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回顾&展望 | 罗姆：直面市场挑战，着重发力功率和模拟半导体市场

在经历了产能紧缺，芯片缺货，产能过剩之后，2024年半导体产业终于开始走出低迷，与AI相关的产业更是一片繁荣，半导体总体市场涨幅甚至超过双位数。但如果去除AI相关的行业，似乎回暖仍是不如预期。芯查查采访了数十家半导体上下游企业，本篇采访企业为：罗姆（ROHM）。罗姆是一家日本IDM半导体企业，主要销售功率半导体和模拟半导体器件。2024年，罗姆有了哪些收获？取得了哪些成绩？对于2025年，有哪些机会值得憧憬和期待？图注：罗姆半导体（上海）有限公司董事长藤村雷太芯查查：在您看来，2024年你们取得了哪些成绩？又遇到了什么挑战？藤村雷太：2024年，由于生成式AI市场的兴起，数字相关的半导体市场需求增加，但罗姆重点发力的功率半导体和模拟半导体市场却经历了严峻的考验。汽车市场，日系汽车制造商调整了生产数量计划，而近期电动汽车市场的增长也有所放缓。专业设备市场，预计库存调整将会持续较长时间，全面复苏预计将推迟到2025财年以后。从中长期来看，预计2030年BEV（纯电动汽车）的产量将与之前基本持平，而BEV逆变器中采用SiC元器件的比例有望持续增长。此外，为应对气候变化，实现无碳社会，各国将会进一步促进节能减排，预计全球工厂的电动化、自动化、数字化投资将会顺利进行。芯查查：罗姆今年主要关注哪些市场？这些市场在今年的表现如何？藤村雷太：2024年，罗姆重点关注模拟LSI和第三代半导体。在模拟LSI业务方面，罗姆重点关注以隔离型栅极驱动器为首的十大高附加值战略产品，实现了高于市场水平的销售额增长。另一方面，由于目前十大战略产品大部分是车载产品，因此罗姆还把视野扩大到了工业设备市场有望实现高增长的领域。功率元器件业务已被定位为“拉动罗姆发展的业务”。在SiC业务领域，我们已经脱离了此前供需紧张的状态，2024年开始试运营的宫崎第二工厂现已做好稳定供应的准备，将于2025年开始正式运营，并根据未来的需求增长情况逐步扩大产能。另外，向8英寸SiC MOSFET的转型也进展顺利。与目前的6英寸晶圆相比，一枚8英寸晶圆的芯片产出量单从面积上看是1.78倍，但由于成品率的提高，预计芯片产出量约为2倍，因此无论是生产效率还是成本竞争力都更具优势。罗姆计划从2025年开始在日本福冈县筑后工厂生产8英寸产品。另外，2024年11月，罗姆对市场部门和销售部门进行了组织架构改革。未来将注重通过系统地开发适用于同一应用系统的产品，更灵活有效地为客户提供解决方案，以使罗姆产品在客户的产品系统中发挥出最佳性能。芯查查：在您看来，2025年半导体行业的增长点将来自哪些方面？罗姆在这些方面有哪些布局和计划？藤村雷太：应用领域方面，预计电机和电源所消耗的电力占全球用电量一大半。罗姆秉承“Electronics for the Future”的企业宣言，致力于“通过电子技术解决各种社会课题”。提高“电机”和“电源”的效率视为罗姆为实现无碳社会所要承担的重要使命。汽车和工业设备市场我们也会持续发力。产品类型方面，随着电子化和电动化进程的加速，对节能和小型化的需求日益高涨，因此预计对功率半导体和模拟半导体的需求也呈长期持续增长趋势。罗姆将继续聚焦功率半导体和模拟半导体领域，利用强大的产品阵容优势，持续为客户提供这些产品优势相结合的解决方案。绿色环境方面，罗姆基于2021年制定的“2050环境愿景”，在日本和海外集团公司同时推进实施环境管理举措，努力通过业务活动减轻环境负荷，致力于实现“碳中和”和“零排放”。罗姆还加入了国际企业倡议RE100（100% Renewable Electricity），并正在分阶段提高可再生能源的使用比例，目标是到2050年100%使用可再生能源。最后一点，罗姆认为，要想赢得全球人才竞争，基于经营战略的“人力资本管理”是一项非常重要的课题。我们描绘出符合“业内全球主要企业”身份的总体蓝图，并在此基础上建立促进自主职业发展的机制和促进多元化发展的体系。芯查查：展望2025年，您对罗姆的发展有什么建议和期待？藤村雷太：尽管2024年的形势非常严峻，但我们依然可以看到中长期的发展之路。在罗姆中期经营计划“MOVING FORWARD to 2025”的最后一年，我们将继续完善罗姆的发展战略，同时致力于推进根本性的结构改革，以建立无论在什么样的环境下都能经受住考验的稳固而坚实的经营基础。未来，罗姆将继续以提供有助于客户产品“节能”和“小型化”的功率半导体和模拟半导体为核心，致力于通过产品和技术解决社会课题，为丰富人们的生活贡献力量。

罗姆

芯查查资讯 . 2025-01-20 4 4 2575
2024年中国智能手机市场出货量触底反弹，vivo拔得头筹

国际数据公司（IDC）最新手机季度跟踪报告显示，2024年第四季度，中国智能手机市场出货量约7,643万台，同比增长3.9%。各价位段新品的集中上市以及部分省市开始的新机购买补贴政策推动整体市场延续了之前4个季度的增长趋势。vivo、华为和小米等厂商的强势表现帮助Android市场增幅超过7%；但是iPhone16系列销售难有起色，使得iOS市场继续同比下降。得益于过去几年挤压的换机需求逐渐释放，2024年全年中国智能手机市场出货量约2.86亿台，同比增长5.6%，时隔两年触底反弹。其中，上半年承接2023年末开始的市场复苏趋势，Gen AI、屏幕以及电池续航等技术创新驱动消费者换机需求释放明显；但是下半年尤其临近年末，市场需求逐渐放缓。预计2025年在全国性政府消费补贴政策的刺激下，中国智能手机市场有望延续增长趋势。 2024年第四季度及全年中国前五大智能手机厂商市场表现： Apple Apple在自身传统出货量最高的第四季度依然排名国内市场首位，但市场份额不断缩小。2024年全年排名第三位，出货量连续三年下滑。产品竞争力优势不在，AI功能上线时间难以确定，渠道改革效果不显著使得Apple在中国市场的竞争压力日趋增加。但是Apple在2024年800美元以上市场份额依然占据60%。 vivo vivo国内市场表现更进一步，2024年全年出货量稳居第一位。全新打造的蓝科技矩阵，从硬件和软件上全方位支持vivo在技术上的创新和提升；再通过以用户为导向，提升产品核心竞争力和用户体验，形成布局清晰，分工明确，高中低价格段全面覆盖突破的产品架构；同时携手上下游供应商，渠道，运营商等开展全面合作，共同推动行业发展进步。 Huawei Huawei强势回归，第四季度市场份额16.2%，位居第三。2024年全年以16.6%的市场份额位居国内市场第二位，出货量同比增长超过50%，头部厂商增幅最大。随着国产芯片供应能力的不断提升，可以覆盖更多用户群体的nova和畅享系列有望帮助Huawei进一步提升市场份额。而HarmonyOS Next系统将正式成为智能手机，乃至多终端系统生态的重要力量。 Xiaomi Xiaomi出货量连续六个季度保持同比增长，在2024年下半年稳定在国内市场第四的位置。高端市场不断突破，第四季度在600美元以上市场份额创近两年新高。新能源车、家电、IoT生态的完整布局已经可以反哺推动智能手机的增长。借助新能源车的成功，Xiaomi加强与更多优质渠道商的合作，进一步拓展线下渠道。 Honor Honor 面对日益增长的市场竞争压力，四季度和2024年出货量排名依然稳定在国内市场前五位。Honor在产品上不断加大投入，发挥竞争差异化特点，如折叠屏在轻薄上的不断突破，为终端用户打造全生命周期的绿洲护眼解决方案，将高颜值长续航防摔的产品普及更多用户等，通过打造多个产品标杆引领行业发展。海外市场不断突破，2024年海外市场份额占比接近三分之一。 OPPO OPPO 经过战略和产品调整后，在第四季度出货量同比增长，实现反弹。2024年出货量国内市场并列第四位。OPPO近几年加大在中高端产品投入，300美元以上产品占比逐年提升。旗舰产品Find X8系列首销季度出货量同比上一代产品增长66%，各厂商旗舰产品中提升幅度最大，帮助OPPO四季度在600美元以上高端市场出货量同比增长32%；Reno 12&13系列等产品线推动2024年300-400美元市场份额第一。折叠屏手机市场自2022年第二季度后首次出货量同比下降 2024年第四季度，中国折叠屏手机出货量达到250万台，在连续9个季度的高速增长之后，首次同比下降9.6%。虽然在轻薄、续航、影像、折痕等方面不断进步，但价格、质量、内部空间等先天劣势使得折叠屏手机在使用场景和消费人群上已经难有更大突破和吸引力。2024年中国折叠屏手机出货量约917万台，同比增长30.8%。预计2025年折叠屏手机将进入“小年”，更多厂商持观望态度，将更加保守。 2024年中国折叠屏手机市场， Huawei继续以接近50%的市场份额保持优势；Honor折叠屏手机市场稳居第二位，份额20.6%；vivo凭借X Fold3系列全面的产品竞争力位居第三位，市场份额11.1%；Xiaomi依靠第一款竖折产品的成功占据第四位，市场份额7.4%；OPPO虽然一年没有发布新品，但是凭借良好的用户口碑和推荐依然获得5.3%的市场份额，位居第五位。 IDC中国研究经理郭天翔指出，在连续两年下滑之后，2024年中国智能手机市场实现触底反弹。而国家消费补贴政策无疑将继续刺激吸引部分消费者换机，进而推动2025年中国智能手机市场保持增长趋势。整个行业参与者需要抓紧这个市场机遇，积极拥抱相应政策，及时进行战略、产品和技术等方面的调整，争取获得更多增长的同时，也要注意合规和规避风险，依靠补贴政策获利的同时，也要保持谨慎的态度，预防补贴可能带来的提前透支未来需求，及时调整备货和销售策略。

