀和爬电间距重新设计，此外外壳可能需要升级成金属；实验方面，EMC、电性能和耐久均有差异，相应的实验负载箱及测试设备需升级；工厂的刷新和测试工位的供电设备需要升级。对于48V控制器，联合电子在48V轻混车上拥有丰富的开发、验证及批产经验(MHEV 48/12V DCDC, 48V BMS)。面对新架构下的48V其他产品需求，也有着丰富的系统、软件、硬件技术储备，能够为客户提供高效解决方案，加速48V产品在新架构中的可靠落地与规模化应用。目前联合电子已拥有区域控制器ZECU，智能电网管理模块PNG，车载计算平台VCP等产品。图5 48V区域控制器

联合电子

联合电子 . 2025-02-10 1445
市场周讯 | DeepSeek大模型横空出世；台积电再限大陆IC企业；软银投资400亿美元OpenAI，成后者最大股东

| 政策速览 1. 美国&日本：美国总统唐纳德·特朗普和日本首相石破茂将讨论加大外国在美国的，包括国防、人工智能、半导体和网络安全方面的合作。 2. 重庆：2025年，协同推进提升3大主导产业、3大支柱产业、6大特色优势产业规模效益和竞争力。加快打造智能网联新能源汽车之都，不断提升问界、阿维塔、深蓝、启源等品牌的影响力和市占率，引育并举进一步完善零部件产业生态。大力发展AI手机、AIPC等高值产品，推动服务器、化合物半导体、平板显示产能释放，积极培育具身机器人产品，巩固世界级智能终端制造基地地位。谱系化、集成化发展工业母机、动力装备、农机装备、工程机械等智能装备及智能制造产业。迭代软件和信息服务业“满天星”行动计划，积极培育“北斗星”“启明星”和超大型软件企业。聚焦低空经济、人工智能等领域，加快布局未来产业。 3. 广东：中共广东省委办公厅、广东省人民政府办公厅印发《广东省建设现代化产业体系2025年行动计划》，强化关键核心技术攻关。积极实施制造业重点产业链高质量发展行动计划，构建全过程创新链，推动全链条技术攻关和成果应用。深入实施“广东强芯”、“璀璨行动”、核心软件攻关、汽车芯片应用牵引工程等重大科技工程，在关键材料、器件、软件、装备等方面取得突破性成果。加快启动布局人形机器人、低空经济、商业航天等重点领域研发项目。 4. 日本：日本政府宣布拟对十余种半导体相关物项实施出口管制，并将多家中国企业列入“最终用户清单”等。这些管制措施可能包括限制半导体制造设备的出口，如极紫外（EUV）相关产品的制造设备，以及可立体堆叠存储元件的蚀刻设备等。 | 市场动态 5. Gartner：2024年全球半导体行业营收达到6260亿美元，同比增长18.1%。三星超越英特尔，重新夺回全球半导体市场的头把交椅。 6. Voronoi：全球数据中心的总数已达到11,800座。其中，美国占据全球总数的45.6%，成为拥有资料中心最多的国家，德国和英国紧随其后，各占据4.4%。 7. SIA：2024年全球实现6276亿美元的半导体销售额，这一水平较2023年增长19.1%，也是首度突破六千亿美元大关。SIA认为今年全球半导体销售额将再度录得两位数百分比的增长。 8. CounterPoint：预计晶圆代工行业将在2025年实现20%的营收增长，主要受益于强劲的AI需求，，同时非AI半导体应用也在逐步复苏。先进制程（如3nm和5/4nm）的产能利用率在2025年将保持强劲，而成熟制程的利用率恢复较为缓慢。预计2025至2028年，行业的营收年复合增长率将稳定在13%至15%之间。 | 上游厂商动态 9. Cadence：Cadence收购领先的嵌入式安全 IP 平台提供商 Secure-IC。Secure-IC嵌入式安全 IP、安全解决方案、安全评估工具和服务组合将增强 Cadence 快速扩展的尖端、经过硅验证的 IP 产品组合，包括接口、内存、AI/ML 和 DSP 解决方案。 10. NXP：NXP第四季度营收31.1亿美元，同比下降9%，略高于指引范围的中点；毛利率为53.9%。2024年全年营收126.1亿美元，同比下降5%；毛利率为56.4%。 11. Microchip：前总裁 Victor Peng 将于 2025 年 2 月 10 日起加入Microchip董事会。 12. AMD：在本季度向主要客户提供MI350样品芯片，并计划在年中开始发货。MI400芯片按计划将于2026年推出。公司预计PC处理器销售将比整体PC市场增长更快。 13. Melexis：在2024年全年实现了9.328亿欧元的销售额，较上年下降3%。在财务表现方面，总毛收入达到4.014亿欧元，占销售额的43.0%，较去年下降9%。在费用控制方面，研发费用占销售额的11.8%，一般行政费用占5.5%，销售费用占2.1%。 14. 台积电：面对美国可能加征的芯片关税及不断增加的生产成本，台积电2025年先进制程报价涨幅将恐由原本预计5%~10%调高至15%以上。此外，台积电未来5年先进封装CoWoS产能规划未有太大修正，预计2025年台积电CoWoS月产能达7.5万-8万片，预期2028、2029年大增至15万片。 15. 台积电：台积电向一大批中国大陆的 IC 设计公司发出正式通知：从 2025 年 1 月 31 日起，若16/14 纳米及以下的相关产品未在 BIS 白名单中的 “approved OSAT” 进行封装，且台积电未收到来自该封装厂的认证签署副本，这些的产品发货将被暂停。一些中国大陆 IC 设计公司还被要求将部分敏感订单的流片、生产、封装和测试全部外包，并且IC设计公司在整个生产流程中不能进行干预。 16. 三星：三星电子正在为Exynos 2600投入大量资源，以确保其按时量产。三星电子2nm工艺（SF2）取得了高于预期的初始良率，在Exynos 2600的试生产中良率约为30%左右。 17. Innoviz：激光雷达传感器和感知软件的公司Innoviz Technologies宣布裁员9%，届时公司将剩下 350 名员工。在2024年1月底，Innoviz就曾裁员 13%。该公司在年初就 Innoviz 的感知软件和NVIDIA签署合作协议。 18. MTK：联发科智能手机旗舰芯片2024年营收实现双倍成长，贡献约20亿美元；与英伟达共同设计的高端智能座舱方案预计将在今年送样。 19. 黑芝麻智能：有市场消息传出，比亚迪已采用黑芝麻智能车规级自动驾驶计算芯片，搭载车型为比亚迪旗下的腾势品牌。 20. Rapidus：Rapidus的首座晶圆厂IIM-1建设进展顺利，已安装了两百余台设备。Rapidus的2nm GAA制程试产将于2025年4月1日启动。 21. 中科院：我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。 22. ST：意法半导体考虑裁员2000-3000人。 23. ASML：ASML公布第四季度订单额为70.9亿欧元，远超分析师所得的平均预估35.3亿欧元。 24. 印度：第一块“印度制造”芯片将于今年推出，预计于八月或九月问世，将采用28nm工艺制造。印度首个半导体制造厂将于2026年上线。 25. 西部数据：NAND Flash厂商西部数据公司日前已正式通知客户，将减产15%，以缩减库存。 26. 瑞萨：2024年营收约89.02亿美元，同比下滑 8.2%；营业利润锐减 42.9% 至 14.72亿美元。其营收下降主要是因为需求疲软导致工业、基础设施和物联网业务的收入减少；而营业利润的大幅下跌同收入下降和由此导致的工厂利用率下降和产品组合疲软有关，研发费用增加等也是因素之一。 | 应用端动态 27. Deepseek：DeepSeek-V3在预训练阶段仅用2048块H800 GPU训练了2个月，且只花费557.6万美元，最终的成品在基准测试中已能比肩各家科技巨头的大模型表现。 28. SSI：OpenAI 前首席科学家伊利亚・苏茨克维（Ilya Sutskever）去年创立的人工智能初创公司 Safe Superintelligence（SSI）正与投资方洽谈融资，估值或将达到 200 亿美元（约 1458.79 亿元人民币），较去年 9 月的 50 亿美元增长四倍。 29. 大众：大众汽车集团西班牙子公司西雅特（SEAT）CEO表示，如果欧盟在今年 3 月底前不降低对大众品牌在中国制造的电动汽车征收的关税，西雅特将被迫减产并裁员约 1500 人。 30. 软银：软银即将完成对 OpenAI 的 400 亿美元主要投资，投前估值为 2600 亿美元。这意味着软银将超越微软成为 OpenAI 的最大投资方， OpenAI 的投后估值为 3000 亿美元，第一笔付款最快将于春季支付。

