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点亮精彩瞬间，艾迈斯欧司朗OSCONIQ® C 3030 LED为户外及体育场增色

全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）近日宣布，推出新一代高性能LED——OSCONIQ® C 3030。这款尖端LED系列专为严苛的户外及体育场照明环境而设计，兼具出色的发光强度与卓越的散热效能。其支持高达3A的驱动电流及最大9W的功率输出，以紧凑扁平封装呈现卓越亮度和可靠性，确保高强度照明持久耐用且性能出众。应用领域体育场及高杆照明 OSCONIQ® C 3030以卓越的光通量密度、出色的热管理能力及紧凑设计，完美契合高功率照明需求，成为体育场聚光灯及高杆照明等严苛应用场景的优选方案。这款LED以小体积实现高封装密度，释放出卓越的亮度与光强，为运动场和大型户外空间注入无限活力。 02建筑聚光灯在建筑聚光灯应用领域，OSCONIQ® C 3030以其出色性能，成为打造迷人照明效果的理想之选。其高强度的光输出与卓越的颜色均匀性，能确保稳定的照明效果，凸显建筑特色。此外，这款LED还具备出色的多样性，支持密集排列与创意照明设计，营造令人赞叹的视觉效果。 03电视与转播的领先照明技术 OSCONIQ® C 3030以出色的色彩还原能力和光照一致性，成为电视演播室与转播应用的优选方案。在这些对精确照明要求极高的场景中，该LED能够帮助演播室与转播机构实现至臻照明效果，确保屏幕所呈现的每一细节都生动逼真、色彩准确。主要特性紧凑封装，卓越性能 OSCONIQ® C 3030凭借小巧的3030封装设计，在大幅节省空间的同时，实现光强度最大化，是体育场与建筑聚光灯应用的理想选择。其坚固的CSP类封装，可确保稳定的高功率输出，并降低系统成本。卓越的热效率 OSCONIQ® C 3030的热阻尤为卓越，仅为1.2K/W，能高效散热，确保产品的长期可靠性，同时可实现长达120,000小时免维护运行。因此，无论是在难以触及的高杆照明，还是其他各类安装环境中，这款LED都是您的理想之选。高功率及高光效 OSCONIQ® C 3030专为严苛应用场景打造，支持高达9W的功率输出，在5,700K色温下光通量可达近500lm，堪称高输出照明领域的佼佼者。卓越色彩品质与一致性凭借卓越的色偏角（CoA）表现与色彩均匀性，OSCONIQ® C 3030能够提供精准且生动的照明效果。其相关色温范围覆盖2,200K至6,500K，并可选配70、80或90的显色指数（CRI），确保在不同应用场景中均能展现出色的色彩性能。静电放电（ESD）保护 OSCONIQ® C 3030内置8kV的ESD保护机制，有效抵御静电干扰，确保在严苛环境中仍能稳定可靠地运行。释放UX:3技术的潜能依托艾迈斯欧司朗前沿的UX:3芯片技术，OSCONIQ® C 3030在光照均匀性、电流线性、光通量密度及热性能等方面树立全新标杆，成为大功率应用的理想之选。其独有的荧光粉转换技术、经优化的引线框架以及耐用封装设计，共同确保卓越的性能与可靠性。OSCONIQ® C 3030荣膺2023年BrightStar大奖，在高强度照明领域独占鳌头。 OSCONIQ® C 3030 LED现已实现批量生产。

艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗 . 2024-11-22 1 1285
Melexis采用无磁芯技术缩小电流感测装置尺寸

Melexis宣布推出摒弃磁芯设计的新型电流传感器芯片MLX91235，其能够更精准测量流经PCB走线和母线等外部主要导体的大电流。该产品专为汽车和替代出行领域打造，可广泛支持逆变器、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器低压侧等多种应用场景。现代电动汽车（EV）领域的电力电子设计师一直面临系统尺寸与重量的双重挑战，对更小、更轻解决方案的需求非常迫切。而迈来芯的梯度测量传感器MLX91235通过摒弃聚磁的磁芯设计，实现相较于传统电流传感器技术更为紧凑的尺寸设计，并有效消除因磁滞现象导致的测量误差。 MLX91235利用两个内部传感元件间的磁场差分测量技术，不仅提供高精度的电流反馈，还有效抵御杂散磁场的影响。凭借500kHz的带宽和仅2微秒的响应时间，MLX91235还在电机控制、转换器等高速应用领域中展现出卓越的性能。数字架构与精度 MLX91235凭借智能数字架构，在确保卓越的测量精度的同时，还提升传感器的性能，并集成多项关键功能，极大地促进开发、校准及系统集成的效率。相较于模拟体系结构中常用的分段线性补偿方法，MLX91235在处理固有的非线性特性时，其数字架构展现出更强大的能力，能够实现更为精确且先进的补偿策略，从而输出更为准确且平滑的数据。此外，该传感器还采用全数字温度补偿技术，进一步确保在整个工作范围内都能提供高精度的测量。通过SPI进行开放式校准 MLX91235采用“开放式”校准设计，通过标准的串行外设接口（SPI）进行配置，使得任何微控制器单元（MCU）都能轻松实现在线校准。与模拟无磁芯传感器相比，该器件的数字校准方式更加直观快捷，能够轻松调整数字增益校正等参数，从而极大地提升校准的灵活性和效率。过流检测和温度监测 MLX91235内置16位过流检测（OCD）功能，支持非对称阈值设置，并提供两个可自由配置的阈值区间。此外，该功能还具备一个可配置的检测时间，最短可达2微秒，并可选择应用防止误报策略，以在电磁兼容性（EMC）较差的环境中有效减少误报情况的发生。MLX91235还集成一个10位温度反馈机制，能够借助高速SPI接口精确输出结温测量值。功能安全与自检 MLX91235符合ISO 26262标准，并被认证为符合ASIL B级别独立环境的安全要素（SEooC）。除了满足ASIL B的严格要求外，该传感器还内置一个先进的自检功能，可通过SPI接口轻松触发。此自检功能能够全面监测并报告包括温度、欠压以及机械应力等在内的多项关键参数信息。值得一提的是，与传统诊断方法相比，该自检功能覆盖从传感器到应用MCU的完整信号链。 Melexis产品线总监 Bruno Boury表示：迈来芯在传感技术领域拥有悠久的历史，而无磁芯传感器MLX91235则是我们新一代产品中的佼佼者。这款传感器集在线快速校准、OCD功能、ISO 26262标准合规性以及由数字核带来的高精度于一身。这些卓越的功能，结合我们为客户提供的全面支持，是迈来芯成功将这项新技术引入该领域的关键所在。 MLX91235专为汽车及工业领域的电流传感应用量身打造，广泛适用于逆变器、低压DC-DC转换器、充电器、电加热催化剂（EHCs）、电池管理系统（BMS）、智能热保险丝等系统中的PCB和母线电流传感。

迈来芯

迈来芯Melexis . 2024-11-22 1 1135
德州仪器 DLP® 技术，用创新点亮未来

作为一家全球性的半导体公司，德州仪器致力于汽车电子领域的创新，凭借在汽车电子领域积累的数十年经验，帮助汽车制造商攻克设计挑战，通过模拟和嵌入式创新技术打造更智能、更安全、更可持续的汽车系统。为了支持客户加快研发和上市步伐，德州仪器基于广而全的产品技术和系统知识，在重要汽车电子细分领域不断创新，以及时地回应市场趋势和需求。目前，德州仪器已经拥有超过 7,000 种车规级产品，并且在不断加强新产品推进的速度。本期特邀嘉宾张廷瑞歌尔车载事业部总经理什么是 DLP® 技术？随着消费电子市场的快速发展，市场对于显示效果和性能的要求越来越高。由此，显示设备需要具备更高的分辨率、更快的响应速度以及更低的功耗。同时，如今的汽车行业也面临着前所未有的变革，自动驾驶和车联网等技术的快速发展对于显示和成像解决方案也提出了更高的要求。其中，DLP® 技术在这些应用领域中发挥着重要的作用。 DLP® (Digital Light Processing) 技术，即数字光处理技术，核心部件包括数字微反射镜器件 (DMD)、背光模组和成像镜头，通过将影像信号经过数字处理，再通过光的方式投射出来，以实现高图像保真度，能够投射出清晰、明亮、色彩逼真的画面。作为显示和先进光控制解决方案领域的行业领导者，德州仪器 DLP® 技术适用于个人电子产品、汽车和工业应用，能够提供各种具有不同微镜阵列对角线尺寸、亮度等特性的产品，可满足客户的不同要求。其中德州仪器能够做到哪些方面呢？令人惊叹的图像质量：DLP® 技术可为传统和新兴显示应用实现逼真、清晰的图像质量。在任意显示介质上投影：扭曲可用于对不规则形状的显示表面进行几何补偿。值得信赖的技术：我们的产品以 DLP® 技术为后盾，深受各种工业和汽车终端产品创新者的信赖。大力支持：我们提供大量支持资源，例如在线参考设计、评估模块、软件和 E2E 社区支持，有助于简化您的设计过程。汽车应用中的 DLP® 技术 DLP® 技术不仅在显示领域有着广泛的应用，其独特的优势也在光控制和汽车电子行业中得到应用。DLP® 技术在汽车应用中的发展方向包括抬头显示、数字大灯、动态地面投影、激光投影和透明显示。以 AR-HUD 为例，增强现实 AR-HUD 已成为智能驾驶舱设计的核心要素，有助于通过驾驶辅助和安全功能提升整体驾驶体验。德州仪器利用 DLP4620S-Q1 推出了基于 DLP® 技术的下一代 AR-HUD。新的像素工艺创新使对比度比上一代 DMD 提高了 30% 以上。同时，DLP4620S-Q1 DMD 还支持下一代显示技术，如波导、全息光学元件 (HOE) 和不同的薄膜技术。德州仪器 DLP® 技术可为汽车设计人员在汽车内部和外部显示和照明应用中提供出色的色彩、亮度、效率和对比度。DLP® 汽车产品系列拥有可扩展的平台，且可在 -40°C 至 105°C 范围内始终如一地运行，因而此类解决方案能够满足汽车相关应用的各种亮度和分辨率要求。利用德州仪器广泛的投影仪设计和制造生态系统，可简化设计过程并缩短产品上市时间。其中，德州仪器能够做到哪些方面呢？适合各种应用的投影解决方案：在分辨率、亮度、效率、对比度、太阳能负载和颜色方面拥有卓越的性能，有助于汽车设计人员实现他们的汽车显示梦想。简化投影技术：采用 DLP® 技术的广泛生态系统、直观的软件工具和 EVM 有助于加快设计和缩短产品上市时间。汽车行业值得信赖的技术：DLP® 产品自 2017 年开始在汽车行业广泛采用，并已完全符合汽车市场严格的运行和可靠性要求。