智能手机

IDC咨询 . 2025-01-20 1 940
新年特辑 | 2024年半导体行业IPO与融资情况统计分析

重点内容速览： 1. IPO企业主要集中在科创板 2. 全年半导体行业融资事件超700起 2024年半导体行业的IPO和融资情况呈现出了显著的波动和变化。由于IPO政策的收紧，2024年成功上市的企业相比2023年的22家和2022年的45家有了显著降低，今年仅有11家半导体产业链企业成功上市。据芯查查统计，在半导体行业融资方面，虽然相对于2023年有显著下滑，但仍然有708起投资事件，除了未披露的投资事件，披露的投资额相比2023年也降低了约3成。由此可见2024年半导体行业投资市场的冷淡。 IPO企业主要集中在科创板 2024年成功上市的11家半导体行业企业分别是英诺赛科、先锋精科、联芸科技、珂玛科技、龙图光罩、欧莱新材、灿芯股份、星宸科技、上海合晶、成都华微，以及盛景微。图注：2024年中国半导体上市企业统计其中，从上市板块来看，仅有1家在香港证券交易所上市，1家在上海证券主板上市，2家在创业板上市，7家在科创板上市，占比63.6%。从所属行业来看，以芯片设计企业和半导体材料企业为主，其中芯片设计企业为6家，半导体材料企业有4家，再加上1家半导体设备企业。从芯片设计上市企业的布局来看，主要为存储芯片的和电源管理芯片。从融资额度来看，将英诺赛科的14亿港元兑换成人民币计算，募资总额为95.18亿元，接近100亿元。其中募资超过10亿元的企业有4家，分别是英诺赛科、联芸科技、上海合晶和成都华微。全年半导体行业融资事件超700起 2024年从融资角度来看，尽管IPO数量减少了，但半导体行业在融资方面依然活跃。2024年全年，国内半导体行业发生了超过700起融资事件。特别是第四季度，芯片设计与封测领域吸引了大量的投资，例如盛合晶微完成了7亿美元的融资，成为半导体领域中金额最大的投资之一。投资机构包括无锡产发科创基金、江阴滨江澄源投资集团等。盛合晶微自2014年成立以来，专注于集成电路前段芯片制造，致力于为全球客户提供优质的硅片制造和测试服务。此笔融资将进一步推动其在技术研发及市场扩展上的投资。此外，全年半导体领域的融资总额达到了数百亿元，显示了资本市场对半导体行业的热情仍在。 2024年半导体行业融资活动活跃的主要领域包括芯片设计、半导体设备、半导体材料、人工智能、量子计算、半导体封测等。举例来说，在这两年比较热门的第三代半导体领域，2024年总共有44家SiC相关的企业获得了融资。其中，南砂晶圆、至信微电子、中科光智、思锐智能、中车时代半导体、悉智科技、盖泽精密等7家企业完成了2轮融资。中车时代最高的一次融资额达到了43.28亿元，此外，芯粤能获得了10亿元的A轮融资，晶能微电子获得了5亿元的B轮融资。由于这两年SiC产能扩张的影响，不少SiC设备产商也获得了融资。2024年有20多起融资事件发生在了SiC设备领域，涉及的企业包括邑文科技、硅酷科技、忱芯科技等。另外，在新能源汽车的推动下，汽车半导体的需求也在增长，因此，不少车规级芯片厂商也获得了投资者的青睐。2024年有23起融资事件就是针对车规级芯片企业的。可以明显看到下半年的融资活跃度相比上半年更加频繁，上半年为9起融资事件，下半年有14起融资事件。成立于2021年的欧冶半导体是国内智能汽车第三代E/E架构系统级SoC芯片及解决方案商，围绕智能汽车第三代电子电气架构，提供系统级、系列化芯片及解决方案。在2024年11月，该公司完成了数亿元的B轮融资，本次投资由国投招商领投，中科创星、深圳市鲲鹏大交通基金、星宇股份、青稞资本、永鑫资本、众山精密等跟投。成立于2020年的智芯半导体，致力于研发销售高可靠性和安全性的汽车电子芯片，包括全系列的汽车处理器和数模混合集成模拟芯片。2024年10月份，该公司完成了数亿元的B轮融资，本轮融资由合肥产投领投，合肥高投和合肥建设跟投。融资资金主要用于优化产品线布局，完善供应链等。图注：2024年车规级半导体芯片企业融资情况融资超过亿元的车规级芯片企业还包括芯粤能、芯驰科技、锐泰微电子、领跑微电子、芯擎科技、云途半导体、首传微电子，以及旗芯微半导体等。此外，半导体设备领域的融资也非常活跃，尤其是在高端封装和先进LED等国产设备领域。比如睿励科学仪器、思锐智能、泰科贝尔、埃芯半导体、光驰半导体、亚电科技和新松半导体等设备企业都获得了大量融资。半导体材料也是投资机构关注的重点领域之一，尤其是在光刻制造过程中需要用到的材料，以及第三代半导体需要用的材料。半导体封测领域的融资事件也不少。结语综合来看，2024年半导体行业的IPO受到政策和市场环境的双重影响，导致上市数量大幅下降，但融资活动依然活跃，反映出资本市场对半导体行业的长期信心。同时，由于监管政策的收紧和市场情绪的低迷，部分企业选择通过并购等方式实现上市目标。

半导体

芯查查资讯 . 2025-01-20 11 2 1.7w
JLR与Tata Communications加强合作，打造智能互联汽车

JLR和Tata Communications将通过Tata Communications MOVE™平台增强JLR的互联汽车生态系统，为全球客户带来全新驾驶体验。此次合作将使JLR的下一代软件定义汽车实现持续连接，即使在120个国家/地区的最偏远位置，也能访问智能服务。此次最新合作是双方现有合作伙伴关系的延伸，旨在确保该汽车制造商的数字化转型能够适应未来发展。借助Tata Communications MOVE™平台，JLR即将推出的基于全新电动模块化架构（EMA）的中型SUV将能够在不同的移动网络和运营商之间无缝切换，从而实现不间断地访问媒体流等个性化互联服务。该平台还将促进JLR与客户汽车之间更广泛、更安全的数据交换，从而实现更高效的空中软件（SOTA）升级，并支持不断发展的先进驾驶辅助系统（ADAS）的推出。 JLR的互联车队每天产生2.5 TB的数据，过去12个月中平均每月更新50万个电子控制单元（ECU）。使用Tata Communications MOVE™平台将增加这种数据交换，并使JLR的工程师能够利用更深入的洞察，实时监控汽车性能，更及时地进行空中升级，从而提升汽车维护和保养服务，降低车主和JLR的成本。预计2026年上路的先进车辆，将带来更智能、更智慧的驾驶体验。 Tata Communications MOVE™的推出将为JLR的客户带来以下益处：弹性无线通信技术，在最严苛的环境中也能帮助跟踪汽车提高空中升级的频率和效率，从而改进汽车诊断和更新个性化连接方案，确保客户及其家人无论身在何处，都能连接到其首选的应用程序和汽车功能简化且轻松的连接计划，通过单一提供商即可获得服务 Tata Communications MOVE™副总裁兼全球负责人Marco Bijvelds表示：“汽车行业持续创新，以满足不断变化的客户需求。去年，我们的数字架构助力JLR全球所有生产基地实现了无缝连接。作为我们扩展合作伙伴关系的一部分，我们正在助力JLR的全球软件定义汽车之旅，帮助其提供先进的驾驶功能。通过我们平台交换的数据所产生的洞察，将使JLR能够提供个性化的客户体验，从而带来新的收入来源。” JLR车外数字产品平台总监Mark Brogden表示：“JLR是率先采用双调制解调器和双eSIM设计以提升汽车连接性的豪华汽车制造商，并在2020年推出采用这一技术的Defender系列。与Tata Communications的合作是我们软件定义汽车之旅的下一步，将在120个国家/地区提供高度安全且经济高效的数据连接。从2026年起，我们的下一代中型豪华SUV将搭载Tata Communications MOVE™，为我们的客户提供持续的互联体验，通过空中升级的新功能和软件，以满足我们豪华客户群的期望。”

智能汽车

芯查查资讯 . 2025-01-18 8363
纳祥科技新品CODEC芯片NX9020来袭！ADC、DAC动态范围高达114 dB

CODEC，也就是我们常说的编解码器，它负责将模拟信号转换为数字信号，这一过程被称为编码；同时，它也能将数字信号转换回模拟信号，这一过程则被称为解码。 CODEC在音频、视频和数据传输中发挥着至关重要的作用，被广泛应用于电话通信、视频会议、数字电视等领域，给我们带来诸多便利和高质量的视听体验。今天带来的这款纳祥科技NX9020，正是一款ADC/DAC 动态范围都高达114 dB 的高性能CODEC，它还可以国产替代CS4272。（一）NX9020芯片概述 NX9020是一款高性能集成音频编解码器，它以高达192kHz的采样率，执行高达24位串行值的立体声模数和数模转换。 NX9020 的ADC、DAC，都具备114 dB动态范围，以及100 dB THD+N 。 D/A提供了一个音量控制，步长为1 dB，它结合了可选择的软坡道和过零过渡功能，以消除点击和弹出。 D/A的集成数字混音功能允许多种输出配置，从通道交换到立体声再到单声道下混，标准50/15us去加重可用于32、44.1和48kHz的采样率，以与使用50/15us预加重技术掌握的数字音频程序兼容。（二）NX9020性能参数 NX9020的D/A、A/D都具备高性能，具体参数如下展示： ⑴ D/A功能 ●114 dB动态范围 ●100 dB THD+N ●采样率高达192 kHz ●差分模拟架构 ●软斜坡音量控制-1 dB步长 ●零交叉免点击过渡 ●可选数字滤波器 ●快速和慢速滑行 ●ATAPI混合功能 ●可选串行音频接口格式 ●外部静音控制输出 ●可选50/15 us去加重 ⑵ A/D功能 ●114 dB动态范围 ●100 dB THD+N ●采样率高达192 kHz ●差分模拟架构 ●多位德尔塔-西格玛转换 ●高通滤波器或直流偏移校准 ●低延迟数字抗混叠滤波 ●16位数据的自动抖动 ●可选串行音频接口格式 ●具有5V至2.5V逻辑电平的直接接口 ●内部数字环回 ●内部振荡器 ●独立或控制端口功能（三）NX9020芯片亮点 NX9020是高性能CODEC，为设备提供了出色的音质和稳定性‌。芯片亮点如下： ●宽动态范围：ADC和DAC达114分贝，捕捉声音强度无失真或噪声。 ●低失真：-100dB THD+N，保证高保真度。 ●低噪声：采用先进技术降低噪声，优化模拟电路和数字信号处理。 ●节省空间：片上振荡器免外部晶体振荡器，降低成本并节省电路板空间。 ●灵活兼容：差分模拟架构，支持多种数字接口，易于集成。（四）NX9020应用领域目前，NX9220被广泛应用于日常消费电子产品、专业音频设备中，如A/V接收器、DVD-R、CD-R和自动音频系统等，为用户提供了可靠的音频处理解决方案。

CODEC

深圳市纳祥科技有限公司公众号 . 2025-01-16 6 2 8671
持续发力！以全链协同驱动德明利研发生态升级

在工业控制、数据中心、云计算等关键领域，上层应用对存储器的性能和研发效率提出了更高要求。德明利新一代SATA SSD主控芯片TW6501，通过重构研发管理模式和研发项目流程，采用先进的DSTE-IPD模式，显著提升了公司开发大型复杂科技项目的能力。需求定义与架构设计、验证与测试开发工具链三大核心要素通过整合芯片设计、算法开发、系统集成到终端应用的全流程自主研发，公司的研发效率较以往提升达30%，为开发高性能、高可靠性的存储解决方案奠定坚实基础，满足数据快速处理和长期安全存储的需求，加速技术创新迭代和产品上市进程。公司专注于构建全链协同的存储芯片研发生态，以规范流程和高品质、高效率的解决方案，满足并超越行业标准，为全球客户提供一流的服务，推动可持续的高质量发展。

