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米尔出席openEuler Summit 2024，携全志T536和RK3562核心模组亮相

汇聚行业智慧，促进技术共享。2024年11月15日-16日，openEuler Summit 2024在北京中关村国际创新中心圆满落幕。本次大会由开放原子开源基金会（以下简称“基金会”）孵化及运营的 openEuler 社区协同产业伙伴共同主办，以“以智能，致世界”为主题，旨在汇聚全球产业界力量，推动基础软件根技术持续创新，共建全球开源新生态。米尔电子作为领先的嵌入式处理器模组厂商出席了此次活动，并发表了演讲和展出最新的技术应用方案。此次活动，米尔电子副总经理Alan在嵌入式技术分论坛，发表题为“嵌入式欧拉系统在工业场景的最新应用”的演讲。会上，Alan分享了欧拉系统在嵌入式系统中的丰富应用，并介绍了米尔基于欧拉系统开发的丰富的应用方案。欧拉系统为嵌入式工业设备提供需要的软件特性、中间件和功能扩展，可丰富应用到EtherCat主站、人机界面、机器视觉AI、工业多路监控等领域。米尔提供的基于欧拉系统的核心模组，产品贴近实际应用需求，其性能强大、高安全性、高可靠性、高可持续性软硬件平台，可满足各种工业控制器场景应用，赋能金融、运营商、能源、物流、高校&科研、云计算等行业。此次会议上，米尔还在参会现场展示了米尔的核心板和配套开发板、工业控制器，其中基于MYD-LT536开发板、MYD-LR3562开发板的demo吸引了广大参会关注，工作人员给大家进行了详细的演示和介绍。会议在学术领袖、领先的行业用户、生态伙伴以及开发者等参与下，圆满结束。未来，米尔将继续开拓创新，为工程师提供更高品质的产品、更优质的服务、更全的产品选型平台，并丰富操作系统应用，助力开发者开发成功。

瑞萨电子

米尔电子 . 2024-12-20 1 2 9033
AMOLED面板需求预计持续增长，到2028年占显示面板市场收入的43%

Micro LED、硅基LED（LEDoS）和硅基OLED（OLEDoS）预计到2031年将占显示面板市场总量的约5%。随着显示技术的进步和消费者需求的变化，显示面板市场正在快速转型。尤其是AMOLED面板和TFT LCD市场份额的变化，正引起行业的广泛关注。据Omdia的《2024年第二季度显示面板长期需求预测追踪报告》的分析，AMOLED面板将在2028年占据显示面板市场收入的43%份额，而当前主流技术TFT LCD的份额将降至55%。相比之下，2022年，AMOLED面板和LCD的市场份额分别为34%和65%。图1：按技术划分的显示面板收入需求预测；来源：Omdia《2024年第二季度显示面板长期需求预测追踪报告》（Display Long-Term Demand Forecast Tracker – 2Q24 Analysis, Omdia） AMOLED面板因其诸多优势被广泛应用于智能手机、电视和可穿戴设备等高端电子产品。这些优势包括卓越的画质、更薄更轻的设计以及灵活性。尤其是OLED面板采用自发光技术，不需要背光，使其能效更高，并能够呈现出真正的黑色，这深受消费者喜爱。这些特点进一步推动了AMOLED技术在高端产品线中的应用。另一方面，尽管TFT LCD技术长期以来主导着显示市场，但由于技术局限性和日益激烈的竞争，其市场份额正逐渐减少。值得注意的是，AMOLED面板的单位价格即便在中低端市场也在下降，这进一步削弱了TFT LCD的地位。然而，由于其相对较低的生产成本和在大尺寸显示面板上的竞争力，TFT LCD技术仍将保有重要的市场份额。在与OLED电视竞争的LCD电视领域，制造厂商正专注于供应80英寸或更大的超大尺寸电视。这一策略正在对OLED电视在市场中的地位产生影响。因此，Omdia在其《显示动态—2024年11月：全球电视显示需求预测下调》中，下调了对OLED电视市场需求的预测。这些显示行业的变化也正在显著影响技术开发和投资战略。全球领导者如三星显示和LG显示正通过加大AMOLED技术研发的投资来巩固其市场主导地位。同时，中国大陆厂商也在快速增强其OLED生产能力。值得注意的是，中国大陆企业近年来在针对IT应用的第8.6代OLED工厂投资方面已经超越了韩国企业。这种竞争格局预计将加速技术进步，并继续推动市场增长。此外，Micro LED、LEDoS (Micro LED on Silicon) 和OLEDoS (OLED on Silicon)等下一代显示技术正在积极开发中，并已开始在某些产品中出现。这些技术有望与AMOLED和TFT LCD形成竞争，并可能占据部分市场份额。 Micro LED以其卓越的亮度和能效，适用于大尺寸显示面板和高分辨率电视。而LEDoS和OLEDoS在小尺寸和超高分辨率显示面板方面表现出色，特别适合下一代应用，如智能手表以及增强现实（AR）和虚拟现实（VR）设备。 Omdia预计，到2031年，Micro LED、LEDoS (Micro LED on Silicon) 和OLEDoS (OLED on Silicon)将占显示面板市场总量的约5%。这些技术将在高端应用中部分取代AMOLED和TFT LCD技术。预计AMOLED将在2028年前成为显示面板市场的主要增长动力，这预示着整个行业的重大变革。AMOLED技术的快速增长，将受到对高端产品需求增加及持续技术创新的推动。与此同时，TFT LCD将继续满足中低端市场的需求，并受到稳定需求的支持。随着显示行业竞争的加剧，技术进步和生产效率的提升将成为未来市场竞争的关键。此外，Micro LED、LEDoS (Micro LED on Silicon) 和OLEDoS (OLED on Silicon)等下一代技术的引入，有望为市场带来一个新阶段，并推动进一步的变革。

AMOLED

Omdia . 2024-12-20 1100
硬件设计 | 晶体的特性，工作原理，选型设计，失效分析和设计优化

目录： 1.晶体是什么？ 2.晶体的特性与等效电路 3.晶体的工作原理（驱动电路） 4.晶体的匹配电容计算过程 5.STM32晶体的选型（跨导计算） 6. 晶体不起振的常见原因与解决方案7.晶体设计、过程中的建议 1.晶体是什么？晶体是晶体谐振器的简称，谐振器是指产生谐振频率的元器件，主要起频率控制的作用，广泛应用于各种电子。晶体谐振器封壳里面只有晶片，没有任何电路，参数有负载电容，频差，电阻。在焊接电路中，两旁需要电容电阻等电子元器件来助起振。什么是晶振? 晶振是晶体振荡器的简称，也叫有源晶振。谐振器与振荡器的区别在于，在原有谐振器的基础上了加了起振芯片，封壳里带有电路 IC ，参数有电压值输出模式控制脚等参数。简而言之在焊接电路上的体现为，无需在外部添加其它的元器件，自身就可以起振，有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。晶振的作用在于产生原始的时钟频率，这个频率经过频率发生器的倍频或分频后就成了电脑中各种不同的总线频率。晶体的最重要的几个参数：标称频率（Normal Frequency）：晶振的标准频率，如 26MHz、32.768KHz 等。频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability）：用单位 ppm 来表示，即百万分之一，是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高，1MHz 的晶振，1 个 PPM 就是 1Hz 的偏差。温度频差（Frequency Stability vs Temp）：表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，它的单位也是 ppm。负载电容 CL：负载电容是指晶振正常工作震荡所需要的电容。为使晶体能够正常工作，需要在晶体两端外接电容，来匹配达到晶体的负载电容。 2.晶体的特性与等效电路 1880年，居里兄弟Jacques和Pierre Curie发现了石英晶体受到压力时，表面会产生电荷，电荷量和外机械力成正比的关系。这种现象为压电效应Piezoelectricity。具有压电效应的物体称为压电体。如果对石英晶片施加压力，晶片上会产生电荷；反之，对晶片两端的电极施加电压时，晶体会产生机械变形。将石英晶片按一定的形状进行切割后，再用两个电极板夹住就形成了无源晶振，其符号图如下所示：下图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。其中：C1为动态等效串联电容； L1为动态等效串联电感； R1为动态等效串联电阻，它是晶体内部摩擦性当量 C0为静态电容，相当于两个电极板之间的电容量；这个等效电路有如下图所示的频响特性曲线：当R1、L1、C1串联支路发生谐振的频率即串联谐振频率（Fr），此时容抗与感抗相互抵消，因此，支路相当于只有等效串联电阻R1。这个频率是晶体的自然谐振频率，它在高稳晶振的设计中，是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数（但不是标称频率），其表达式如下所示：等效串联电阻R1决定晶体元件的品质因数，品质因数又称机械Q值，它是反映谐振器性能好坏的重要参数，它与L1和C1有如下关系： R1越大，Q值越低，会导致频率不稳定，反之，Q值越高，频率越稳定，晶体的特点在于它具有很高的品质因素。等效电路还有一个反谐振频率fL（并联谐振频率），此时串联支路呈现为感抗，相当于一个电感，如下图所示：此时的频率如下图所示：通常厂家的晶振元件数据手册给出的标称频率不是Fr或FL，实际的晶体元件应用于振荡电路中时，它一般还会与负载电容相联接，共同作用使晶体工作于Fr和FL之间的某个频率，这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定，通过改变电路的电抗条件，就可以在有限的范围内调节晶体频率。（1）当负载电容与晶体串联时，如下图所示：串接的小电容CL可以使石英晶体的谐振频率在一个小范围内调整，此时新的负载谐振频率如下式所示：其中，C1远远小于C0+CL （2）当负载电容与晶体并联时，如下图所示：同样，并联的负载CL也可以小范围调整谐振频率，相应的负载谐振频率如下式：从实际效果上看，对于给定的负载电容值，F’r与F’L两个频率是相同的，这个频率是晶体的绝大多数应用时所表现的实际频率，也是制造厂商为满足用户对产品符合标称频率要求的测试指标参数，也就是本文最开头介绍的晶振标称频率。 3.晶体的工作原理（驱动电路）晶体是晶体谐振器的简称，谐振器是指产生谐振频率的元器件，主要起频率控制的作用，广泛应用于各种电子。晶体谐振器封壳里面只有晶片，没有任何电路，参数有负载电容，频差，电阻。在焊接电路中，两旁需要电容电阻等电子元器件来助起振。无源晶体本身不能产生振荡信号，需要加外部振荡电路，分为串联型振荡电路和并联型振荡电路两种。（1）串联晶体振荡器是一种反馈性振荡器，由放大器和反馈网络组成。石英谐振器和负载电容串联。谐振器为纯阻性。（2）并联晶体振荡器石英谐振器接在反馈支路中，工作在串联和并联谐振频率之间，谐振器为感性。在电路中作为电感元件使用。电路匹配电容C1, C2加上电路的杂散电容Cstray，越接近晶体的负载电容，晶体输出的频率则越精准。一般单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierce oscillator）。 U1：增益很大的反相放大器。 X1：晶体。相当于电容三点式电路里面的电感。 CL1、CL2：匹配电容。是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。 R1：反馈电阻（一般≥1MΩ）它使反相器在振荡初始时处于线性工作区。 R2：限流电阻，与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。皮尔斯振荡器电路的理论分析比较复杂，有兴趣可以自己仿真一下： 4.晶体的匹配电容计算过程负载电容CL（Load capacitance），是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。在一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。一般 IC 的数据手册中会给出负载电容的大小。计算公式：CL=CL1*CL2/（CL1+CL2）+Cic+△CCL1 和 CL2 为晶振两脚对地电容，称为匹配电容。Cic 为集成电路内部电容（也就是规格书里面写的shunt capacitance）△C 为 PCB 板上电容，一般大小为 3~5pF。两个匹配电容的容值相等：CL 1 =CL2综上，可得匹配电容的容值为：CL1=CL2=2*（CL-Cic-△C）匹配电容的容值确定之后：选择NPO/COG高频材质的贴片陶瓷电容（外观看起来是白色的）。尽量选择小封装的电容（封装小的器件寄生参数小）。因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。在许可范围内，C1，C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。 5.STM32晶体的选型（跨导计算）为了确保晶振能顺利起振，并运行在稳定状态，就得有足够的增益来维持。ST官方要求是：单片机的gm比晶振的gmcrit大5倍以上。首先看STM32F103手册，可以直接获知：gm = 25mA/V 有了gm = 25mA/V，就要用它跟晶振的最小稳定跨导gmcrit相比较。 gmcrit的计算公式：其中： ESR——晶振的等效串联电阻 F——晶振的振荡频率 C0——晶振的Shunt Capacitance CL——晶振的负载电容Load Capacitance 以上参数均可以从晶体规格书中找到： F = 8MHz，C0 = 7pF，CL = 20pF，ESR = 80Ω。计算： gmcrit = 4*80*(2Π*8*10^6)^2*(7*10^-12 + 20*10^-12)^2 gmcrit = 0.1886 现在gm、gmcrit都有了，可以比一下：比值 = gm/gmcrit = 25/0.1886 = 132 可见，这个比值是132，远大于5倍的最低要求，所以我们选择的晶振是合适的。如果算出来是不合适的，那就要选用更小ESR，更低CL的晶振。其实STM32对于高速晶振的要求不高，但是对于外部低速RTC晶振的要求高一些，选型时要多加留意。 6.晶体不起振的常见原因与解决方案晶振不起振问题归纳 1、物料参数选型错误导致晶振不起振例如：某MCU需要匹配6PF的32.768KHz，结果选用12.5PF的，导致不起振。解决办法：更换符合要求的规格型号。必要时请与MCU原厂确认。 2、内部水晶片破裂或损坏导致不起振运输过程中损坏、或者使用过程中跌落、撞击等因素造成晶振内部水晶片损坏，从而导致晶振不起振。解决办法：更换好的晶振。平时需要注意的是：运输过程中要用泡沫包厚一些，避免中途损坏;制程过程中避免跌落、重压、撞击等，一旦有以上情况发生禁止再使用。 3、振荡电路不匹配导致晶振不起振影响振荡电路的三个指标：频率误差、负性阻抗、激励电平。频率误差太大，导致实际频率偏移标称频率从而引起晶振不起振。解决办法：选择合适的PPM值的产品。负性阻抗过大太小都会导致晶振不起振。解决办法：负性阻抗过大，可以将晶振外接电容Cd和Cg的值调大来降低负性阻抗;负性阻抗太小，则可以将晶振外接电容Cd和Cg的值调小来增大负性阻抗。一般而言，负性阻抗值应满足不少于晶振标称最大阻抗3-5倍。激励电平过大或者过小也将会导致晶振不起振解决办法：通过调整电路中的Rd的大小来调节振荡电路对晶振输出的激励电平。一般而言，激励电平越小越好，处理功耗低之外，还跟振荡电路的稳定性和晶振的使用寿命有关。 4、晶振内部水晶片上附有杂质或者尘埃等也会导致晶振不起振晶振的制程之一是水晶片镀电极，即在水晶片上镀上一次层金或者银电极，这要求在万级无尘车间作业完成。如果空气中的尘埃颗粒附在电极上，或者有金渣银渣残留在电极上，则也会导致晶振不起振。解决办法：更换新的晶振。在选择晶振供应商的时候需要对厂商的设备、车间环境、工艺及制程能力予以考量，这关系到产品的品质问题。 5、晶振出现漏气导致不起振晶振在制程过程中要求将内部抽真空后充满氮气，如果出现压封不良，导致晶振气密性不好出现漏气;或者晶振在焊接过程中因为剪脚等过程中产品的机械应力导致晶振出现气密性不良;均会导致晶振出现不起振的现象。解决办法：更换好的晶振。在制程和焊接过程中一定要规范作业，避免误操作导致产品损坏。 6、焊接时温度过高或时间过长，导致晶振内部电性能指标出现异常而引起晶振不起振以32.768KHz直插型为例，要求使用178°C熔点的焊锡，晶振内部的温度超过150°C，会引起晶振特性的恶化或者不起振。焊接引脚时，280°C下5秒以内或者260°C以下10秒以内。不要在引脚的根部直接焊接，这样也会导致晶振特性的恶化或者不起振。解决办法：焊接制程过程中一定要规范操作，对焊接时间和温度的设定要符合晶振的要求。 7、储存环境不当导致晶振电性能恶化而引起不起振在高温或者低温或者高湿度等条件下长时间使用或者保存，会引起晶振的电性能恶化，可能导致不起振。解决办法：尽可能在常温常湿的条件下使用、保存，避免晶振或者电路板受潮。 8、MCU质量问题、软件问题等导致晶振不起振解决办法：目前市场上面MCU散新货、翻新货、拆机货、贴牌货等鱼龙混杂，如果没有一定的行业经验或者选择正规的供货商，则极易买到非正品。这样电路容易出现问题，导致振荡电路不能工作。另外即便是正品MCU，如果烧录程序出现问题，也可能导致晶振不能起振。 9、EMC问题导致晶振不起振解决办法：一般而言，金属封装的制品在抗电磁干扰上优于陶瓷封装制品，如果电路上EMC较大，则尽量选用金属封装制品。另外晶振下面不要走信号线，避免带来干扰。 7.晶体设计、过程中的建议 1、在PCB布线时，晶振电路的走线尽可能的短直，并尽可能靠近MCU。尽量降低振荡电路中的杂散电容对晶振的影响。 2、PCB布线的时候，尽量不要在晶振下面走信号线，避免对晶振产生电磁干扰，从而导致振荡电路不稳定。 3、如果你的PCB板比较大，晶振尽量不要设计在中间，尽量靠边一些。这是因为晶振设计在中间位置会因PCB板变形产生的机械张力而受影响，可能出现不良。 4、如果你的PCB板比较小，那么建议晶振设计位置尽量往中间靠，不要设计在边沿位置。这是因为PCB板小，一般SMT过回流焊都是多拼板，在分板的时候产生的机械张力会对晶振有影响，可能产生不良。 5、在选择晶振的型号及规格参数时，工程师应尽量与晶振大厂商或者专业代理商确认，避免选择的尺寸或者指标不常用，导致供货渠道少、批量供货周期长而影响生产，而且在价格上也会处于被动。 6、通常不建议用超声波清洗带有晶体振荡器的电路板，以避免共振对晶振造成损坏。参考文献： https://blog.csdn.net/tutuforu/article/details/84935471 https://caifuhao.eastmoney.com/news/20220527113019448218420 https://www.sohu.com/a/253591227_208903 https://www.sohu.com/a/458084766_120774276 https://view.inews.qq.com/k/20220420A01FC200?web_channel=wap&openApp=false https://www.elecfans.com/d/1308583.html https://www.jianshu.com/p/a776287fa5fa https://blog.csdn.net/Seaman_TY/article/details/93090532https://zhuanlan.zhihu.com/p/540062435 点击此处报名EPSON直播：如何精确匹配晶体电路？| 12月26日14:30