TI

德州仪器 . 2024-11-22 1 1550
瑞萨率先推出采用车规3nm制程的多域融合SoC

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布推出全新一代汽车多域融合系统级芯片（SoC）——R-Car X5系列，单个芯片可同时支持多个汽车功能域，包括高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载信息娱乐系统（IVI）以及网关应用在内的多个车载应用。备受期待的R-Car X5H SoC作为R-Car X5系列中的首款产品，采用先进的3nm车规级工艺，拥有高集成度与出色性能，推动OEM和一级供应商向集中式电子控制单元（ECU）的转型，简化开发流程，打造面向未来的系统解决方案。得益于其独特的硬件隔离技术，瑞萨R-Car X5H SoC成为业界率先在单个芯片上实现同时支持多个车载功能域的高度集成及安全处理的解决方案之一。此外，这款全新的SoC还提供通过Chiplet（小芯片封装）技术扩展人工智能（AI）和图形处理性能的选项。作为第五代（Gen 5）R-Car产品家族中性能最强的一员，R-Car X5H直面在软件定义汽车（SDV）开发中日益增长的复杂性难题，可克服包括优化计算性能、功耗、成本、硬件和软件集成在内的相关挑战，同时确保车辆安全。通过在单个芯片上紧密结合应用处理、实时处理、GPU和AI计算、大型显示功能和传感器连接功能，使得自动驾驶、IVI以及网关等应用提高到一个新的级别。全新SoC系列实现高达400TOPS的AI算力和业界卓越的TOPS/W性能，同时支持高达4TFLOPS（注1）的GPU处理能力。其搭载总计32个用于应用处理的Arm® Cortex®-A720AE CPU内核，提供超过1,000K DMIPS的CPU算力。产品还配备6个Arm Cortex-R52双锁步CPU内核，实现超过60K DMIPS的性能，无需外部微控制器（MCU）即可支持ASIL D功能。该系列SoC采用台积电最先进的工艺节点之一制造，在达到更高CPU性能的同时，功耗却比5nm工艺节点设计的产品降低30-35%（注2）。这些高能效特性不仅消除对额外冷却解决方案的需求，显著降低整体系统成本，同时也延长了车辆行驶里程。 Chiplet扩展，提升了灵活性与更高的性能尽管R-Car第五代SoC已配备强大的原生NPU和GPU处理引擎，但瑞萨仍为客户带来基于Chiplet技术扩展来提升性能的能力。例如当通过Chiplet扩展将400-TOPS片上NPU与外部NPU相结合时，可以将AI处理性能提升3-4倍，甚至更多。为实现无缝的Chiplet集成，R-Car X5H提供标准的UCle（通用小芯片互联通道）芯片间互联接口及API，促进多芯片系统中与其它组件的互操作性，即使这些组件并非瑞萨芯片。这种灵活的设计方法允许OEM和一级供应商能够混合并搭配不同的功能，并跨车辆平台定制其系统，包括未来升级。支持功能安全等级要求不同的多个域的安全隔离虽然汽车制造商和一级供应商对性能和功能的要求日益提升，安全性仍然是他们的首要任务。对此，其它SoC仅依赖软件隔离，而R-Car X5H SoC还采用了基于硬件的“免干扰（FFI）”技术。这种硬件设计实现了关键安全功能（如线控制动）与非关键功能的隔离。被视为与安全相关的关键功能可以被分配到各自独立且冗余的域中。每个域都有自己的独立CPU核心、内存和接口，从而防止在不同域的硬件或软件出现故障时，车辆发生潜在的灾难性故障。此外，R-Car X5H还配备服务质量（QoS）管理功能，能够实时确定工作负载的优先级并分配处理资源。 Vivek Bhan, Senior Vice President and General Manager of High Performance Computing at Renesas表示： “瑞萨在R-Car第五代平台上的最新创新，有效的应对汽车行业当前面临的复杂挑战。我们的客户正在寻求端到端的车规级系统解决方案，涵盖从硬件优化、安全合规，到灵活可扩展的架构选择，以及无缝的工具和软件集成。瑞萨的R-Car第五代产品家族满足了这些需求。我们致力于支持汽车行业加速SDV的开发和‘左移’创新，以迎接下一个汽车技术时代的到来。” Dr. Kevin Zhang, TSMC’s Senior Vice President of Business Development and Global Sales, and Deputy Co-COO表示： “我们很高兴能与值得信赖的汽车技术领导者瑞萨电子合作，使用我们最先进的3nm制程技术将他们最新创新推向市场。我们的N3A制程是专为先进的车用SoC所开发，提供领先业界的3nm效能，并能符合AEC Q-100 Grade 1的可靠性标准。我们非常高兴能与瑞萨电子合作开发R-Car Gen5平台，并协助重塑硅制程定义汽车（silicon-defined vehicle）的未来。” Asif Anwar, Executive Director of Automotive Market Analysis, TechInsights表示： “通往软件定义汽车（SDV）的道路将由驾驶舱的数字化、车辆连接性和先进驾驶辅助系统（ADAS）的能力作为支撑。车辆的电子/电气（E/E）架构将成为核心推动力，因为各种功能被集成到区域控制器和中央控制器中，这些控制器将提供必要的计算能力。TechInsights预测，区域控制器和高性能计算SoC处理器市场将在2028年至2031年间以17%的复合年增长率增长。” Anwar继续说道： “瑞萨电子是汽车处理器的前三大供应商之一，利用其数十年的经验，推出了第五代R-Car X5H SoC，该SoC可根据SDV的要求进行扩展。基于3nm工艺，R-Car X5H SoC能够实现一套多域融合的解决方案，该解决方案可以跨车辆平台使用，并实现功耗的优化。结合RoX SDV平台，瑞萨电子能够提供以软件先行、跨域的解决方案，这将缩短汽车行业的上市时间。” 具备可扩展性的第五代R-Car平台瑞萨第五代R-Car平台支持行业内最广泛的处理需求——从区域ECU到高阶中央计算，覆盖从入门级车辆到豪华车型。得益于基于Arm CPU核心的新型统一硬件架构，R-Car第五代产品的开发人员可以复用瑞萨全新64位SoC以及未来产品（包括跨界32位MCU和车规级32位MCU）中相同的软件、工具与应用。作为R-Car下一代产品家族的一员，瑞萨将通过同样采用Arm技术的全新R-Car MCU系列扩展其车辆控制产品组合。瑞萨计划于2025年第一季度推出面向车身和底盘应用且具有增强安全性的新款32位MCU系列样品。关于瑞萨第五代R-Car的更多信息您可复制链接至浏览器中打开查看： https://www.renesas.cn/zh/blogs/executive-blog-r-car-generation-5-family-provides-automotive-oems-scalable-mcusoc-solution R-Car Open Access（RoX）平台已经推出可供SDV开发使用瑞萨最新推出的R-Car X5H以及所有未来第五代产品旨在通过将硬件与软件整合至一个综合性开发平台来加速SDV的开发进程。全新发布的R-Car Open Access（RoX）SDV平台集成了汽车开发人员快速开发下一代车辆所需的所有关键硬件、操作系统（OS）、软件及工具，并可获得安全、持续的软件更新。RoX为OEM和一级供应商提供了灵活的虚拟开发环境，可用于开发ADAS、IVI、网关，跨域融合系统，以及车身控制、域控和区域控制器等各种可扩展的系统。关于R-Car Open Access（RoX）SDV平台的更多信息您可复制链接至浏览器中打开查看： https://www.renesas.cn/zh/about/newsroom/renesas-r-car-open-access-platform-accelerates-software-defined-vehicle-development-market-ready 供货信息 R-Car X5H将于2025年上半年向部分汽车客户提供样品，并计划于2027年下半年投产。更多信息您可复制链接至浏览器中打开查看： https://www.renesas.cn/zh/products/automotive-products/automotive-system-chips-socs 关于新型R-Car X5H的博客文章您可复制链接至浏览器中打开查看： https://www.renesas.cn/zh/blogs/advance-development-centralized-car-compute-and-sdv-architectures-r-car-gen-5-soc （备注）Arm和Arm Cortex是Arm Limited在欧盟和其它国家/地区的注册商标。本新闻稿中提及的所有产品或服务名称均为其各自所有者的商标或注册商标。（注1）基于Manhattan 3.1行业基准测试数据的等效TFLOPS值。（注2）数据基于瑞萨电子的设计实现。