德明利

德明利 . 2025-01-16 4 2 8525
英诺赛科全系列数据中心产品发布，节能增效再升级！

数据中心是云计算底层最核心的基础设施，肩负着对数据进行集中存储、计算和交换的职责。随着物联网、人工智能等技术的快速发展，数据中心正进一步演化成为智能数据中心，数据和计算量都在指数级增长，能源消耗也急剧增长，提升系统效率和降低能耗成为关键。宽禁带半导体（第三代半导体）氮化镓（GaN）因其卓越的高频高效低损耗特性，可以大大提升数据中心的供电效率并显著降低能耗。英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的领导者，始终致力于氮化镓产品的研发与创新。针对数据中心领域，开发了多系列分立和集成氮化镓产品，能够最大限度提升效率，减少能源浪费。 InnoGaN应用于服务器电源的供电单元电源 (PSU) 服务器电源供应单元电源（Power Supply Unit, 简称PSU）针对数据中心的前端输入侧——服务器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC环节，英诺赛科推出了 15款功率器件、驱动芯片和合封芯片，打造钛金能效的高效率、低功耗的PSU，实现服务器的稳定性和可靠性。 InnoGaN应用于数据中心主板电源 (Mother board) 在数据中心的主板电源应用中，英诺赛科共有8款分立和集成芯片，满足54—12V供电环节的高效率高功率密度需求。 InnoGaN产品优势 SolidGaN 是英诺赛科高集成度氮化镓合封芯片，覆盖电压分别为100V和700V，具备集成过温过流保护，集成米勒钳位，兼容Si/SiC驱动，与当前通用产品相比，英诺赛科SolidGaN在系统中的应用更简单，同时安全性更高，更可靠。英诺赛科驱动产品 GaN Driver，分别涵盖100V半桥和700V单通道，可用于驱动低侧、高侧或次级侧氮化镓开关管，与行业同类型产品对比，英诺赛科氮化镓驱动器具备输入电压更宽，驱动能力更强，保护功能更多等优势；在实际方案中，可独立调节驱动开关速度，应用更灵活。在应用端，英诺赛科根据市场需求开发了多款应用方案，如符合钛金能效的2KW-4.2KW PSU, 1KW-8KW的高效高功率密度的48V转12V的DC-DC电源解决方案等，在市场端，英语赛科已经与多家数据中心头部厂商展开合作。作为全球功率半导体革命的领导者，英诺赛科希望保持与行业上下游的紧密配合，共同打造更节能、高效、低碳化的数据中心，减少能源消耗，为可持续发展贡献力量。

英诺赛科

英诺赛科 . 2025-01-16 1180
从射频信号完整性到电源完整性，现实世界中的PSRR

Qorvo首席系统工程师/高级管理培训师 Masashi Nogawa将通过《从射频信号完整性到电源完整性》这一系列文章，与您探讨射频（RF）电源的相关话题，以及电源轨可能对噪声敏感的RF和信号链应用构成的挑战。在之前的几篇文章中，我们通过运行几个模拟实验来探讨了PSRR的概念，在本文及后续博文中，我们将继续深入研究电压调节模块（VRM）的电源纹波抑制比（PSRR）性能，在实验室中对一个真实的VRM进行测试。我们的被测设备（DUT）是Picotest公司的VRTS1.5“电压稳压器测试标准”（感谢Steve Sandler先生提供的测试板）。通过使用Omicron Lab的Bode 100矢量网络分析仪（VNA），以及J2121A大功率线路注入器（尽管它不需要“大电流”——这是我实验室里现有可用的设备），我们获得了如下PSRR曲线（图1）。图1，VRTS1.5 PSRR曲线图2显示了我在实验室中测试获得的曲线。在此实验设置中，一切都很简单明了，只有一点例外：我使用了四个串联的50Ω负载电阻，总阻值为200Ω，连接到Bode 100设备50Ω终端输入端口“端口1”，以形成x1/5的衰减；这样可以避免对VRTS1.5 DUT产生过大的电流负载。图2，VRTS1.5 PSRR测试装置一些快速观察结果：得益于其电压跟随器/缓冲器结构，该被测单元在宽频带范围内保持了高PSRR。换句话说，“N型”线性稳压器/LDO在PSRR方面通常优于“P型”。在低频区域，即低于10Hz，这条下降曲线是由于我的测量设置人为造成的结果。我确认，在这个频率区域内，我的扰动信号并未完全传递到DUT，而我的Bode 100设备也很难从底噪中提取出有意义的信号。这款VRTS1.5 DUT板的一个优势是，其电源输入端没有旁路电容。因此，我仅用了十到十五分钟就通过这个简单的设置得到了结果。当然，任何开关电源（SMPS）的PSRR测量过程都不会如此简单，因为我们必须有一定最小量的输入旁路电容。本系列“从RF信号完整性到电源完整性”的博客文章主要关注“完整性”研究；至于如何测量PSRR，我将留待下次进一步讨论。基于这次PSRR的结果，本篇文章想传达的第一个信息是：作为电子工程师，我们在处理许多参数时均采用比率的形式，比如以dB表示的增益单位，或是以百分比表示的效率；这些参数通常都是“某种输入”与“某种输出”的比值。例如：效率、功率或能量[%] η=100 x (输出功率[W]或能量[J]) / (输入功率[W]或能量[J]) PSRR [dB] 20log（输入电压/输出电压）（注：由于PSRR参数被定义为“抑制”，因此我们用“输入”除以“输出”）（放大器）增益 [dB] A=20log（输出信号电压/输入信号电压）或 A=10log（输出功率/输入功率）随着电子产品组件性能的不断提升，我们常常只顾追逐那些参数规格数字而忘记了“输入和输出”背后的基本原理；时不时回归基础是非常有用的。现在，我在Excel程序中稍微调整了相同的VRTS1.5 PSRR曲线（图3）。它显示完全相同的数据，但采用了不同的数学表达方式来表示Y轴，即绝对值而非分贝（dB）值。在这张图表中，我们可以看到，在特定频率（X轴）下，从100mV纹波幅度的输入电源产生的输出纹波电压（Y轴）有多大。正如您所见，它的形状与原始PSRR曲线相同，只是做了水平镜像翻转。图3，输入纹波为100mV时，VRTS1.5输出电压纹波幅度随频率的变化情况我希望这种PSRR数据的展现方式，能更清晰地展示您的VRM在作为滤波器抑制纹波方面的效果。在处理3.3V或5V电源轨的功率电子设计中，100mV纹波的电源会被认为是相当“不干净”的。例如，如果您的系统中有两条分别为3.0V和3.3V的电源轨，并且这两条轨上都有100mV的峰-峰值纹波，那么它们之间的裕量很小，削弱了两条电源轨的存在价值；而仅用一条3.15V的电源轨就已足够。这张图表可能表明，这样一条“不干净”的电源轨将被清理到100μV至1mV以下的水平。从这一点来看，您可能会想：“没错，这就是我需要一个LDO来净化电源的原因。” 以下是本篇文章要传达的第二条信息：在获取测量数据时，我们总是会用替代的方式/方法来反复、多次检查结果。例如，当我们获取时域数据时，可以通过频域数据进行验证，反之亦然。因此，我将任意函数发生器（AFG）和示波器探头连接到了我之前用于VNA的位置。然后，我注入100mV的输入纹波，以查看是否能够得到与之前曲线相同的“纹波输入，纹波输出”结果。如标题所示，在10Hz、100Hz、1kHz、10kHz、100kHz和1MHz频率下记录了以下六种波形（图4至图9）。图4，10Hz时输入纹波为100mV的VRTS1.5输出电压图5，100Hz时输入纹波为100mV的VRTS1.5输出电压图6，1kHz时输入纹波为100mV的VRTS1.5输出电压图7，10kHz时输入纹波为100mV的VRTS1.5输出电压图8，100kHz时输入纹波为100mV的VRTS1.5输出电压图9，1MHz时输入纹波为100mV的VRTS1.5输出电压从这6个波形中，您可以清楚地看到我文中所传达的第二条信息，即关于PSRR“神话”的误解。在现实世界中，大多数VRM都会自行产生毫伏（millivolt）级的输出噪声带。只有当您进行非频域测量时，才能发现这一点。在频域PSRR测量中，您的VNA准确地知道输入到DUT的纹波频率，并通过同步电路捕获输出纹波。这就是它能生成清晰、干净PSRR曲线的原因。您可以想象，VNA是从噪声底限深处捕捉输出纹波信号。我并不是完全否认VRM PSRR性能的价值。如果您知道具体需要关注的精确频率，那么在目标频率下具有高PSRR的VRM将表现良好。例如，在一个已知存在无法消除的噪声源（如大型电机旋转并在已知重复率下向电源线注入噪声尖峰）的系统中，电机噪声或许会在数据记录的结果中显现出来。但如果仅仅关注一般性噪声，例如这篇文章中描述的情况，您可能需要寻找“低噪声”的VRM，而非“高PSRR”的VRM。根据我的经验，在许多情况下，工程师更需要“低噪声”的VRM，而不是“高PSRR”的VRM。前面的六个波形作为极端情况的示例，显示了接近本底噪声的测量结果。我们还可以得出以下重要结论。我的工作台设置中，有一个通过接地线耦合的350kHz噪声源，其可以在100kHz和1MHz的波形中找到。在100kHz时，100kHz主纹波输入和350kHz接地噪声之间产生了一个拍频。 RM自身产生的噪声在低频段很强。在100kHz至1MHz范围内，输出“噪声+纹波”的频谱可以显示出我们正在寻找的杂散信号。尽管如此，我们可以看到这个杂散信号并不是主导信号，并且在时域波形中看不到它。我将AFG输出信号控制在100mV，而通过J2121A注入器到达DUT板的实际输入纹波略有减少。VNA比较了DUT板上的实际探测信号，对PSRR测量没有显著影响。为通过比较时域和频域的结果来验证这一设置，我还有以下附加波形（图10和图11）。为在时域中获得可见的输出纹波，我们需要对这一高PSRR的DUT施加1V的输入纹波。此外，我们还要对波形进行平均处理，以消除随机噪声。根据最终波形，我们可以计算出500kHz时的PSRR为50.6dB，这与本文章中的原始PSRR曲线十分吻合。 PSRR@500kHz=50.6dB=20×log (322.0mV/951.7uV) 图10，500kHz时输入纹波为1V的VRTS1.5输出电压图11，500kHz时输入纹波为1V的VRTS1.5输出电压平均值