晶振

Problem Based Learning . 2024-12-20 3 12 3195
晶振串联电阻与并联电阻、匹配电容

我们在观察晶体振荡电路时，通常会看到这么几个电子元器件，晶振和晶振两旁的电容。电容一端接地，一端接晶振。还有就是两个电阻，一个是跨接在晶振两端，一个接在晶振的输出端，同芯片相连。旁接的电容我们都知道叫匹配电容，它们的大小可以改变振荡电路的频率，通过试验就可以观察的到。而两个分别串并得电阻各自起到什么作用，其值选多大？微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；基于相移电路的时钟源，如：RC (电阻、电容)振荡器。硅振荡器通常是完全集成的RC振荡器，为了提高稳定性，包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。下图给出了两种时钟源。两种分立的振荡器电路，其中图a为皮尔斯振荡器配置，用于机械式谐振器件，如晶振和陶瓷谐振槽路。图b为简单的RC反馈振荡器。举例，一个振荡电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻。并联电阻电路并联电阻是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体震荡的。因此，在反相器的两端并联一个电阻，由电阻完成将输出的信号反向。电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率，但会影响脉宽比的。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，KHz晶振电路，并联电阻通常为10M欧，MHz晶振，并联电容通常为1M欧左右。串联电阻电路串联电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。电阻Rs 常用来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升。可用一台示波器检测OSC输出脚，如果检测一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要，则晶振未被过分驱动；相反，如果正弦波形的波峰，波谷两端被削平，而使波形成为方形，则晶振被过分驱动。这时就需要用电阻Rs来防止晶振被过分驱动。判断电阻Rs值大小的最简单的方法就是串联一个5k或10k的微调电阻，从0开始慢慢调高，一直到正弦波不再被削平为止。通过此办法就可以找到最接近的电阻Rs值。输出端串联电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。其值的大小通常为几百K 欧姆较多，具体大小需要通过调试，根据过驱程度去选定串接多大电阻。晶振本身的作用振荡器是一种能量转换器，石英谐振器是利用石英晶体谐振器决定工作频率，与LC谐振回路相比，它具有很高的标准性和极高的品质因数，，具有较高的频率稳定度，采用高精度和稳频措施后，石英晶体振荡器可以达到10-4~10-11稳定度。基本性能主要是起振荡作用，可利用其对某频率具有的响应作用，用来滤波、选频网络等，石英谐振器相当于RLC振荡电路。石英晶体俗称水晶，是一种化学成分为二氧化硅（SiO2）的六角锥形结晶体，比较坚硬。它有三个相互垂直的轴，且各向异性：纵向Z轴称为光轴，经过六棱柱棱线并垂直于Z轴的X轴称为电轴，与X轴和Z轴同时垂直的Y轴（垂直于棱面）称为机械轴石英晶体之所以可以作为谐振器，是由于它具有正（机械能→电能）、反（电能→机械能）压电效应。沿石英晶片的电轴或机械轴施加压力，则在晶片的电轴两面三刀个表面产生正、负电荷，呈现出电压，其大小与所加力产生的形变成正比；若施加张力，则产生反向电压，这种现象称为正电效应。当沿石英晶片的电轴方向加电场，则晶片在电轴和机械轴方向将延伸或压缩，发生形变，这种现象称为反压电效应。因此，在晶体两面三刀端加上交流电压时，晶片会随电压的变化产生机械振动，机械振动又会在晶片内表面产生交变电荷。由于晶体是有弹性的固体，对于某一振动方式，有一个固有的机械谐振频率。当外加交流电压等于晶片的固有机械谐振频率时，晶片的机械振动幅度最大，流过晶片的电流最大，产生了共振现象。石英晶片的共振具有多谐性，即除可以基频共振外，还可以谐频共振，通常把利用晶片的基频共振的谐振器，利用晶片谐频共振的谐振器称为泛音谐振器，一般能利用的是3、5、7之类的奇次泛音。晶片的振动频率与厚度成反比，工作频率越高，要求晶片越薄（尺寸越大，频率越低），这样的晶片其机械强度就越差，加工越困难，而且容易振碎，因此在工作频率较高时常采用泛音晶体。一般地，在工作频率小于20MHZ时采用基频晶体，在工作频率大于20MHZ时采用泛音晶体。原理：压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。晶振的作用一句话简单说就是：选择频率，让跟自己固有频率相等的和接近的振荡荡起来。对于一个高可靠性的系统设计，晶体的选择非常重要，尤其设计带有睡眠唤醒(往往用低电压以求低功耗)的系统。这是因为低供电电压使提供给晶体的激励功率减少，造成晶体起振很慢或根本就不能起振。这一现象在上电复位时并不特别明显，原因时上电时电路有足够的扰动，很容易建立振荡。在睡眠唤醒时，电路的扰动要比上电时小得多，起振变得很不容易。在振荡回路中，晶体既不能过激励(容易振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易起振)。晶体的选择至少必须考虑：谐振频点，负载电容，激励功率，温度特性，长期稳定性。晶体的匹配电容 1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。 2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。 3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。 4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。关于晶振石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。一、石英晶体振荡器的基本原理 1、石英晶体振荡器的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等)，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。 2、压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。 3、符号和等效电路当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个PF到几十PF。当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十mH 到几百mH。晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1pF。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为 100Ω。由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因数Q很大，可达1000～10000。加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度。 4、谐振频率从石英晶体谐振器的等效电路可知，它有两个谐振频率，即(1)当L、C、R支路发生串联谐振时，它的等效阻抗最小(等于R)。串联揩振频率用fs表示，石英晶体对于串联揩振频率fs呈纯阻性，(2)当频率高于fs时L、C、R支路呈感性，可与电容C。发生并联谐振，其并联频率用fd表示。根据石英晶体的等效电路，可定性画出它的电抗—频率特性曲线。可见当频率低于串联谐振频率fs或者频率高于并联揩振频率fd时，石英晶体呈容性。二、石英晶体振荡器类型特点石英晶体振荡器是由品质因素极高的石英晶体振子(即谐振器和振荡电路组成。晶体的品质、切割取向、晶体振子的结构及电路形式等，共同决定振荡器的性能。国际电工委员会(IEC)将石英晶体振荡器分为4类：普通晶体振荡(TCXO)，电压控制式晶体振荡器(VCXO)，温度补偿式晶体振荡 (TCXO)，恒温控制式晶体振荡(OCXO)。目前发展中的还有数字补偿式晶体损振荡(DCXO)等。普通晶体振荡器(SPXO)可产生10^(-5)～10^(-4)量级的频率精度，标准频率1—100MHZ，频率稳定度是±100ppm。SPXO没有采用任何温度频率补偿措施，价格低廉，通常用作微处理器的时钟器件。封装尺寸范围从21×14×6mm及5×3.2×1.5mm。电压控制式晶体振荡器(VCXO)的精度是10^(-6)～10^(-5)量级，频率范围1~30MHz。低容差振荡器的频率稳定度是±50ppm。通常用于锁相环路。封装尺寸14×10×3mm。温度补偿式晶体振荡器(TCXO)采用温度敏感器件进行温度频率补偿，频率精度达到10^(-7)～10^(-6)量级，频率范围1—60MHz，频率稳定度为±1～±2.5ppm，封装尺寸从30×30×15mm至11.4×9.6×3.9mm。通常用于手持电话、蜂窝电话、双向无线通信设备等。恒温控制式晶体振荡器(OCXO)将晶体和振荡电路置于恒温箱中，以消除环境温度变化对频率的影响。OCXO频率精度是10^(-10)至10^(-8)量级，对某些特殊应用甚至达到更高。频率稳定度在四种类型振荡器中最高。三、石英晶体振荡器的主要参数晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。如常用普通晶振标称频率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上，也有的没有标称频率，如CRB、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。频率精度和频率稳定度：由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。频率精度从10^(-4) 量级到10^(-10)量级不等。稳定度从±1到±100ppm不等。这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络，无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振其价格不同，要求越高价格也越贵，一般选择只要满足要求即可。四、石英晶体振荡器的发展趋势 1、小型化、薄片化和片式化：为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求，石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30～100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已经上市。 2、高精度与高稳定度，目前无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm，VCXO的频率稳定度在10～7℃范围内一般可达±20～100ppm，而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。 3、低噪声，高频化，在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。目前OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外，其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过200MHz。例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器，其频率为 650～1700 MHz，电源电压2.2～3.3V，工作电流8～10mA。 4、低功能，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。目前许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2 mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。例如日本精工生产的VG—2320SC型VCXO，在±0.1ppm规定值范围条件下，频率稳定时间小于4ms。日本东京陶瓷公司生产的SMD TCXO，在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%。OAK公司的10～25 MHz的OCXO产品，在预热5分钟后，则能达到±0.01 ppm的稳定度。五、石英晶体振荡器的应用 1、石英钟走时准、耗电省、经久耐用为其最大优点。不论是老式石英钟或是新式多功能石英钟都是以石英晶体振荡器为核心电路，其频率精度决定了电子钟表的走时精度。从石英晶体振荡器原理的示意图中，其中V1和V2构成CMOS反相器石英晶体Q与振荡电容C1及微调电容C2构成振荡系统，这里石英晶体相当于电感。振荡系统的元件参数确定了振频率。一般Q、C1及C2均为外接元件。另外R1为反馈电阻，R2为振荡的稳定电阻，它们都集成在电路内部。故无法通过改变C1或C2的数值来调整走时精度。但此时我们仍可用加接一只电容C有方法，来改变振荡系统参数，以调整走时精度。根据电子钟表走时的快慢，调整电容有两种接法：若走时偏快，则可在石英晶体两端并接电容C，如图4所示。此时系统总电容加大，振荡频率变低，走时减慢。若走时偏慢，则可在晶体支路中串接电容C。如图5所示。此时系统的总电容减小，振荡频率变高，走时增快。只要经过耐心的反复试验，就可以调整走时精度。因此，晶振可用于时钟信号发生器。 2、随着电视技术的发展，近来彩电多采用500kHz或503 kHz的晶体振荡器作为行、场电路的振荡源，经1/3的分频得到 15625Hz的行频，其稳定性和可靠性大为提高。面且晶振价格便宜，更换容易。 3、在通信系统产品中，石英晶体振荡器的价值得到了更广泛的体现，同时也得到了更快的发展。许多高性能的石英晶振主要应用于通信网络、无线数据传输、高速数字数据传输等晶振的负载电容晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic(集成电路内部电容)+△C(PCB上电容).就是说负载电容15pf的话，两边个接27pf的差不多了，一般a为6.5～13.5pF 各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器. 晶振引脚的内部通常是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联. 在晶振输出引脚 XO 和晶振输入引脚 XI 之间用一个电阻连接, 对于 CMOS 芯片通常是数 M 到数十 M 欧之间. 很多芯片的引脚内部已经包含了这个电阻, 引脚外部就不用接了. 这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处与线性状态, 反相器就如同一个有很大增益的放大器, 以便于起振. 石英晶体也连接在晶振引脚的输入和输出之间, 等效为一个并联谐振回路, 振荡频率应该是石英晶体的并联谐振频率. 晶体旁边的两个电容接地, 实际上就是电容三点式电路的分压电容, 接地点就是分压点. 以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输入和输出是反相的, 但从并联谐振回路即石英晶体两端来看, 形成一个正反馈以保证电路持续振荡。在芯片设计时, 这两个电容就已经形成了, 一般是两个的容量相等, 容量大小依工艺和版图而不同, 但终归是比较小, 不一定适合很宽的频率范围. 外接时大约是数 PF 到数十 PF, 依频率和石英晶体的特性而定. 需要注意的是: 这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的, 会影响振荡频率. 当两个电容量相等时, 反馈系数是 0.5, 一般是可以满足振荡条件的, 但如果不易起振或振荡不稳定可以减小输入端对地电容量, 而增加输出端的值以提高反馈量. 设计考虑事项：使晶振、外部电容器(如果有)与 IC之间的信号线尽可能保持最短。当非常低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对 EMC、ESD 与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。当心晶振和地的走线将晶振外壳接地如果实际的负载电容配置不当,第一会引起线路参考频率的误差.另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降(不在峰点),影响混频信号的信号强度与信噪. 当波形出现削峰,畸变时,可增加负载电阻调整(几十K到几百K).要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻. 晶振停振的可能原因及处理方法 1,在压封时，晶体内部要求抽真空充氮气，如果发生压封不良，即石英晶体的密封性不好时，在酒精加压的条件下，其表现为漏气，称之为双漏，也会导致停振， 2,由于芯片本身的厚度很薄，当激励功率过大时，会使内部石英芯片破损，导致停振； 3,在焊锡时，当锡丝透过线路板上小孔渗过，导致引脚跟外壳连接在一块，或是晶体在制造过程中，基座上引脚的锡点和外壳相连接发生单漏，都会造成短路，从而引起停振； 4,由于石英晶体在剪脚和焊锡的时候容易产生机械应力和热应力，而焊锡温度过高和作用时间太长都会影响到晶体，容易导致晶体处于临界状态，以至出现时振时不振现象，甚至停振； 5,有功负载会降低Q值(即品质因素)，从而使晶体的稳定性下降，容易受周边有源组件影响，处于不稳定状态，出现时振时不振现象； 6,当石英晶体频率发生频率漂移，且超出石英晶体频率偏差范围过多时，以至于捕捉不到石英晶体的中心频率，从而导致芯片不起振。当遇到以上情况时的正确处理方法： 1,严格按照技术要求的规定，对石英晶体组件进行检漏试验以检查其密封性，及时处理不良品并分析原因； 2,压封工序是将调好的谐振件在氮气保护中与外壳封装起来，以稳定石英晶体谐振器的电气性能。在此工序应保持送料仓、压封仓和出料仓干净，压封仓要连续冲氮气，并在压封过程中注意焊头磨损情况及模具位置，电压、气压和氮气流量是否正常，否则及时处理。其质量标准为：无伤痕、毛刺、顶坑、弯腿，压印对称不可歪斜。 3,由于石英晶体是被动组件，它是由IC提供适当的激励功率而正常工作的，因此，当激励功率过低时，晶体不易起振，过高时，便形成过激励，使石英芯片破损，引起停振。所以，应提供适当的激励功率。另外，有功负载会消耗一定的功率，从而降低晶体Q值，从而使晶体的稳定性下降，容易受周边有源组件影响，处于不稳定状态，出现时振时不振现象，所以，外加有功负载时，应匹配一个比较合适有功负载。 4,控制好剪脚和焊锡工序，并保证基座绝缘性能和引脚质量，引脚镀层光亮均匀无麻面，无变形、裂痕、变色、划伤、污迹及镀层剥落。为了更好地防止单漏，可以在晶体下加一个绝缘垫片。 5,当晶体产生频率漂移而且超出频差范围时，应检查是否匹配了合适的负载电容，可以通过调节晶体的负载电容来解决。晶振不起振的原因及解决方法 RTC晶体经常出现不起振的问题，很多人在各种电子论坛上求助类似于“求高手指点！RTC晶振不起振怎么办”的问题，而其答案基本可以概括为“这次高手帮不了你了” 更有阴谋论者提出让人啼笑皆非的解释——STM32的RTC晶振不起振是ST与晶振厂商串通后故意搞出来的，目的是提高某晶振厂商高端晶振的销量。最近做的几块板子也用到了STM32的RTC，前后两版一共做了大概6片，幸运的是并未遇到晶振不起振的现象。而我采用的是3毛钱一个的普通晶振，并未选用传说中低负载高精度晶振。。。后来在另外一片实验性质的板子上首次遇到了晶振不起振的问题，而且做了2片都不起振，这才让我意识到这个问题的严重性。从上述现象来看，我认为对RTC晶振起振影响最大的因素应该是PCB的布线。但是遇到问题时通常是PCB已做好，甚至已经做了几百块，没有回头路了。于是大家更关注的问题似乎就是“如何补救”了。在网上搜索一下，你就会发现世界是如此美好！每个人的经验和建议都不一样，甚至是完全相反的！这种现象告诉我们，除了PCB布线，对晶振起振影响最大的似乎不是电气参数，而是另外一种不可忽略的因素——人品！各种相互矛盾的经验也告诉我们，导致晶振不起振的原因是多种多样的，也是因“人”而异的。也许，我们无法找到一个绝对有效的经验一举解决STM32的RTC晶振这个让人头疼的问题，但我们可以从各种经验中找到一些线索，为最终摸索到适合自己这块板子的解决方案提供一些帮助和提示。如果晶振不起振，尤其是你已经使用了传说中的爱普生6pF晶振后还是不行，也许你应该尝试对以下几个方面排列组合，找到适合你这块板子的，更容易起振的方式。下面就罗列一下可能影响RTC晶振起振的因素 1. 晶振的品牌和负载电容大家貌似都知道要用6pF的晶振，但我发现其实12.5pF的也可以用。大家都说KDS日本原装的好，我那个3毛钱的国产晶振貌似也没啥大问题。 2. 晶振外接的匹配电容有人说6pF的晶振要配6pF的电容。但有经验公式指出这个电容的值应该是晶振本身负载电容的两倍，6pF的晶振应该配10pF的匹配电容，当然12.5pF的就应该配20pF或者22pF的电容了~电容值不匹配可能造成晶振不起振。更神奇的是，有人指出去掉外接的匹配电容会使晶振起振！这似乎没啥道理，但在我的板子上，有且仅有这个方案是可行的！！！ 3. 晶振并联的反馈电阻晶振可以并联一个高阻值的电阻，据说这样更容易起振。这个电阻的阻值有人说是1MΩ，有人说是5MΩ，也有人说是10MΩ，当然也有人说不能并联这个电阻，并联了反而不起振 4. XTALout到晶振间串联电阻这种做法是官方的应用笔记指出的，而且给出了这个电阻的计算公式。对这个电阻的的必要性也是众说纷纭，同样存在两种矛盾的说法，即必须要有这电阻，否则不起振。还有一说不能有这个电阻，否则不起振。从官方的应用笔记来看，这个电阻的主要作用是保护晶振，以防晶振发热。由此看来这个这个电阻似乎并非影响晶振起振的主要因素，甚至可能让晶振更难起振。 5. 晶振的外壳是否接地这个就不用说了吧。。。晶振的外壳是金属的，做封装时可以把那个焊盘做成机械焊盘而悬空，也可以做成电气焊盘，然后连接到GND。对这个说法同样存在争议，有人说外壳必须接地，也有人说接地后反而不起振。 6. 提高Vbat引脚的电源质量这种说法是有一定道理的，因为RTC部分是由Vbat的来供电的。有人说Vbat引脚对电源质量要求比较高，如果纹波较大可能会影响晶振的起振。更有人说反而需要一些噪声，激励晶振产生正反馈从而顺利起振（本人对此表示呵呵）。但不管怎样，提高电源质量对大家都是好事~ 7. 晶振周围的环境有人指出应该仔细清洗RTC晶振周围的电路，甚至是使用环氧树脂胶将晶振密封起来。这种说法得到了一些人的支持，看来也是有相当多的事实依据。 8. 减少晶振焊接时加热的时间有人认为长时间加热晶振进行焊接会对晶振本身带来影响，却不是彻底损坏晶振，从而使得晶振不容易起振。这种说法我没验证过，个人表示怀疑。 9. 焊接的焊锡量这个种说法感觉就更不靠谱了，但真的有人在晶振引脚上多加了点焊锡晶振就能起振了。从原理上说，多加点焊锡确实会改变晶振和PCB间的寄生参数，但我感觉影响微乎其微。可能晶振已经徘徊在临界值的边缘了，这种做法才会起到一点作用。 10. 使用有源晶振个人认为这是一劳永逸解决晶振不起振问题的不二法门！有人对STM32的RTC晶振不易起振的原因做了一个解释，即出于低功耗的考虑，STM32对晶振的驱动功率比较低，所谓“好鼓不用重锤”，一些差的晶振就需要更高的驱动功率，所以不易起振。我认为这种解释是有道理的。使用有源晶振则不存在驱动功率的问题，如果问题确实是因为驱动功率造成的，那使用有源晶振毫无疑问可以彻底解决问题。而且目前网上还没看到说有源晶振不起振的求助帖。但是有源晶振通常比较昂贵，甚至要比一颗外置的RTC芯片还要贵。至于这个问题的取舍，就要看各位看官自己的想法了。点击此处报名EPSON直播：如何精确匹配晶体电路？| 12月26日14:30