瑞萨

瑞萨电子 . 2024-11-22 1 4 1210
矽力杰车规级三相半桥预驱芯片SA52632获得SGS功能安全ASIL-D产品认证证书

2024年11月20日，国际公认的测试、检验和认证机构SGS正式为矽力杰三相半桥预驱产品SA52632颁发 ISO 26262：2018 ASIL D 产品认证证书，这是国内首颗获得国际认证机构ASIL-D认可的三相半桥预驱芯片。矽力杰三相半桥预驱芯片SA52632 ASIL-D证书矽力杰SA52632凭借出色的产品力和可靠性，在二十余家客户进行了板级测试，DV实验的客户已超过5家，在多款车载平台中进行测试，积累了大量反馈和应用经验，获得了客户的一致认可。矽力杰SA52632通过了严苛的AEC-Q100测试，凭借扎实的前端设计和充足的产品验证，在电子助力刹车，电子助力转向等应用中表现出色，成为客户国产化替代的最优选择。矽力杰SA52632凭借其完备的保护功能，高精度的电流检测，强大的驱动能力，保证了电子助力转向和助力刹车等应用的高性能，高可靠性要求。 6路独立MOS驱动三路2%高精度电流采样差分运放带CRC校验的SPI通讯通过ASIL-D级功能安全认证，可用于电子助力转向系统(EPS)，电子机械刹车系统(EMB)，电子液压制动系统（one Box）等多种汽车底盘系统 VS，VDHP，VCC过压保护，欠压保护，过流保护，过温保护，PVFx，SO过载保护，外部MOS短路保护等 SA52632 ASIL-D等级三相半桥预驱芯片 ◆ 推荐工作电压范围：5.5V~32V ◆ 3.3V/5V TTL兼容 ◆ 0~100%占空比驱动输出 ◆ 三路2%高精度电流采样差分运放 ◆ 三相输出反馈信号 ◆ 全面的保护和诊断能力 ◆ ENA，nSOFF两路驱动关断使能信号 ◆ 具有相分离电路输出信号 ◆ 带CRC校验的SPI通讯 ◆ AEC-Q100 认证 ◆ ISO 26262 ASIL-D 认证 ◆ 封装：LQPF10×10-64E SGS是国际公认的检验、测试和认证机构，是质量和诚信的基准。SGS全球汽车安全技术中心能为整车厂和零部件供应商提供一站式解决方案，主要业务涵盖车辆车规级芯片、半导体的功能安全、ASPICE、SOTIF、信息安全等，并提供技术培训，技术咨询，技术服务，审核认证等服务。全球技术中心负责人Martin Schmidt是ISO 26262的发起者和起草人之一，目前SGS的汽车功能安全专家超过80人，已经为全球客户颁发ISO 26262功能安全及信息安全认证证书超800张。

矽力杰

矽力杰半导体 . 2024-11-22 2 3 4265
i.MX 94系列应用处理器发布：赋能工业和汽车应用，提供安全实时通信！

恩智浦首个集成以太网时间敏感网络（TSN）交换机的i.MX应用处理器系列，结合实时处理与工业网络协议支持，实现工业控制恩智浦首个集成后量子加密（PQC）技术的应用处理器系列，抵御量子计算攻击恩智浦集成的eIQ Neutron神经处理单元（NPU）助力减少意外停机的发生恩智浦半导体发布i.MX 9系列应用处理器的新成员i.MX 94系列。该系列旨在用于工业控制、可编程逻辑控制器（PLC）、远程信息处理、工业和汽车网关以及楼宇和能量控制。安全的实时通信对于工业和汽车应用至关重要。日益复杂的工业环境依赖多种通信协议，需要智能的TSN交换机来管理实时通信和控制需求。在汽车行业，向软件定义车辆的加速转型使得底层车辆架构越来越依赖以太网通信。通过将通信、安全性和实时控制功能集成到单一SoC中，i.MX 94系列帮助设计人员应对不断增加的复杂性，确保在协调实时通信和操作时实现端到端的优化性能。集成的2.5 Gbps以太网TSN交换机支持高度可配置的安全通信，为工业和汽车应用提供丰富的协议支持。恩智浦资深副总裁兼工业与物联网总经理Charles Dachs表示： “如今的连接比以往更复杂，而i.MX 94系列旨在简化这种复杂性。i.MX 94系列提供了适用于现代工业自动化和汽车远程信息处理应用的高性能边缘处理能力，具备未来创新所需的先进网络、安全性、可靠性和AI功能。” 提供高性能、低延迟智能边缘处理 i.MX 94系列64位应用处理器采用多核设计，最多配备四个可运行Linux的Arm Cortex-A55内核，以及两个Cortex-M33内核和两个Cortex-M7内核，用于增强实时处理能力。恩智浦的实时边缘软件框架使开发人员能够实现实时和应用级任务的优化组合设计，这些任务可以跨不同内核运行。此外，也支持QNX Neutrino和Green Hills Integrity等多种第三方专用商用操作系统以充分利用其计算能力。该系列还集成了功能安全模块和可配置的安全分区，符合IEC61508 SIL2和ISO26262 ASIL-B标准。针对复杂网络环境的专用设计作为i.MX应用处理器的新成员，i.MX 94系列率先集成2.5 Gbps以太网TSN交换机，兼备快速初始化和低功耗模式支持。恩智浦的实时边缘软件支持等多种工业协议，涵盖传统实现及新开发协议，如OPC-UA FX和OPC-UA PubSub等。如果硬件支持网络虚拟化，i.MX 94系列还支持软件定义网络，这对于实现基于XDP和DPDK等开放标准的复杂多核用例非常关键。 i.MX 94系列支持传统的串行现场总线协议，如Profibus、Modbus、CANopen和IO-Link，以及基于以太网的实时网络协议，如Profinet、EtherCAT、Ethernet/IP和CC-Link等。此外，还支持这些协议的TSN实现，包括AVB/TSN、以太网OPC-UA和Profinet Over TSN等。因此，i.MX 94系列非常适合当前和未来的工业自动化应用。高级安全防护抵御量子攻击 i.MX 94系列是恩智浦首个支持后量子公钥加密的应用处理器，能够抵御量子计算攻击，并在长期的生命周期中管理设备安全。其中集成的EdgeLock安全锁区（高级版）可设置设备并随时将其恢复至可信状态，同时提供基于后量子加密的处理器安全启动、安全调试和安全更新等高级安全功能，而且不会影响性能。此外，它还具备运行时防护功能，如驱逐攻击者并自动恢复至可信状态，及EdgeLock 2GO密钥管理。针对工业TSN和汽车连接应用，i.MX 94集成了EdgeLock加速器（高级版）加密加速器，可实现快速启动，在5G速度下进行实时的高速消息签名、验签和加密，确保通信安全。 i.MX 94系列支持IEC 62443和ISO 21434等安全标准，以及即将出台的欧洲《网络弹性法案》等法规，从而让OEM和资产所有者能够应对并从现场网络事件中恢复，保持设备可用性并降低攻击影响。集成NPU，实现AI和ML能力在恩智浦eIQ机器学习软件开发环境的支持下，恩智浦的eIQ Neutron NPU具备0.5 TOPS的机器学习性能，可提供实时预测性维护和操作指导以及缺陷扫描和机器诊断。NPU提供高度灵活且可扩展的安全功能，通过机器学习辅助的网络安全进行入侵检测和保护，确保未来关键系统和基础设施免受篡改。跨系统解决方案提供全面开发支持 i.MX 94系列提供了跨i.MX产品组合的广泛可扩展性，支持系统级设计方法。这包括支持恩智浦联合开发的成本优化型电源管理解决方案PF9455 PMIC。 i.MX 94系列无缝集成了恩智浦广泛的无线解决方案产品组合，包括针对工业和物联网应用的IW612三频无线电解决方案，支持Wi-Fi 6、蓝牙5.2和802.15.4，可轻松连接不同协议和生态系统中的智能设备。此外还包括高度集成的AW693 SoC，通过并发双Wi-Fi 6E和蓝牙5.3提供先进的汽车安全性，可在车内实现多个安全连接，支持向软件定义汽车的过渡。上市时间 i.MX 94系列预计将于2025年第一季度提供样品。更多信息，请访问NXP.com.cn/iMX94。