Qorvo

Qorvo Power . 2025-01-16 1 1545
填补国内空白：我国发布智能网联汽车用数据分发服务 DDS 测试标准

中国信通院 CAICT 官方公众号昨日（1 月 15 日）发布博文，称中国汽车工程学会最新发布了 T / CSAE 371-2024《智能网联汽车用数据分发服务（DDS）测试方法》团体标准，填补了国内车用 DDS 测试标准的空白，为推动智能网联汽车发展奠定了重要基础。项目背景数据分发服务（Data Distribution Service），英文简称 DDS，是一种分布式实时通信中间件技术规范。在汽车领域，随着车辆对智能化和网联化需求的日益增长，车企及供应商已经开始广泛关注并应用 DDS 作为车载控制器软件的中间件。由于 DDS 协议的复杂性，对采用了 DDS 技术的车载设备和系统的验收与评价是一件困难和复杂的工作。项目成员该标准由中国信息通信研究院（简称“中国信通院”）牵头，联合长城、一汽、吉利、长安、北汽、奇瑞等 16 家单位共同编制完成，旨在规范车用 DDS 协议一致性、功能（含 QoS）和安全功能等测试。项目介绍该标准依据国际上 OMG 联盟的 DDS 系列技术要求制定出对应的车用 DDS 测试方法，为相关测试工作提供重要的依据。标准主要包括协议一致性测试，协议功能测试以及安全（Security）功能测试，具体见下图：该标准的发布，为采用 DDS 技术的车载设备和系统的研发、验证和评价提供了重要依据，推动了智能网联汽车在该领域的标准化建设，对车载设备及系统规范化加速部署 DDS 具有重要意义，解决了 DDS 协议复杂性带来的测试难题，为相关测试工作提供了重要依据。

智能网联

芯查查资讯 . 2025-01-16 1 3 1225
2024年，中国智能手机同比增长4%，vivo夺魁

2024年，中国大陆智能手机市场全年出货量达2.85亿台，在两年的下跌后顺利迎来复苏，同比温和增长4%。vivo以17%份额领跑全年市场，出货量达4930万台。华为排名第二，出货4600万台，同比37%的增长亮眼。苹果、OPPO、荣耀紧随其后分别排名第三、第四、第五，市场份额均为15%凸显了竞争的白热化。 2024年第四季度，受益于高端旺季、备货国补、年末促销的势能释放，中国智能手机市场的增长率为5%，出货量7740万台。第四季度，苹果出货1310万台，得以在其传统旺季卫冕第一的席位，但由于来自本土厂商的竞争升级出货同比下跌25%。vivo和华为紧随苹果，同样以17%分别位列第二、第三。小米以1220万台的出货排名第四，在头部厂商中实现了最高的同比增长率29%。OPPO以1060万台出货排名第五，第四季度同比增长18%。 Canalys高级分析师朱嘉弢（Toby Zhu）表示：“中国智能手机市场在2024年展现出喜人的市场活力，四个季度均在稳步回升。厂商战略投入及技术创新，为中国市场带来了大众需求复苏、高端繁荣的景象。在大众市场中，荣耀、OPPO、vivo等厂商为消费者提供设计语言高端、坚固耐用又可负担的产品鼓励用户换机。在高端市场中，生成式AI、系统自研与重构，例如华为鸿蒙OS及小米澎湃OS、自研芯片、折叠屏形态革新等技术创新持续刺激高端用户的心智吸引他们升级设备。2024年的市场增长是透过产品增值、技术革新、市场教育、需求回暖实现的结构性健康增长。” Canalys研究经理刘艺璇（Amber Liu）说道：“激烈竞争导致格局随时动态变化，厂商均积极寻求在各优势领域扩大投入。其中，vivo势头强劲，借助瞄准线上线下渠道机会、运营商合作，配合营销投入及产品策略持续巩固在入门级到中高端细分市场的地位。小米在2024年逐步修复了出货节奏，其数字系列逐代积累用户口碑及渠道信心，加之EV产品的市场成功和生态产品，尤其是家电的创新协同效应为出货表现带来动能，小米实现了连续四个季度的份额增长。苹果及iPhone16系列仍坐上第四季度头把交椅，但面临来自本土厂商旗舰的竞争压力。除通过季节性促销刺激销售，苹果正通过渠道管理提升零售场景、提供Trade In以旧换新计划以及扩大免息分期覆盖等策略提升在中国市场的高端竞争力及用户粘性。” Canalys研究分析师钟晓磊（Lucas Zhong）评论道：“展望2025年，Canalys预测中国智能手机市场出货量将超过2.9亿台。中国在全球范围内拥有独具优势的友好市场环境，例如预期延续温和复苏的需求、宏观经济环境的稳定与回暖、健康的渠道经营。除此之外，中国政府在1月份宣布了包含智能手机在内的全国补贴政策，为市场今年的增长打下基础，厂商已陆续着手渠道和供应的前期准备。在产品体验方面，消费者在各价位段的产品都将能够得到进一步的体验升级，例如更耐久的电池、轻薄的机身、创新的产品形态、AIOS体验等。”

手机

Canalys . 2025-01-16 1 1 1205
美国再出台AI禁令，新增25家进入中企实体名单

1月15日晚间，美国商务部工业和安全局（BIS）发布两项新规，一项更新了先进计算半导体的出口管制，另一项将14家中国实体和2项新加坡实体列入实体清单。这14家实体中有1家是渠梁电子，其他13家是智算芯片公司算能科技及其子公司。在另一份新闻稿中，BIS宣布将11家中国实体列入实体清单，包括中国“大模型六虎”之一智谱旗下10个实体、AI芯片设计企业算能旗下约11个实体（含一家新加坡分公司），以及哈勃投资的光刻机企业科益虹源等。这是美国首次将中国大模型公司列入实体清单。对于算能等AI芯片设计企业列入清单，美国商务部称，这些公司正在按照中国的要求进一步实现中国自主生产先进芯片的目标，这对美国及其盟国的国家安全构成了威胁。智谱称，其在技术上坚定投入，基于自主原创的GLM系列模型，以Model as a Service(MaaS)为理念构建的开放平台bigmodel.cn，正持续为千行百业带来人工智能创新变革。 C端产品智谱清言，帮助数千万中国用户使用国产AI助手，用AI服务社会。智谱已发声明回应，认为“这一决定缺乏事实依据”，并称“鉴于智谱掌握全链路大模型核心技术的事实，被列入实体清单不会对公司业务产生实质影响”。据介绍，智谱由清华大学成果转化而来，是中国最早的大模型企业，自2020年开始投入研发GLM预训练架构，2022年发布中英双语千亿级超大规模预训练模型GLM-130B并开源，2023年推出千亿基座对话模型ChatGLM。 2024年，推出新一代基座大模型GLM-4和GLM-4-Plus，对标世界先进水平。 BIS发布的新规，再度加强了对中国获得高端芯片的限制，要求对寻求出口某些先进芯片的代工厂和封装厂实施更广泛的许可要求，除非满足如下三个条件之一：出口到值得信赖的“经批准（Approved）”或“授权（Authorized）”集成电路设计商，由该设计商证明芯片低于相关性能阈值；芯片由澳门以外地点或D:5国家组的目的地的前端制造商封装，由制造商核验最终芯片的晶体管数量；芯片由“经批准”的外包半导体组装和测试服务（OSAT）公司封装，该公司核验最终芯片的晶体管数量。 BIS列出了33家“经批准”的芯片设计公司和24家OSAT供应商名单，包括苹果、英伟达、微软、Alphabet、亚马逊、Meta、博通、AMD、高通、英特尔、联发科等设计巨头，台积电、三星、英特尔、IBM、日月光、安靠等代工及封测巨头。要想被列入“经批准”名单，申请者需证明“ 有能力防止计算资源的滥用和转移 ”。其他规则如下：创建一个流程，将新公司添加到经批准的集成电路设计者和半导体组装和测试服务列表中。改进涉及可能带来更高转移风险的新客户的交易报告。更新《出口管理条例》（EAR）的其他部分，包括最近的《AI扩散规则》，以确保许可例外仅适用于涉及经批准或授权的集成电路设计者的交易。对12月2日的出口管制进行技术更正，包括更新第772.1条中动态随机存取存储器（DRAM）芯片的“先进节点集成电路”的定义。将16个实体添加到实体名单中，其中包括算能科技等AI公司。（美国商务部称这些公司以进一步实现中国自主生产先进芯片为目标，对美国及其盟国的国家安全构成了威胁。）根据EAR文件中的定义，先进节点集成电路包括满足以下任一标准的集成电路：（1）采用非平面晶体管结构或“生产”“技术节点”为16/14 nm或以下的逻辑集成电路；（2）128层及以上的NOT AND（NAND）存储集成电路；（3）动态随机存取存储器（DRAM）集成电路，具有：i）存储单元面积小于0.0019 µm 2；或 ii）内存密度大于每平方毫米0.288 gigabits。此新规的公布，正值美国拜登政府执政进入倒计时，堪称是拜登“最后的疯狂”。‍‍‍‍‍‍‍‍‍就在本周一，美国拜登政府宣布全球“AI扩散”规则，进一步打压中国大陆获得AI芯片的能力，并遭到美国半导体产业界的激烈谴责。另据外媒援引知情人士消息，去年11月，美国商务部曾向台积电等顶级芯片代工厂致信，要求这些公司停止为中国大陆客户提供包含超过300亿颗晶体管的芯片、任何将处理器与高带宽内存 (HBM) 捆绑的设计、任何需要先进芯片封装技术的设计（如台积电CoWoS），还要求台积电停止生产AI训练芯片或尺寸大于300mm的芯片。台积电作出回应，暂停了对几家中国AI芯片客户的服务。 1月15日，我国商务部新闻发言人就近期美系列涉华贸易限制措施发表谈话： “一段时间以来，拜登政府利用剩余任期密集出台涉华贸易限制措施，以所谓国家安全等为由，不断升级对华半导体出口管制，限制中国网联车软件硬件及整车在美国使用，对中国等国家的无人机系统发起信息通信技术与服务安全审查，制裁多家中国企业。此外，还将多家中国实体列为‘恶名市场’。中方对此强烈不满、坚决反对。‍ 拜登政府相关措施严重侵害中国企业正当权益，严重破坏市场规则和国际经贸秩序，严重威胁全球产业链供应链稳定，损害了包括美国企业在内的全球各国企业利益。不少美国主要企业、产业协会已对一些措施明确表示反对立场，部分国家和地区也表示不理解、不认同。相关做法是典型的经济胁迫行为和霸凌主义，既不理性，也极不负责任，不仅对中美经贸关系造成破坏，也将严重影响全球经济稳定发展。拜登政府说一套做一套，靠制裁、遏制、打压是无法阻挡中国前进步伐的，只会增强中国自立自强、科技创新的信心和能力。中方将采取措施，坚决维护自身主权、安全、发展利益。” 昨日，荷兰外交部发布公告，宣布将扩大半导体相关物项出口管制范围，对部分半导体制造设备、软件等进一步加严出口管制。我国商务部新闻发言人也就此答记者问： “半导体产业是高度全球化的领域，近来部分国家一再泛化国家安全概念，滥用出口管制，严重威胁全球半导体产业链供应链稳定，中方对此坚决反对。中方希望荷方作为世贸组织成员从维护国际经贸规则及中荷经贸合作大局出发，尊重市场原则和契约精神，切实维护包括中荷企业在内的各国企业正当权益，维护全球半导体产业链供应链稳定。” 一边堵住了东南亚、中东等其他国家的数据中心和算力建设，一边快速推进美国本土的算力资源准备（GPU、核电、甚至未来的本土芯片制造）。无论AI模型和技术出现任何变化，最底层的资源要素希望牢牢的被控制在美国本土。此外，加上出台对台积电、三星、中芯国际的种种限制，将先进制造能力紧紧抓住美国手里，全世界的AI资源都会向美国倾斜。短期会对NVIDIAI、甲骨文等公司有业绩上的影响，长期来看利好美国利益。