晶振

硬件攻城狮 . 2024-12-20 1 7 6270
硬件电路设计之晶体/晶振电路设计（含匹配电容计算）

1 简介晶体与晶振在电路设计中的应用十分广泛，对于数字电路，一个稳定的时钟信号，是系统稳定的前提。 2 晶振与晶体的区别 2.1 晶振与晶体的特性晶振晶振的全称是有源晶振（振荡器），英文名称Oscillator。其内部自带谐振电路，通电后即可产生时钟信号。注意：无源晶体，有源晶振。这个说法不够准确，但是能体现二者的差别。晶体晶体的英文名称Crystal或者XTAL。晶体自身无法起振，需要借助外部电路才能输出时钟信号。 2.2 二者区别对比项晶体晶振电源无需电源，但需要外部电路需要电源输出一个输出，一个输入只有一个输出方向没有方向，正反均能使用。有方向 PIN脚 2个或者4个PIN脚 4个PIN脚 3 无源晶振电路设计匹配电容是什么单片机外部的的晶振电路通常如上图，其中CL1和CL2为匹配电容，且CL1和CL2的电容值通常相等。配电电容计算过程匹配电容的计算，通常按照下面的公式进行计算：其中，各个参数意义见下表：序号名称意义 1 CL 负载电容 2 CL1 匹配电容1 3 CL2 匹配电容2 4 CS 寄生电容，一般取3~5pF。案例分析此处以CX3225SA25000D0FPQCC 为例，具体参数如下：可见，负载电容为8pF,寄生电容取4pF,匹配电容为：可见匹配电容的取值应在8pF左右。电阻的选择晶振附近通常会并联或者串联上一个电阻，连接的方式不同，当然其功能也不同。并联电阻的功能 1.降低晶体的Q值； 2.抑制EMI,EMI不过时，可减小阻值； 3.提供直流工作点； 4.使门电路工作于线性区。串联电阻的功能 1.降低晶体的激励功率，防止损坏； 2.限制振荡幅度。 4 晶振电路设计关键参数频率大小。但频率越高，频差越大，从综合角度考虑，一般工程师会选用频率低但稳定的晶振，自己做倍频电路。频率稳定度：关键参数。指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用ppm(百万分之一)表示。一般来说，稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。电源电压：常用的有1.8V、2.5V、3.3V、5V等，其中3.3V应用最广。输出电平标准：根据需要采用不同输出。(HCMOS，SINE，TTL，PECL，LVPECL，LVDS，HSCL，PLL等)每种输出类型都有它的独特波形特性和用途。工作温度范围：工业级标准规定的-40～+85℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-20℃～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。

晶振

一杯苦Coffee . 2024-12-20 1 3 3940
电路设计加速器丨不可或缺的电源管理工具

ADI 提供了一整套电源管理工具，帮助您一次性正确设计电源解决方案。ADI 的电源管理工具支持从零件推荐到性能估算、实用的电源树设计、电路仿真和系统级优化的整个设计过程。探索这些免费且强大的工具，用于您的电源电路设计并节省时间。 LTspice 快速 • 免费 • 无限制 LTspice®是一款强大高效的免费SPICE仿真器软件、原理图采集和波形观测器，为改善模拟电路的仿真提供增强功能和模型。其原理图捕获图形界面使您能够探测原理图并生成仿真结果，这些结果可以通过内置波形查看器进一步观察分析。通过ADI提供的教程了解如何使用LTspice或通过精选的有用提示和文章深入了解。您还可以浏览我们的宏模型和演示电路库以了解选定的ADI产品。与其他SPICE解决方案相比，LTspice的增强功能和模型改善了模拟电路仿真。 LTpowerCAD and LTpowerPlanner LTpowerCAD®程序是一款完整的电源设计工具，旨在指导用户完成整个稳压器设计过程。LTpowerCAD可为您推荐零件、提供建议和警告，并显示所有关键性能（包括实时效率、环路及瞬态响应），从而轻松优化设计。 LTpowerPlanner是一款系统级电源架构设计工具，能够帮助您设计、优化电源架构，并展示系统级框图或“电源树”。LTpowerPlanner包含在LTpowerCAD安装包中。主要特性根据用户的电源规格搜索零件指导用户设计和优化电路组件具备高效、反馈回路和瞬态性能提供设计的详细摘要将设计导出到LTspice®进行进一步仿真通过LTpowerPlanner进行系统级功率树设计和优化 LTpowerPlay LTpowerPlay® 是一款功能强大且基于Windows的开发环境，可支持 ADI 公司的数字电源系统管理 (PSM) 产品。 LTpowerPlay支持许多不同的任务，如通过连接至演示板系统将其用于评估 ADI 的 IC，并在离线模式 (没有硬件) 下构建可在日后保存和重新加载的多芯片配置文件。它还提供前所未有的诊断和调试功能，可在板启动过程中变成有价值的诊断工具，用于编程或调整系统中的电源管理方案，或在启动供电轨时诊断电源问题。