半导体

芯查查资讯 . 2025-02-10 1 15 6100
毫米波雷达 | 超百亿美元的毫米波雷达都用在了哪里？

重点内容速览： 1. 毫米波雷达在自动驾驶中的应用 2. 毫米波雷达在安防与监控领域的应用 3. 毫米波雷达在无人机中的应用 4. 毫米波雷达在工业自动化中的应用 5. 毫米波雷达在智能家居中的应用毫米波雷达作为一种利用毫米波频段电磁波进行探测和测量的先进技术，凭借其高分辨率、小体积，以及卓越的抗干扰能力，逐渐成为多个领域的关键技术之一。无论是在汽车自动驾驶、智能交通管理，还是无人机避障、工业自动化、智能家居，以及安防监控中，毫米波雷达都展现出了不可替代的重要作用。据QYResearch调研显示，2023年全球毫米波雷达技术市场规模大约为137.8亿美元，预计2030年将达到363.7亿美元，2024-2030期间年复合增长率（CAGR）为15.0%。图注：毫米波雷达的不同应用场景（AI生成）目前，毫米波雷达技术正朝着更高频、更宽带宽、更小体积、更高精度等方向发展，以满足不同领域的应用需求。特别是4D毫米波成像雷达技术的出现，突破了传统毫米波雷达的局限性，增加了俯仰角的测量信息，提高了角度分辨率，能够在最远300米处检测、区分、追踪多个静止和移动的目标。接下来，本文将会探讨毫米波雷达目前已经应用在了哪些应用场景，分析其在不同场景中的优缺点。芯查查希望通过这篇文章能够为读者揭示毫米波雷达如何悄然改变我们的生活，并为行业创新注入新的活力。毫米波雷达在自动驾驶中的应用由于毫米波雷达的全天候工作和环境适应性强等特点，使得其成为了自动驾驶领域的重要传感器之一。据盖世汽车研究院统计，2024年毫米波雷达市场呈现结构化增长特征，全年搭载量突破2,300万颗关口，相较于2023年的1,970.9万颗，提升了约18%。其中，角毫米波雷达的增幅最为显著，同比增长了32.8%，在实现盲区监测系统和倒车侧向警告系统等安全功能方面发挥了重要作用，显著提升了用户的驾驶体验。从技术配置结构看，2024年1-11月，角毫米波雷达（1386.4万颗）凭借其空间感知优势，成为L2级智能驾驶标配方案，前向毫米波雷达（934.3万颗）与后向毫米波雷达（5.9万颗）则构建起多维感知矩阵，支撑AEB（自动紧急制动）、ACC（自适应巡航）等核心功能落地。车载毫米波雷达根据毫米波频率可分为24GHz、77GHz和79GHz毫米波雷达三大种类。目前，各个国家对车载毫米波雷达的频段各有不同，除了少数国家，比如日本采用60GHz外，主要集中在24GHz和77GHz两个频段。另外，根据探测距离了的不同，毫米波雷达可分为短程毫米波雷达（SRR）、中程毫米波雷达（MRR）、远程毫米波雷达（LRR）三种。24GHz主要是以SRR和MRR雷达为主，77GHz主要以LRR雷达为主。一般情况下，SRR的探测距离小于60米，MRR的探测距离在100米左右，LRR的探测距离大于200米。而在智能驾驶感知系统中， 4D毫米波雷达越来越受到关注。4D毫米波雷达通过增加发射、接收通道数量，提升纵向分辨能力，提供更高质量点云成像。传统毫米波雷达可探测物体的二维水平坐标信息（距离、方位角）及相对速度，4D雷达增加了纵向天线及处理器，可实现对物体高度的探测，提供更高密度、高分辨率的点云信息。4D雷达探测范围超过300米，可有效过滤虚假警报，是目前唯一能在各种天气下实现1度角分辨率的传感器。业界普遍认为，4D毫米波雷达将是汽车从L2级自动驾驶向L3，甚至是L4和L5级自动驾驶演进的重要支撑。毫米波雷达在安防与监控领域的应用毫米波雷达在安防与监控领域中的应用越来越广泛，尤其是中高安全性场所和复杂环境中的重要性日益凸显。与传统的红外传感器、可见光摄像头等安防设备相比，毫米波雷达具有独特的优势，能够在多种不利条件下提供高效的监测和预警能力，成为安防领域的重要技术之一。比如，毫米波雷达的穿透能力使其非常适合用于对隔墙、障碍物后面的人员或车辆进行检测。比如在机场、监狱、军事基地等高安全性区域，毫米波雷达能够在不直接接触的情况下探测到潜在入侵者，特别是在有意隐藏自己或在遮蔽物后面的人或物。除了移动目标的检测，毫米波雷达还可以用于监控静态物体及其异常变化。例如，在重要的基础设施（如电力站、通信塔、仓库等）周围，毫米波雷达可以帮助检测是否有不明物体靠近或放置，及时发出警报，避免潜在的安全隐患。毫米波雷达作为一种具有高精度、高穿透力和全天候工作能力的传感器技术，已经在安防与监控领域展现出巨大的应用潜力。随着技术进步和市场需求的增加，毫米波雷达将在未来的智能安防系统中发挥越来越重要的作用，帮助应对日益复杂的安全挑战，保障公共安全和社会稳定。毫米波雷达在无人机中的应用随着无人机在民用和商业领域的广泛应用，避障和安全飞行已经成为无人机技术发展的关键。毫米波雷达为无人机提供了强大的避障能力，尤其在复杂环境下（如室内、城市、森林等）表现尤为突出。比如穿透障碍物检测和实时动态避障功能。穿透障碍物检测：毫米波雷达能够穿透雨、雪、雾霾等恶劣天气，帮助无人机识别远离可见光范围内的障碍物（如建筑物、树木、电线等）。这为无人机的飞行安全提供了额外保障，避免因视距障碍导致的碰撞事故。实时动态避障：毫米波雷达可以实时监测周围环境的动态变化，帮助无人机在高速飞行中避免突然出现的障碍物，保证飞行的稳定性。结合高精度定位系统，毫米波雷达能够为无人机提供全方位的障碍物感知与避让功能。此外，毫米波雷达还能为无人机在复杂环境中提供精准导航与定位功能，尤其是在GPS信号受阻或弱的环境下（如隧道、城市峡谷、室内等），毫米波雷达能够作为补充传感器，提供精确的定位数据。室内导航：在GPS无法覆盖的环境中，毫米波雷达能够实时获取无人机的位置信息，并与其他传感器（如IMU、激光雷达等）结合，提高无人机的定位精度。动态跟踪与定位：毫米波雷达不仅能监测到周围障碍物的静态位置，还能感知快速变化的目标（如移动的物体、动态飞行的无人机等），为无人机提供精准的动态跟踪与定位功能。当然，毫米波雷达还可为无人机的协同飞行与集群管理提供助力。在无人机集群作业中，毫米波雷达能够帮助无人机之间实现避碰和协同飞行。通过雷达数据交换和实时处理，多个无人机可以在同一空域内协调作业，避免互相干扰。集群飞行协调：毫米波雷达使得每个无人机能够实时感知其他飞行器的位置与运动状态，避免集群中无人机发生碰撞或干扰。特别是在进行大规模农业喷洒、电力巡检等任务时，协同飞行能力变得至关重要。多目标跟踪与调度：毫米波雷达能够在复杂环境中对多个目标进行实时跟踪和识别，这对于无人机群体任务的调度、目标追踪等应用至关重要。例如，在大规模地理测绘或灾后评估中，多个无人机通过毫米波雷达互相配合，可以提高工作效率和精确度。总之，随着无人机应用的不断拓展，比如物流配送、农业喷洒、灾害监测等，也推动了毫米波雷达需求的增长。随着无人机飞行任务的复杂化和环境的多样化，毫米波雷达将成为无人机的核心感知组件之一。毫米波雷达在工业自动化中的应用毫米波雷达在工业领域的应用，尤其是在无损检测、质量控制和自动化生产中，日益重要。其高精度、高分辨率和抗干扰能力，使其成为现代工业生产中不可或缺的技术之一。在制造业中，质量控制是确保产品合格、减少缺陷和提高生产效率的关键。毫米波雷达由于具有非接触式、高精度探测的特性，在无损检测中表现出色。它能够探测材料的内部缺陷，检查焊缝、表面裂纹、结构不均匀性等问题，不仅提高了检测效率，还避免了传统方法带来的材料损坏。金属与非金属材料检测：毫米波雷达能够穿透不同材料（如塑料、金属、陶瓷等）进行检测，尤其适合在高温、高压、复杂环境下进行非接触式的质量监测。它广泛应用于航空航天、汽车制造、能源行业等领域的结构健康监测。生产线监控：在自动化生产线中，毫米波雷达可以实时监测产品的状态，检测是否存在缺陷或异常，确保每个环节的质量达标。通过与传感器和AI系统的结合，毫米波雷达能够进行自我校准和异常检测，最大化减少人为干预。此外，毫米波雷达还可用于设备状态监测与预防性维护当中。在工业生产中，设备的正常运行对于提高生产效率至关重要。毫米波雷达能够帮助企业实时监控设备状态，提前发现潜在故障，避免突发性设备停机，减少生产损失。随着制造业向智能化、自动化发展，毫米波雷达在工业领域的应用将进一步扩展。尤其在质量控制、设备监测、生产线自动化等方面，毫米波雷达将发挥越来越重要的作用。毫米波雷达在智能家居中的应用毫米波雷达作为一种高效的传感技术，逐渐进入到智能家居领域，通过对人体活动、环境变化的实时监测，毫米波雷达能够为智能家居系统提供更高效、更安全的解决方案。在智能家居中，毫米波雷达还能够通过实时监测家庭环境的变化，配合智能设备（如灯光、温控系统、家电等），实现更加智能化、个性化的家居控制。毫米波雷达可以用于自动化控制家居设备的开关。例如，基于雷达探测到的人的活动状态，智能家居系统可以自动调节灯光、空调等设备的状态，提升居住体验。智能灯光控制：毫米波雷达能够精确检测居住空间内的人员活动，一旦感知到有人员进入某个房间，系统可以自动开启灯光。离开时，系统又可以自动关闭，节省能源并提升用户体验。智能温控与空调调节：根据人员的活动和房间内的温度，毫米波雷达可以与空调系统联动，自动调节室温，实现更加节能的智能温控系统。随着技术的不断进步，毫米波雷达在智能家居中的应用将更加广泛和深入。例如，通过结合其他传感器和人工智能技术，可以实现更智能、更个性化的家居体验。此外，毫米波雷达在老年人和残疾人群体中的应用也将进一步拓展，为他们提供更安全、更便捷的生活环境。结语毫米波雷达凭借其高精度、高可靠性和全天候工作能力，在汽车、智能交通、安防监控、无人机和智能家居等多个领域得到了广泛应用。随着技术进步和市场需求的增加，毫米波雷达的市场规模将持续扩大，未来有望在更多新兴领域实现突破性应用，比如自适应巡航、自动紧急刹车、盲区监控、手势控制、儿童遗留检测、多传感器融合等。 ‍