禁令

芯查查资讯 . 2025-01-16 4440
回顾&展望 | Imagination：2025看好智能化在车、物联网、消费电子边缘和端侧渗透

在经历了产能紧缺，芯片缺货，产能过剩之后，2024年半导体产业终于开始走出低迷，与AI相关的产业更是一片繁荣，半导体总体市场涨幅甚至超过双位数。但如果去除AI相关的行业，似乎回暖仍是不如预期。芯查查采访了数十家半导体上下游企业，本篇采访企业为：Imagination。Imagination是一家英国的芯片IP公司。2024年，Imagination 有了哪些收获？取得了哪些成绩？对于2025年，有哪些机会值得憧憬和期待？图注：Imagination产品总监郑魁芯查查：如果让您用3个关键词来总结2024年的半导体市场情况，您会用哪3个关键词，为什么？郑魁：如果用 3 个关键词来总结 2024 年半导体市场情况，我会选择 “AI （驱动变革）”、“汽车（加速转型）”和“异构计算（广泛兴起）”。全球半导体行业从 2023 年去库存带来的低迷中强势复苏，2024年中国半导体行业协会表示中国集成电路设计产业的销售收入保持了两位数的增长，同时半导体行业协会（SIA）统计表明2024 年第三季度全球半导体销售额创下 1660 亿美元高点，这种持续稳定增长的态势态势得益于三个重要的创新与变革力量。首先，人工智能（AI）技术正在驱动智能化变革，无论是大模型驱动的智算中心对GPU、NPU和高速连接解决方案的需求，还是广泛兴起的边缘计算和智能终端，都对支持各种类型 AI 芯片、存储芯片和连接芯片带来了新的需求，成为全球半导体市场增长的最关键驱动力。其次，随着汽车产业和产品加速向“新四化”转型，汽车正向新的电子电气架构转型，不仅是驾驶辅助（ADAS）和自动驾驶（AD）技术开始广泛渗透到汽车产业，而且智能座舱也广泛兴起，促使各种半导体产品深度渗透汽车系统，这一变革给整个汽车行业的带来翻天覆地的变化，包括新主机厂商和tier-1和tier-2的出现，以及电子部件在汽车成本中所占比例大幅度提升等。而无论对于AI技术还是应用，以及汽车的新电子电气架构，其背后的推手都是创新的计算技术，而不再只是传统的计算架构利用摩尔定律或者缩放规则做简单的升级，其核心的要素就是针对不同的计算需求将相应的优势计算单元集成在一起，比如RISC-V + GPU，因此“异构计算”在诸如边缘智能、汽车应用和智能消费电子等许多领域内成为主流，不仅成就了全球半导体行业在2024年的发展，而且还会影响今后很多年的集成电路设计模式。芯查查：在您看来，2024年你们取得了哪些成绩？又遇到了什么挑战？是如何应对的？郑魁：在 2024 年中，Imagination在各方面都取得了长足的发展。首先，我们获得了 Fortress Investment Group 的大规模投资，这将加速我们在图形和端侧 AI 技术开发方面的进程。其次，我们的半导体 IP 业务持续发展，在移动、桌面、汽车和数字消费电子等多个市场上成功地扩展了与客户的合作。第三，针对新的应用，Imagination的创新工程师团队通过不懈努力，正在源源不断地将创意转化为实际的工程解决方案，例如我们在2024年推出了 Imagination DXS GPU IP，为汽车市场提供了强大的功能安全解决方案。包括Imagination在内，芯片行业主要玩家在过去一年面临的最大挑战就是人工智能技术和应用从云或者智算中心快速向边缘和端侧设备扩散，带来了在架构上和技术上的一系列新挑战。在架构方面，边缘和端侧AI模型的多样性和快速迭代，要求硬件的可编程性及适配性更强，不仅要满足一种场景或者现有模型，还要支持不同场景中的不同模型，因此能够同时提供并行处理和可编程性的GPU将在其中扮演重要角色。在技术方面，边缘和端侧 AI SoC不仅需要适应多样化的场景和处理多种任务，而且还要在算力、功能、成本及热预算间实现平衡，例如用于汽车应用的GPU还必须提供功能安全性和硬件虚拟化功能。面对这些挑战，Imagination积极应对并取得了不少的成果。例如针对汽车智能化需求，我们在2024年推出的Imagination DXS GPU IP不仅算力和性能领先业界，而且还以仅仅略微增加芯片面积的方式实现了功能安全，并提供HyperLane硬件虚拟化功能，助力智驾芯片设计厂商将创意落地。在端侧 AI 设计上，我们从全局视角出发，注重软硬件结合，提升加速器能效和可编程性，构建计算软件栈帮助开发者释放能力。芯查查：Imagination今年主要关注哪些市场？这些市场在今年的表现如何？郑魁：Imagination在2025年主要关注边缘和端侧的智能化带来的新兴市场以及架构创新，主要应用场景依然是汽车、消费电子、桌面和移动设备，这些市场在2025年都会因为诸多技术创新而实现巨大的发展。例如汽车的智能化–正带来许多新的挑战与机会，为了应对越来越智能的汽车中不断上升的计算成本，汽车行业正在将多项功能整合到更少但更强大的控制器中。这一趋势在算力之外还带来了三大技术挑战：智能驾驶功能越来越普及，正在从一家主机厂的某些车型转向更多的车型，就意味着这款强大的处理器需要更多的灵活性和可编程性，而基于GPU架构的智驾芯片可以提供比基于NPU的智驾芯片更高的灵活性和经济性，从而为智驾芯片开发商克服挑战带来更多的获利机会。越来越多、越来越复杂的智能工作负载不是总靠不断增加处理器核心来应对，一个控制多个域的控制器需要一个强大的硬件虚拟化解决方案，用于工作负载优先级管理和避免任务干扰。汽车应用功能安全至关重要（即在及时且安全的方式下检测并处理故障的能力），任何处理安全关键任务的硬件都需要符合ISO 26262汽车功能安全标准（ASIL）的认证。但过去满足ASIL要求一直以来对OEM来说成本较高， Imagination近期通过其新发布的DXS GPU显示出来的在分布式功能安全领域的创新消除了这些负担，使智驾芯片企业能够在不显著增加开销的情况下满足功能安全要求。所以，通过在不同的场景和许多领域内充分应对了类似的挑战，用于边缘和端侧的智能化SoC的市场将有广阔的发展前景。芯查查：在您看来，2025年半导体行业的增长点将来自哪些方面？Imagination在这些方面有哪些布局和计划？郑魁：我们认为 2025 年半导体行业增长点主要来自智能化在汽车、物联网和消费电子等边缘和端侧的广泛渗透。作为一家GPU和AI IP提供商，Imagination正在加速转向边缘AI技术的开发和应用，并与国内外的RISC-V CPU IP等生态伙伴深度合作，帮助边缘和端侧智能SoC开发企业降低风险并加速产品开发，使这些企业能够部署高质量、高性能的GPU处理器。为了加速智能化的普及，我们不仅与成熟企业合作，帮助他们持续向客户提供最新的图形处理和AI技术创新，还全面支持市场中充满动能的新兴企业，例如桌面计算等很多领域内的新玩家。目前，Imagination的GPU已经成为了RISC-V设计非常友好的GPU IP，其产品已被广泛应用于多款芯片中。随着RISC-V CPU的渗透率进一步提升，以及客户向更复杂的应用处理器和人工智能芯片方向演进，我们预计将有更多的Imagination GPU IP被集成到支持RISC-V的SoC中。芯查查：展望2025年，您对半导体行业的发展有什么建议和期待？郑魁：我们认为2025年将是在AI技术推动下，充满了令人振奋的创新的一年。首先，越来越多地从高端到中端的计算设备、移动设备和消费电子产品都在加入AI能力，这有助于打破以传统CPU计算架构在许多领域内的垄断和掣肘，推动诸如RISC-V + GPU 等更加灵活高效硬件体系的普及，甚至更加紧密的集成。其次，中国不仅是巨大的消费市场，也是全球电子产品供应链上最重要的环节之一，因此其具有的巨大市场潜力能够支撑和孵化出采用新架构参与竞争的芯片设计企业，同时Imagination也已经为这个市场准备好了相应的解决方案。

芯查查

芯查查资讯 . 2025-01-15 1 1 2130
Allegro 重新定义传感技术，推出全新紧凑型封装电流传感器芯片

近日，Allegro 宣布推出两款全新电流传感器芯片-ACS37030MY 和 ACS37220MZ。凭借 Allegro 的尖端传感技术，这些芯片提供低内部导体电阻、高工作带宽和可靠的性能，适用于各种汽车、工业和消费类应用。 Allegro 的新型电流传感器芯片专为在紧凑耐用的封装中进行精确电流传感而设计。ACS37030MY 和 ACS37220MZ 采用宽体设计，与市面上现有的 16 引脚封装相比，尺寸缩小 40%，隔离度更高。新的创新设计还降低了电阻，有助于减少功耗。 ACS37030MY 是一款完全集成的电流传感器芯片，具有快速的响应时间，可保护宽带隙 GaN 器件。它结合了霍尔效应和感应线圈信号路径，可在宽频率范围内感测电流。这种创新的封装产品不仅比现有解决方案快 5 倍，而且尺寸缩小了 40%。ACS37030 也提供窄体封装，适用于隔离要求较低的应用。 ACS37220MZ 是一款完全集成的霍尔效应电流传感器芯片，具有 150 kHz 带宽和故障引脚。该器件专为经济型电流传感应用而设计，是广受欢迎的 ACS724/5 系列产品的后续产品。ACS37220MZ 的新封装解决方案尺寸缩小了 40%，电阻更低，功耗更低。 Ram Sathappan Allegro 全球营销和应用副总裁： Allegro 持续推动传感器芯片技术的创新前沿，我们很高兴推出最新的电流传感器芯片。这些最新产品树立了精度和可靠性的新标杆，助力客户克服设计和效率标准的重重挑战，同时也生动地展示了我们的技术如何驱动一个更智能、更高效的未来。