ADI

ADI智库 . 2024-12-20 2 1705
深入解析48V LIN总线嵌入式马达驱动器MLX81346：48V电动汽车的绿色动力引擎

随着新能源汽车行业的快速发展，智能化和电动化成为重要方向，电动汽车对电能的需求也越来越高。由于电池的重量，整个车比纯燃油汽车更重，因此设计者不得不增加车身执行器的功率来提供更大的扭矩。传统的12V电池受限于电流和电池电量，不能为整车提供足够的电流，因此48V电池系统应运而生，为整车提供更大的功率输出和更高的能效。 48V电动汽车的驱动系统追求高效能、低噪音与紧凑设计，而LIN预驱动器作为电机控制体系中的核心元件，在实现这些高标准方面扮演着至关重要的角色。48V LIN总线嵌入式马达驱动器，作为集成了LIN（Local Interconnect Network）通信协议与马达驱动功能的先进嵌入式系统，为电动汽车的驱动控制提供了强有力的支持。迈来芯第三代LIN预驱动器MLX81346以其卓越的性能和高效能，成为了电动汽车电机驱动的首选。通过精确控制电机，提高电动汽车的续航里程和行驶稳定性，让绿色出行更加便捷、高效。系统功能强大，灵活应对多样化需求电机驱动：驱动能力： MLX81346能够驱动多达3个由6个n-fet组成的半桥，最大栅极电荷为200nC，支持电机范围从10W至2000W。在48V电动汽车中，它能够提供稳定、高效的动力输出，确保电动汽车在各种路况下都能保持稳定的行驶性能。三相无刷直流电机控制： MLX81346内嵌基于RISC架构的高性能MCU, 可以处理标准或定制的电机驱动算法，包括无传感器和有传感器的场定向控制（FOC），从而实现电机的高效、安静驱动。无论是高速运转还是低速精确控制，该预驱动器都能提供稳定且高效的动力输出。其先进的电机控制算法确保了电机在各种工况下的稳定运行，从而提高了整个系统的性能和可靠性。精准感知：为了实现对电机和外部环境的精准控制，MLX81346预驱动器能够读取多达12个外部传感器的数据。这些传感器可以包括温度传感器、位置传感器、电流传感器等，用于实时监测电机的工作状态和外部环境的变化。预驱动器支持多种输出格式，方便用户根据实际需求进行数据处理和分析。这种精准感知的能力使得系统能够更准确地响应各种变化，提高整体的控制精度和稳定性。 ▲ MLX81346框图（带外部电源桥BLDC）通信与接口：在复杂的系统中，通讯的可靠性和灵活性至关重要。MLX81346预驱动器支持LIN、I2C、SPI等多种通讯方式，使得系统能够与其他设备进行高效、稳定的通信。这种通讯方式的多样性满足了不同应用场景下的通讯需求，使得系统更加灵活和可扩展。 ● LIN通信：支持LIN 2.x、SAE J2602和ISO 17987-4标准作为从节点，能够与发动机控制单元（ECU）或域控制器进行高效、可靠的通信。 ● I2C通信：支持I2C标准模式、快速模式和快速模式Plus作为从节点，提供了另一种与ECU或其他车载系统进行数据交换的方式。 ● SPI通信：支持SPI标准，能够与其他SPI设备进行通信，扩展了系统的功能和灵活性。 ● 其他通信功能： ○ 集成电路可以传输数字发送信号。 ○ 支持在LIN引脚接收和发送PWM通信信号。 ○ 最多支持接收和发送2个UART信号。高压信号读取、诊断与保护功能：高压信号读取：该IC最多可读取3个高压模拟电平和3个高压数字信号，这些信号可能来自电机相电压、电源等关键部位。诊断功能： MLX81346符合功能安全ASIL-B等级，提供了丰富的诊断功能，包括各电源电压轨，各MOSFET的Vds电压，电流，温度等。有助于及时发现和排除系统故障，确保电动汽车的安全、稳定运行。保护功能：基于内部完备的诊断功能，MLX81346可在过压，过流，过温等异常事件发生后，提供us级的硬件保护功能，快速关断MOSFETs，让电机驱动系统在恶劣的环境下持续可靠运行。小型化与高效性：磁场定向控制（FOC）：通过FOC技术，MLX81346实现了电机控制的小型化和高效安静驱动。FOC技术是一种先进的电机控制策略，它通过对电机磁场的精确控制，实现了电机的高效运行和噪声降低。紧凑的封装： MLX81346提供了32引脚QFN（5mm x 5mm）或48引脚TQFP48（7mm x 7mm）封装，占用极小的电路板空间。这种紧凑的封装使得它非常适合于空间受限的电动汽车和其他应用场景。 TQFP48, 7x7mm QFN32, 5x5mm 广泛的应用潜力 MLX81346预驱动器不仅在48V电动汽车领域展现出了卓越的性能，更在其他机电一体化领域展现出了广泛的应用潜力。其强大的系统功能和灵活性，使其成为满足多样化需求的理想选择。 √ 泵与压缩机： MLX81346预驱动器通过稳定动力输出，显著提升了设备的整体效率。其精准的电流控制和先进的保护功能，确保了泵与压缩机在复杂工况下的稳定运行。无论是高压泵、离心压缩机还是其他类型的泵与压缩机，MLX81346预驱动器都能提供可靠的动力支持，满足各种应用场景的需求。 √ 风扇与鼓风机：通过单电阻采样和SVM调制方式，MLX81346为风扇和鼓风机应用提供高性价比的无感FOC驱动方案。独特的V90半闭环和电流交叉闭环检测可以实现快速可靠的启动。基于Melexis的在线电机参数辨识和DLA或id-iq的闭环FOC算法，可帮助用户快速实现无感风扇与鼓风机的驱动系统开发。 √ 12V-48直流/直流无刷定位执行器：对于12V-48V直流/直流无刷定位执行器，MLX81346预驱动器通过精准控制执行器的位置，实现了精准操作。其高精度的位置反馈和快速响应能力，使得执行器能够在各种复杂环境中准确完成指定任务。无论是工业自动化生产线上的精密装配，还是智能家居中的自动门窗控制，MLX81346预驱动器都能提供卓越的性能支持。 √ 36V-48V直流无刷电动自行车与电动踏板车：在电动自行车与电动踏板车领域，MLX81346预驱动器以其强劲的动力和平稳的骑行体验赢得了广泛好评。其优化的电机控制算法和高效的能量转换能力，使得电动自行车与电动踏板车能够在各种路况下保持稳定的动力输出。同时，其低噪音、低振动的特点也提升了骑行者的舒适感受。 MLX81346以其卓越的性能和多功能性，在48V电动汽车领域发挥着重要作用。通过精确控制电机、读取传感器数据、与ECU通信以及提供高压信号读取和诊断功能等，为电动汽车的高效、安全、稳定运行提供了有力支持。

Melexis

迈来芯Melexis . 2024-12-20 2565
CX2连接器和CX2 Dual Speed连接器及电缆组件

CX2连接器和CX2-DS连接器及电缆组件，帮助客户满足AI驱动的对更高速度、更大容量的需求，提供近芯片电缆连接器解决方案。支持下一代数据速率，实现了芯片到芯片的直接连接系统架构。这些系统通过双轴电缆支持将高速信号从芯片附近传输至系统的其它部分，相较于使用PCB走线而言，显著提升了信号完整性（SI）和系统性能。 ▲CX2连接器和CX2-DS连接器特色优势支持高达112G（CX2）或224G（CX2-DS）的下一代数据速率隔离式收发器/接收器的引脚布局采用了创新的屏蔽结构，并配备了高性能双轴电缆，这有助于在CX2连接器上实现高达112Gbps的传输速率。CX2-DS是CX2的信号速率和带宽翻倍/加强的增强版本。CX2-DS连接器可实现高达224Gbps的传输速率。提升可靠性，并确保连接器完全就位，以防止错配和连接意外断开由连接器和插座组成的两件式配接套件具备机械擦拭功能，并可通过闩锁或螺钉实现固定。最大限度提高系统性能，并拓宽机盒内的连接范围电缆组件使用31 AWG（CX2）或30AWG（CX2-DS）双轴电缆来支持BiPass电缆系统架构解决方案。最大限度地降低安装过程中PCB连接器引脚损坏的风险完全受保护的防误插接口简化了装配工作，并有助于确保连接器可靠配接。能够减少串扰并提升信号完整性，从而实现更高的信号速率该设计可确保高速性能，同时将信号衰减降至最低。市场和应用 ▲AI基础设施服务器和存储器 AI系统 AI集群 AI基础设施机器学习系统图形处理单元（GPU）网络基于以太网的通信系统 ▲通信系统 ▲服务器电信服务器路由器参数规格参考信息系列：220014（CX2 32-DP电缆组件） 220294（CX2 32-DP插座）包装：带盖压纹带设计计量单位：毫米是否符合RoHS标准：是是否无卤素：是物理参数外壳：LCP 接点：铜合金电镀：接触部位 — 镀金；焊尾部位 — 镀锡；底层 — 镀镍工作温度：-40至+85摄氏度电气参数电压（最大值）：29.9伏交流有效值电流（最大值）：每对触点0.5安培绝缘耐压：250伏绝缘电阻：100兆欧机械参数端子间距：差分线对之间为4.00毫米，排间为1.80毫米（CX2）和2.30毫米（CX2-DS）对配高度：16.60毫米（32个差分线对 CX2-DS） 18.40 毫米（64个差分线对CX2-DS） 13.20毫米（32个差分线对CX2）路数：32个差分线对（CX2或CX2-DS）或64个差分线对（仅限CX2-DS）可插拔次数（最小值）：200次（CX2），50次（CX2-DS）插配力（最大值）：每对2牛扳手测试（最大值）：25牛螺丝扭矩（最大值）：0.65牛米插配失准矫正能力：0.60毫米

molex

Molex莫仕连接器 . 2024-12-20 1 1 995
上新｜全新一代海波管PROx Gen2，为医疗器械行业绿色变革早做准备！

近年来，可持续发展已成为各行各业的共同话题。在全球范围内，医疗器械行业亦积极投身于这一绿色转型的大潮中。随着监管要求的日益严格，医疗行业制造商正积极探索可持续材料的应用，旨在既满足当前的医疗需求，又适应不断更新的环保规定，力求将对环境的负面影响降至最低。 TE Connectivity（简称“TE”）凭借其前瞻性的可持续技术，为医疗器械客户预先规划了绿色转型的路径。近期，TE对其备受医疗专家推崇的高性能海波管PROx进行了革新，推出了新一代产品系列——PROx Gen2。这次升级最突出的变化是——PROx Gen2根据不同的产品版本，采用了极少量的PFAS材料，甚至完全不使用。 PFAS因其卓越的热稳定性和耐降解性，在包括医疗器械在内的众多行业中得到广泛应用，然而它难于降解，被称为“永恒化学品”。鉴于其对环境生物可能造成的长期负面影响，全球范围内对PFAS在医疗器械领域的严格管控已成为必然趋势。美国、欧盟、加拿大、日本等多个国家和地区已明确或即将把PFAS化合物纳入法规管控范围。正是在这一背景下，PROx Gen2应运而生—— PROx Gen2根据不同的产品版本，采用了极少量的PFAS材料，甚至完全不使用。有效降低了有害物质的产生与排放，使医疗器械制造商能够更自如地应对未来可能出现的PFAS监管升级，提供了前瞻性的合规保障。材料虽有变化，优势性能和安全保障却始终如一。升级后的PROx Gen2依旧保留了PROx中优质的 Rx 导管设计，包括 TE 独有的抗kink材料 - PoleVault，并依托高效、自动化的生产环境（涵盖机器人技术、半自动化及全自动化流程）进行精心打造，进一步确保了产品的品质可靠性及一致性。产品组合升级后的 PROx Gen2 产品组合提供了三种设计： PROx Gen2 Coat PROx Gen2 Coat 是 TE 原有 PROx 产品的改良版。新的“涂层”是一种低PTFE水性涂层，符合 REACH 和 RoHS 标准。该涂层符合生物相容性要求且对环境友好。该涂层不含PFOS和PFOA（传统PFAS的代表性化合物）且不使用刺激性溶剂，不含NMP 和六价铬。PROx Gen2 Coat通过一系列设计特性实现了可推送性、抗弯折性、可通过性和放气时间达到更好的平衡，以优化球囊和支架的输送，为心脏科医生提供了更好的临床可操作性。 PROx Gen2 Pad Print PROx Gen2 Pad Print是一种不带涂层的海波管。它保留了 PROx Gen2 Coat 的高识别度Luer接头, 远端焊接导丝，和TE独有的抗kink材料 - Polevault，不同的是该产品不带PTFE涂层，而是采用了垫印标记（Pad Printing）。 PROx Gen2 Skive PROx Gen2 Skive仅保留了 PROx Gen2 Coat 的高识别度Luer接头和TE 独有的抗kink材料 – Polevault。PROx Gen2 Skive不带PTFE涂层，采用了垫印标记（Pad Printing），与远端配有导丝的设计不同，这款产品采用了斜切（skive）工艺，为客户提供了三种斜切长度选项——30mm、50mm 和 150mm。优化设计增强的抗弯折性 PoleVault海波管在抗弯折性上比传统材料最高可提升40%。过渡区兼顾灵活与坚韧核心导丝设计确保灵活且顺畅地过渡到远端组件。更好的可通过性低PTFE涂层的海波管是现有Rx导管行业标准的进阶版。整体设计实现可推送性抗弯折性、可通过性和放气时间达到更好的平衡。