NXP

NXP客栈 . 2024-11-22 1 1345
恩智浦发布首个UWB无线BMS解决方案，实现更稳定、更可靠的数据传输！

\恩智浦的超宽带（UWB）无线电池管理系统（BMS）简化电动汽车的组装过程，提高电池能量密度，并将机械和电气开发分离，加快产品上市速度相比现有窄带技术，Trimension UWB能够在电池组内更有效地抵抗反射和频率选择性衰减，确保数据传输更稳定、更可靠该解决方案是恩智浦FlexCom芯片组的一部分，支持有线和无线BMS配置，采用通用的软件架构和安全库汽车市场值得信赖的创新解决方案合作伙伴恩智浦半导体发布新一代无线电池管理系统（BMS）解决方案，恩智浦拥有业内最丰富的UWB产品组合之一，方案集成了UWB的强大功能。新一代UWB BMS解决方案是克服开发挑战的下一步，旨在解决制造过程中成本高昂和工艺复杂等问题，从而加速电动汽车（EV）采纳。 UWB无线BMS解决方案优势电池组内的无线通信能够在无需布线的情况下，从各个模块向电池管理单元稳定可靠地传输电压和温度等电池单元信息，进而保障出色性能，预防导致过早失效或安全隐患的情况。恩智浦UWB无线BMS技术分离了机械和电气开发过程，电动汽车制造商可提高灵活性、加速上市进程、降低成本，同时保持系统在不同平台上的全方位扩展性。无线解决方案能够尽可能地减少电池组内的复杂布线，降低生产过程中容易出错的人工操作，提高电动汽车的装配效率，降低整体生命周期成本。通过消除电池单元之间的连接器和布线，提高能量密度，这是电动汽车性能设计中延长续航里程的关键参数。恩智浦半导体副总裁兼电池管理系统总经理Naomi Smit表示：“我们的无线电池管理系统解决方案结合了UWB技术，这是市场上首次尝试，为电动汽车制造商提供支持未来电动汽车的先进技术方案。Trimension UWB提供简单、安全且稳健的BMS内部无线通信，超越了基于窄带的现有解决方案。我们很自豪能够与客户携手合作，兑现无线技术的承诺。” 在电池组的反射壳体内实现无线技术颇具挑战性。UWB使用高带宽脉冲，而非低功耗蓝牙（BLE）等2.4 GHz窄带技术中的调制载波频率（正弦信号），提高了其对反射和频率选择性衰减的抵抗力，确保数据传输更加稳定可靠。恩智浦的超宽带无线电池管理系统解决方案将于2025年第二季度提供给OEM厂商用于评估和开发。该方案是恩智浦FlexCom芯片组的一部分，支持有线和无线技术，为OEM和一级供应商提供更丰富灵活的车辆架构和技术选择。其通用的软件架构和安全库适用于两种BMS配置，使客户能够在不同平台间重复使用软件，进一步减少开发工作量。 MC33777电池接线盒IC 恩智浦FlexCom BMS芯片组还包括其近期发布的MC33777电池接线盒 (BJB) IC，用于高压系统，提供准确的电压、高压绝缘检测和电流测量。该BJB包含在恩智浦完整的一站式电池管理系统解决方案之中，适用于有线和无线电池管理解决方案，与恩智浦的软件和应用程序兼容，制造商无需为此增加其他品牌。恩智浦电气化解决方案恩智浦电气化解决方案负责管理整个电气化生态系统中的能量流动，包括电动汽车、家居和楼宇以及智能电网。在电动汽车中，灵活性和准确性使我们的客户能够延长行驶里程，让车辆在路上行驶更长的时间。恩智浦电气化解决方案包含完整的电动汽车系统解决方案，包括电池单元控制器、电池接线盒、通信网关和微控制器，致力于为OEM提供所需的优化性能和集成安全性。

NXP

NXP客栈 . 2024-11-22 2 2 2365
Arm Tech Symposia 年度技术大会顺利收官，继续构建面向未来的 AI 计算平台

一年一度的 Arm Tech Symposia 年度技术大会本周在上海、深圳圆满结束，同时也宣告了这场在亚太五大城市巡回举办的盛会就此完美收官。大会以 “让我们携手重塑未来” 为主题，在上海和深圳两站，带来了 4 场主题演讲、4 场深度对话、13 场生态伙伴技术演讲、33 场 Arm 专题技术演讲及 2 场开发者工作坊，吸引了超过 3,500 位行业专业人士、工程师以及开发者报名参会，共同探讨基于 Arm 技术的前沿创新和人工智能 (AI) 发展趋势。 Arm 在本次大会上深入探讨了 AI 对计算的需求，并分享了如何通过硬件、软件、生态系统三大核心助力合作伙伴更好地把握 AI 的发展机遇。通过采用系统级设计思维，Arm 专注硬件与软件协同优化，面向不同应用市场推出计算子系统 (CSS)，扩展底层技术并巩固 AI 计算需求。与此同时，Arm 持续投资创新软件技术，为全球 2,000 万开发者提供从云到端的高效、易用、无缝开发体验。此外，Arm 还通过包括全面设计 (Arm Total Design) 在内的众多生态项目，协助合作伙伴加速产品上市进程。作为当今时代最重大的技术变革之一，AI 极有潜力成为人类毕生最重要的技术。Arm 不仅提供了应用广泛的通用计算平台，还通过将 IP 与开源软件和工具乃至广泛的行业领先生态系统相结合，让全球 2,000 万开发者都能够使用 Arm 计算平台作为 AI 创新基础。在生态伙伴的携手合作下，Arm 预计到 2025 年底，全球将有超过 1,000 亿台具备 AI 能力的 Arm 设备。图：Arm Tech Symposia 年度技术大会上海、深圳现场图：Arm Tech Symposia 年度技术大会现场 Arm 及合作伙伴展位参观者络绎不绝 Arm 终端事业部产品管理副总裁 James McNiven 在深圳场的大会主题演讲中强调，Armv9 作为 Arm 最新的技术架构，推出伊始便是为支撑 AI 计算而设计，并持续迭代更新，通过 SVE、SVE2、SME 等关键技术，Arm 以架构创新和强大的软硬件协同能力不断优化移动端 AI 体验，赋能开发者实现卓越的 AI 性能。图：Arm 终端事业部产品管理副总裁 James McNiven 发表主题演讲 vivo 产品线总经理韩伯啸表示：“AI 势必会重构人与设备的交互形式，我们所做的一切都是要让 AI 服务于人。作为 vivo 推出的年度旗舰，vivo X200 系列全系首发了基于第二代全大核架构的天玑 9400 平台，搭载 Arm 最新一代的 Cortex-X925 超大核，实现了 PC 级别的 CPU 性能。此外，vivo 与 Arm 持续深化合作，于今年成立了联合实验室，分别发挥各自在用户理解和技术赋能领域的优势，为用户带来卓越的 AI 体验。” 图：vivo 产品线总经理韩伯啸（右）与 Arm 中国区业务全球副总裁邹挺（左）展开深度对话广汽汽车集团汽车工程研究院车载软件专业总师廖磊，就汽车产业竞争态势下的创新研发模式进行了分享。他强调，软件定义汽车 (SDV) 正引领车载软件研发模式向平台化、灵活化、敏捷化及差异化方向迈进。SDV 的实现依赖于研发模式、软件架构与开发工具三者的紧密结合。然而，受限于硬件与供应商，加之开发验证周期长，SDV 在适配和部署于不同硬件平台上面临挑战。因此，创新的软件架构显得尤为重要。SDV 的软件架构能够实现软硬件解耦，基于平台实现快速适配与迭代，并通过低代码开发、虚拟化验证等工具，为用户打造卓越的出行体验。图：广汽汽车集团汽车工程研究院车载软件专业总师廖磊发表主题演讲目前，全球有超过 2,000 万名软件开发者在基于 Arm 架构的设备上构建应用，软件话题也成为本次年度技术大会的焦点之一。Arm 在软件方面的持续投入已取得显著成效，正建立起全球最大的 AI 开发者社区。本届大会首度举办的开发者工作坊收获了参与者的热烈响应，围绕 Windows on Arm 原生应用、安卓系统上的 LLM 推理、生成式 AI 加速等开发者最为关注的主题，工作坊为开发者提供了直观的技术体验，激发开发者创新潜力的同时，也为相关应用开发增添了新的动力。 Arm Tech Symposia 年度技术大会是 Arm 规模最大、最具影响力的年度技术盛会之一，集中展示了 Arm 及其生态系统在最新市场进展及创新技术方面的成果。迄今为止，合作伙伴基于 Arm 架构的芯片出货量已超过 3,000 亿颗，这一庞大的市场基础使 Arm 能够支持各种 AI 技术领域的发展。从传感器、智能手机，到工业物联网、汽车和数据中心，Arm 架构已成为未来 AI 计算的基石。