Allegro

Allegro微电子 . 2025-01-15 1115
蓝牙技术联盟宣布2025蓝牙亚洲大会重磅回归

北京，2025年1月15日——蓝牙技术联盟（Bluetooth Special Interest Group，SIG）宣布，蓝牙亚洲大会（Bluetooth Asia）将于2025年5月22日至23日在深圳会展中心（福田）5号馆举办。作为蓝牙技术的年度盛会，2025蓝牙亚洲大会在时隔五年后重磅回归，旨在为全球行业领袖、开发者和创新人士分享蓝牙技术的最新进展，共探蓝牙生态的未来发展趋势。 2025蓝牙亚洲大会将聚焦众多热门主题，包括蓝牙技术在人工智能、汽车产业中的作用，Auracast™广播音频带来的变革性新音频体验，以及蓝牙“查找（Find My）”解决方案等。本次大会预计将吸引超过3,000名行业精英参与，并将展示超过60家参展商的最新成果，为业内人士提供一个交流互动、分享智慧、探索前沿蓝牙产品与解决方案的绝佳平台。在丰富的会议日程中，蓝牙技术联盟的全球高管、行业领袖及技术专家将带来多场精彩演讲，同参会者一起深入剖析蓝牙技术的发展动态和新兴应用领域。目前，包括Nordic Semiconductor、泰凌微电子（Telink Semiconductor）、中科蓝讯、富芮坤、百瑞互联、蓝科迅通和奉加科技等在内的行业领先企业已确认参展，足以彰显此次展会的行业影响力。蓝牙技术联盟首席执行官 Neville Meijers 表示： “蓝牙技术联盟非常高兴能够借此机会召集全球产品创新者、开发者、制造商、分析师和媒体，共探蓝牙技术如何塑造无线通信的未来。2025蓝牙亚洲大会不仅将带来行业专家的深度见解，还将为参会者提供一个与高层决策者交流的机会。在这里，我们将通过沉浸式的展览来展示蓝牙技术在消费品领域的应用创新，并展望其在商业和工业市场的广泛扩展。” 大中华区拥有超过10,000家蓝牙技术联盟成员公司，在全球蓝牙生态系统中扮演着举足轻重的角色。此次蓝牙亚洲大会的举办，将进一步推动中国企业在蓝牙技术领域的发展与应用，共同开创更加智能互联的未来。欲了解更多关于2025蓝牙亚洲大会的信息，请访问官方网站：http://www.bluetoothasiaevent.com。如有意申请展位、赞助及演讲机会，请通过邮箱bta@cetimes.com与我们联系。关于蓝牙技术蓝牙（Bluetooth®）技术是一项简单、安全的全球通用无线通信和定位标准，采用它的产品年出货量已超过50亿。自1998年问世以来，蓝牙技术创造的连接开拓了新的市场、塑造了文化，并丰富了人们的生活。蓝牙技术最初只是一项简单的线缆替代技术，而如今它已成为一条使人们生活更加安全、高效和幸福的无形纽带。关于蓝牙技术联盟蓝牙技术联盟（Bluetooth SIG）成立于1998年，是一个非营利会员组织，负责监管蓝牙技术——全球应用最广泛的无线标准之一。蓝牙技术联盟是国际标准制定组织、产品认证机构、专利和商标许可管理机构，以及行业贸易协会的独特结合体。该组织通过与40,000多家会员企业合作，不断改进技术，重新定义无线通信应用的可能性。

蓝牙

蓝牙技术联盟 . 2025-01-15 1010
高速差分接口用小型化车载静噪元件

株式会社村田制作所推出了1210尺寸静噪元件共模扼流线圈“DLM11CN_HH2系列”新产品，适用于汽车中的LVDS、SerDes、USB、HDMI等高速差分接口——其中LVDS(Low Voltage Differential Signaling)是液晶面板用接口，SerDes(Serializer/Deserializer)则用于串行和并行信号互换的电路。本新产品已从2024年12月起开始批量生产。在汽车市场，随着高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶(AD)的发展，汽车周围检测用相机、以及通过激光束检测车辆周围障碍物的系统的LiDAR(Light Detection and Ranging）等传感设备、环视显示器、平视显示器、智能后视镜、液晶速度仪表等使用显示器的设备也不断增加。此类设备的图像数据需要通过LVDS/SerDes来传输。此外，车辆内座位上还配备了多个USB端口，用作与智能手机和个人电脑联动的接口，用于USB端口的小型产品的需求也随之不断增长。此类差分接口的共模静噪对策至关重要，因此需要适用于高速信号的小型共模扼流圈。为此，村田基于自主研发的层压技术，成功研发了相较原有的2012尺寸更小型的1210尺寸产品。主要规格 AEC-Q200是汽车电子协会（AEC，Automotive Electronics Council）制定的一项标准。

村田

Murata村田中国 . 2025-01-15 1 675
从安森美几款最新品发布看电源技术的绿色变革路线图

在全球气候变化日益严峻的背景下，节能减排已成为国际社会共同面临的重大课题。各国政府纷纷出台政策，推动能源结构转型和低碳经济发展，旨在实现《巴黎协定》设定的温升控制目标。在此趋势下，高效、环保的电源技术成为了行业发展的关键方向。作为全球领先的高能效电源管理解决方案提供商，安森美（onsemi）就不断推出创新产品，致力于加速电源技术的绿色变革。从最新的碳化硅（SiC）技术到集成度更高的电源模块，再到多产品组合的完整电源方案，安森美的技术创新不仅体现了对环境责任的担当，也为行业树立了新的标杆。本文将深入探讨安森美近期发布的几款代表性产品，分析其如何引领电源技术走向更加绿色可持续的发展道路。以创新模块化设计挖掘性能潜力模块化设计在很多领域都成为一种提高产品集成度、功率效率和降低成本的有效方式，而功率半导体应用领域尤其显著，无论是新能源应用、电动汽车和储能领域都收到欢迎。模块化设计通过集成多个功率器件和功能，简化了系统设计和组装过程，提高了系统的可靠性和效率。模块化产品通常具有更好的热管理性能和电气性能，能够承受更高的功率密度和更严苛的工作环境。安森美今年就推出了多款功率模块的最新迭代。其中F5BP封装的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模块就非常适合用于提高大型太阳能组串式逆变器或储能系统 (ESS) 的功率。与前几代产品相比，这些模块在相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率，将太阳能逆变器的总系统功率从 300 kW提高到 350 kW。这意味着，使用最新一代模块的装机容量为一千兆瓦的大型太阳能发电场，每小时可实现近两兆瓦的节能效果，相当于每年为超过 700 户家庭供电。此外，要达到与上一代产品相同的功率，所需的模块数量更少，可将功率器件的元器件成本降低 25% 以上。由于太阳能发电的平准化能源成本 (LCOE) 最低，太阳能正日益成为全球可再生能源发电的首选。为了弥补太阳能发电的不稳定性，公用事业运营商也在增设大型电池储能系统 (BESS) ，以确保电网的稳定供能。为了支持这种系统组合，制造商和公用事业公司需要能够提供最高效率和可靠电力转换的解决方案。每提高 0.1% 的效率，对于每千兆瓦装机容量，每年可节省 25 万美元的运营成本。 F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二极管，实现高电压和大电流转换的同时降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT 关断损耗低，可将开关损耗降低达 8%，而EliteSiC二极管则提供了卓越的开关性能，与前几代产品相比，导通压降 (VF) 降低了15%。这些PIM包含了一种创新的I型中点箝位 (INPC) 拓扑结构的逆变器模块和飞跨电容拓扑结构的升压模块。这些模块还使用了优化的电气布局和先进的直接铜键合 (DBC) 基板，以降低杂散电感和热阻。此外，铜基板进一步将结到散热片的热阻降低了9.3%，确保模块在重载下保持冷却。这种热管理对于保持模块的效率和使用寿命至关重要，使其在需要可靠和持续供电的苛刻应用中非常有效。碳化硅技术再迭代，新平台EliteSiC M3e性能升级如果电源技术没有重大创新，现有的基础设施将无法满足全球日益增长的智能化和电气化出行需求，而电气化的未来依赖于先进的功率半导体，电源创新对于实现全球电气化和阻止气候变化至关重要。碳化硅技术被人们寄予厚望，每一代新的碳化硅技术都会优化单元结构，以在更小的面积上高效传输更大的电流，从而提高功率密度。结合公司自有的先进封装技术，安森美能最大化提升性能并减小封装尺寸，其EliteSiC M3e MOSFET将发挥关键作用，以更低的千瓦成本实现下一代电气系统的性能和可靠性，从而加速普及电气化并强化实施效果。由于能够在更高的开关频率和电压下运行，该平台可有效降低电源转换损耗，这对于电动汽车动力系统、直流快速充电桩、太阳能逆变器和储能方案等广泛的汽车和工业应用至关重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 将促进数据中心向更高效、更高功率转变，以满足可持续人工智能引擎指数级增长的能源需求。 EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比，该平台能够将导通损耗降低30%，并将关断损耗降低多达50%1。通过延长SiC平面MOSFET的寿命并利用EliteSiC M3e 技术实现出色的性能，安森美可以确保该平台的坚固性和稳定性，使其成为关键电气化应用的首选技术。 M3e MOSFET 还提供超低导通电阻(RSP)和抗短路能力，这对于占据SiC市场主导地位的主驱逆变器应用来说至关重要。M3e 裸片与之前的EliteSiC技术相比，能够提供更大的相电流，使同等尺寸主驱逆变器的输出功率提升约20%。换句话说，在保持输出功率不变的情况下，新设计所需的SiC材料可以减少20%，成本更低，并且能够实现更小、更轻、更可靠的系统设计。强强联合的组合方案向性能优化要效率俗话说，“好钢要用到刀刃上”、“一个好汉三个帮”，要实现当前新能源、储能和数据中心等对效率敏感的领域的高效率运营，个别功率器件的“单打独斗”有时候挖掘效率的潜力有限，组合的方案能实现更高的效率。以能耗大户数据中心为例，如果能够减少约1%的电力损耗。全球的数据中心每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量。为此，安森美推出通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V的数据中心完整电源解决方案，强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，在更小的封装尺寸下达到了能效和热性能的极高指标。预计在未来不到两年的时间，全球数据中心的电力需求将达到约1,000太瓦时（TWh），从电网到处理器，电力需要经过四次转换来为人工智能请求的处理提供电能，这可能导致约12%的电力损耗。在12%的损耗中，我们能挖掘很多效率的潜力空间。安森美EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC)MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结(SJ)MOSFET相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。另外，T10 PowerTrench系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于1毫欧的导通电阻RDS(on)。此外，软恢复体二极管和较低的Qrr有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在压力下的最佳性能、可靠性和稳健性。T10 PowerTrench 系列还符合汽车应用所需的严格标准。通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案，预计数据中心能够减少约1%的电力损耗。而且，该组合解决方案还符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架V3(ORV3)基本规范，支持下一代大功率处理器。