原创

芯查查资讯 . 2025-02-10 5 10 5260
NVIDIA激光雷达供应商Innoviz二度裁员

在一个多月前英伟达宣布与其合作以后，激光雷达传感器和感知软件的公司Innoviz Technologies 股价飙升。在12月初到1月初之间，该公司的过去股价飙升约 240%。相关资料显示，双方此次合作的核心是 Innoviz 的感知软件，该软件经过优化，可在 Nvidia 的 DRIVE AGX Orin 平台上无缝运行。这种集成可以实时处理 LiDAR 数据，以实现高级物体检测、分类和跟踪——这是高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和全自动驾驶汽车的关键组件。针对这个合作，Innoviz Technologies 首席执行官 Omer Keilaf 表示：“通过利用 Nvidia DRIVE Orin 平台，我们将能够提供强大的尖端 LiDAR 传感器和感知软件组合，使汽车制造商能够从 L2+ ADAS 扩展到完全自动驾驶汽车。” 作为一家曾经备受欢迎的激光雷达新贵，Innoviz在2021年通过 SPAC 合并的方式上市，公司初始估值也高达 14 亿美元。然而，在过去几年里，这家激光雷达公司备受打击，公司市值也腰斩。在英伟达合作消息出来之后，使该公司市值一年来首次超过 4 亿美元。但在近日，该公司宣布裁员9%，届时公司将剩下 350 名员工。对于一家尚未产生可观收入且自成立以来就亏损严重的公司来说，这仍然是一个相对较高的数字。该公司指出，这些裁员将使其年度开支减少 1200 万美元。其实，这并不是这家激光雷达公司第一次裁员。在2024年1月底，Innoviz就曾裁员 13%。当时，Innoviz 联合创始人兼首席执行官 Omer Keilaf 表示：“Innoviz 正处于其增长轨迹的重要节点。公司正处于市场占领窗口期，这一窗口期有可能决定未来十年或更长时间内 LiDAR 行业的市场份额。今天（指裁员当时）的行动是经过深思熟虑的结果，旨在优化公司的成本结构、提高我们的竞争地位，并在预计的市场占领窗口期剩余时间内延长我们的现金流。展望未来，我们仍然有信心实现我们的长期目标，成为汽车 LiDAR 市场的领导者。” 自 2021 年以来，Innoviz 同时资助了两个生产路径项目的开发——InnovizOne 和 InnovizTwo LiDAR 传感器和感知软件套件。随着 InnovizOne 项目现已从开发阶段过渡到全系列生产，该公司决定消除重复的成本结构，并大幅削减在 InnovizOne 开发上的支出，同时将部分节省的资金重新投资到 InnovizTwo 传感器上。该公司还表示，正在减少对那些需要大量前期现金支出且需要较长时间才能实现商业化和确保大规模量产的计划的投资。这些计划包括最低风险机动 (MRM) 软件解决方案和 InnovizCore AI 计算模块，以及其他之前未宣布的计划。 2024年年底，Innoviz 也曾宣布，与主要现有客户达成一项多年期 NRE（非经常性工程服务）付款计划，金额约为 8000 万美元。预计 NRE 将在 2025 年至 2027 年之间支付，其中预计 2025 年将支付超过 4000 万美元，预计 2026 年和 2027 年将支付更多金额。对于 Innoviz 来说，这是一个关键的发展，因为该公司一直面临现金流挑战，原因是无法及时获得订单，也无法及时调整产品以满足客户要求。目前，Innoviz 从产品销售中获得的收入很少，大部分收入来自 NRE 付款。第三季度，NRE 收入总计 450 万美元，而该公司的现金消耗量为 1750 万美元。截至 9 月底，Innoviz 的现金储备为 8700 万美元，这引发了投资者对其在不筹集额外资金的情况下完成持续开发的能力的担忧。虽然信心满满，但在中国的激光雷达厂商速腾聚创和禾赛的联手出击下，留给这家以色列芯片公司的机会其实并不多了。