TE

泰科电子 TE Connectivity . 2024-12-20 1105
第五代AMD EPYC处理器推动AI、云计算和企业计算不断发展

全新第五代 AMD EPYC（霄龙）处理器——AMD EPYC 9005 系列处理器专为加速数据中心、云计算和 AI 工作负载而设计，助力企业将计算性能提升到全新水平。面向 AI 的卓越 CPU【1】 AMD EPYC 9005 处理器性能卓越，全方位满足 AI 处理需求。充分提升每台服务器性能使用 AMD EPYC 9005 处理器，在机架数量减少多达 86% 的情况下仍能实现与原有硬件相当的整数性能【2】，大幅减少了物理占用空间、功耗和所需软件许可证数量，从而为运行全新或扩展的 AI 工作负载腾出空间。卓越的 AI 推理性能基于 AMD EPYC 9005 CPU 的纯 CPU 型服务器能够高效处理大量 AI 工作负载，如具有 130 亿个及以下参数的语言模型、图像和欺诈分析或推荐系统。与上一代产品相比，运行两个第五代 AMD EPYC 9965 CPU 的服务器可实现高达 2 倍的推理吞吐量提升。【3】充分助力 GPU 加速 AMD EPYC 9005 系列中的有些型号经过专门优化，在搭载 GPU 的系统中用作主机 CPU 时可帮助提高特定 AI 工作负载的性能，从而提高每台 GPU 服务器的投资回报率。例如，运行 Llama3.1-70B 时，在相同情况下使用高频 AMD EPYC 9575F 处理器且搭载 8 个 GPU 的服务器在系统性能上可提升高达 20%。【4】经过优化的企业级性能 AMD EPYC 9005 处理器在提供出色性能的同时实现卓越能效和总体拥有成本 (TCO) 价值，可解决企业迫在眉睫的关键需求。业界卓越的整数性能基于 AMD EPYC 9005 CPU 的服务器借助全新“Zen 5”核心在主要性能指标上表现出色，其中整数性能是同类产品的 2.7 倍。【5】专为云计算而生 AMD EPYC 9005 系列处理器兼具卓越密度和性能，非常适合云计算工作负载。旗舰级 AMD EPYC 9965 处理器拥有 192 个核心，能够支持更多的虚拟 CPU (vCPU) （1 个 vCPU 对应 1 个核心）。卓越能效和 TCO 优势如今，数据中心对能源的需求远超以往。AMD EPYC 9005 处理器继承了 AMD EPYC处理器的传统优势，带来出色的能效和总体拥有成本 (TCO)。 AMD EPYC 9005系列处理器的高级特性包括：领先的核心数选择，每CPU可选8至192核心 “Zen 5”和“Zen 5c”核心架构每CPU支持12通道DDR5内存最高支持DDR5-6400MT/s内存速率领先的加速频率最高可达5GHz 支持AVX-512指令集，具有完整的512b数据路径支持可信I/O的机密计算，系列中每个部件均在进行FIPS认证从为企业提供各种AI支持计划，到为大规模云基础设施赋能，再到托管最严苛的关键业务应用，现代数据中心运行着各种各样的工作负载。全新第五代AMD EPYC处理器为当今那些驱动着企业IT发展的各种服务器工作负载提供了领先的性能和能力。点击此处，详细了解AMD EPYC 9005系列处理器脚注：【1】9xx5-012：TPCx-AI @SF30 多实例 32 核心实例大小吞吐量测试结果基于截至 2024 年 9 月 5 日的 AMD 内部测试，测试中运行了多个 VM 实例。综合端到端 AI 吞吐量测试结果源自 TPCx-AI 基准测试，与已发布的 TPCx-AI 结果不具有可比性，因为端到端 AI 吞吐量测试结果不符合 TPCx-AI 规范。双路 AMD EPYC（霄龙）9965（总计 384 个核心），12 个 32 核心实例，NPS1，1.5TB 24x64GB DDR5-6400（速率 6000 MT/s），1DPC，1.0 Gbps NetXtreme BCM5720 千兆以太网 PCIe，3.5 TB Samsung MZWLO3T8HCLS-00A07 NVMe®，Ubuntu® 22.04.4 LTS，6.8.0-40-generic（tuned-adm profile throughput-performance、ulimit -l 198096812、ulimit -n 1024、ulimit -s 8192），BIOS RVOT1000C（SMT=off、Determinism=Power、Turbo Boost=Enabled）双路 AMD EPYC（霄龙）9755（总计 256 个核心），8 个 32 核心实例，NPS1，1.5TB 24x64GB DDR5-6400（速率 6000 MT/s），1DPC，1.0 Gbps NetXtreme BCM5720 千兆以太网 PCIe，3.5 TB Samsung MZWLO3T8HCLS-00A07 NVMe®，Ubuntu 22.04.4 LTS，6.8.0-40-generic（tuned-adm profile throughput-performance、ulimit -l 198096812、ulimit -n 1024、ulimit -s 8192），BIOS RVOT0090F（SMT=off、Determinism=Power、Turbo Boost=Enabled）双路 AMD EPYC（霄龙）9654（总计 192 个核心），6 个 32 核心实例，NPS1，1.5TB 24x64GB DDR5-4800，1DPC，2 个 1.92 TB Samsung MZQL21T9HCJR-00A07 NVMe，Ubuntu 22.04.3 LTS，BIOS 1006C（SMT=off、Determinism=Power）结果： CPU、吞吐量中值、相对于基准的提升幅度、代际提升幅度 Turin（192 个核心，12 个实例）、6067.531、3.775、2.278 Turin（128 个核心，8 个实例）、4091.85、2.546、1.536 Genoa（96 个核心，6 个实例）、2663.14、1.657、1 参照基准（64 个核心，4 个实例）、1607.417、1、不适用结果可能会因系统配置、软件版本和 BIOS 设置等因素而有所不同。TPC、TPC 基准测试和 TPC-C 是 Transaction Processing Performance Council 的商标。【2】9xx5TCO-001B：此场景包含许多假设和估计，尽管基于 AMD 内部研究和最佳逼近原则，但应视为一个示例，仅供参考，不能用作实际测试的决策依据。通过 AMD 服务器和温室气体排放总体拥有成本 (TCO) 估算工具 1.12 版，评估了实现总计 39100 个单位的 SPECrate2017_int_base 性能所需的特定 AMD EPYC（霄龙）服务器解决方案和相应的参照解决方案，采用了截至 2024 年 10 月 10 日发布的分数。在此测试场景中，基于双路 EPYC（霄龙）9965（192 核）的服务器获得 3000 分 (https://www.spec.org/cpu2017/results/res2024q4/cpu2017-20240923-44837.pdf)，明显高于参照解决方案的得分。双路 EPYC（霄龙）9965 的实际 SPECrate®2017_int_base 分数因 OEM 发布的数据而异。我们利用这些数据，并采用“2024 年全球电力排放系数 10 – 2024 年 7 月”中的国家/地区特定电力系数、美国国家环境保护局“温室气体当量计算器”，对环境影响进行了评估。【3】9xx5-040A：XGBoost（每小时运行次数）吞吐量测试结果基于截至 2024 年 9 月 5 日的 AMD 内部测试。XGBoost 配置：v2.2.1，Higgs 数据集，32 核心实例，FP32 双路 AMD EPYC（霄龙）9965（总计 384 个核心），12 个 32 核心实例，1.5TB 24x64GB DDR5-6400（速率 6000 MT/s），1.0 Gbps NetXtreme BCM5720 千兆以太网 PCIe，3.5 TB Samsung MZWLO3T8HCLS-00A07 NVMe®，Ubuntu® 22.04.4 LTS，6.8.0-45-generic（tuned-adm profile throughput-performance、ulimit -l 198078840、ulimit -n 1024、ulimit -s 8192），BIOS RVOT1000C（SMT=off、Determinism=Power、Turbo Boost=Enabled），NPS=1；双路 AMD EPYC（霄龙）9755（总计 256 个核心），1.5TB 24x64GB DDR5-6400（速率 6000 MT/s），1DPC，1.0 Gbps NetXtreme BCM5720 千兆以太网 PCIe，3.5 TB Samsung MZWLO3T8HCLS-00A07 NVMe®，Ubuntu 22.04.4 LTS，6.8.0-40-generic（tuned-adm profile throughput-performance、ulimit -l 198094956、ulimit -n 1024、ulimit -s 8192），BIOS RVOT0090F（SMT=off、Determinism=Power、Turbo Boost=Enabled），NPS=1；双路 AMD EPYC（霄龙）9654（总计 192 个核心），1.5TB 24x64GB DDR5-4800，1DPC，2 个 1.92 TB Samsung MZQL21T9HCJR-00A07 NVMe®，Ubuntu 22.04.4 LTS，6.8.0-40-generic（tuned-adm profile throughput-performance、ulimit -l 198120988、ulimit -n 1024、ulimit -s 8192），BIOS TTI100BA（SMT=off、Determinism=Power），NPS=1。结果如下：CPU、第 1 次运行吞吐量、第 2 次运行吞吐量、第 3 次运行吞吐量、吞吐量中值、相对于基准的提升幅度、代际提升幅度双路 Turin（192 核，NPS1）、1565.217、1537.367、1553.957、1553.957、3、2.41 双路 Turin（128 核，NPS1）、1103.448、1138.34、1111.969、1111.969、2.147、1.725 双路 Genoa（96 核，NPS1）、662.577、644.776、640.95、644.776、1.245、1 参照基准（64 核）、517.986、421.053、553.846、517.986、1、不适用结果可能会因系统配置、软件版本和 BIOS 设置等因素而有所不同。【4】9xx5-014： Llama3.1-70B 推理吞吐量测试结果基于截至 2024 年 9 月 1 日的 AMD 内部测试。 Llama3.1-70B 配置：TensorRT-LLM 0.9.0，nvidia/cuda 12.5.0-devel-ubuntu22.04，FP8，输入/输出 token 配置（应用场景）：[BS=1024 I/O=128/128，BS=1024 I/O=128/2048，BS=96 I/O=2048/128，BS=64 I/O=2048/2048]。结果以“token/秒”为单位。双路 AMD EPYC（霄龙）9575F（总计 128 个核心），8 个 NVIDIA H100 80GB HBM3，1.5TB 24x64GB DDR5-6000，1.0 Gbps 3TB Micron_9300_MTFDHAL3T8TDP NVMe®，BIOS T20240805173113（Determinism=Power、SR-IOV=On），Ubuntu 22.04.3 LTS，kernel=5.15.0-117-generic（mitigations=off、cpupower frequency-set -g performance、cpupower idle-set -d 2、echo 3> /proc/syss/vm/drop_caches）； I/O token、批次大小、参照系统的吞吐量、Turin 吞吐量、提升幅度： 128/128、1024、814.678、1101.966、1.353 128/2048、1024、2120.664、2331.776、1.1 2048/128、96、114.954、146.187、1.272 2048/2048、64、333.325、354.208、1.063 吞吐量平均提升幅度为 1.197 倍。结果可能会因系统配置、软件版本和 BIOS 设置等因素而有所不同。【5】 9xx5-002D：SPECrate®2017_int_base 性能评估基于截至 2024 年 10 月 10 日 www.spec.org 网站发布的分数。双路 AMD EPYC（霄龙）9965（SPECrate®2017_int_base 得分为 3000，总计 384 个核心，500W 热设计功耗 (TDP)，CPU 总成本为 $14,813，SPECrate®2017_int_base 得分与 CPU 功耗比为 6.060，SPECrate®2017_int_base 得分与 CPU 成本比为 0.205，https://www.spec.org/cpu2017/results/res2024q4/cpu2017-20240923-44837.html）；双路 AMD EPYC（霄龙）9755（SPECrate®2017_int_base 得分为 2720，总计 256 个核心，500W 热设计功耗 (TDP)，CPU 总成本为 $12,984，SPECrate®2017_int_base 得分与 CPU 功耗比为 5.440，SPECrate®2017_int_base 得分与 CPU 成本比为 0.209，https://www.spec.org/cpu2017/results/res2024q4/cpu2017-20240923-44824.html）；双路 AMD EPYC（霄龙）9754（SPECrate®2017_int_base 得分为 1950，总计 256 个核心，360W 热设计功耗 (TDP)，CPU 总成本为 $11,900，SPECrate®2017_int_base 得分与 CPU 功耗比为 5.417，SPECrate®2017_int_base 得分与 CPU 成本比为 0.164，https://www.spec.org/cpu2017/results/res2023q2/cpu2017-20230522-36617.html）；双路 AMD EPYC（霄龙）9654（SPECrate®2017_int_base 得分为 1810，总计 192 个核心，360W 热设计功耗 (TDP)，CPU 总成本为 $11,805，SPECrate®2017_int_base 得分与 CPU 功耗比为 5.028，SPECrate®2017_int_base 得分与 CPU 成本比为 0.153，https://www.spec.org/cpu2017/results/res2024q1/cpu2017-20240129-40896.html）。SPEC®、SPEC CPU® 和 SPECrate® 是 Standard Performance Evaluation Corporation 的注册商标。如需了解更多信息，请访问 www.spec.org。‎

AMD

AMD中国 . 2024-12-20 4830
传英特尔关闭槟城晶圆厂

据马来西亚媒体报道，英特尔在马来西亚创建两年多的槟城晶圆厂计划将在本年12月正式停止，大半到美国受训的工程师亦将被遣散。而在9月，传英特尔将暂停部分其在马来西亚槟城的新芯片封装和测试项目的时候，英特尔仅回应表示，未宣布其在马来西亚扩展业务的计划有任何变化，在一封电子邮件中表示：“我们尚未宣布任何计划变更。马来西亚仍将是我们在这里延续悠久而自豪历史的重要市场。” 2022年英特尔在前任执行长Patrick Paul Gelsinger之倡议下，决定在槟城州扩建厂房，以建立一个全新的300毫米芯片晶圆生产工厂。这个运用深紫外光曝光机(DUV)技术的晶圆生产工厂对马来西亚半导体产业而言是一个质的飞跃。这个计划于2022在马来西亚全国招募逾500名工程师与技术人员，当中大多数被英特尔派送到美国新墨西哥州与俄勒冈州进行为期一年的在职培训，并于2023年回到槟城州，准备大展拳脚。如果一切顺利，马来西亚将迎来本土半导体产业自2020年贸易战第二春过后的第三次跃进。但该计划总是赶不上变化，英特尔本年第三季蒙受严重亏损过后，对于全球布局的晶圆生产计划大幅度收缩。创建两年多的槟城晶圆厂计划亦在本年12月正式停止，大半到美国受训的工程师亦将被遣散。槟城州厂房原本应该生产自新墨西哥州转移过来的晶圆，但因厂房的建设进度远远落后于既定时间表，无法在预定时间内投产，生产线无法转移。因此在英特尔大减资本支出的节点，这个无法发挥作用的计划成为牺牲品。该厂房进度落后，其中一个关键原因就是马来西亚厂房营造商对兴建一个高规格晶圆工厂之技术底蕴不足，因此进度严重滞后。马来西亚电子产业非首次面对类似问题。2016年希捷于槟城州峇六拜(Bayan Lepas)厂房被关闭，所有生产线皆被转移至泰国，其关键原因亦因槟城州峇都交湾(Batu Kawan)的新厂房无法投入使用，因此该公司高层毅然决定透过厂房整合删减支出并选择保留泰国而离开马来西亚。然而，厂房进度落后很可能是一个假设性的答案：倘槟城州的厂房来得及完成建设，晶圆厂也未必不会被关闭，若槟城厂房进度良好，2024年已按原定计划进入晶圆投产，那么英特尔进行全球再布局的策略研究时，槟城厂房或许就会被优先考虑保留。英特尔于2021年宣布建设槟城新项目，承诺在10年内投资70亿美元（约500亿人民币）。当时报道称，这项投资将在该国创造4000多个英特尔工作岗位以及5000多个建筑工作岗位。据悉，英特尔扩建槟城业务的目的是将其打造成美国境外首个先进3D芯片封装工厂。这项70亿美元的投资还包括扩大英特尔在吉打州居林的业务的计划，到2032年其在马来西亚的总投资将达到140亿美元。英特尔对槟城的厂房定位于先进封装。英特尔从2017年开始导入EMIB封装，第一代Foveros封装则于2019年推出，当时凸点间距为50微米。预计今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake处理器，则将利用第二代Foveros封装技术，凸点间距进一步缩小为36微米。英特尔并未透露现阶段其3D Foveros封装总产能，仅强调除了在美国奥勒冈州与新墨西哥州之外，在未来的槟城新厂也有相关产能建置，这三个据点的3D封装产能合计将于2025年时增为目前的四倍。英特尔副总裁Robin Martin曾强调，未来槟城新厂将会成为英特尔最大的3D Foveros先进封装据点。