安森美

安森美 . 2025-01-15 1015
Qorvo 在手机射频前端模块和Wi-Fi 7 FEM设计上的策略与挑战

随着Qorvo®入选联发科技MediaTek Dimensity 9400首发Wi-Fi 7 FEM重要供应商，移动应用已正式迈入Wi-Fi 7时代。作为射频前端领域的领导者，Qorvo与多家芯片平台供应商保持着长期合作关系。近日，Qorvo资深产品行销经理陈庆鸿（Footmark Chen）与Qorvo亚太区无线连接事业部高级行销经理林健富（Jeff Lin）接受了DigiTimes的专访，深入探讨了Qorvo在手机RF和Wi-Fi 7技术上的最新进展及市场策略，以下是根据此次专访整理的报告。手机射频前端模块的竞争和技术开发面对激烈的市场竞争和后来者的低价策略，Qorvo在手机5G射频芯片领域持续推动技术创新，力求保持领先地位。据Footmark介绍，尽管从外界看来，5G通信技术的发展速度并不像预期的那样迅速，但在芯片设计方面，仍然需要不断提出新的设计理念，以满足手机内部越来越苛刻的设计要求以及手机SoC平台厂商与调制解调器供应商的规格需求。对于公司而言，技术开发的挑战日益增加，但为了维持市场领先，必须继续投入资源进行新技术研发。现阶段客户最关注的是功耗和体积能否得到有效控制甚至进一步减小，这对产品开发提出了巨大的挑战。Qorvo已经拥有了相应的解决方案，可以满足客户需求并提供使用，这也是公司在市场上保持竞争优势的关键所在。事实上，射频前端模块市场的后来者众多，特别是中国大陆和台湾地区的厂商，正积极寻求切入这个出货量庞大的手机领域。面对这一态势，Qorvo不仅稳固地保持着其在高端及入门级市场的地位，更通过不断的技术革新，专注于提升产品性能，致力于减少手机的功耗与占用空间，从而为客户带来显著的附加价值。这些努力不仅增强了产品的竞争力，也帮助合作伙伴在市场上取得成功。 Wi-Fi 7 FEM设计的三大挑战 Jeff指出，从Wi-Fi 6到Wi-Fi 7的功能大幅升级为客户设计FEM带来了不少挑战。其中最核心的挑战是功耗表现。在手机应用中，改善功耗一直是不变的目标，但近年来各大手机品牌更加注重精准的能耗控制，以在电池容量难以大幅提升的情况下延长续航时间。尤其随着AI功能的加入，电量分配变得更加重要。FEM作为一个相当耗电的芯片模块，在功耗上的优化备受关注，过去只需要设定三种不同的用电模式，现在则需要适应更多使用场景，划分为更多用电模式，这对设计提出了更高要求。另一个挑战是关于高度和面积的问题，这主要是为了配合手机应用中不断增加的需求，如更大的电池或未来可能出现的新功能所需的额外空间。折叠屏手机由于机身比普通智能手机更薄，对FEM的高度也提出了缩小的要求。尽管芯片微缩变得越来越困难，客户仍然对缩小模块体积有显著需求，这使得设计工作非常棘手。最难的部分在于满足客户的各种特殊功能需求。Jeff坦言，由于手机市场的竞争异常激烈，可升级的地方越来越少，各品牌只能通过一些独特的卖点来吸引用户。作为组件制造商，必须配合客户需求进行定制开发，但这有时会与上述两个要求形成矛盾。例如，有些客户可能希望集成手持无线电对讲机功能，这就需要提高放大器的功率，而这又与低功耗设计产生冲突，确实存在很多难题。无论客户需求如何，作为市场的领头羊，Qorvo必须确保其技术始终处于最前沿的位置。尤其是在FEM市场竞争日益激烈的背景下，后来者追赶速度很快，针对Wi-Fi 6的技术投入已经减少，因为该领域已经被后来者瓜分殆尽。未来的重点将放在Wi-Fi 7等先进技术的开发上。在全球无线通信技术迅速发展的背景下，作为射频解决方案的领导者，Qorvo期待着Wi-Fi 7普及化的时刻尽快到来，带动高端新品的大规模销售。在5G手机射频芯片及Wi-Fi 7 FEM的设计上，Qorvo凭借卓越的技术实力和深厚的行业经验，不断推出满足客户需求的创新产品。未来，Qorvo将继续引领行业发展，为全球客户提供更具竞争力的射频解决方案。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-01-15 1110
Supermicro极致性能服务器开始量产供货，可针对AI、高性能计算、虚拟化以及边缘端工作负载优化

全面升级后的服务器搭载全新Intel® Xeon®6900系列性能核（P-core）架构处理器，并已开始量产供货。这些服务器采用优化极致性能设计，支持新一代世代GPU、更高带宽的内存、400GbE网络、E1.S和E3.S硬盘，以及领先业界的直达芯片（Direct-to-Chip）液冷解决方案作为AI/ML、高性能计算、云端、存储和5G/边缘领域的全方位IT解决方案提供企业，开始针对搭载Intel Xeon 6900系列性能核架构处理器的极致性能服务器进行供货。此系列系统采用多种升级后的全新技术，以及新型优化架构，适用于计算需求最严苛的高性能工作负载，包括大规模AI、集群规模高性能计算，以及协作设计、媒体传播等需要GPU数量最大化的应用环境。 Supermicro总裁暨执行长梁见后表示：「目前正量产供应的系统具备低延迟特色与最大化I/O扩充配置，提供高度数据传输量，且具有256颗性能核（每个系统）、针对每个CPU所配备并支持MRDIMM的12组内存信道，以及高性能EDSFF存储选项，可为全球客户带来崭新功能和性能等级。通过我们的服务器建构组件解决方案（Server Building Block Solutions®）设计，Supermicro完整、完善的服务器系列采用全新应用优化技术，并已开始供货。此外，Supermicro也具有可供应任何规模解决方案的全球产能，以及由内部开发，可提供空前散热效率的液冷技术，引领业界迈向极致性能计算的新时代。」通过Supermicro的JumpStart计划，多款X14系统现可供远程测试和验证。 Supermicro X14系统包含多种外形规格，而每个机型皆针对许多类型的性能密集型工作负载进行了优化： ●GPU优化的设计可支持最新一代SXM和PCIe GPU。其中，特定型号也具备了经强化的散热性能和直达芯片液冷技术。 ● 高密度多节点系统包括全新FlexTwin™和GrandTwin®机型，以及经验证与获奖的SuperBlade®架构。这类机型借由共享组件提高效率，且可配备直达芯片液冷技术以实现最高性能密度。 ●经市场认可的Supermicro Hyper机架将单插槽或双插槽架构、高灵活度的I/O，以及传统机架式机型存储配置结合，助力企业和数据中心随着工作负载改变而进行垂直与横向扩充。 Supermicro的极致性能X14系统搭载Intel Xeon 6900系列性能核架构处理器，其中每个CPU具有最高128颗性能核，可支持最高8800 MT/s的高带宽MRDIMM，以及AI专用Intel AMX等内建型加速器。对于任何规模的数据中心，Supermicro皆可提供完整的机架级整合服务，包括设计、建构、测试、验证和交付，使X14系统成为数据中心的完美建构组件。Supermicro拥有领先业界的全球制造产能，每月最高可生产5,000个机架（2,000个液冷机架），并拥有广泛齐全的测试和烧机设施，可在数周内交付任何规模的解决方案，而不用耗时数月。通过Supermicro内部开发的完整液冷直达芯片散热板解决方案，液冷技术可容易地被纳入机架级整合，进一步提高系统效率，减少热节流机制发生，同时降低数据中心部署的总体拥有成本（TCO）和总体环境成本（TCE）。这些一站式解决方案包括机架、布线、电源和散热基础架构，可简化大规模解决方案的部署作业。为了使最新X14系统的性能和密度达到最大化，Supermicro也提供内部开发的完整液冷解决方案，包括用于CPU、GPU和内存的冷板，以及冷却液分配装置、冷却液分配歧管、软管、连接器和冷却水塔。这些液冷技术可容易地被纳入机架级整合中，提高系统效率，减少热节流机制发生，同时降低数据中心部署的总体拥有成本（TCO）和总体环境成本（TCE）。 Supermicro极致性能X14系统支持采用性能核的Intel Xeon 6900系列处理器，其特色包括： GPU优化 - 最高性能的Supermicro X14系统，专为大规模 AI 训练、大型语言模型（LLM）、生成式AI和高性能计算所设计。这些系统支持八个最新一代的SXM5和SXM6 GPU，并可搭配气冷或液冷散热技术。 PCIe GPU - 专为最大GPU灵活性所设计，并能在散热优化5U或边缘优化3U机箱内支持最高10个双倍宽度PCIe 5.0加速器卡。这些服务器非常适合AI推理、媒体、协作设计、模拟、云端游戏和虚拟化工作负载。 Intel®Gaudi® 3 AI加速器 – Supermicro已开始供应业界首款搭载Intel Xeon 6处理器与Intel Gaudi 3加速器的AI服务器，可提升大规模AI模型训练和AI推理的效率并降低成本。这些系统可在OAM通用基板上搭载八个Intel Gaudi 3加速器，并配备六个整合式OSFP端口，能以符合成本效益的方式横向扩充网络，同时也具备一个开放式平台，可运用基于社群的开放原始码软件堆栈，无需软件授权成本。 SuperBlade® - Supermicro的X14 6U高性能、密度优化，以及高能效的SuperBlade，能将机架密度最大化，且每个机架最高可容纳100台服务器和200个GPU。每个节点皆针对AI、高性能计算和其他计算密集型工作负载进行优化，采用气冷或直达芯片液冷技术使效率达到优化，并以最佳的总体拥有成本实现最低的电力使用效率（PUE），同时也可连接最高四个整合式以太网络交换器，通过其100G上行链路和前置I/O支持许多灵活网络选项，且每个节点具有最高400G InfiniBand或400G以太网络。 FlexTwin™ - 全新Supermicro X14 FlexTwin架构是专为高性能计算而打造，并具高度成本效益。这些系统可在多节点配置中提供最大计算力和密度，并能在48U机架内容纳最高24,576个性能核。每个节点皆针对高性能计算和其他计算密集型工作负载进行优化，并采用直达芯片液冷技术以最大化效率并减少CPU热节流机制的发生，同时也具有针对高性能计算的低延迟前置和后置I/O，且支持最高400G的许多灵活网络选项。 Hyper - X14 Hyper是Supermicro的旗舰级机架式平台，专为需求严苛的AI、高性能计算和企业应用程序提供最高的性能。这些平台的单插槽或双插槽配置支持双倍宽度PCIe GPU，可实现工作负载最大加速，并提供气冷和直达芯片液冷式机型，可支持顶级CPU而不受散热因素的限制，同时降低数据中心的冷却成本，并且提高效率。

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SMCI . 2025-01-15 935
暴跌84.7%，Wolfspeed挂牌出售