激光雷达

芯查查资讯 . 2025-02-08 1 1 925
了解测试和测量应用中射频采样数据转换器的快速跳频

本期，为大家带来的是《了解测试和测量应用中射频采样数据转换器的快速跳频》，探讨了跳频技术及其演变，并对传统方法和高级方法（例如通用输入/输出 (GPIO) 和快速重新配置接口 (FRI)）进行比较。引言随着数据转换器的不断发展，满足软件定义无线电、无线测试仪和频谱分析仪等系统的多频带要求是一项挑战。鉴于器件变得越来越复杂，在数控振荡器 (NCO) 频率之间转换的速度更快，系统设计人员正在不断重新评估传统的跳频方法。本文将介绍跳频技术的演变，并对传统方法和高级方法（例如通用输入/输出 (GPIO) 和快速重新配置接口 (FRI)）进行比较。了解到这些进步后，你将能更深刻地理解有关单频带和多频带应用优化跳频的宝贵见解。但是，要充分掌握现代系统如何满足多频带要求，必须首先了解跳频的基础知识。什么是跳频？在现代通信系统（如 Wi-Fi® 6 和 7 或正交振幅调制 (QAM) 编码信号）中，频谱本质上是多频带，也就是说射频 (RF) 域在每个频带内包含多个通道。例如，Wi-Fi® 6 和 7 在同一频段内的多个通道上运行，以便更大程度地动态提高带宽和数据吞吐量，而 QAM 则涉及将数据编码为单个通道内的不同相位偏移和振幅级别。图 1 显示了包含 7 个 QAM 通道的示例频带。图 1. 频域中的多音调信号直接射频采样模数转换器 (ADC) 和数模转换器 (DAC) 结合了许多数字特性。实现直接射频采样的最重要特性之一是 ADC 中的数字下变频器 (DDC) 和 DAC 中的数字上变频器 (DUC)。在 ADC 中，DDC 由三个主要元件组成：NCO、数字混频器和抽取器块。NCO 在传统接收器信号链中用作本地振荡器的数字版器件，与输入信号混合，在基带（奈奎斯特区 1）中提供信号以及不需要的图像。抽取器块通过有限脉冲响应 (FIR) 抽取滤波器滤除图像，然后通过下采样降低信号带宽。抽取器块与中频 (IF) 滤波器具有等效的数字效果。在 DAC 中，DUC 包含一个内插器、一个 NCO 和一个数字混频器。与 ADC 中不同，内插器对低带宽输入信号进行向上采样，然后通过 FIR 滤波器传递以抑制图像。在内插器级之后，输出信号馈送到数字混频器，与 NCO 混合，从而使 DAC 能够在具有较低输入信号带宽的宽奈奎斯特区上运行。在射频采样转换器的给定输入上激活的 DDC 数量，决定了转换器是在单频带输出下运行还是多频带输出下运行。本文将重点介绍跳频的 ADC 内容。图 2 展示了德州仪器 (TI) ADC32RF55 的 DDC 示例。该器件是一款射频采样 ADC，能够以 3GSPS 的速率进行双通道、四频带运行。图 2. ADC32RF55 的功能方框图（每个通道四个 DDC）通常，所需的频带可能会发生变化：同一个射频采样转换器只需调整 NCO 频率即可匹配新的频段，而无需为每个频段切换完全不同的信号链。这是现代射频采样转换器的一项主要优势。将 NCO 从一个频率更改为另一个频率的行为称为跳频。 NCO 不直接生成模拟频率，而是以高分辨率生成所需频率的数字表示。每个 NCO 接收一个数字字（通常为 48 位或更高）。与 NCO 相位累加器组合使用时，该数字字可以表示适合数字混合级的信号。在对 NCO 编程时，对应于所需 IF 的数字表示形式是编程的内容，而不是实际频率。NCO 频率范围通常在 –Fs/2 和 Fs/2 之间，其中 Fs 表示转换器的采样频率。负频率字用于偶数奈奎斯特区的信号，而正频率字用于奇数奈奎斯特区的信号。要确定高阶 NCO 频率在基带中的位置，首要任务是在目标频率与采样率之间执行模数运算，以消除 Fs 的任意倍数。现在，目标 NCO 频率介于 0Hz 和转换器采样率 Fs之间。如果 NCO 频率小于奈奎斯特频率 (Fs/2)，则目标 NCO 频率将转换为奇数奈奎斯特区，如方程式 1 所示：如果计算出的 NCO 频率高于奈奎斯特频率，则该频率将位于偶数奈奎斯特区，如方程式 2 所示：图 3 显示了基频信号 (Fund) 及其二阶、三阶和四阶谐波（HD2、HD3 和 HD4）如何折回第一奈奎斯特区，尽管实际频率分量位于更高阶的奈奎斯特区。图 3. 谐波穿过高阶奈奎斯特区折叠到奈奎斯特区 1 与传统 ADC 相比，射频采样 ADC 的一个优势是无需更改硬件即可切换频段。这种固有的灵活性使射频采样 ADC 能够快速适应新的频带，而无需增加硬件元件，从而简化了系统设计，并降低了成本。然而，这一发展不是一蹴而就的。在射频采样 ADC 的早期设计中，每个 NCO 和后续 DDC 只提供了一个 NCO 字选项。因此，跳转到另一个频率需要多次寄存器写入操作。新 NCO 字必须通过串行外设接口 (SPI) 写入，然后再写入另一个寄存器，以便将新 NCO 字推入 DDC 块，使其实际生效。跳频所需的时间受多个因素影响，包括 NCO 字的长度和 SPI 事务速度。ADC 的寄存器大小通常限制为 8 位，因此总共需要七次寄存器写入才能更新 48 位 NCO：六次寄存器写入用于 NCO 字本身，另一次寄存器写入用于更新 DDC。考虑到每个 SPI 事务的开销（通常是每个寄存器写入 16 位地址），事务时间将变为三倍。假设 SPI 数据流的不间断，当串行时钟信号 (SCLK) 速率为 20MHz 时，方程式 3 计算的跳频时间如下：跳频技术的演变目前，射频转换器的设计中每个 DDC 包含多个 NCO 字，允许对 NCO 字进行预编程。这种创新方法通过将多个频率值预加载到转换器的存储器中，可实现更快的跳频。这种存储预先计算的 NCO 字的概念就是快速跳频中的“快速”。图 4 按 ADC32RF55 的 NCO 索引和字索引展示了 48 位 NCO 寄存器地址。尽管通道 A 和 B 的地址相同，但频字是唯一的，因为该器件实现了寄存器映射分页，该分页可屏蔽未包含在活动页中的寄存器，防止对其进行任何读取和写入操作。图 4. 按 ADC32RF55 的通道和 NCO 索引排列的 NCO 字地址对这些字进行编程后，如何实际选择特定字呢？更改 NCO 字只需为 DDC 选择一个新的 NCO 字。您可以通过 SPI 或 GPIO 引脚来执行此操作。表 1 展示了一个示例，说明如何根据活动频带的数量为 ADC32RF55 中的指定 DDC 选择单个字。在标准配置中，每个 DDC 有四个唯一的 NCO 字；但在单频带模式下，相邻 DDC 的四个 NCO 字也可以提供活动的 NCO，也就是说这意味着每个通道的 DDC 都可以访问八个预编程的 NCO 字。表 1. 通过 NCO 索引在 ADC32RF55 上选择 NCO 字执行跳频所需的时间因转换器而异。一般情况下，SPI 方法只需要单个 SPI 事务的持续时间，而不是方程式 3 中所示的七个。SPI 的最大时钟速率和串行数据传输所涉及的开销会限制 SPI 方法的速度。假设使用相同的 20MHz SCLK，方程式 4 显示了器件启动 NCO 字更改之前所需的时间：相比之下，GPIO 方法的速度可以与 GPIO 输入的更新速度一样快。一旦电压超过其高电平或低电平阈值，NCO 字就开始变化。在这两种方法中，一旦器件收到 NCO 字更改，内部 NCO 字就会立即更新；但是，抽取滤波器必须清除所有旧值，因此会根据抽取因子产生一些额外的延迟。表 2 展示了 ADC32RF55 使用与新 NCO 频率混合的数据刷新其抽取滤波器所需的时间。表 2. ADC32RF55 上的抽取滤波器刷新时间通常，GPIO 方法比 SPI 跳频方法更快，因为 GPIO 接口与串行接口之间存在固有的并行特性。不过，需要考虑以下情况：在 GPIO 字选择模式下，相同的字索引将应用于所有活动的 DDC。当在 DDC2 上使用字 3 时，器件无法在 DDC1 上使用字 1；GPIO 接口会将所有 DDC 设置为相同的字索引。另一种方法是 FRI，它通过特定器件引脚发送数据的速度比标准 SPI 支持的速度快得多。某些器件（例如 TI DAC39RF12）可以支持高达 200MHz 的 FRI 通信。您可以使用它来选择活动的 NCO 字。测试和测量中的应用鉴于各种应用不断发展的多样化需求，支持多个频段对于测试和测量设备至关重要。宽带测试设备能够在多个频率范围内运行，因此是一款用于对不同系统和技术进行全面测试的通用工具。随着技术进步和新频段的出现，设备越来越需要能够在多个频段之间快速适应和切换。在频谱分析仪中，快速跳频技术通过减少扫描时间和提高检测瞬态信号的能力来实现快速准确的测量。采用多个 NCO 或快速重新配置方法（如 FRI）的高级 ADC 具有快速切换功能，可在广泛的频率范围内进行更高效的分析，从而提高频谱分析仪在研究和现场应用中的整体性能和实用性。对于无线测试仪，快速跳频技术在通信系统的特征描述和故障排除方面发挥着至关重要的作用。通过实现频率间的快速转换，这些技术可提高信号保真度，缩短测试周期。此功能尤其适合评估无线器件在多频率条件下的性能。除频谱分析仪和无线测试仪之外，快速跳频技术在许多其他测试和测量应用中具有显著优势。例如，通用信号分析仪和射频信号发生器可以利用这些技术在多个频带上提供更灵活、更准确的测试。多频带接收器还能够在频带之间快速切换，确保在动态测试环境下具有可靠的性能。结论通过实现快速准确的频率转换，快速跳频技术可提高灵活性、精度，并更好地适应不断变化的技术需求。随着对测试和测量设备的需求不断增长，了解并实施快速跳频方法对于保持前沿性能和确保全面的测试功能至关重要。

TI

德州仪器 . 2025-02-08 2 2 1095
台积电又对中国大陆企业断供

近日，台积电向一大批中国大陆的 IC 设计公司发出正式通知：从 2025 年 1 月 31 日起，若16/14 纳米及以下的相关产品未在 BIS 白名单中的 “approved OSAT” 进行封装，且台积电未收到来自该封装厂的认证签署副本，这些的产品发货将被暂停。不少公司表示，目前的确需要将规定内的芯片转至美国 approved 封装厂做封装。对于那些事先已有该封装厂账号的公司而言，受到的影响相对较小；而那些没有账号的公司，则面临着严重影响交货时间的困境。另外，一位知情人士透露，一些中国大陆 IC 设计公司还被要求将部分敏感订单的流片、生产、封装和测试全部外包，并且IC设计公司在整个生产流程中不能进行干预。这一系列要求无疑给中国大陆 IC 设计公司带来了巨大的挑战。从台积电此次的动作来看，其正进一步积极配合美国 BIS 严查中国大陆先进制程白手套。过去，部分中国大陆企业可能通过一些较为隐蔽的方式，在先进制程芯片领域进行研发和生产，而如今，台积电这一发货限制举措，使得中国大陆先进制程芯片的生产和封装环节变得更加透明。