AI 计算

Arm . 2024-11-22 2 1105
配置上新！米尔-新唐MA35D1核心板512M DDR配置发布！

米尔在2024年8月推出了基于新唐MA35D1芯片设计的嵌入式处理器模块MYC-LMA35核心板及开发板。MA35D1是集成2个Cortex-A35与1个Cortex-M4的异构微处理器芯片。核心板采用创新LGA 252PIN设计，原生17路UART和4路CAN FD等丰富的通讯接口，可广泛应用于新能源充电桩、工程机械控制器、OBD汽车诊断仪、工业网关、运动控制器和电力DTU等场景。配置上新，容量选择更丰富现为满足开发者更强大的性能和存储需求，助力更复杂的应用开发，米尔MA35D1核心板和开发板新增不同内存配置，芯片内置512MB DDR，8GB eMMC。核心板型号产品型号主芯片内存存储器工作温度 MYC-LMA35-8E256D-80-I MA35D16A887C 芯片内置256MB DDR3L 8GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-LMA35-8E512D-80-I MA35D16AJ87C 芯片内置512MB DDR3L 8GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-LMA35-256N256D-80-I MA35D16A887C 芯片内置256MB DDR3L 256MB NAND FLASH -40℃~+85℃ 开发板型号产品型号主芯片内存存储器工作温度 MYD-LMA35-8E256D-80-I MA35D16A887C 芯片内置256MB DDR3L 8GB eMMC -40℃~+85℃ MYD-LMA35-8E512D-80-I MA35D16AJ87C 芯片内置512MB DDR3L 8GB eMMC -40℃~+85℃ MYD-LMA35-256N256D-80-I MA35D16A887C 芯片内置256MB DDR3L 256MB NAND FLASH -40℃~+85℃ 新唐 MA35D1 系列微处理器 NuMicro® MA35D1系列为一颗异核同构的多核心微处理器。它拥有两颗 64 位 Arm® Cortex®-A35 内核，执行速度可达 800 MHz，并搭载一颗 180 MHz Arm® Cortex®-M4 内核。为了简化系统设计和生产，MA35D1系列提供了DDR2/ DDR3L SDRAM，最大容量达 512 MB，集成了较大DDR内存，方便进行数据处理和硬件设计。MA35D1系列提供多组高性能的通讯接口，如千兆以太网、SDIO3.0、高速 USB 2.0、CAN-FD 等。MA35D1系列支持 LCD 显示控制器，分辨率可达 1920 x 1080 每秒 60 帧，内嵌图形加速器、JPEG 和 H.264 译码器等，带来更好的图形人机接口和视频播放效果。

MA35D1

米尔电子 . 2024-11-22 1 9607
NVIDIA 发布 2025 财年第三季度财务报告

公司季度收入创下 351 亿美元的纪录，较第二季度增长 17%，较去年同期增长 94% 数据中心季度收入创下 308 亿美元的纪录，较第二季度增长 17%，较去年同期增长 112% NVIDIA 今日宣布，截至 2024 年 10 月 27 日的第三季度收入为 351 亿美元，较上一季度增长 17%，较去年同期增长 94%。季度 GAAP 摊薄每股收益为 0.78 美元，较上一季度增长 16%，较去年同期增长 111%。季度非 GAAP 摊薄每股收益为 0.81 美元，较上一季度增长 19%，较去年同期增长 103%。 AI 时代正在全速发展，推动全球向 NVIDIA 计算转变。随着基础模型开发者不断扩大预训练、后训练和推理的规模，市场对 Hopper 的需求依然强劲，同时对全面投产的 Blackwell 高度期待。 AI 正在革新各个行业、企业和国家。企业正积极采用代理式 AI 来重塑工作流。随着物理 AI 技术的重大突破，面向工业机器人市场的投资也在迅猛增长。同时，各国也已经认识到发展本国 AI 和基础设施的重要性。 NVIDIA 将于 2024 年 12 月 27 日向截至 2024 年 12 月 5 日登记在册的所有股东支付每股 0.01 美元的下一季度现金红利。 2025 财年第三季度概要 *2024 年 6 月 7 日 NVIDIA 已完成 1 拆 10 的拆股计划。其呈交的所有每股金额均已根据拆股计划进行追溯调整。展望 NVIDIA 对 2025 财年第四季度的展望：收入预计将达到 375 亿美元，上下浮动 2%。 GAAP 和非 GAAP 毛利率预计分别为 73.0% 和 73.5%，上下浮动 50 个基准点。 GAAP 和非 GAAP 运营费用预计分别约为 48 亿美元和 34 亿美元。 GAAP 和非 GAAP 其他收入和费用预计约为 4 亿美元，不包括非关联投资和公开持有的权益性证券的收益和亏损。 GAAP 和非 GAAP 税率预计为 16.5%，上下浮动 1%，不包括任何离散项。亮点自上次发布财报以来，NVIDIA 在以下领域取得进展：数据中心第三季度数据中心收入创下 308 亿美元的纪录，较上一季度增长 17%，较去年同期增长 112%。宣布面向亚马逊云科技、CoreWeave 和 Microsoft Azure 在内的云服务商提供由 NVIDIA Hopper H200 驱动的实例，并且即将登陆谷歌云和 Oracle Cloud Infrastructure（OCI）。发布丹麦最大的主权 AI 超级计算机 NVIDIA® DGX SuperPOD™，该超级计算机由 1,528 个 NVIDIA H100 Tensor Core GPU 驱动，并使用 NVIDIA Quantum-2 InfiniBand 网络进行互连。推出面向电信运营商的 NVIDIA AI Aerial 平台，并开始与 T-Mobile、爱立信和诺基亚合作，加速 AI-RAN 的商业化。宣布软银集团正在利用 NVIDIA Blackwell 平台构建日本最强大的 AI 超级计算机，并且已经借助 NVIDIA AI Aerial 成功试运行了全球首个 AI 与 5G 相结合的电信网络。印度、日本和印度尼西亚的云领导企业正在利用 NVIDIA 加速计算技术构建 AI 基础设施，同时咨询行业领导企业正在借助 NVIDIA AI Enterprise 软件助力各行业加速采用 AI 技术。加速 xAI 构建的 Colossus 超级计算机集群，该集群配备了100,000 个 NVIDIA Hopper GPU，并搭载了 NVIDIA Spectrum-X™ 以太网网络平台。宣布 Blackwell 首次亮相 MLPerf Training，完成了每一项测试，并在 LLM 基准测试中实现了每块 GPU 的性能提高 2.2 倍。向开放计算项目（OCP）捐赠了 NVIDIA Blackwell 平台设计的一些基础元素，并扩大了 NVIDIA Spectrum-X 对 OCP 标准的支持。宣布包括埃森哲、德勤和谷歌云在内的美国科技公司正在利用 NVIDIA AI 软件构建定制的 AI 应用，从而变革全球各行各业。宣布扩大与联想集团的合作，推出全新混合式 AI 解决方案和系统，针对运行 NVIDIA AI Enterprise 软件进行了优化。游戏和 AI PC 第三季度游戏收入为 33 亿美元，较上一季度增长 14%，较去年同期增长 15%。庆祝全球首款 GPU GeForce® 256 发布 25 周年，它标志着游戏领域的突破，为 AI 驱动的未来奠定了基础。在 Gamescom 上展示了《解限机》（Mecha BREAK）中的 NVIDIA ACE 和数字人技术，该技术采用 Minitron 4B 模型，可实现更佳游戏内角色响应。推出 20 款 GeForce RTX 和 DLSS 游戏，包括《夺宝奇兵：古老之圈》（Indiana Jones and the Great Circle™）和《龙腾世纪™：影障守护者》（Dragon Age: The Veilguard）。华硕和微星发售性能达 321 AI TOPS 的全新 RTX AI PC，预计下个季度将推出 Windows 11 AI PC 功能。专业视觉第三季度专业视觉收入为 4.86 亿美元，较上一季度增长 7%，较去年同期增长 17%。宣布 Foxconn 正在使用基于NVIDIA Omniverse™ 的数字孪生和工业 AI，推动旗下三家用于制造 NVIDIA GB200 Grace Blackwell 超级芯片的工厂加快上线进程。宣布 Reliance 和 Ola Motors 等印度工业制造商以及丰田、安川电机、7&I 控股等日本工业制造领先企业正在使用 NVIDIA AI 和 Omniverse 实现工作流程自动化，显著提高运营效率。发布支持 AI 的软件定义平台 NVIDIA Holoscan for Media，支持实时媒体和视频管线与 AI 在相同的基础设施上运行，从而提高制作交付能力。汽车和机器人第三季度汽车收入为 4.49 亿美元，较上一季度增长 30%，较上一财年同期增长 72%。沃尔沃即将发布一款基于 NVIDIA 加速计算技术的全新纯电 SUV。推出用于机器人学习和人形机器人开发的 Project GR00T AI 和仿真工具，以及面向机器人开发者的全新生成式 AI 工具和感知工作流。宣布包括丰田和 Ola Motors 在内的日本和印度公司正在使用 NVIDIA Isaac™ 和 Omniverse 构建下一波物理 AI。