据了解，美国芯片制造商 Wolfspeed 已将其位于达拉斯郊外的德克萨斯州工厂挂牌出售。该数据中心位于农民布兰奇，通过Loopnet挂牌出售，价格不详，包含四栋建筑，包括一个 14MW 的数据中心设施。该数据中心位于 14465 Maxim Drive 的 G 楼，可扩展至 28MW，占地 4,700 平方英尺（436 平方米），设施面积为 35,826 平方英尺（3,328 平方米）。这四栋建筑是企业科技园区的一部分。园区占地 26 英亩，由七栋建筑组成，总面积为 457,000 平方英尺（42,500 平方米）。这四栋建筑均不可单独出售。 A 栋目前是一家半导体制造厂，占地 162,500 平方英尺（15,000 平方米），设有实验室、制造室和办公空间。 B 栋和 D 栋位于创新大道 4331 号和 4345 号，分别为办公空间和仓库。该场地配备两台 2500 KVA 变压器，其中 A 栋配备一台 200kW、500kW 和 750kW 柴油发电机。G 栋的主电气室还配备一台 400kW 柴油发电机和 750kVA UPS。该工厂的前任所有者 Wolfspeed 在其 2025 年第一季度财报电话会议上表示，其目标是简化业务，专注于 200 毫米碳化硅晶圆。该公司目前正在努力应对 150 毫米晶圆需求下降的问题，其德克萨斯州工厂的关闭预计将导致裁员 75 人。 Wolfspeed 还无限期暂停在德国萨尔州建设设备工厂的计划。预计 Farmers Branch 的最终生产将很快结束。去年 10 月，Wolfspeed与该部门签署了一项临时协议，获得高达 7.5 亿美元的直接资金，以支持在北卡罗来纳州和纽约建造两座新工厂。该公司的主要功率器件制造现在将在纽约进行。一年暴跌84.7％尽管大盘呈现看涨趋势，但Wolfspeed 的股票在 2024 年仍遭遇重创。根据标普全球市场情报的数据，这家碳化硅技术专家的股价在去年的交易中下跌了 84.7% 。与此同时，标准普尔 500指数上涨了 23.3%，纳斯达克综合指数上涨了 28.6%。图片来源：雪球截图 Wolfspeed 股票去年却遭遇大幅抛售，原因是该公司继续出现巨额亏损。除了亏损不断增加外，该公司关闭生产设施并放弃建造新工厂的计划也使盈利之路受到质疑。去年对 Wolfpseed 来说是一段艰难的时期。根据该公司最新的季度更新，该公司在过去 12 个月内亏损超过 7.5 亿美元。Wolfspeed 上一季度的长期债务约为 30 亿美元，长期负债约为 31 亿美元。由于旨在长期提高销售额和收益的业务扩张项目被取消，Wolfspeed 的亏损和利润问题变得更加严重。8 月，有消息称 Wolfspeed 将关闭其位于北卡罗来纳州达勒姆的一家生产工厂。10 月，该公司宣布放弃在德国建造一家价值 30 亿美元的工厂的计划。该公司还宣布将关闭位于德州的一家工厂。 11 月有消息称，Woflspeed 首席执行官 Gregg Lowe 将辞职，公司正在寻找新的领导团队。尽管领导层变动导致股价上涨，但年底仍出现巨额亏损。在目前看来，Wolfspeed 股票在 2025 年仍在暴跌。在 2025 年交易初期，这个SiC公司的股票继续遭遇大幅抛售。截至本文撰写时，该公司股价今年迄今已下跌约 26%。这些抛售发生在标准普尔500指数下跌 0.8% 和纳斯达克综合指数回调 1.2%的背景下。周一，该公司跌破 5 美元，创下 1990 年代末以来的最低水平。虽然这对投资者来说是个坏消息，但对做空该股票的人来说，这是一个更受欢迎的发展。而且做空该股票的人很多。虽然没有任何重大业务新闻推动该公司股价下跌，但 Wolfspeed 的估值大幅回落，同时受到宏观经济压力和地缘政治动态的影响。美国劳工统计局的最新数据显示，美国经济 12 月新增就业岗位远超经济学家的预期，这引发了人们对通胀压力可能再次上升的担忧。拜登政府最近公布了一系列全面的法规，限制向中国、俄罗斯、伊朗和朝鲜出口人工智能芯片，这为该股增添了另一个利空因素。虽然这些限制不太可能直接影响 Wolfspeed，但它们已导致投资者对整个股市采取更为规避风险的策略。

SiC

芯查查资讯 . 2025-01-15 2.2w
圣邦微电子硅 TVS 二极管：通过 IEC61000-4-2 测试认证的高性能射频 ESD 防护器件

静电放电（ESD）是造成电子产品和集成电路系统损坏的主要元凶之一，每年给电子行业带来的损失高达数千亿人民币。ESD 对电子产品造成的损伤中有 90% 都是潜在性损伤，这类损伤在出厂质量检测中难被检测到，但会在产品使用过程中逐渐显现出质量问题。因此，ESD 被视为是电子产品质量最大的潜在威胁，而静电防护也成为电子产品质量控制中的关键环节。在静电防护设计中，选择合适的 ESD 保护器件至关重要。在所有静电防护的应用场景中，天线等射频接口是对 ESD 保护器件要求最高的场景之一。这类应用场景下，器件不仅要能在受到正向或者反向瞬态高能量冲击时极快地将其两极间的高阻抗变为低阻抗，以吸收高能量的瞬时过压脉冲并将其电压钳位于一个预定值，还要尽可能减少由于 ESD 保护器件的寄生参数或电气特性带来的谐波噪声和互调干扰。谐波噪声和互调干扰可能会导致无线模块传输信号失真或者接收灵敏度下降，进而增加通信的误码率。 ESD 保护器件的种类常见的 ESD 保护器件主要包括压敏电阻、陶瓷 TVS 二极管和硅 TVS 二极管等。压敏电阻的工作原理基于其非线性的伏安特性，响应时间相对较慢（通常在 ns 级），而其高达几百 pF 的结电容使其不适宜直接应用于高频信号的保护。此外，压敏电阻的 ESD 性能会随着使用次数的增加而逐渐降低。陶瓷 TVS 二极管采用电极间放电机制，其结电容很低，一些国际优秀厂商的产品甚至可以做到 0.05pF。然而它们能够承受的 ESD 脉冲次数有限，一般在 1000~10000 次之间。硅 TVS 二极管是基于 PN 结雪崩击穿原理，能够在 ps 级时间内吸收数千瓦的浪涌功率。虽然其结电容相对于陶瓷 TVS 略高，过往认为不太适合用于射频产品，但随着工艺的进步，硅 TVS 的结电容也在逐渐逼近陶瓷 TVS 的水平。此外，硅 TVS 的工作原理决定了其使用次数没有限制，性能也不会随着 ESD 脉冲的增加而下降。圣邦微电子推出的 TVS 二极管是硅 TVS 二极管。器件结电容做到了 0.15pF，且已成功通过 IEC61000-4-2 测试认证。接下来，我们将主要介绍器件结电容低和属于非回弹型 TVS 二极管两方面特性以及这两种特性在射频应用中具备的优势。一、低结电容 TVS 二极管特性及在射频应用中的优势射频技术为何青睐低结电容的 TVS 二极管？射频芯片因其高工作频率，对任何非预期的寄生参数都极为敏感，这些参数在高频环境会放大其负面影响。因此，射频领域对 ESD 保护器件提出了更严苛的要求。图1展示了圣邦微电子不同结电容 TVS 二极管在 10Gbps 高速信号传输情况下的眼图。最左侧的眼图显示了未经PCB板传输的信号，中间的眼图显示了仅通过空 IC PCB 板传输的信号，最右侧的眼图则是经过加装 IC 的 PCB 板信号传输的情况。通过对比可以明显看出，当 PCB 板加装了结电容为 0.692pF 的 TVS 二极管后，传输信号波形发生了明显畸变；相对地，使用结电容为 0.232pF 的 TVS 二极管时，其眼图与仅通过空 PCB 板传输的眼图基本一致。这一结果标明，TVS 二极管的结电容越小，对系统高速信号传输性能影响越小。图 1 不同结电容 TVS 二极管在高速信号传输情况下的眼探查这一现象背后的机理，是射频 IC 的源阻抗或电路板寄生电阻会与 TVS 二极管的结电容结合，形成一个 RC 低通滤波器，这种滤波器对高频信号有衰减作用。寄生电容的增加会导致 RC 低通滤波器的极点频率下降，进而增加插入损耗（Insert Loss，是指发射机和接收机之间，由于插入器件带来的信号损耗，其定义为：IL = -10log(PO/PI)，测试原理框图可见图 2）。图 2 TVS 二极管插入损耗测试原理框图表 1 列出了 SGM05FB1E2 和 SGM15UB1E2 这两款器件的基本参数，它们分别代表 5V 和 15V 的 TVS 保护器件。两款产品均是双向（Bidirectional）二极管，且结电容都小于 0.4pF。表 1 SGM05FB1E2 和 SGM15UB1E2 的基本参数根据图 2 原理框图进行的插入损耗测试结果在表 2 中列出。SGM15UB1E2 在 2GHz 频率的测试下，插入损耗仅为 -0.01dB；而在 6GHz 频率的测试下，插入损耗也仅为 -0.02dB。这些数据表明，低结电容的 TVS 带来的插入损耗是极低的。表 2 SGM05FB1E2 和 SGM15UB1E2 的插入损耗二、非回弹型 TVS 二极管特性及在射频应用中的优势触发电压（Trigger Voltage）是 TVS 二极管从高阻抗状态转换为低阻抗状态所需的最低电压。对于回弹型（Snap-Back）TVS 二极管，触发电压标记着进入回弹区域的第一个拐点；而对于非回弹型（Non-Snap-Back）TVS 二极管，其电流随两端的电压增大而单调上升，不存在折返特性。图 3 展示了 GSM 天线接口连接电路。若 TVS 二极管的触发电压太高，可能无法触发保护机制，导致周围低压器件受损。天线等射频接口电路的电容等元件一旦烧毁，极易影响滤波网络，导致二次、三次等谐波增大。因此，降低触发电压是 TVS 二极管研究的重要方向之一。图 3 GSM 天线接口连接电路图 4 展示了最大工作电压为 15V 的陶瓷 TVS 二极管的 I-V 特性和漏电流曲线。其中黑色曲线代表 I-V 特性，蓝色曲线代表漏电流。可以看出，这种陶瓷 TVS 二极管是典型的回弹型器件，其触发电压接近 200V。如此之高的触发电压使得陶瓷 TVS 二极管用在信号线上的应用极易导致器件未能及时动作而损坏后端被保护的 IC，其 ESD 防护性能不全面，存在很大的潜在风险。同时可以看出，陶瓷 TVS 二极管的漏电流稳定性较差。相对的，图 5 展示了最大工作电压 15V 的硅 TVS 二极管（SGM15UB1E2）的 I-V 特性和漏电流曲线。该器件是非回弹型器件，触发电压低于 20V。超低的触发低压可以更早吸收浪涌能量，并极大降低浪涌电压来临时器件不动作的概率。此外，器件的漏电流非常稳定，保持在 55pA 左右。图 4 陶瓷 TVS 二极管的 I-V 特性和漏电流曲线图 5 硅 TVS 二极管的 I-V 特性和漏电流曲线图 6[1] 和图 7[1] 分别展示了非回弹型和回弹型 TVS 二极管在 100MHz RF 信号下的电流和电压瞬态波形。从图中可以明显看出，回弹型 TVS 的电流和电压受到严重的 RF 信号干扰。表明回弹型 TVS 二极管很可能会导致更强的谐波，从而导致天线的灵敏度下降；而非回弹型 TVS 二极管在很大程度上不受 RF 信号的影响。因此，从谐波角度来看，非回弹型 TVS 二极管可能是更适合在天线等射频应用中使用的器件。图 6 100MHz RF 信号下的 TVS 二极管电流瞬态波形图 7 100MHz RF 信号下的 TVS 二极管电压瞬态波形最后，为了方便研发工程师快速而准确地挑选圣邦微电子的 TVS 二极管型号，图 8 详细展示了圣邦微电子 TVS 二极管产品命名规则。图 8 圣邦微电子 TVS 二极管命名规则参考文献： [1] G. Maghlakelidze, S. Marathe, W. Huang, J. Willemen and D. Pommerenke, "Effect of RF Signals on TVS Diode Trigger Voltage for ESD Protection," 2020 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility & Signal/Power Integrity (EMCSI), Reno, NV, USA, 2020, pp. 194-199.

低结电容

圣邦微电子 . 2025-01-14 1 845