台积电

芯片说 IC TIME . 2025-02-08 4 2 2955
支持SPI和I2C接口，纳祥科技数字音频解码NX8416可替代CS8416

大规模集成电路技术的进步，推动了消费电子产品的快速更新换代。数字音频解码、数模转换、同轴光纤转换为模拟立体声等技术的发展，满足了不同用户的需求。纳祥科技NX8416是一款192KHZ 数字音频接收电路（光纤同轴接收），接收并解码数字音频数据的电路。它具有软件模式与硬件模式，可根据不同的需求选择。也可让消费类和专业音频产品交换 S/PDIF 和 AES/EBU 音频数据，有效保证音质稳定优质。 NX8416在性能上可以PIN TO PIN兼容CS8416。（一）NX8416主要特性 ① 完全兼容 IEC60958，S/PDIF，EIAJ CP1201 和 AES3 协议 ② 8:2 S/PDIF 输入多路器 ③ 3 个可编程输出管脚 GPO ④ 硬件模式下，可选择 AES/SPDIF 输入脚 ⑤ 硬件模式下可选择 S/PDIF 输出到 TX 管脚 ⑥ 支持 SPI 和 I2C 接口 ⑦ 32KHZ 到 192KHZ 的采样频率范围 ⑧ 可以通过管脚或 MCU 读取通道状态与用户数据 ⑨ 支持差分或单端输入 ⑩ 片内具有通道状态存储单 ⑪ 可以自动检测被压缩的输入音频数据流 ⑫ 可以解码 CD 的 Q Sub-Code ⑬ 具有 OMCK 系统时钟模式 ▲NX8416内部框图（二）NX8416核心优势 NX8416具备高采样率、支持多种接口的特质，因而能够有效帮助消费类、专业应用类用户提供可靠的同轴光纤音频转模拟立体声解决方案。 ① 灵活性强。NX8416通道状态数据存储于寄存器，便于读取。GPO管脚灵活，可选不同信号输出。输入多路复用器二级输出支持S/PDIF直通，增强系统灵活性。 ② 192khz高采样率。NX8416支持192khz高采样率，每秒采样192,000次，还原原始音频，显著降低失真与杂音。 ③ 极低抖动时钟恢复技术。采用极低抖动时钟恢复技术，NX8416从音频流中生成纯净恢复时钟，200ps超低抖动，为业界领先192kHz数字音频接收器。 ④ 采用TSSOP28封装形式。NX8416采用TSSOP28封装，温度范围-40℃至+85℃，薄型密脚设计，体积小，引脚间距窄。 ▲NX8416软件模式下的管脚配置（三）NX8416应用场景 NX8416多年热度不减，广受用户青睐。其广泛应用于消费和专业领域，如数字音箱、转换器等。典型应用包括：A/V接收器、CD/DVD接收器、多媒体音箱、数字混频控制台、数字音频处理器、机顶盒、计算机及汽车音频系统。 ▲NX8416半成品示意图

音频芯片

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-02-07 1 7910
Melexis 2024年全年实现9.328亿欧元销售额

Melexis在2024年全年实现了9.328亿欧元的销售额，较上年下降3%。从汇率角度看，欧元/美元汇率的变化并未对公司的销售额产生显著影响。在财务表现方面，总毛收入达到4.014亿欧元，占销售额的43.0%，较去年下降9%。在费用控制方面，研发费用占销售额的11.8%，一般行政费用占5.5%，销售费用占2.1%。在经营业绩方面，2024年全年实现了2.199亿欧元的业绩，占销售额的23.6%，与去年同期相比，经营业绩下降了16%。净收益为1.714亿欧元，折合每股4.24欧元，与2023年全年的2.095亿欧元或每股5.18欧元相比，净收益下降了18%。展望 Melexis预计，2025年第一季度其销售额将介于1.9亿至2亿欧元之间。2025年上半年的销售额约为4亿欧元，毛利率约为40%，营业利润率约为16%，这些预测均基于欧元兑美元汇率为1.03的假设。此外，Melexis预计2025年下半年的销售额将较 2025年上半年大幅增长。2025年全年的资本支出约为5,000万欧元。业务更新 Melexis在2024年第四季度的销售额达到1.974亿欧元，但这一成绩低于预期，主要归因于公司与汽车客户合作削减客户库存量水平。纵观2024年全年，Melexis的销售额总计为9.328亿欧元，与2023年相比出现了3%的下滑。尽管如此，公司在2024年仍有表现突出的产品线，其中电机驱动器和位置传感器表现尤为优异。 Melexis在2024年推出了20款新产品，涵盖许多不同的产品线，用于汽车和非汽车应用。例如，用于机器人关节高精度位置传感的磁传感器技术，使机器人系统更经济、更高效。我们还发布了用于服务器的直流风扇驱动器，在提高效率和可靠性的同时降低了成本和复杂性。根据我们全面覆盖各类动力系统的汽车战略，我们推出了用于下一代辅助驱动的先进磁传感芯片，以及用于电动汽车热管理系统的小型化坚固压力传感器。 2024年第四季度和2024年全年，汽车客户的销售额占总销售额的90%。

迈来芯

迈来芯Melexis . 2025-02-07 1010
意法半导体新能源功率器件解决方案：从产品到应用，一文读懂（下篇）

在《意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）》文章中，我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件，让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来，本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。碳化硅MOSFET ST提供丰富的碳化硅器件，到目前共三代产品。第三代器件产品非常丰富，支持650V/750V/900V/1200V，重点产品包括650V/14-55mΩ的不同封装器件、1200V/15-75mΩ不同封装器件。最新推出的2200V/31mΩ特高压SiC MOSFET，特别适合1500V光伏系统应用。 ST还为碳化硅器件提供丰富的封装类型。除传统的TO247三脚、四脚封装，还包括TO-LL、HU3PAK等新型封装。 650V/（40mΩ、55mΩ、27mΩ、14mΩ）碳化硅TO-LL封装器件都已量产，适合高频、高功率密度的服务器电源、储能应用，同时Kelvin引脚支持15V驱动。 HU3PAK器件采用顶部散热形式，可支持650V、1200V，同时获得ACQ101认证，除工业应用外，也适合车载应用，已在车载OBC和DC/DC及光伏储能领域有成熟用例。除分立器件，ST还提供针对不同功率应用的SiC模块产品。ACEPACK DMT-32和ACEPACK SMIT是介于模块和单管间的一种塑封小模块，适合30kW\10kW及以下的功率密度较高的应用；中等规模的ACEPACK1&2适合光伏储能应用；150kW大模块主要针对汽车电驱应用。 ACEPACK SMIT比较灵活，可在内部封装半桥或做成单管，2500V的电气隔离可简化装配，内部集成DBC隔离顶部散热，适合功率密度和效率较高的应用。 ACEPACK1&2包括全桥、半桥、三相桥等很多产品，如全桥1200V/8mΩ、半桥1200V/6mΩ模块、T型1200V/12mΩ等。碳化硅二极管和整流器 ST碳化硅二极管和整流产品包括三类：200V以上不同开关速度的快恢复二极管，650和1200V碳化硅二极管，及小于200V的肖特基功率管。 ST碳化硅二极管电流等级覆盖2-40A，电压等级在650/1200V，主要分为两个系列，都提供工业和汽车两种等级产品： ✦ 侧重于导通压降VF的Blank系列，650V/8-40A ✦ 冲击电流IFSM较大的H系列，650/1200V，2-40A 导通压降VF和冲击电流IFSM是两个重要参数。最新推出的G系列兼具VF和IFSM优势，在低VF基础上提升了IFSM，同时在IFSM与H系列基本一致情况下，对VF值进行了优化。目前，G系列TO-220和D2PAK封装产品，以及其他最新产品都在开发当中。 G系列1200V产品相对于H系列1200V产品，在保持VF值基本相似的基础上，对IFSM做了较大提升。如下图所示，H系列的冲击电流通常是平均电流的6-8倍之间，G系列可达到10倍以上，可靠性和效率表现都出色。 ST快恢复二极管不同的产品系列针对不同开关频率的应用： ✦ MC/HC系列：0-20kHz低频 ✦ AC/RQ系列：20-40kHz ✦ R/M系列：高频更高频率应用可选择碳化硅二极管。LLC输出应用主要推荐RQ系列。它实现了导通损耗和开关损耗的均衡，常用在通信电源、服务器电源和充电桩输出中。氮化镓器件 ST的氮化镓产品具有很多优势：开关速度快，漏电流小，导通压降较低，特别适合高效率、高开关频率应用，硬开关应用更能体现它的优势。相比于碳化硅、IGBT或高压MOSFET，氮化镓硬开关损耗很低，但由于其采用硅衬底，成本比碳化硅低。除了汽车和小功率应用外，氮化镓还可应用于工业、新能源领域的5G电源、服务器电源，以及储能、微型逆变器等。 ST氮化镓e-mode常规性器件基于6英寸工艺，目前提供100V和650V器件，8英寸器件正在开发中。650V产品导通电阻从14mΩ、30mΩ到290mΩ；100V产品正在开发中，导通电阻从1.2mΩ到11mΩ，多种封装形式也在开发中。 ST新能源解决方案除了丰富的功率器件，ST还提供很多解决方案和参考设计帮助用户加速设计。 100W反激式辅助电源，母线电压在200、250V到1000V，针对大多数光伏、UPS及各种工业应用，采用ST 1700V K5开关管，也可用1700V 1Ω碳化硅MOSFET，可以做高母线电压反激拓扑，最高效率可达88%。 1.2kW氮化镓图腾柱PFC应用，采用650V 65mΩ氮化镓器件，PowerFLAT 5*6封装。图腾柱中两个工频管采用M5系列61mΩ普通高压MOSFET，驱动器和主控芯片都采用ST产品。 15kW AC/DC双向转换全碳化硅方案，采用第二代碳化硅器件，横管使用650V 55mΩ器件，竖管用1200V 70mΩ器件，开关频率可达70kHz，功率因数超过0.98。 30kW Vienna PFC碳化硅方案，竖管采用1200V 40A H系列碳化硅二极管，横管用碳化硅MOSFET，峰值效率在800V母线可达98.56%，PF值达0.99。 30kW移相LLC解决方案，采用第三代1200V 25mΩ碳化硅MOSFET。主控和驱动、模拟芯片均使用ST产品，功率密度可达50W/in3。 25kWDC/DC DAB双向转换，前级采用1200V 12mΩ全桥模块，后级采用两个1200V 6mΩ半桥模块，主控采用STM32G474，输入800V，输出250-650V，在80%负载情况下效率可达98%，开关频率达100kHz，适合充电桩、储能应用中的双向转换。 50kW T型三电平DC/AC光伏逆变器，采用ST最新的1200V 8mΩ第三代碳化硅模块，驱动也使用ST器件，效率可达98.6%，开关频率可达40kHz，该方案目前还在开发当中。 ST拥有丰富的功率器件产品组合，涵盖传统硅器件以及第三代半导体产品，除传统封装外，还提供TO-LL、HU3PACK、ACEPACK SMIT等先进封装，适配高功率、高效率应用。此外，ST提供裸带封装、开发板及设计参考，助力用户将产品快速推向市场。为满足新能源市场发展需求，ST将继续创新优化产品与服务，积极适配各类新能源应用场景，为行业发展持续注入强劲动力。