NVIDIA

NVIDIA英伟达 . 2024-11-21 2 1900
有延迟环节的burst控制中得到响应时间变化规律的仿真分析方法

1、引言在现代电源芯片设计中，模数结合的方法已经很常见。数字控制的方法的好处是：抗干扰能力强、控制精确、灵活性好、系统的兼容性好、方便实现电源管理。在数字控制模式中，可以轻松引入延迟环节，让控制更加灵活，高效。这种方法带来的问题是，在引入延迟环节后，在电源工程设计中，最常见的用零极分布来分析电路响应的方法不再适用。引入延迟环节后，通常传递函数用（G(s)=eτs）来表示，但在真实过程中，τ的不确定性让分析难度加大。在工程实践中，仿真的办法，是快速理解与找到解决问题的有效手段。那么如何设定仿真模型可以得到理想的结果就很重要。本文将基于对一种burst控制方法的理解，给出一种在静态工作点作瞬态响应仿真的方法来获得对这类问题的理解与工程解决方法。 2、一种有延迟环节的burst控制方法在这种控制方法里，如图一所示，当芯片进入主动burst模式后，芯片停止发出驱动脉冲，也就是图中VCS信号没有出现的区间，因为输出电压的下跌，反馈作用的拉电流（一般是光藕的作用）消失，芯片的FB引脚上的电压在内部电流的作用下开始快速上升，直到VFB_BON信号，并重新唤醒芯片发出驱动脉冲，让下跌中的输出电压回归正常值。上面的分析过程是一种设计想得到的理想状态。在实际应用中，我们会发现，在输出电容较小，不合理的反馈设计下，FB引脚上的电压快速上升的时间会远大于芯片理想的设计时间，输出电压的跌落幅度变得不可接受。理论上应该消失的从光藕反馈过来的拉电流并不会因为输出电压的跌落马上消失，这将导致，输出电压跌落过多，而且传统经典的适用于线性时不变系统的控制理论，无法很好的解释与解决这个问题。 burst控制方法如下图图一 burst控制方法 3、常见的控制电路及静态工作点的分析图二常见反馈电路如图二所示，这是一种常见的由TL431与光藕组成反馈电路，反馈补偿是Ⅱ类补偿电路。输出电压为12V。静态工作点主要是确定两个反馈电容在稳态时的电压值。首先定义光藕的工作状态：CTR: 50%; VF: 1.45V 定义光藕的工作电流：IF: 0.33mA （备注：此电流由芯片工作状态决定）定义TL431参考脚电压：Vref: 2.5V 定义输出电压：Vout=12V 反馈补偿的电容（C1,C2）上的电压为：Vout-VF-(IF*R5)-Vref 得到反馈补偿的电容（C1,C2）上的电压为：12V-1.45V-(0.33mAx1k)-2.5V≈8V 由此得到在12V稳态下，C1,C2上的电压为8V 4、仿真建立方法与等效仿真模型实际工程样机为一台60W, 12V/5A的电源，控制芯片的burst控制方法如前图一所示。 1、假定设计目标为进入burst态，重新发出驱动时，12V输出电压的跌落小于0.5V，以此设定仿真的电压源，如图所示，12V的输出，电压源取11.5V 2、反馈网络取值等同于实际电路取值 3、用二极管取代光藕，去光藕的CTR动态 4、用流经二极管的电流等效芯片反馈 (FB) 电压的变化速率 5、设定反馈电容的初始电压为系统输出电压为12V稳态时的初始电压（如图为8V） 6、选定SIMETRIX为仿真工具，分析模型选择瞬态分析。建立的仿真电路如下图三所示。图三仿真电路这种仿真分析方法的目的是用来帮助理解电路的工作与工程实践中的元件参数的调试方向。很明显，流经此二极管的电流会影响电源控制芯片反馈 (FB) 脚上电压的上升，控制的目标就是，让这一路电流尽快掉到最小，以得到反馈 (FB) 电压的上升。仿真结果如下: 电路的初始参数如图三所示选取不同的反馈电阻值，如图三中的R2 (3k-100k)，对流经光藕的电流IPROB2分析，得到图四，图五，不同反馈补偿电阻值下的光藕电流随时间变化规律。图四不同反馈补偿电阻值下的光藕电流随时间变化规律图五不同反馈补偿电阻值下的光藕电流随时间变化规律（放大版）选取不同的反馈电容值，图三中的C1 (10nF-1uF) ,对流经光藕的电流IPROB2分析，得到图六。图六不同反馈补偿电容（C1）值下的光藕电流随时间变化规律选取不同的反馈电容值，图三中的C2 (1nF-100nF)，对流经光藕的电流IPROB2分析，得到图七。图七不同反馈补偿电容（C2）值下的光藕电流随时间变化规律 5、仿真结果分析从仿真的结果看，环路补偿的三个参数对流过光藕的电流，即同比于FB上升（延时）到重新开启输出驱动的时间，影响很不相同。电阻R2的选择影响很大，超过一定值后，开始收敛，影响开始变化不大。选好较大值的R2后，与之串联的C1，对结果影响很小。而极点电容C2，值选的越大，结果越差。从理论分析来看，如图三所示，当电源主控芯片停止发驱动，输出下跌后，TL431的参考电压低于TL431的基准电压2.5V。TL431的阴极电压就会上升，这个上升的电压会通过反馈补偿网络R1，C1，C2补偿TL431的基准电压，如果基准电压被重新抬升到2.5V，TL431会重新导通，产生拉电流，这个电流会有部分流过光藕，影响了流过光藕的电流收敛速度，并与阴极上升的电压建立一定程度的动态平衡。这与仿真的结果是一致的。 6、实验验证在实际应用中，C2的值一般都比较小，主要考虑R2，C1的影响，为此实验选择了一台60W，输出12V/5A的电源, 按照图三的反馈网络，选取不同参数，测试FB引脚上的电压快速上升的时间 (TR)，来验证仿真结果。实际测试中，为了得到系统进出Burst的条件，负载设为动态，从1A到0.3A动态变化。波形八到十三的图中，曲线C1为实测的FB引脚上的电压波形，曲线C2为芯片的驱动波形。 1）选取参数如下：首先定义电容C2的值为1nF, 定义电容C1 的值为100nF，选取不同的电阻R2的值: 3K, 9.1K, 20K, 75K。(结果见图八，图九，图十，图十一) 2）选取参数如下：首先定义电容C2的值为1nF，定义R2的值为75K，选取不同的C1的值: 1uF, 10nF。(结果见图十二，十三) 实际测试结果如下表一和表二表一上升时间随R2变化表表二上升时间随C1的变化表图八 3K/100nF 740uS 图九 9.1K/100nF 582.6uS 图十 20K/100nF 427.8uS 图十一 75k/100nF 259uS 图十二 75K /1uF 276.6uS 图十三 75K/10nF 250.6uS 7、结论从实测的结果来看，反馈电压（FB）的上升时间与仿真的结果，变化的方向完全一致。因而，这种仿真方法能在这种有延迟环节的burst控制方法中得到响应时间的变化规律，在反馈补偿网络中，选择较大的反馈电值，与较小的极点电容，有利于让流过光藕的电流快速收敛至最小值。利用在静态工作点作瞬态响应仿真的方法可以快速得到近似工程解。参考文献 ICE5ARXXXBZS数据表，英飞凌科技股份有限公司 DEMO 5GSAG 60W1演示板，英飞凌科技股份有限公司 Model 310, 0.01Hz - 30MHz Frequency Response Analyzer 开关电源环路中的TL431, Christophe Basso Designing control loops for linear and switching power supplies, Christophe Basso