英特尔

芯查查资讯 . 2024-12-20 1375
如何使用Matter创建AIoT连接？这份开发者指南，请查收！

人工智能 (AI) 与物联网 (IoT) 不断融合，形成了人工智能物联网 (AIoT)，为各个细分市场的开发人员带来了诸多机遇。随着连接的互操作性日益提高，物联网将收集大量的原始数据。能够分析、学习数据并做出适当反应的设备有助于理解这些数据，并将其转化为更有价值的体验。AI还可以使物联网系统提高自主性，能够在无人工干预的情况下实时响应数据。尽管AIoT仍然是物联网中一个相对较新的领域，但它通过优化流程、提升网络安全、实现实时洞察和自动化任务，改变着我们的生活和工作方式。例如，AIoT正在使智能家居真正智能化，其系统能够了解我们的习惯和偏好，并预测我们的需求。在制造业中，支持人工智能的机器能够增强预测性维护并减少停机时间，能够监测磨损、预见问题并在实际问题发生之前安排维护。在供应链中，人工智能增强的物流和库存控制使得维护库存和履行订单变得更加高效。在医疗保健领域，AIoT正帮助护理人员更准确地诊断和治疗疾病。在交通领域，支持人工智能的系统可以减少拥堵，改善交通流量。在企业中，AIoT设备监测网络活动，以检测和防止网络攻击。从哪里开始？目前，为物联网量身定制的AI模型种类丰富，涵盖了从检测物体、识别模式或异常到识别关键字、处理自然语言或理解视觉信息，并且新功能正在快速引入。尽管这些选项令人兴奋，但开发人员在投入使用之前应进行一些提前规划。为物联网设备添加人工智能可以增加其价值，但从时间和精力的角度来看，只有当添加的功能真正有助于应用场景时，才是有意义的。此外，在评估如何添加AI时，有许多问题需要回答。哪种连接协议最适合传输收集的数据？应用场景有什么安全要求？我的系统能够直接与设置中的其它设备进行通信吗？这些问题的答案在很大程度上取决于设备的应用场景和生态合作体系。 Matter为智能家居和“类家”环境赋能对于在家庭内外操作设备的开发人员来说，回答这些问题相对简单，因为连接标准联盟 (CSA) 的新智能家居连接标准Matter是AIoT基础的理想选择。 Matter现已发布第四个版本，覆盖了一系列智能家居设备类型。Matter专为统一消费电子设备、网络和协议而设计，确保任何制造商的认证产品都能在现有的网络基础设施和多个智能家居平台上无缝互操作。 Matter支持以太网、Wi-Fi和Thread等广泛使用的连接协议，并使用低功耗蓝牙将设备接入网络。Matter还指定了一种通用语言，能够安全地覆盖基于物理IP的网络。它对网络节点进行身份验证和授权，创建和管理安全结构，并规定在该结构中流动的消息的结构和语义。虽然Matter是专门为智能家居设计的标准，但其标准化协议、安全性和语义等概念同样适用于其他领域。在商业大楼、零售业、制造、医疗保健和农业，有许多应用场景有类似的要求，可以从Matter支持的各种设备和功能中受益，包括照明和暖通空调控制。随着Matter不断发展和且支持的设备类型日益增加，它将越来越多地应用于非住宅垂直领域的广泛AIoT用例。 Matter在企业应用的限制尽管Matter有许多优点，但它在大规模非住宅部署中存在一些潜在的局限性。例如，目前Matter仅支持本地访问，使用在未许可频谱上运行的局域网 (LAN)，而不包括使用广域网 (WAN) 支持移动性的部署，例如移动通信、卫星和低功耗广域网 (LP-WAN) 技术，如LoRaWAN。此外，Matter主要是为大众市场垂直领域设计的，这些领域的部署通常由消费者管理和保护。而企业往往以不同的规模运营，其部署的网络需要专业IT人员使用网络管理工具进行管理和监测。Matter尚未提供这类IT专用的管理工具。另一个限制是，Matter以合规认证作为设备认证的基础。这意味着在安装设备时，Matter会检查每台设备的唯一认证证书，以确认其经过CSA认证，并由值得信赖的制造商制造。对于大规模生产的消费类产品来说，这是一个卓越的解决方案，但它无法满足更复杂的企业市场的需求。在企业市场中，设备往往使用多环节供应链，并在部署前进行广泛的定制。使用Matter创建AIoT指南了解Matter在AIoT中的具体应用需要比本文更详细的讨论，因此我想推荐一份深入探讨这个话题的新白皮书。 Bill Curtis是Moor Insights&Strategy的分析师，专注于工业物联网和物联网技术。他从Matter公布之初就持续关注其演变轨迹 (事实上，Bill和我在2014年初次见面，当时我们各自的公司都是Thread Group的创始成员)。作为一名技术传播者，他提供了一种独特的视角帮助开发人员了解Matte和AIoT。他在最新文章《AIoT：连接AI与现实世界》中，讨论了连接如何助力实现AIoT，并详细回顾了AIoT部署的考虑要素。他介绍了Matter在当前环境中的适用范围，以及依赖标准化协议的应用层、安全性和语义的Matter方法如何仍然能为超出Matter当前范围的垂直领域带来好处。 Bill还重点展示了恩智浦支持Matter方法，以及我们简化开发的多种方式。恩智浦一直是Matter标准的主要贡献者，提供了一系列经过Matter认证的平台，具有构建和部署各种Matter设备所需的所有芯片、软件和服务，涵盖从传感器到网关和集线器。 Bill特别提到了恩智浦三频技术的重要性，该技术在一个芯片上集成了Wi-Fi、蓝牙和Thread，有助于简化无线硬件和软件的开发。正如Bill所述，这种方法降低了成本、提高了性能，并实现了基于IP的通用设备连接，使产品生产企业能够在AIoT不断扩展的过程中快速扩大规模。有关Matter的更多信息我们建议阅读Bill的其他研究文章，这些文章全面介绍了Matter及其在智能家居和消费电子市场中的重要性： Matter研究报告 Matter——让智能家居更安全介绍了Matter基于信息安全和隐私的基础，以及恩智浦如何让Matter的开发变得更轻松、更快速、更安全。 Matter——让智能家居更智能深入探讨了Matter的技术细节，以及Matter在从智能家居向自动化家居过渡中所起的推动作用。

NXP

NXP客栈 . 2024-12-20 1005
Lattice，收购Altera？

据知情人士透露，英特尔公司已将多家收购公司列入下一轮竞购其 Altera 子公司的候选名单，这家陷入困境的芯片制造商正在推进由其现任首席执行官启动的收购程序。知情人士表示，包括 Francisco Partners 和 Silver Lake Management 在内的私募股权公司正在与 Lattice Semiconductor Corp. 一起参与第二轮竞购 Altera 的竞争，Altera 专门从事低功耗可编程芯片的设计。由于涉及机密信息，知情人士要求匿名。知情人士表示，Apollo Global Management Inc. 和 Bain Capital 也在追逐 Altera。知情人士称，英特尔将在 1 月底前向竞购者提供正式报价。他们补充说，可能会出现其他竞购者，或者整个过程可能会以失败告终。英特尔、阿波罗、贝恩资本、Francisco Partners 和 Silver Lake 的代表拒绝置评。莱迪思的发言人没有立即回应置评请求。英特尔推进由前首席执行官帕特·基辛格启动的这一进程的举动表明，该公司——近三十年来曾是全球收入最高的芯片制造商——渴望实现已经宣布的计划，尽管一些人批评其他计划的进展速度太快。知情人士称，在 11 月美国感恩节假期前发出初步报价后，英特尔收到了多种交易结构选择，从收购 20% 至 30% 的股份到完全控制 Altera。知情人士称，一些交易方在其提案中概述了多种路径，该部门的估值从 90 亿美元到 120 亿美元不等。英特尔在 2015 年斥资约 170 亿美元收购 Altera。对于莱迪思来说，任何试图控制该业务的尝试都可能很困难。莱迪思的市值为 80 亿美元，可能需要额外的火力（可能来自金融合作伙伴）才能获胜。英特尔首席财务官戴维·津斯纳 (David Zinsner) 本月与米歇尔·约翰斯顿·霍尔索斯 (Michelle Johnston Holthaus) 一起被任命为临时联席首席执行官，他在一次行业会议上告诉投资者，这家芯片制造商“启动”了与外部投资者接触的过程。 “我们的想法是，我们将找到另一个合作伙伴，就像我们对 IMS 业务所做的那样，”津斯纳上周在巴克莱全球技术会议上表示。英特尔于 2023 年 6 月将其 IMS 纳米制造业务 20% 的股份出售给贝恩资本特殊情况，该交易对该部门的估值约为 43 亿美元。三个月后，该公司宣布以同样的估值将 IMS 10% 的股份出售给台湾半导体制造股份有限公司。IMS 提供所谓的多光束掩模写入工具，世界上一些最大的半导体制造商使用这些工具来生产芯片。

Lattice

芯查查资讯 . 2024-12-20 1 740
家用激光打印机产品的工作原理及主要构成

居家办公逐渐成为很多人工作常态，家用打印机成为很多家庭必备办公电子产品。作为一种计算机输出设备，它的作用就是打印，将计算机处理结果打印在相关介质上。好的打印机通常具有打印分辨率高、打印速度快、噪声低、小巧便捷等特点。不同技术方案对打印机采用的原理及器件不同，本期给大家讲解常用家用打印机产品的工作原理及主要构成。通常，家用打印机具有操作简单，易于安装和维护，购买价格和耗材成本较低，多功能性，体积小，支持无线连接等特点。有喷墨打印机，它通过喷墨头将墨水喷射到纸张上形成文字或图像，激光打印机，它使用激光束在光敏鼓上形成图像，然后通过碳粉附着在纸张上形成文字或图像，针式打印机，它通过打印针在色带上撞击，将油墨转移到纸张上形成文字或图像。在这里，笔者主要给大家介绍激光打印机产品是如何工作的。它是将激光扫描技术和电子成像技术相结合的设备，其工作成像要经过走纸、充电、激光照射、显影、转印、定影、清洁等步骤完成输出。感光鼓是激光打印机的核心部件，负责将激光信号转化为静电潜像。它是一个圆柱形的部件，表面涂有一层光敏材料。在激光束的照射下，光敏材料带电，从而吸附碳粉，墨粉盒中装有碳粉，用于在打印过程中形成可见的墨粉图像，激光扫描器负责将数字信号转化为激光信号，照射到感光鼓上，输纸系统负责将纸张送入打印机，并在打印完成后将纸张送出。激光打印机主要由激光打印系统，它产生激光束，用于在感光鼓上进行曝光，胶片传送系统，用于存放待打印的胶片和已打印的胶片，电机及动力传动系统，为胶片提供传输所需的驱动力，信息传递与存储系统，包括视频接口和数字接口，用于连接成像设备接收图像信息。控制系统包括键盘，控制板用于输入控制指令，如打印程序、格式选择等，显示板显示打印机的工作状态、错误信息等，电源管理系统给设备提供稳定的电流供应。其他关键部件包括感光鼓、墨粉盒、定影辊、清洁系统等。家用激光打印机用到分立器件产品的部分主要是电源管理系统、控制系统以及电机及动力传动系统和显示板。它们为系统提供电机驱动信号以及起到电压调节和开关等作用。例如，在MOS管在电源管理电路中可以作为开关元件，用于控制电源的通断和调节输出电压。通过精确的开关控制，MOS管可以有效地管理打印机的电力消耗，防止电源过载或短路，从而保护打印机的电子元件免受损坏。还有，激光打印机中纸张传送装置和感光鼓驱动等装置，需要用电机来驱动。MOS管可以用于驱动这些电机，通过控制电机的转速和转向来实现精确的纸张传送和感光鼓旋转。在电机驱动电路中，MOS管通常作为功率开关元件，能够承受较大的电流和电压，从而满足电机驱动的需求。激光打印机的控制电路需要处理来自计算机等输入设备的指令，并控制打印机的各个部件协同工作。MOS管可以作为逻辑开关元件组成MOS开关电路，在控制电路中实现信号的传递和处理。在家用激光打印机产品中，MOS管主要是作为开关和驱动、放大等电路的核心部件，应用的产品通常具有很快的较高漏源电压（通常需要500V以上）、开关速度、低导通电阻、高耐流能力、耐用性好、宽温级、高频等特点，工厂能为这类客户提供的产品型号包括HKTD4N50（TO-252封装）、HKTD4N65（TO-252封装）、HKTD5N20（TO-252封装）、HKTD5N50（TO-252封装）等产品，这些产品得到很多打印类客户的验证，产品非常稳定可靠。目前，我国家用打印机入户率是远低于很多发达国家的，长期来看，中国的家用打印机市场具有很大的增长空间，这对于国内做分立器件的厂商是非常好的市场机遇。家用打印机会朝着智能化、联网化、高效率、便捷化、环保以及多样化等方面发展，对元器件产品而言，厂商提供的产品要更加可靠稳定、性能强、宽温级工作范围、小型化、环保、适配性强、坚固耐用、低功耗等。

厂商投稿 . 2024-12-20 8997
晶振行业小型化趋势：3225及更小尺寸晶体

主流晶振通常分为两种封装形式：贴片式与直插式。贴片式晶振相较直插式晶振体积更小，更广泛应用于智能化电子产品。目前通常采用3225（3.2*2.5mm）及以下尺寸的贴片式晶振。 · 小型化晶体晶振作为电子设备中的重要时钟信号源，直接关系到设备的工作效率和稳定性。随着科技的发展，尤其是移动设备、可穿戴技术以及物联网（IoT）领域的崛起，智能化产品越来越趋向于便携式，因此对晶振的小型化的需求也逐渐增加。 · 市场趋势目前，晶振的尺寸和性能已成为决定电子产品性能的重要因素。3225尺寸（3.2mm x 2.5mm）晶振由于其良好的综合性能，已广泛应用于消费类设备。随着消费电子产品向着更便携、更节能/更持久的方向发展，晶振行业的尺寸小型化趋势愈发明显。除了3225尺寸外，市场上逐渐涌现出更加紧凑尺寸的晶振。比如： ①2016 (2.0x1.6mm)：这种尺寸的晶体振荡器比3225更小，适用于对空间要求非常严格的便携式设备和穿戴设备。 ②1610 (1.6x1.0mm)：进一步缩小了尺寸，这种晶体振荡器适合于极小的空间需求，如智能手表、健康监测器等 ③1210 (1.2x1.0mm) 和 1008 (1.0x0.8mm)：这些是最小的商业可用晶体振荡器之一，专为极端紧凑的应用设计，如微型传感器、RFID标签等。这些更小尺寸的晶振不仅满足了设备小型化的需求，同时也在性能和稳定性方面也有良好的表现，成为可穿戴设备、物联网终端、智能家居等新兴市场的首选。 · 市场趋势与未来展望随着5G、物联网（IoT）等技术的发展，市场对于晶振的小型化、低功耗和高精度需求日益增长。预计未来晶振产品将朝以下几个方向发展：尺寸进一步缩小：小型化是未来晶振技术发展的重要方向，随着制造工艺和技术的不断进步，预计晶振的尺寸将进一步减小，以适应更多应用场景的需求。像1210、1008等微型化产品可能逐步成为市场主流，满足更为紧凑的设备设计需求。性能持续提升：虽然尺寸不断缩小，但高精度和高稳定性仍然是晶振产品的核心要求。未来的晶振不仅要在频率稳定性、温度稳定性和抗震性等方面达到更高标准，还需要能够满足5G通信、汽车电子等高端市场的高性能需求。智能化应用扩展：晶振在智能设备中的应用将更加广泛，特别是在物联网、智能家居、可穿戴设备等领域。随着这些应用对晶振的性能和尺寸提出更高要求，晶振制造商需加快技术创新步伐，以适应市场的变化。根据不同的产品需求YXC提供小尺寸晶振解决方案以上为YXC小尺寸晶体的参数和特性，可供参考选型。未来，随着材料科学和制造工艺的不断进步，我们可以预见更小尺寸的晶体振荡器将会被开发出来。并且随着技术的不断进步和市场需求的变化，未来还将有更多更小尺寸的晶体被开发出来。