ST

意法半导体工业电子 . 2025-02-07 1235
意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）

随着全球对可持续发展的关注度不断攀升，以及各国节能减排政策的大力推进，新能源领域展现出了巨大的潜力和广阔的发展空间。功率器件是新能源系统中的关键核心部件。从新能源发电的高效转换，到储能系统的稳定运行，再到电动汽车的动力驱动，都离不开性能卓越的功率器件为整个产业的发展提供着强劲的动力与支撑。意法半导体为新能源市场提供丰富的功率器件产品组合与解决方案，涵盖 IGBT、高压MOSFET、碳化硅MOSFET、碳化硅二极管/整流器以及氮化镓等产品，并提供多样封装选择，满足不同应用需求，助力新能源市场发展。传统硅基IGBT电压较高，开关速度慢，适合大功率、大电流应用，如UPS等大功率工业和电机驱动。传统硅高压MOSFET适合普通的开关电源、通信电源、各种DC/DC转换应用。碳化硅MOSFET适合高频、高效、高功率应用，尤其是新能源应用，如光伏储能DC/DC转换、充电桩、车载OBC和DC/DC、车载电机驱动等。氮化镓频率和效率都很高，但电压等级较低，适合5-10千瓦以下应用，如高效通信电源、家用储能、DC/DC转换。 IGBT ST的IGBT产品分布很广。H/M系列适合低频电机驱动、家电电机应用等；16-60kHz的HB和HB2系列适合光伏、UPS、充电桩等新能源应用；16-100 kHz/1200V的H系列，电流等级在15-75A，适合光伏、充电、UPS等应用。 ST提供丰富的封装选择，包括插件、贴片、IPM功率模块及新开发的顶部散热小模块等形式，且有车规和工业应用标准之分。 V系列、HB系列、HB2系列和1200V的H系列是比较重要的产品系列。600V的V系列适合高频率应用，其VCEsat在1.8-1.85V之间。V系列有一款产品通过IGBT反并联碳化硅二极管，损耗较小，特别适合高频率硬开关应用。 650V的HB和HB2系列适合大多数新能源应用。HB2导通压降在1.55-1.65V之间，电流等级在15-100A。目前，最常用的50A/75A/100A产品已经量产。 1200V的H系列电流等级在15-75A，短路时间近5μs，其中50A、75A产品比较常用。ST将开发更大电流（100A以上）的器件，以满足更大功率应用需求。 M/H/V/HB/HB2系列的特性如下图所示： V系列开关速度非常快，动态损耗较低，VCEsat略高；H和HB系列损耗比较均衡；最新的HB2系列相对HB系列在动态损耗和导通压降上都有提升。相对于HB系列，HB2的Qg更小，Eoff更低，表明其开关速度更快、损耗更低， VCEsat也做了优化，整体系统效率大大提升，同时增加了软关断特性。如下图所示，在2.2Ω的低驱动电阻状态下，HB2比HB系列的软关断特性更好，电压过充更低。为满足客户的新需求，HB2提供TO247-4L四脚封装，增加了Kelvin引脚，使驱动更快、开关损耗更低（比TO247三脚封装减少约50%）。在对效率要求更高的场合，如新能源应用，客户更倾向使用四脚封装器件。目前50A/75A/100A器件都提供四脚封装。下图是HB2在3.6kW全桥逆变器中的应用。H4桥逆变器输入母线为400V，开关频率36kHz。经测试对比，HB2整体开关损耗比竞争对手低10%，温度低5-6°C。针对光伏逆变器新型应用不同的拓扑位置，ST推荐不同的IGBT。 PFC级升压适合HP2或HB2，速度较快且均衡。HP2的反并联二极管是保护型二极管。HB2是满电流二极管，开关速度居中，开关损耗、导通压降比较均衡。在逆变器场合，如单相H4桥、三相I型三电平或T型三电平可以用650V的HB2系列。T型三电平的竖管可以使用1200V的H系列。在封装方面，ST提供光伏、工业中常见的TO247三脚和四脚封装，同时开发了新型封装——ACEPACK SMIT。ACEPACK SMIT介于分立器件和模块之间，可以封装一个背靠背的管或半桥，用两个模块就可以实现T型三电平，使功率密度更高，设计更紧凑。同时，ACEPACK SMIT是顶部散热，内部集成DBC实现隔离封装。目前，该封装产品在汽车应用中已有成功案例，也适合光伏或储能市场。高压MOSFET器件 ST高压MOSFET器件的产品分布很广泛，面向数字电源、通信电源、光储等应用场景。600V、650V中已量产的产品包括M2、DM2、M6、DM6系列。800V、950V、1200V、1500V、1700V的K5系列高压产品，适用于系统辅助电源。新推出的产品包括M9、DM9系列、K6系列。同时ST还开发了很多新型、小型化封装，如TO-LL、PowerFLAT等，针对不同应用提供多样的封装解决方案。ST还为车载OBC、DC/DC及电池管理等汽车应用提供车规级器件，以及ACEPACK SMIT和HU3PACK封装产品。与M6系列相比，M9系列导通压降和开关速度更快，更适合高速软开关和硬开关应用，如通信电源、高效率的服务器电源及光伏储能，电压等级包括250V、600V、650V。下图是M9在400V、输入1500W的PFC应用测试结果。在40-45mΩ情况下，M9在整个曲线上的效率比M5、M6及竞争对手均有明显提升。 K6系列基于K5系列提升了性能，电压等级在800V-950V。800V K6系列的单位面积阻抗有很大提升。如下图，在75W的反击电源测试中，负载范围20%-100%情况下，K6都可提供0.5%-1%的提升。同为DPACK封装情况下，K5可实现630mΩ阻抗，K6可实现240mΩ阻抗，器件阻抗更小，功率密度和效率更高。高压MOSFET产品在充电桩和储能场景中的具体应用包括PFC的AC/DC、DC/DC软开关应用，以及辅助电源中的反击应用。 PFC AC/DC转换器通常为硬开关，对应产品为M5系列和最新的、效率更高的M9系列。 DC/DC软开关对应产品是目前大量量产的DM6系列。ST还推出了DM9系列，开关速度更高，效率更高。在反激应用中，充电桩、光伏及各种储能系统都需要辅助电源，可选择950V/1000V/1200V的K5系列，以及最新的效率更高、封装更小的800V K6系列。下篇文章，我们将详细介绍 ST的 SiC、GaN等产品及新能源解决方案，敬请期待。