延迟环节

英飞凌官微 . 2024-11-21 1030
纳芯微联合芯弦推出NS800RT系列实时控制MCU

纳芯微今日宣布联合芯弦半导体（ChipSine），推出NS800RT系列实时控制MCU。该系列MCU凭借更加高效、功能更强大的实时控制能力和丰富的外设，使工程师能够在光伏/储能逆变器、不间断电源、工业自动化、协作机器人、新能源汽车大/小三电、空调压缩机等系统中，实现皮秒（万亿分之一秒）级别的PWM控制，从而显著提升系统运行精度和效率。 NS800RT系列实时控制MCU的首发型号包括NS800RT5039，NS800RT5049和NS800RT3025，分别采用单颗主频为260MHz和200MHz的Arm Cortex-M7内核，支持分支预测、DSP指令集和FPU。NS800RT系列还配备了256KB SRAM，32KB高速缓存（I-Cache, D-Cache）和最高256KB的超大紧耦合内存（ITCM, DTCM），通过更快的读写速度，显著提升了内核综合处理性能。该系列器件符合车规AEC-Q100认证标准，支持汽车ISO26262 ASIL B与工业IEC61508 SIL2等级的功能安全，并且内设AES-128/256和TRNG算法，进一步提升了信息安全。集成数学加速核，显著提升DSP性能除了搭载Arm Cortex-M7内核外，NS800RT系列的一大亮点是额外集成了一个支持浮点运算的硬件数学加速核（eMath），相比通用Arm Cortex-M7的数学运算能力，在三角函数、开方、指数、对数、傅里叶变换（FFT）、矩阵运算、FIR滤波等数字信号处理运算中有大幅算力提升。丰富的外设支持，实现超高精度PWM控制 NS800RT系列实时控制MCU集成了丰富的外设，包括16对互补/32路独立PWM输出，其中高精度HRPWM有16路；3个12位ADC，采样速率高达5MSPS，INL和DNL低至±1.5LSB，支持高达34个采样通道；2个12位DAC，采样速率1MSPS，INL低至±1.5LSB；7对（14个）高速模拟比较器CMPSS，带DAC与斜波发生器；3路放大倍数可编程的差分输入运放（PGA）；8个Sigma-Delta滤波器模块（SDFM）输入通道；以及两个全温度范围内精度可达±1%的高精度时钟。在一系列高精度外设的加持下，NS800RT系列可实现100皮秒的高精度PWM控制，从而支持各种对高效率、高细分、高控制精度应用的需求，更加适配基于SiC和GaN功率器件打造的数字电源和电机控制系统。完善的技术资源，加速用户上手和开发纳芯微和芯弦联合推出了一系列技术资源和开发套件，以帮助用户快速上手并进行系统开发，包括全面的SDK开发套件；支持KEIL，IAR，GCC/Eclipse的IDE工具链；系统评估板等各种软硬件支持。相关技术资料可联系邮箱sales@novosns.com获取。 NS800RT系列实时控制MCU选型 NS800RT系列实时控制MCU首发型号NS800RT5039，NS800RT5049和NS800RT3025分别提供工规和满足AEC-Q100 Grade 1认证的车规版本，具体选型如下。NS800RT系列现已支持送样，可联系邮箱sales@novosns.com进行申请。

纳芯微

纳芯微电子 . 2024-11-21 1 1 1060
ST 40nm MCU由华虹代工

11月21日消息，欧洲芯片大厂意法半导体（STMicroelectronics）于当地时间周三在法国巴黎举办投资者日活动，宣布了将与中国第二大晶圆代工厂合作，在中国生产40nm节点的微控制器（MCU），以支持其中长期的营收目标的实现。意法半导体通过实施制造重组计划和成本基础调整计划，与当前成本相比，预计到2027年将节省高达数百万美元。预计 2027-2028 年的收入约为 180 亿美元，营业利润率在 22% 至 24% 之间。为了支持这一目标的实现，意法半导体首席执行官Jean-Marc Chery于当地时间周三宣布，将与中国第二大晶圆代工厂华虹集团合作，计划在2025年底在中国本土生产40nm MCU，其认为在中国进行本地制造对其竞争地位至关重要。意法半导体制造主管 Fabio Gualandris 表示，在中国生产的其他原因包括当地供应链的成本效益、兼容性问题以及政府限制的风险。此外，在其他任何地方生产芯片都意味着错过中国快速的电动汽车开发周期。 “他们走得更快，”他说。“如果你不在，你就无法及时做出反应。” 在Jean-Marc Chery 发表上述言论之际，美国、欧洲、中国、日本等全球主要国家和地区都在积极推动更多芯片制造在本地进行，并且许多芯片公司一直在新加坡和马来西亚扩张以服务亚洲市场。但是意法半导体是电动汽车用节能碳化硅（SiC）芯片的最大制造商，其客户包括特斯拉和吉利，该公司表示，中国市场作为电动汽车最大、最具创新性的市场是不可或缺的市场，不可能从外部进行充分竞争。 Jean-Marc Chery说：“如果我们把在中国的市场（份额）让给另一家在工业或汽车领域工作的公司，即中国企业，他们将主导自己的市场。而且他们的国内市场如此巨大，这将是他们在其他国家竞争的绝佳平台。” 根据意法半导体的计划，其STM32系列产品在中国制造的计划将帮助意法半导体在未来5年将客户基数扩大50%。他补充说，意法半导体正在采用在中国市场学到的最佳实践和技术，并将其应用于西方市场。“传教士的故事结束了，”他说。 Jean-Marc Chery在巴黎对记者发表上述言论之前，该公司受到工业芯片市场低迷的沉重打击。值得注意的是，在2023年6月7日，意法半导体与中国芯片制造商三安光电全资子公司签署协议，计划投资32亿美元在重庆共同建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造工厂。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。

ST

芯智讯 . 2024-11-21 1 1465
2024年，中国汽车品牌乘用车出口有望达450万辆

2024年下半年，中国汽车品牌乘用车出口量有望达到250万辆，全年总量将达450万辆，同比增长29%。受欧盟关税政策和新能源车需求下降的影响，中国纯电动车型出口增速将放缓至9%（86万辆），出口占比将从2023年的22.5%下降至2024年的19.0%。与此同时，插电混合动力汽车（PHEV）和油电混合动力汽车（HEV）的出口占比将实现三年来首次超10%，分别达到31万辆和24万辆。拉丁美洲和欧洲是推动中国汽车品牌插电混合动力汽车和油电混合动力汽车出口增长的主要区域。 Canalys高级分析师刘策源表示：“乘用车出口预计将在2024年保持强劲增长，增速达24%，出口总量将达到310万辆。MG、奇瑞和长城汽车在海外燃油车市场中的成功，证明中国汽车品牌在燃油车技术上的显著提升。其中，奇瑞和长城汽车抓住了国际品牌退出俄罗斯市场的机遇，实现市场份额迅速扩张。东风、广汽等厂商全新全球拓展策略的逐步落地，进一步推动了中国市场出口增长。2024年，预计两个品牌的出口量将分别增长四倍和两倍，占中国汽车品牌出口量10%。 ” 2024年前三季度，中国汽车品牌乘用车出口量增长27%，达310万辆。受欧盟对中国新能源汽车加征关税影响，欧洲是唯一出口量下降的区域市场，降幅为4%。随其他区域出口量增加，欧盟从2023年中国汽车品牌最大出口市场下降至2024年的第四大市场。刘策源继续表示：“尽管出口量下降且新能源车需求疲软，欧盟仍是中国新能源车最大出口市场，占出口总量28.4%。欧洲新能源车需求变弱以及政治不确定性将放缓中国汽车厂商在该地区的投资进程，但欧洲仍是中国厂商全球化过程中的核心市场。中国汽车厂商正通过迅速推出油电混合动力车型来丰富出海产品矩阵，以规避关税并满足当地消费者对经济型车辆的需求，同时扩大品牌认知度，为本地新能源汽车需求回升做好准备。上汽集团凭借MG3和MG ZS两款混合动力产品，意在挑战日系车在欧洲市场地位。 ” 刘策源补充道：“中国汽车出口总量增长迅速，但厂商出海依然面临诸多不确定性。各厂商渠道体系能力，以及产品本地化能力的不同导致了其在海外市场的实际销量和库存情况差异显著。而相关能力在当前纯贸易出口受限、厂商布局海外建厂并寻求本地产业链融合的背景下尤为重要。 ” 尽管中国汽车在电动化和智能化技术上实现全球领先。然而在欧洲市场，ADAS和智能座舱技术的竞争优势尚未完全显现。在长周期的产业发展背景下，中国厂商应理性看待 “新能源汽车弯道超车”的概念，谨慎评估直接复制中国市场成功路径到全球市场的可能性。尽管日韩车企在华市场份额逐渐缩小，其全球化路径仍值得中国厂商重点研究。 Canalys首席分析师刘健森表示：“欧盟与中国在新能源汽车关税问题上的争端对全球汽车行业的电气化进程带来了重大阻碍。地缘政治紧张局势可能会阻碍双方厂商的专业知识分享以及投资联合研发。如果争端升级，欧盟可能会削弱其新能源汽车生态系统发展的竞争力，从而在全球汽车和绿色能源领导地位中失去位置。然而，我们仍然乐观地认为，中国市场将依然保持开放，并为全球市场提供新能源汽车技术和供应链提供合作机会。同时两个区域的市场潜力，将吸引两个地区持续密切合作以寻找长期的解决方案。 ” *电动汽车（又称EV）：纯电动车型（BEV）和插电混动车型（PHEV）

智能汽车

Canalys . 2024-11-21 1 2950
艾迈斯欧司朗裁员500人,德国受影响严重

艾迈斯欧司朗的成本削减计划预计将影响500名非生产类员工。尽管在2024年第三季度实现盈利，但奥地利ams OSRAM（艾迈斯欧司朗）仍计划“扩大”其“重建基地”的成本削减计划，将影响500多名员工，德国受到的影响尤为严重。 ams OSRAM在全球拥有约20000名员工，其中超过500名非生产员工将受到影响，该公司还表示，大约三分之一的岗位将被保留，但会被调整至“最低成本”国家/地区。工会发言人在回答媒体询问时证实，其中雷根斯堡基地将失去142个工作岗位，主要是研发部门。高级雇员也会受到影响。该公司表示，“重建基地”计划执行进展顺利，已提前实现8500万欧元的年度节约。但ams OSRAM决定寻求进一步的7500万欧元年度节约，并力争在2026年底前实现2.25亿欧元的年度成本节约。 ams OSRAM预计，计划的转型将产生约4000万欧元的额外费用，这些费用主要将在2025年产生。该公司声称，持续的重组对于“在不确定的环境中确保盈利能力的提高”是必要的，并补充说，不确定性将持续到2025年，尤其是在汽车行业。值得注意的是，艾迈斯欧司朗最新一季业绩并未亏损。据最新数据， ams OSRAM在2024年第三季度扭亏为盈，公司收入为8.81亿欧元，与之前的预测相符，环比增长8%，但同比下降3%。公司实现1.66亿欧元的调整后EBITDA和2400万欧元的净利润，公司的净现金状况从第二季度末的9亿欧元提高到第三季度末的10.97亿欧元。 ams OSRAM表示，其预计2024年第四季度汽车、工业和医疗市场的需求持平，而消费市场将出现季节性放缓。该公司预计收入在8.1亿~9.1亿欧元之间，EBITDA和净利润将下降。预计2024年全年资本支出将保持在先前指导的5亿~5.5亿欧元水平。对于2025年，ams OSRAM表示预计开局较弱，季节性和产品组合效应以及汽车行业的周期性疲软将在2025年第一季度“完全显现”，但年内将有所改善。