晶振

扬兴晶振 . 2024-12-20 8909
泰凌微发布机器学习与人工智能TL-EdgeAI发展平台为海量AI端侧应用提供平台支撑

人工智能是新一轮科技革命和产业升级的重要驱动力量，当下人工智能应用落地已迈入新阶段，无线连接与边缘AI运算能力相结合的巨大市场在未来将呈现出高速增长的态势，这其中尤其以AI端侧应用为突出代表。泰凌微电子（688591.SH）近日于芯片技术领域斩获新突破，正式向市场推出了新一代高度集成的芯片TL721X和TL751X以及基于两款芯片的机器学习与人工智能发展平台TLEdgeAI-DK（以下统称：TL-EdgeAI发展平台）。 TL721x及TL751x系列，增加了边缘AI运算能力，基于这两款芯片的TL-EdgeAI发展平台，将支持主流本地端AI模型，如谷歌LiteRT、TVM等开源模型，是目前世界上功耗最低的智能物联网连接协议平台，特别适合运用在需要电池供电的各类产品，为海量AI端侧应用的未来发展铺就崭新道路。 TL721X 作为国内率先实现工作电流低至 1mA 量级的超低功耗多协议物联网无线 SoC 芯片，可出色满足新一代高性能智能物联网终端产品对于核心芯片所提出的更为严苛、多元的高标准要求。TL751X 则以独特的高性能、多协议以及高集成度的特质，采用先进的多核设计理念，集成了HiFi-5 DSP，由此衍生出极为强大的运算处理能力，并集成了丰富多样且实用的功能模块，可适用于智能无线物联网、无线音频 SoC等领域。该两款AI芯片及搭载的机器学习与人工智能发展平台，使蓝牙芯片脱离了传统蓝牙芯片的传输功能，实现了可自行学习，可以参与、对接大模型和应用小模型，并实现了和国际、国内一线的智能音频、智能家居厂家的全面合作。从蓝牙连接到端侧AI，泰凌微迈入全新发展阶段自2010年起航以来，泰凌微电子始终聚焦在无线物联网芯片技术等前沿领域，已拥有了齐全的无线物联网系统级芯片产品种类，包括多模物联网芯片、无线音频芯片、私有协议芯片，满足多样化的物联网应用需求，针对这些芯片，泰凌微都提供了自研固件协议栈和完整的参考设计，从而形成了自身的产品竞争力与护城河，完善的产品与技术，得到了市场检验与认可的可靠性，以及供应链稳定性等因素，帮助泰凌微能够跻身全球连接芯片的头部厂商，2024年年中，泰凌微的全球累计出货量已跨越20亿颗这一重大里程碑。边缘AI（Edge AI）是指在数据产生的本地或边缘设备上集成人工智能算法和处理能力，使设备能够直接运行人工智能模型，而无需依赖云端服务器处理数据。这些本地设备包括海量的各类传感器、摄像头、音频设备、机器人以及其他智能硬件。通过这种技术，设备可以在数据生成的地点实时处理信息，从而显著降低延迟、节省数据传输带宽，并提升响应速度。与此同时，由于数据无需传输到远程服务器处理，还能有效降低数据泄露和隐私问题的风险。边缘AI的应用场景十分广泛，涵盖智能家居、智慧医疗、智能楼宇、工业物联网、安防监控等众多领域。泰凌微电子每年销售的数亿片芯片中，已有大量产品应用于这些领域。近年来，随着客户对在芯片中增加边缘AI能力的需求不断增长，泰凌微电子投入了大量研发资源，最终推出新一代支持边缘AI运算的芯片。这一突破将显著提升公司产品在相关领域的竞争力，进一步打开同时需要无线连接与边缘AI运算能力的高速增长的巨大市场。另一方面，边缘计算通常对设备的能耗提出较高要求，而泰凌微电子在低功耗领域则有着有着深厚的技术沉淀，从而能够使得TL-EdgeAI发展平台一经面世即可达到目前世界上功耗最低这一性能表现。高效整合各大主流算法模型打开端侧AI市场泰凌微电子基于这两款TL721x及TL751x高集成、超低功耗的芯片，成功打造出TL-EdgeAI发展平台。此平台全力支持用户快速移植现有的机器学习模型，并且用户还可运用LiteRT、TVM等主流本地人工智能算法，使其在开发实际产品时，能高效地将本地端的人工智能功能加以整合。用户不但能够获取可直接运行的LiteRT模型，以便在多种机器学习与人工智能工作场景中自如应用，而且还能凭借AI Edge转换和优化工具，把TensorFlow、PyTorch和JAX模型顺利转换为TFLite格式并使之运行。其中，TensorFlow、JAX模型系由谷歌公司的人工智能团队谷歌大脑（Google Brain）开发和维护，PyTorch则是由Facebook公司的人工智能研究团队开发。在工作流程方面，也极为简化，以LiteRT机器学习为例，泰凌微电子的本地端人工智能开发平台已可支持：训练模型：生成适配目标装置的小型TensorFlow模型，涵盖所支持的应用；运用 LiteRT 转换工具指令，将其转换为LiteRT模型；借助标准工具存储数据，把装置只读程序内存转换为C字节数组。使用C++链接库，并在装置上执行推论结果。用户可借助泰凌微电子提供的ML/AI SDK，并结合上述训练模型成果，快速集成到实际产品应用中，抢占上市先机（Time-To-Market）。目前，泰凌微电子正积极协助客户利用此开发平台引入人工智能功能，极大地提升产品的差异化程度，创造产品价值。泰凌微电子目前已成功地利用TL-EdgeAI发展平台，将边缘AI的机器学习模型整合到智能音频和智能家居产品中，实现了与实际应用的紧密结合，同时还在与更多的用户和策略伙伴合作开发各种适合不同应用领域具有边缘AI功能的创新产品，其中包括和国内领先的大模型AI公司进行的相关产品的深度合作。以智能音频为例，在消费音频设备中，TL751X以高性能、多协议和高集成度支持耳机等设备实现优质音频传输，同时借助强大算力为智能语音交互助力，如依语音指令智能切换音频模式；并以低功耗和人工智能降噪算法，精准识别并抑制环境噪音。音频会议系统里，TL751X 处理多路音频，借助人工智能实现高清通话、混音与智能语音指令响应，像自动记录要点等。在多人组网对讲系统中，TL-EdgeAI_751X平台结合自研的低延迟Mesh网络技术和Telink Edge AI-Noise Reduction技术，已经实现了同时多达24人的低延时、高稳定性和高音质的双工通信，推动了智能音频技术在人工智能的加持下不断创新和发展，广泛应用于各个领域。以智能家居为例，TL721X的高性能，低延时与低功耗特性，让智能语音助手更加流畅自然，用户可通过语音以非常低的延时便捷控制灯光、窗帘、空调等设备。支持Matter使不同协议的灯光、窗帘、空调等设备无缝连接，加上低功耗优势保障设备持久运行。丰富的外设接口连接传感器，借助人工智能算法，可实现室内环境的智能感知学习与调控，极大提升居住舒适度。目前，TL-EdgeAI_721x平台可支持多种智能传感器机器学习算法(Edge AI Sensor Hub)并支持最新网络Matter协议。泰凌微电子在智能家居扩展应用上在行业内处于领先地位。此次发布新一代高度集成的芯片TL721X和TL751X以及基于两款芯片的TL- EdgeAI发展平台，标志着泰凌微电子在融合机器学习及人工智能软硬件技术、拓展AI端侧应用市场等方面取得实质性进展。目前，TL721X已步入量产筹备的关键阶段，预计将于2025年中正式开启大规模批量生产阶段，并已率先向部分先导客户提供样品进行前期试用与评估。而TL751X则凭借其卓越的高性能、广泛的多协议支持以及出色的高集成度优势，已在市场中崭露头角。泰凌微将藉由TL-EdgeAI发展平台，将边缘AI的机器学习模型整合到智能音频和智能家居产品中，实现与实际应用的紧密结合，同时还在与更多的用户和策略伙伴，合作开发各种适合不同应用领域、具有边缘AI功能的创新产品，TL-EdgeAI发展平台的发布将提升泰凌微产品在相关领域的竞争力，进一步打开同时需要无线连接与边缘AI运算能力的高速增长的巨大市场。

泰凌微

泰凌微电子 . 2024-12-19 1 1235
美国将中微公司、IDG资本移出制裁清单

当地时间12月17日，美国国防部宣布已于12月13日将中微半导体设备（上海）股份有限公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China，AMEC）和IDG资本（IDG Capital Partners Co., Ltd.）从中国军事企业清单（CMC清单或1260H清单）中移除。中微公司是中国领先的半导体设备制造商，产品涵盖等离子体刻蚀设备和MOCVD（有机金属气相沉积）设备，广泛应用于多个先进制程技术领域。中微公司已成为国内少数能够与全球顶尖设备制造商竞争的企业之一。美东时间2024年1月31日，美国国防部根据《2021财年国防授权法案》第1260H条，公布了更新版的CMC清单，中微公司等73家中国企业被列入该清单。这是1260H清单自2021年6月3日首次发布以来，第二次进行更新。根据2024财年美国国防授权法案的规定，自2026年6月30日起，美国国防部将被禁止与1260H清单上的实体签订新合同，或续签、延长与这些实体的现有合同。自2027年6月30日起，国防部还将禁止采购任何直接或间接来源于清单实体的商品或服务。中微公司表示，其从未参与过军事活动，并于8月向联邦法院提起诉讼。8月16日早上，中微公司通过其官方微信公众号宣布，已向美国法院正式提交诉状，起诉美国国防部将其列入中国军事企业清单的决定。中微公司董事长兼总经理尹志尧表示：“我们对美国国防部将中微公司再次列入涉军清单深表震惊。这一决定是错误的，是毫无根据的。我们相信法院会作出一个公正的裁决，将中微公司从CMC清单中移除。同时，我们也愿意继续与美国国防部保持沟通，妥善地解决所存在的争议。” IDG资本是同一批被美国国防部列入“中国军工企业”名单之一，它是第一家出现在名单上的私募股权和风险投资公司。当时，IDG否认与中国军方合作，并表示自己不应被列入该名单。这家总部位于香港的公司是中国历史最悠久的风险投资公司之一，成立于 1993 年，当时是美国国际数据集团 (International Data Group) 专注于中国业务的子公司。后来，该公司独立发展，目前在波士顿和纽约设有办事处。在2月1日举行的外交部例行记者会上，外交部发言人汪文斌对美国更新CMC清单一事表示，坚决反对美方泛化国家安全概念，划设各类名目的歧视性清单，无理打压中国企业，破坏中美正常经贸合作。美方做法违背其一贯标榜的市场竞争原则和国际经贸规则，打击外国企业在美投资经营信心，损害美国企业和投资者利益，终将反噬自身。事实上，美国政府才是军民融合政策的主要推手。美国军民融合政策可以追溯到一战前，美国防部在硅谷等科技重镇设立办公室，指导高科技企业加快技术“军事化”“实战化”。很多美国大型跨国公司都是“军民融合体”，其经营范围、产品类型跨越军民领域。我们敦促美方立即纠正上述歧视性做法，为中国企业经营提供公平、公正、非歧视环境。中国将继续坚定维护本国企业正当合法权益。