ST

意法半导体工业电子 . 2025-02-07 685
利用MWCT MCU开启车载无线充电新时代

消费者购买新车时，虽然手机无线充电功能可能并非首要考虑因素，但消费者逐渐期待车载娱乐中控系统中搭载这个重要组成部分。无线充电功能让消费者能够使用便捷易用的充电设备并获得额外的安全性，是汽车制造商提升用户体验的普遍手段。而且，该功能不仅适用于高端配置或奢侈品牌；目前，每家大型汽车制造商在一百多种的车型中都提供无线充电功能。大部分无线充电设备基于Qi无线充电标准，该标准由全球无线充电标准制定机构无线充电联盟 (WPC) 管理。Qi标准适用于大多数主要智能手机，包括苹果和三星的多个型号，已成为车载充电的行业标准。这一现象背后有几个原因：它在行业内获得了广泛认可，WPC致力于持续创新和不断发展标准，以及大量的第三方Qi配件的支持。此外，WPC拥有备受推崇的认证流程，确保充电体验符合消费者的期望。恩智浦和Qi标准恩智浦在为Qi产品提供高性能MWCT MCU方面有着丰富的经验，是车载无线充电产品的全球知名供应商。我们在无线充电领域积极探索，并自始至终与WPC合作制定Qi标准。这包括参加WPC的多个工作组，并支持推动规范的发展。我们还深知开发车载应用程序面临的设计挑战，特别是管理可靠性能所带来的复杂电磁兼容性 (EMC) 设计和集成问题。设备制造商需要定制无线充电设计，需要根据最终设计的具体规格对每个客户进行原理图审查和软件更改。我们的MCU产品组合涵盖了不同功率范围的无线充电设备，从符合Qi规范的1W到15W，再到支持专有协议的50W。除了设备，我们还提供经过认证的软件和硬件设计与支持。恩智浦两款产品系列，MWCT2xxxS和MWCT2xD2A无线充电IC，正在推动Qi标准的性能定义和广泛采用。 2024年11月26日，恩智浦基于MWCT2xD2A MCU的Magnetic Power Profile (MPP) 多设备无线充电发射器，通过了Qi2.0 MPP合规性测试和IOP测试。这是Qi标准合规的一个重要里程碑，因为Qi2.0是最新的WPC标准，MPP确保无线充电发射器和接收器线圈对齐，从而实现高效的电力传输。恩智浦Qi2.0认证的MPP多设备无线充电发射器片上身份验证：开启车载充电新时代 OEM和开发人员在集成无线充电时面临一些非常具体的挑战，包括EMC、功率输出和身份验证。如今，标准的无线充电需要一个专用的MCU来控制充电器，并且需要一个安全芯片来确保充电器符合Qi标准。这是由于Qi 1.3标准中的更新，该更新要求基于硬件的身份验证，以保护用户免受使用假冒产品可能对设备造成的损害。虽然这对用户来说是一个有用的功能，但对于设计人员而言，更多的独立部件会增加设计的复杂性。此外，使用两个独立的部件也会增加材料成本 (BOM)，这是原始设计制造商 (ODM) 面临的一个重要压力。随着MWCT2xxxS和MWCT2xD2A系列的推出，我们在芯片中集成了身份验证功能，消除了对独立安全芯片的需求，并简化了物料清单。这种方法利用恩智浦EdgeLock 2GO服务连接到WPC，生成身份验证证书。然后，客户或授权的第三方可以将其独有的证书下载到每个MCU上进行生产。这样一来，开发人员就能够节省将外部安全芯片集成到系统中的时间。MWCT2xxxS和MWCT2xxxA系列还具有两个由一个MWCT MCU驱动的充电设备，因此原始设计制造商可以通过单个芯片提供此功能，而无需使用两个芯片。恩智浦的无线充电产品组合支持专为车载、消费电子和工业无线充电解决方案设计的设备。为未来的无线充电准备就绪 MWCT2xxxS和MWCT2xD2A系列还包括专为消费电子市场量身定制的MCU，可用于无线充电架和无线充电盒。这扩展了无线充电技术，提供了全面的充电选项，以支持包括汽车、医疗保健和物联网在内的不同市场。与任何技术标准一样，Qi标准将继续发展，并发布新的规范。这通常需要设备制造商进行设计更改，以获得认证或保持合规性。MWCT2xxxS和MWCT2xD2A器件通过灵活的软件和OTA固件更新为无线充电设计提供了未来保障。因此，随着新Qi标准的推出，现有芯片只需进行软件更新即可继续使用。新系列还可覆盖广泛的内存要求，选项从128kB到4MB不等，适用于Qi充电之外的广泛应用。例如，TJAxxxx收发器支持与汽车的CAN和LIN通信，NCx3321支持用于卡保护的NFC、充电控制器的低功耗唤醒和数字钥匙功能。片上身份验证功能的推出将为OEM带来巨大的变化，他们不再需要为Qi认证添加单独的安全芯片，从而降低了无线充电模块的整体成本。恩智浦拥有30多名工程师，他们在各个地区拥有丰富的专业知识和经验，致力于随着无线充电技术的发展，提供创新的MWCT系统解决方案。本文作者 Jan Horak，恩智浦半导体汽车产品经理兼无线充电产品和解决方案负责人。他在嵌入式应用方面拥有超过12年经验，一直是该领域的关键人物。Jan在恩智浦工作超过8年，从软件工程师转变为产品经理，专注于无线充电应用。他在这一领域的广泛知识有助于制定汽车行业无线充电模块产品战略，并促进跨产品的合作。

NXP

NXP客栈 . 2025-02-07 1 1170
毫米波雷达 | 回顾2024年，有10家毫米波雷达企业拿到投融资

重点内容速览： 1. 获得两次融资的欧思微和加特兰 2. 专注 4D高分辨率毫米波雷达的企业毫米波雷达是指一种利用波长在1~10mm，工作频率在30~300GHz之间的毫米波来进行探测和测距的雷达技术。毫米波雷达具有高分辨率、抗干扰能力强、体积小、功耗低等优点。因此，在军事和民用领域得到了广泛的应用，比如自动驾驶、无人机导航、汽车防撞系统、智能家居、生物医学成像等等。毫米波雷达系统的关键核心组件包括天线、发射和接收模块（包括振荡器、功率放大器、低噪声放大器等）、信号处理模块（包括模数转换器、信号处理器等）、以及负责对信号进行进一步分析，生成目标的位置和速度等数据的处理器。其实这几年毫米波雷达的关注度一直都很高，刚刚过去的2024年，毫米波雷达赛道热情依然不减，这也直接反映在了资本市场。据不完全统计，算上2025年1月13日加特兰的D+轮融资，近期总共有10起融资事件。虽然都没有具体的融资额度，但估算起来融资总额应该接近10亿元了。在获得融资的毫米波雷达相关企业中，欧思微和加特兰均获得了两次融资。获得两次融资的欧思微和加特兰欧思微成立于2020年10月23日，总部位于合肥高新区，同时在荷兰，上海以及深圳、南昌设有研发中心。该公司从事超宽带等无线 SoC芯片的研发以及销售。其团队成员主要来自国内外一线芯片设计公司，研发团队硕士学历占比40%（包括5名海外博士）8年以上工作经验占比90%以上，平均年龄37岁，是一个既有丰富经验又充满活力的团队。据该公司官网介绍，其所有核心技术全部自研，包括射频、基带、算法、协议跟软件、应用软件和硬件方案，为客户提供通信及车载相关芯片及相关应用技术和系统解决方案。欧思微在2024年1月10日完成了近亿元的Pre-A轮融资，本轮融资由力合资本领投，合肥高投和博通集成跟投，光源资本担任财务顾问。随后8月26日，欧思微又完成了数千万元的Pre-A+轮融资首批交割，此次由金鼎资本与康希通信（688653）共同设立的基金投资，云岫资本担任本轮融资的财务顾问。本轮融资资金将用于继续投入超宽带（UWB）及汽车毫米波雷达芯片的技术研发，为加速产品量产落地提供安全保障。欧思微半年内相继完成总计超亿元人民币融资。加特兰则是一家创立于2014年，在2017年成功量产全球首个汽车级CMOS工艺77/79GHz毫米波雷达射频前端芯片的公司。该公司率先实现了在汽车前装市场的突破；2019年又推出了集成雷达信号处理基带加速器的SoC芯片，为高性能、易开发、小型化毫米波雷达传感器的开发实现带来了全新的变革。此外，加特兰还量产了全球首个77GHz和60GHz毫米波雷达封装集成片上天线（AiP）SoC芯片，加速了毫米波雷达在汽车和工业消费市场的普及。 2024年7月2日，加特兰完成了数亿元的D轮融资，本轮融资由国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、上海国鑫创业投资有限公司、福创投，老股东国投招商、华登国际投资追投。2025年新年伊始，国家集成电路产业投资基金二期再度出手，加特兰完成了D+轮的融资，不过此次融资金额并没有披露。专注4D高分辨率毫米波雷达的企业毫感科技、圭步电子、承泰科技、复睿智行，以及斯达领动都是专注于4D高分辨率毫米波雷达的企业。其中苏州毫感科技有限公司专注于4D高分辨率毫米波雷达的研发，其产品主要应用于辅助驾驶和自动泊车等领域。该公司在2024年1月完成了数千万元人民币的Pre-A轮融资，由欣创创投领投。这是公司自成立以来的第三轮融资，显示出资本市场对其技术实力和市场前景的认可。圭步电子是一家毫米波射频电路设计仿真及雷达芯片系统架构设计的公司，其产品涵盖77GHz等4D毫米波雷达芯片。该公司在2024年2月完成了新一轮战略融资，投资方包括博世创投和清华控股旗下的金信资本。融资资金将用于芯片规模化量产、人员招聘及市场拓展。复睿智行专注于智能驾驶技术的自主研发，其核心产品为4D毫米波雷达。该公司在2024年2月完成了数亿元人民币的Pre-A轮融资，由浙商创投领投。融资资金将用于提升感知融合方案和生产能力。斯达领动是一家专注于毫米波雷达产品开发与规模化应用的企业，其产品包括单芯片4D角雷达及距离雷达。该公司在2024年9月完成了数千万元人民币的Pre-A轮融资，投资方包括共进股份、乾德电子及个人投资者。融资资金将用于加速产品量产及市场拓展。深圳承泰科技有限公司成立于2016年，是国内著名的毫米波雷达产品研发企业，通过了IATF 16949及ISO9001体系认证。已经成为多家商用车和乘用车主机厂的供应商，也是多家Tier-1的合作伙伴。 2024年8月21日，承泰科技宣布C轮融资，融资额未披露，参与投资机构包括国科投资、毅达资本、南通鑫汇集团。11月30日，该公司还发文称，其汽车毫米波雷达累计出货量已达3,083,240只，其中应用于中高阶智驾系统（控车，非L0）的前雷达1,751,220只，角雷达1,332,020只。11月当月雷达出货量307,616只，创历史新高。结语 2024年，毫米波雷达领域的融资活动频繁且金额可观，反映了资本市场对这一技术的高度认可。从苏州毫感科技到加特兰微电子，多家企业在不同阶段完成了多轮融资，用于技术研发、量产及市场拓展。这些融资活动不仅推动了毫米波雷达技术的进步，也为其在智能驾驶、自动驾驶等领域的广泛应用奠定了基础。

原创

芯查查资讯 . 2025-02-07 1 8 4900
如何理解射频开关IC规格书中定义的开关时间Switching Time

射频开关芯片类似天线和内部处理电路之间的桥梁，切换各类射频信号的发射或者接受，在2G/3G/4G/5G蜂窝通信系统、Wi-Fi、蓝牙、GPS等系统中，均是不可或缺的器件。射频开关芯片除了插损，隔离度等指标外，还有一个较为重要的指标switching time，以日清纺微电子的车规SPDT开关NJG1801BKGC-A为例，其规格书标称开关时间在100ns左右。　除了switching time之外，还有几个和时间相关的指标上升时间 RISE TIME 下降时间 FALL TIME 开启时间 ON TIME 关断时间 OFF TIME SWITCHING TIME也称为port-to-port switching time（射频开关端口到端口的切换时间）其定义如下从将要关闭的端口（Port B）的RF功率水平下降到其原始值的90%处开始，到将要开启端口Port A的RF功率水平上升到其最终值的90%之间的时间间隔。见图 1。 RISE TIME 上升时间（ＴＲ）是指射频开关从关闭状态切换到打开的过程中，RF功率从10%到90%时所需要的时间，见图2 FALL TIME 下降时间　(TF) 是指射频开关从导通状态切换到关闭的过程中，RF功率从90%降至10%时所需的时间 ON TIME 开启时间(TON) 是指射频开关从关闭切换到打开过程中，从输入控制信号幅值50%处到RF功率升至90%时所需的时间 OFF TIME 关断时间（TOFF）是指射频开关从开启切换到关闭的过程中，从输入控制信号幅值50%处到RF功率降至10%时所需的时间

射频开关

日清纺 . 2025-02-06 1 1 890
AI 争霸战：资本能否决定胜负？

星际之门计划（Stargate）宣布的 5000 亿美元投资，其中很大一部分可能已包含在此前各大公司公布的投资中，并被重新整合、包装为该计划中的一部分。截至 2025 年，微软、谷歌和 Meta 在支持 AI 发展的数据中心上累计投入已超过 2000 亿美元。因此，未来五年内的 5000 亿美元投资并未实质性地改变行业的发展轨迹，反而更像是对现有投资的加码与延续。图片来源：Semiconductor Trends in Data Centers 2024 - Yole Group 星际之门的未来治理架构将如何运作？此次真正的新变化——也引发诸多疑问的，是 5000 亿美元投资将由 OpenAI、甲骨文（Oracle）、软银（SoftBank）及 MGX 共同持有的一家公司进行运营。关键问题在于：家公司的治理架构将如何构建？各方如何在利益错综复杂的情况下达成共识？微软、Meta、谷歌和苹果等科技巨头在 AI 领域各有布局，既是行业合作伙伴，又是潜在竞争对手。如今，他们需要面对一个由软银、甲骨文和 OpenAI 主导的投资框架，而这些公司本身也有不同的商业目标、市场策略和技术发展方向。如何在如此多元化的利益诉求下制定投资决策、资源分配和技术发展路径，将成为星际之门计划面临的最大挑战之一。图：Yole Group 总裁 & CEO Jean-Christophe Eloy “在此背景下，我们不得不提及 ARM 与软银的深厚联系，以及这些公司在竞争 OpenAI 相关产品和技术上的巨额投资和合作。此外，苹果的自研 AI 进展，以及各大厂商在 AI 领域的竞争，使得 5000 亿美元的投资方向和战略决策变得极为复杂。” 星际之门的商业模式是什么？关于星际之门计划的商业模式，还有一个关键问题：在考虑到涉及的公司后，如何定义对5000亿美元投资的回报并不简单，可能也根本不值得考虑。公司是否仅仅在建设和管理数据中心方面发挥作用，还是会支持AI模型的训练，并将其使用权销售给外部客户？公司是否还会开发AI模型来满足特定客户的需求？至于数据中心性能的关键因素——潜在的ASIC AI开发，又将如何处理？图片来源：Generative AI 2024 - Impact on Processors, Memory, Advanced Packaging and Substrates - Yole Group DeepSeek 颠覆市场格局 DeepSeek 的发布对 AI 生态系统形成了巨大冲击，同时也让星际之门计划的可行性受到质疑。 DeepSeek-V3 声称其性能可媲美 OpenAI，而训练和推理成本仅为其一小部分。这一现象再次证明，与历史上众多技术演进过程相似，市场竞争是推动 AI 发展的核心要素——不仅仅是硬件供应商和模型开发者之间的竞争，更是 AI 产业链各环节的竞逐。这种竞争促进了创新、思维模式的变革和资源优化（包括 AI 计算所需的能源）。从长远来看，随着 AI 计算成本的下降，新应用和 AI 创业公司将获得更多发展机会，而 DeepSeek 或许提供了一条捷径。面对这一市场变化，英伟达、OpenAI、甲骨文和软银势必采取行动，以维护和强化自身的竞争优势，这可能与星际之门计划推动美国 AI 领导地位的初衷产生矛盾。DeepSeek 的成功表明，5000 亿美元的投资或许可以有更好的用武之地…… 图片来源：Overview of the Semiconductor Device Industry 2025-H1 - Yole Group

星际之门

Yole Group . 2025-02-06 1 2 890
壁仞适配DeepSeek R1，赋能开发者创新

DeepSeek开源模型的推出，不仅为AI技术的普及和应用提供了强有力的支持，也开启了行业创新与变革的新篇章。凭借其开放性、高效性和易用性，DeepSeek开源模型正在成为推动AI技术普惠化的重要力量。国产算力再提速：壁仞科技数小时完成全系列模型适配推理效率已成为目前行业各公司发展的核心竞争力。凭借壁仞科技自主研发的壁砺系列产品出色的兼容性能，仅用数小时即完成对DeepSeek R1全系列蒸馏模型的支持，涵盖了从1.5B到70B各等级参数版本，包括LLaMA蒸馏模型和千问蒸馏模型。为开发者提供高性能、低成本的大模型部署与开发解决方案。这也让壁仞科技成为少数实现国际、国内多模型同步高效适配的芯片平台之一，证明了国产芯片对复杂AI应用任务的驾驭能力。 DeepSeek提供了一种高效的模型蒸馏技术，能够将大规模模型的能力迁移至更小、更高效的版本，并且通过Multi-Head Latent Attention（MLA）和DeepSeek MoE两大核心技术，显著降低显存占用，优化模型性能。此次壁仞科技壁砺TM系列产品在较短时间内成功支持DeepSeek全系列蒸馏模型，也意味着其在AI推理任务中具备强大的兼容性和易用性，能够满足日益增长的AI应用需求。壁仞科技AI算力平台升级：云端体验DeepSeek R1模型服务即日起，壁仞AI算力平台正式上线 DeepSeek R1 蒸馏模型推理服务，全球开发者可云端体验 1.5B、7B、8B、14B、32B、70B 全系列模型服务。该服务具备以下两大核心优势： 1、零部署成本：免去硬件采购与环境搭建，实现“开箱即用”的云端推理体验。 2、多场景覆盖：针对LLM等不同任务预置优化配置方案。壁仞科技AI算力平台邀请客户体验第一步：通过邮箱申请登录账号，账号申请邮箱地址： developer@birentech.com 第二步：通过复制网址登录使用： https://sgc.birentech.com:1443/ 目前，壁仞科技已构建起从底层硬件到模型服务的完整AI技术栈，可为中小企业和研究机构提供“芯片+模型”的端到端解决方案。未来将继续加大研发投入，推动芯片技术和开发者生态的迭代升级，力争在更多领域取得突破。产业协同：壁仞科技携手多家战略伙伴打造AI合作新范式壁仞科技已联合上海智能算力科技有限公司、中兴通讯、科华数据、无问芯穹、开源中国（Gitee AI）、UCloud、一蓦科技等战略伙伴，基于壁砺TM系列训推产品106M、106B、106E、110E，凭借先进的芯片架构、高效的多模型适配能力、广泛的数据精度支持以及强大的解码能力，全面开展包括R1在内的DeepSeek全系列模型的适配与上线，以满足不同规模参数量模型的部署需求：轻量级模型（1.5B-8B）：适配智能终端与边缘计算设备，实现低延时实时推理。中大规模模型（14B-32B）：服务于大规模企业级应用和高并发任务，满足数据安全与定制化需求。大规模模型（70B）：依托云端超算集群，支撑前沿AI研究与复杂任务处理。壁仞AI算力平台与DeepSeek R1的深度融合，不仅实现了国产自主技术路线的可行性，更通过开源协作与硬件创新，为开发者提供了“高性能+低成本”的创新体验。在AI技术的推动下，应用场景不断拓展，壁仞科技有望在更多领域实现突破，推动国产芯片占据重要地位，引领行业发展趋势。

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