实体清单

芯查查资讯 . 2024-12-19 2385
15亿元半导体项目落地上海浦东

近日，深圳中科飞测科技股份有限公司（以下简称“中科飞测”）在上海证券交易所发布了关于拟投资建设项目的公告。公告称，公司拟在上海市浦东新区投资建设“上海高端半导体质量控制设备研发测试及产业化项目”，用于高端半导体质量控制设备研发测试中心及产业化基地建设，拟投资规模14.81亿元，将由公司全资子公司飞测思凯浦实施。公开资料显示，中科飞测由陈鲁创立于2014年，是一家国内领先的高端半导体质量控制设备公司。中科飞测自成立以来始终专注于检测和量测两大类集成电路专用设备的研发、生产和销售。公司产品主要包括无图形晶圆缺陷检测设备系列、图形晶圆缺陷检测设备系列、三维形貌量测设备系列、薄膜膜厚量测设备系列等，已应用于国内28nm及以上制程的集成电路制造产线。本次公告中的项目建设主体——飞测思凯浦，为中科飞测全资子公司，成立于2024年5月，位于上海张江，法定代表人为陈鲁，注册资本为1000万元人民币。从中科院少年班走出的创业者 1992年，年仅15岁的陈鲁考进中科院少年班攻读物理学专业。1997年，陈鲁选择前往美国布朗大学进修，并在2003年取得了光学物理博士。毕业后，陈鲁的第一份工作是在美国的Rudolph Technologies公司（RTEC）担任科学家。RTEC是一家世界范围内头部半导体设备、软件供应商。也正是在这段期间，陈鲁遇到了现在的妻子，也是中科飞测的股东之一——哈承姝。那时她在耶鲁大学取得了经济学硕士学位，之后又获得美国华盛顿大学职业法律专业博士学位，并先后在德勤、金沙江创投任职。 2005年，陈鲁在设备检测商科磊半导体任职资深科学家，主要负责研发新一代集成电路检测设备。在美国奋斗十余年后，2010年，陈鲁、哈承姝夫妇选择回国发展。归国之后，陈鲁选择回到曾经培养他的中科院，成为了中科院微电子所“百人计划”的研究员，并担任中科院博士生导师。这期间，陈鲁在中科院负责中国科学院微电子研究所微电子设备技术研究室（八室）的工作，主要研究方向也是光学仪器设备领域。在中科院工作期间，依托于中科院微电子所，陈鲁组建了一支研发团队。2014年，陈鲁带领团队从北京前往深圳开始创业，正式成立中科飞测。 2023年5月19日，中科飞测在科创板挂牌上市，当天收盘大涨189.62%，收盘市值高达218.72亿元。公告显示，该公司中前道制程客户已覆盖逻辑、存储、功率半导体、MEMS等，化合物半导体客户覆盖碳化硅、氮化镓等，先进封装客户覆盖晶圆级封装和2.5D/3D封装等，半导体材料企业主要为大硅片等，制程设备企业覆盖刻蚀设备、薄膜沉积设备、CMP设备等。据悉，公司产品已广泛应用在中芯国际、士兰集科、长电科技、华天科技、通富微电等国内主流集成电路制造产线。截至2024年9月末，公司累计客户数量超过200家。截至2024年9月30日，公司研发人员数量为493人；截至2024年9月30日，公司已拥有境内外授权专利超过500项，其中发明专利超过100项。同时，公司牵头承担了多个国家级、省级、市级重点专项研发任务，参与了多项国家及国际标准的制定。在荣誉方面，中科飞测获得了国家级专精特新“小巨人”企业、国家级高新技术企业、省级专精特新中小企业及省级制造业单项冠军企业等称号。融资方面，天眼查显示，在上市前，中科飞测共完成5轮融资，投资方包括深创投、中芯聚源、哈勃投资、国投集团等头部投资机构。中科飞测表示，此次投资建设研发及扩产项目，也是为应对行业HBM等新兴领域的2.5D/3D先进封装技术等快速发展趋势。拟投资14.81亿元在上海浦东建设高端半导体项目中科飞测在发布的公告中称，公司基于经营发展需要，为加快产能规划及产业布局，拟在上海市浦东新区投资建设“上海高端半导体质量控制设备研发测试及产业化项目”，用于高端半导体质量控制设备研发测试中心及产业化基地建设，拟投资规模14.81亿元，将由公司全资子公司飞测思凯浦实施。本项目建成投产后将进一步扩大公司生产经营规模和提高技术研发实力，从而提升公司核心竞争力。此前，中科飞测披露了2024年度向特定对象发行A股股票预案。根据预案，公司计划通过向特定对象发行股票来募集资金总额不超过25亿元（含本数）的资金，扣除发行费用后的募集资金净额拟投入上海高端半导体质量控制设备研发测试及产业化项目、总部基地及研发中心升级建设项目、补充流动资金。本次发行对象为不超过35名符合中国证监会规定条件的特定对象，发行数量不超过9600万股（含本数）。再融资公告显示，上海高端半导体质量控制设备研发测试及产业化项目主要涉及两个子项目：上海高端半导体质量控制设备产业化项目：拟在上海市浦东新区建设高标准洁净车间以及仓库等配套设施，引入先进的生产配套设备及软件，打造规模化、现代化、标准化的高端半导体质量控制设备产业化基地。上海高端半导体质量控制设备研发测试中心项目：拟在上海市浦东新区建设研发测试中心，引入半导体质量控制技术研发与产品开发所需的先进软硬件设备，引进高端技术人才，进一步提升公司研发测试技术能力。项目建设地点位于上海浦东康桥工业区，具体用地面积以实际情况为准。项目计划投资金额14.81亿元（含购置土地款、建筑工程、设备费等，最终项目投资以实际投入为准）。本次对外投资资金来源为中科飞测自有或自筹资金，不会影响现有主营业务的正常开展。中科飞测认为，中国大陆半导体质量控制设备行业正处于快速发展阶段，目前的国产化率较低。为前瞻布局前沿技术，把握市场机遇，满足公司高端半导体质量控制设备产品未来日益增加的技术研究和产能扩张需求，本项目的实施有利于公司进一步提升技术水平能力、扩大市场份额，从而提高公司的综合竞争力，为推动公司长期稳定发展奠定基础。为何是浦东？为什么选择在上海市浦东新区建设高端半导体质量控制设备研发测试中心及产业化基地？中科飞测在公告中透露，公司现有产能主要集中于深圳市及大湾区，上海及长三角地区产能规划相对较少。上海及长三角地区作为我国半导体产业集群最为活跃的地区之一，是公司客户主要集聚区域之一。为了加快公司在上海以及长三角地区的战略规划实施，公司在上海新建产业化基地有利于充分利用区域优势，扩充长三角地区产能，提高客户需求响应速度及产品交付效率，增强客户粘性，从而巩固并提高公司行业市场地位和市场份额。众所周知，集成电路产业在上海的三大先导产业中占据着首要位置。作为战略性新兴产业的关键部分，集成电路（芯片）是推动新质生产力发展的重要力量。上海浦东新区作为上海经济发展的强力“发动机”，是国内集成电路全产业链体系最集中的区域之一。2023年，浦东新区集成电路实现产业规模2715.50亿元，增长5.1%。上半年实现产业规模1378亿元，增长13.6%；新增专利总数1643个，增长18.1%，其中发明专利数1362个，增长25.9%。浦东的集成电路产业坚持全链布局发展，已基本构建从EDA基础软件、IP核、核心产品设计、制造封测，到装备零部件材料的全产业链体系。从行业来看，质量控制设备作为集成电路生产过程中的核心设备之一，贯穿集成电路制造的关键环节。尤其是在半导体产业技术快速发展的背景下，半导体制造工艺日趋复杂，对工艺窗口的挑战要求几乎“零缺陷”，半导体质量控制对于保证生产良率发挥着至关重要作用。根据VLSI数据统计，在2023年全球半导体制造设备市场份额占比中，半导体检测和量测设备占比约为13%，仅次于刻蚀设备、薄膜沉积设备和光刻设备。随着人工智能、智能驾驶、物联网、云计算及大数据等众多领域的蓬勃发展，近年来下游集成电路需求快速增长，随之带动晶圆制造厂商、封装测试厂商研发新工艺、扩充产能，纷纷加大对半导体设备的投资力度。受益于中国集成电路行业的快速发展及国内晶圆厂的产能持续扩张，中国大陆的半导体设备行业正处于快速发展的机遇期，市场前景广阔。根据SEMI数据统计，2023年度中国大陆地区半导体设备销售额达到366.6亿美元，同比增长29.7%，自2020年以来连续四年成为全球第一大半导体设备市场。根据SEMI预测，2025年到2027年全球300mm晶圆厂设备支出预计将达到创纪录的4,000亿美元。其中，中国将保持全球300mm设备支出第一的地位，未来三年将投资超过1,000亿美元。质量控制设备作为半导体设备行业的核心设备之一，有望迎来新一轮的高速发展周期，下游需求的不断发展为半导体设备制造产业的扩张和升级提供了良好发展机遇和广阔的市场空间。中科飞测表示，公司专注于高端半导体质量控制领域，为半导体行业客户提供涵盖设备产品、智能软件产品及配套服务的全流程良率管理解决方案。公司已形成九大系列设备和三大系列智能软件的产品组合。其中，六大系列设备已经在国内头部客户批量量产应用，技术指标全面满足国内主流客户工艺需求，市场占有率稳步快速增长，另外三大系列设备均已完成样机研发，并出货客户开展产线工艺验证和应用开发；三大系列智能软件已全部应用于国内头部客户，应用领域覆盖度稳步提升。相信在未来，中科飞测将凭借其雄厚的技术实力和研发体系，为新项目的实施奠定坚实的技术支撑。公司也能利用其优质的客户资源和良好的市场口碑，积极开发新的客户群体，确保新增产能得到有效利用。同时，该项目的推进能够促进公司产品线的多样化和产能结构的优化，增强公司在新产品开发及现有产品升级方面的研究与产业化能力，助力实现高端半导体质量控制设备领域的国产化率提高。

中科飞测

芯师爷 . 2024-12-19 2 1380
本田和日产将统合

本田与日产汽车将就成立控股公司、两家企业纳入旗下的方向推进协调。未来还将考虑加入三菱汽车。如果三家企业統合，销量将超过800万辆，跃居世界第三。特斯拉、比亚迪等EV车企正在威胁传统的汽车企业…… 本田与日产汽车将就业务整合展开磋商。将就成立控股公司、两家企业纳入旗下的方向推进协调。未来还将考虑加入三菱汽车。在世界汽车产业中，美国特斯拉和中国企业等纯电动汽车(EV)企业正在威胁传统的大企业，在技术和参与者两方面，正在进行历史性的结构转型。日本国内3家厂商将集结技术力量等经营资源，力争成为世界第3大集团。本田和日产将于近期签署谅解备忘录(MOU)，今后将确定控股公司的持股比例等详细内容。日产是三菱汽车的最大股东。如果三家企业統合，销量将超过800万辆，诞生全球屈指可数的汽车制造商。本田和日产从3月开始探讨合作事宜。8月开展全面业务合作，双方就车载软件及零部件的通用化等进行了协商。三菱汽车也表明了加入本田和日产联盟，开展合作的方针。本田拥有燃效性能较高的混合动力车(HV)用技术，在该车型上拥有仅次于丰田的世界市场占有率。日产在2010年推出了世界上第一款量产纯电动汽车“LEAF（中国名：聆风）”。在电动化技术方面有优势，将EV车型扩大到SUV。本田从创始人本田宗一郎的时代开始就贯彻发动机开发等“自主主义”。本田的方针转变表明了面对被称为百年一遇变革的汽车产业变革期的决心。鉴于世界性的去碳化趋势，从发动机汽车向EV的转型正在推进。国际能源署（IEA）的数据显示，到2035年，EV在世界新车销售中所占的比重将达到50%以上。在中国，得益于政府对产业转型的支持，以比亚迪(BYD)为首的新兴EV企业正在崛起。中国汽车工业协会的统计显示，EV等新能源车的销售比例2024年预计达到40%。价格竞争力卓越的中国企业的技术力也在提高，日本车企曾占优势的中国和东南亚的地盘正在发生巨大动摇。从2024年1-11月在中国的累计销量来看，本田下降30.7%，日产下降10.5%，均陷入苦战。日产的困境很明显。不仅是在面临当地企业攻势的中国，在美国的销售也陷入苦战。由于新车开发速度缓慢，未能在美国推出需求增加的混合动力车。虽然日产2023年实现了与法国雷诺重新调整资本关系的夙愿，但规模带来的成本削减效果也在减弱。受经营低迷影响，日产11月宣布将全球产能削减20%，启动相当于整体近1成的9000人规模的裁员，整合措施的制定成为当务之急。日产似乎认为，为了重振旗鼓，有必要加深与本田的关系。本田和日产除了EV的核心零部件和车载软件的通用化之外，还将加快电池供应等合作。本田在完善电池生产方面投入巨资，通过向日产供应车载电池，可以减轻负担。两家车企将进行业务统合，提高与特斯拉和中国企业对抗的盈利能力。全球起汽车版图正在形成新的框架。美国通用汽车9月表示，将考虑与现代汽车就联合开发EV和软件等新一代汽车进行合作。在欧洲，9月德国宝马和丰田宣布了燃料电池车的全面合作。而在美国，新兴纯电动汽车厂商Rivian Automotive与德国大众展开了合作。本田和日产将就业务统合启动磋商。其本质部分似乎存在着日产经营不稳定问题以及如何应对中国企业。　　 “新月”构想是在2018年日产前会长卡洛斯・戈恩被捕后提出的。指的是三菱商事收购法国雷诺持有的日产的约一半股份，日产如同“新月”般再次出发。　　相关人士表示，在日产想要摆脱雷诺控制的抵抗运动中，还有一个“与本田或美国通用汽车（GM）合作的构想”。日本经济产业省也参与其中。后来，日产与雷诺建立了平等关系，但是经营仍然处于迷雾之中。2024年4～9月日产的合并营业利润减少9成。　　另一方面，中国出现了能威胁本田的企业。那就是纯电动汽车（EV）巨头比亚迪（BYD）。2024年比亚迪的全球销量超过400万辆，分别超过本田和日产。显示出5年里销量增至10倍的惊人增长力。　　纯电动汽车彻底改变了竞争环境　　　在描写传统企业败给新兴势力的名著《创新者的窘境》中，作者克莱顿·克里斯坦森没有对纯电动汽车是否符合这一理论给出结论。虽然其在2020年去世，但从2024年的情况来看，他可能会说“符合理论”。　　纯电动汽车续航里程短、价格高这一原有看法已经被打破。这应该推动了本田和日产采取行动，尤其是一直坚持闭门主义的本田。　　如果算上日产旗下的三菱汽车，两家公司的全球销量将达到800万辆。今后也有可能出现以此为基准跻身“800万辆俱乐部”的动向。要说和1990年代的“400万辆俱乐部”的时候有什么不同，那就是技术。内燃机已经成为选项之一，电动化所需的电池、软件和自动驾驶技术将主导竞争力。　　避免拼凑，而要蛙跳　　 800万辆在这个意义上并不是代表胜利的规模，只不过是迈向新时代的“车票”。菲亚特和克莱斯勒等合并业务而形成的欧洲斯特兰蒂斯（stellantis）拥有14个品牌，确保了超过600万辆的销售规模。但最近的低迷表明，“拼凑”无法产生竞争力。也有观点指出，中国企业飞速发展的背后有政府的补贴。另一方面，中国企业率先采用数字化的开发和制造方法，实现了向最尖端产品制造迅速飞越的“蛙跳”，这一事实也不容忽视。　　一些中国企业把新车上市时间缩短至传统企业的3分之1，他们的汽车在欧洲、东南亚和南美都得到支持。本田和日产将会怎么样？能否实现令世界震惊的蛙跳，正在受到考验。

本田

日经中文网 . 2024-12-19 2 1 805
欧盟制裁多家船舶中企

当地时间12月16日，欧盟宣布第十五轮制裁措施。制裁对象包括根据Decision 2014/145/CFSP的84名主体（含54名个人和30个实体）以及根据Decision 2014/512/CFSP的32名主体与52 艘船舶。其中涉及13名中国主体（12个企业与1名个人，后附清单），其中有一家深圳企业巨航航空被列名了两次。一、针对个人和实体的制裁欧盟首次对中国主体实施了全面制裁，包括旅行禁令、资产冻结和禁止提供经济资源。主要原因是为俄罗斯提供无人机部件和微电子部件。二、打击规避制裁欧盟理事会将更多船只列入禁止进入港口和禁止提供广泛海上运输服务的名单，针对那些属于普京影子舰队、规避石油价格上限机制或支持俄罗斯能源部门的非欧盟油轮，或负责为俄罗斯运输军事装备或参与运输被盗乌克兰粮食的船只。三、贸易限制委员会还将32个新实体列入直接支持俄罗斯的实体名单。这些实体将受到更严格的出口限制，包括两用货物和技术，以及可能有助于俄罗斯国防和安全部门技术升级的货物和技术。其中一些实体位于第三国（包括中国、印度、伊朗、塞尔维亚和阿拉伯联合酋长国），并参与规避贸易限制或采购用于俄罗斯军事行动的敏感物品，如无人机和导弹。被列涉中实体清单： 1. ARCLM International Trading Co. Ltd 2. Shijiazhuang Hanqiang Technology Co.石家庄晗强电子科技有限公司 3. Asia Pacific Links Ltd. 4. Redlepus TSK Vektor Industrial (Shenzhen) Co., Ltd红兔矢量实业（深圳）有限公司 5. Xiamen Limbach Aviation Engine Co., Ltd厦门林巴赫航空发动机有限公司 6. Time Art International LTD时亚国际有限公司 7. Ele Technology Co. LTD深圳市易络电子有限公司 8. Ningbo Blin Machinery Co., Ltd.宁波贝宁机床有限公司 9. Shenzhen Xingding Machinery Ltd深圳市星鼎机械有限公司 10. Powerever Electronic Technology 北京威旺达电子科技有限责任公司 11. Qisda Optronics (Suzhou)苏州佳世达 12. Juhang Aviation Technology Shenzen Co., LTD巨航航空科技（深圳）有限公司被列名个人： 13. Li XIAOCUI（李晓翠）说明：制裁依据有两个：Decision 2014/512/CFSP和Decision 2014/145/CFSP。二者都是欧盟针对乌克兰局势采取的限制性措施，但它们关注的重点和具体内容有所不同： 1. Decision 2014/512/CFSP 针对俄罗斯该决定于2014年7月31日通过，主要关注俄罗斯行动对乌克兰局势的破坏性影响。包括了对俄罗斯的经济制裁，例如禁止销售、供应、转移或出口武器、军民两用物品和技术、某些石油勘探和生产技术，以及对军事物品清单中包含的商品和技术提供援助。该决定还涉及对俄罗斯的旅行禁令和资产冻结措施。 2. Decision 2014/145/CFSP 该决定于2014年3月17日通过，主要针对破坏或威胁乌克兰领土完整、主权和独立的行动。规定旅行禁令和资产冻结措施，并列出相关人员名单。该决定旨在针对那些对乌克兰领土完整、主权和独立构成威胁的个人、实体和机构。

欧盟

芯查查资讯 . 2024-12-19 1 4150