艾迈斯欧司朗

芯查查资讯 . 2024-11-21 1545
贸泽电子2024技术创新论坛厦门站即将启航，引领智慧工厂融合新趋势

2024年11月21日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布，2024贸泽电子技术创新论坛收官活动将于11月22日13:00-17:30在厦门隆重举办。本次论坛聚焦“智慧工厂”主题，特邀来自Analog Devices, KYOCERA AVX, Silicon Labs, TDK等国际知名厂商的专家，以及重庆邮电大学的资深教授和电子电力技术专家，共同探讨智能制造时代的技术发展和应用解决方案。此次活动旨在为企业的数字化转型提供深刻洞见与支持，推动行业的创新与发展。贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示：“在人工智能、物联网和大数据等技术的驱动下，智慧工厂正引领制造业的未来。数字化技术和自动化系统的应用，不仅提升了生产效率，更增强了企业的创新能力和竞争力。在本次活动中，我们非常荣幸邀请了多位知名原厂专家、重点高校教授和行业大咖，分享智慧工厂升级中所使用的关键技术和解决方案，帮助大家深入了解智慧工厂的最新发展趋势。” 随着制造业向“智造”方向的持续转型升级，智慧工厂正受到越来越多企业的关注和青睐。在各类前沿技术的深度融合下，智慧工厂不断突破传统制造的限制，展现出强大的连接力和系统性。本次论坛中，将共同探讨包括工业物联网关键技术、边缘低功耗AI微处理器、智慧工厂电感器和电容等应用产品、工业自动化无线连接解决方案、以法规和电路解析智能照明等多个话题，探索更多智造工厂的实用技术方案，助推制造业更高效、更智能的发展。

智能制造

贸泽电子 . 2024-11-21 585
意法半导体推迟年销售额200亿美元目标至2030年

意法半导体周三表示，预计到2030年销售额将超过200亿美元，推迟了该公司原本希望更早实现的目标，因近年来困扰该行业的芯片库存过剩拖累了增长。这家欧洲芯片制造商预计，2027年和2028年的销售额约为180亿美元，到2030年将攀升至200亿美元以上。该公司此前曾希望在2025年至2027年间突破200亿美元大关。与此同时，意法半导体预计2027年和2028年的毛利率约为44%至46%，到2030年将增长到50%左右。该集团此前曾预测，2025年至2027年间的毛利率将超过50%。此次修正正值半导体行业继续应对不稳定的订单。为数据中心的人工智能提供动力的芯片需求正在蓬勃发展，但近几个月来，电动汽车、工业机械和一些个人电子产品的芯片订单一直很疲软。

ST

芯查查资讯 . 2024-11-20 1 1 1505
6G对基站设计有什么影响？

我们正在使用的5G基础设施，是具有超高速、低延迟和大量同时连接特点的通信网络；而6G则会将传感和通信融合、将人工智能和通信融合、同时扩大覆盖范围，通过充分发挥太赫兹波通信潜力，在100GHz至1THz的频率下实现速度更快、容量更大的通信，将现实世界和虚拟世界变得更加紧密，创造出基于数字孪生的新价值——令人兴奋的6G应用场景有智能制造、远程工业控制和监控、远程医疗和远程手术、智能家居自动化以及沉浸式扩展现实（XR）体验等等。 6G的通信距离约为10米，接近Wi-Fi。由于通信距离太短，在传统的使用案例中，很难采用太赫兹波通信方式，因为每个基站都要连接许多设备。因此，需要创建新的用例/系统配置来利用太赫兹波的特性。例如，太赫兹波的一个用例/系统配置可能是每个设备都充当基站，通过多个设备的通信中继来支持通信网络。 6G的普及将给工程师带来艰巨的挑战，包括非常规结构上的复杂安装，以及日益严格的法规和技术要求。目前为止，6G集成还主要集中在大型基站和建筑上，下一阶段将更多地集中在可填补网络覆盖空白的小型站点（下图），基站基础设施需要缩小规模、减轻重量并降低功耗，带给设备和系统更大的挑战和机遇。基站数量(村田根据Mobile Experts数据估算) 村田最新发布的该应用指南详细介绍了从元件层面考虑，设计出高效、持久的6G基础设施的关键因素，内容包括：基站概览挑战: 热、环境、安装/维护元器件解决方案: 结构、微型化、效率&可靠性应用: RRU/AAU，功率放大器，BBU/DU/CU，MEC 复制下方链接到浏览器，查看村田应用指南： https://mp.weixinbridge.com/mp/wapredirect?url=https%3A%2F%2Fapp.jingsocial.com%2FmicroFrontend%2FleadGeneration%2Fjsf-leads%2Flist%2FcontentMarketing%2FgXrUDq4h5H5sSNtwePEtGT%2FFyECHsotqPwqrYJvSxLtpm&action=appmsg_redirect&uin=MTkyMzYzMTQy&biz=MzU3NTk1MDgyOA==&mid=2247620782&idx=1&type=0&scene=0

村田

Murata村田中国 . 2024-11-20 1 1605
支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。近年来，xEV得以快速普及，对于其配套的OBC等部件而言，功率半导体是不可或缺的存在，因此，市场对发热量少、开关速度快、耐压能力强的SiC SBD的需求日益高涨。其中，小型且可使用贴片机安装的表面贴装（SMD）封装产品，因其可以提高应用产品的生产效率而需求尤为旺盛。另一方面，由于施加高电压容易引发漏电起痕，因此需要确保更长爬电距离的器件。ROHM作为SiC领域的领航企业，一直致力于开发支持高电压应用的耐压能力和可安装性都出色的高性能SiC SBD。此次，通过采用ROHM原创的封装形状，开发出确保最小5.1mm的爬电距离、并具有优异绝缘性能的产品。新产品去除了以往封装底部的中心引脚，采用了ROHM原创的封装形状，将爬电距离延长至最小5.1mm，约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离，可以抑制引脚之间的漏电起痕（沿面放电）*2，因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时，无需通过树脂灌封*3进行绝缘处理。目前有650V耐压和1200V耐压两种产品，不仅适用于xEV中广为使用的400V系统，还适用于预计未来会扩大应用的更高电压的系统。另外，新产品的焊盘图案与TO-263封装的普通产品和以往产品通用，因此可以直接在现有电路板上替换。此外，车载设备用的“SCS2xxxNHR”还符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*4。新产品已于2024年9月开始出售样品（样品价格1,500日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.（福冈县筑后工厂），后道工序的生产基地为ROHM Korea Corporation（韩国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360等电商平台均可购买。未来，ROHM将继续开发高耐压SiC SBD，通过提供满足市场需求的优质功率元器件，为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。产品阵容查看产品详情 SCS210ANHR SCS212ANHR SCS215ANHR SCS220ANHR SCS230ANHR SCS205KNHR SCS210KNHR SCS220KNHR 应用示例・车载设备：车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等・工业设备：工业机器人用AC伺服、光伏逆变器、功率调节器、不间断电源装置（UPS）等关于“EcoSiC™”品牌 EcoSiC™是采用了因性能优于硅（Si）而在功率元器件领域备受关注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。术语解说 *1) 爬电距离沿着器件封装表面的两个导电体（引脚）之间测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。 *2) 漏电起痕（沿面放电）当向作为导体的引脚施加高电压时，绝缘物——也就是封装表面会发生放电的现象。在本来不应该导电的图案之间发生了放电，会导致器件介电击穿。随着封装的小型化，爬电距离变得更短，这种现象也就更容易发生。 *3) 树脂灌封通过使用环氧树脂等树脂对器件本体以及器件与电路的电极连接部位进行密封，来实现电绝缘。树脂灌封还可以有效地对器件进行保护、防水、防尘、提高耐用性和耐候性。 *4) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101” AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是适用于分立半导体元器件（晶体管、二极管等）的标准。

罗姆

罗姆半导体集团 . 2024-11-20 1 1065
客户认可+1！英诺赛科荣获 OPPO 最具创新奖

11月8日，以“聚力同行·凝创未来”为主题的 OPPO 2024 核心合作伙伴大会在深圳举办。英诺赛科凭借其非凡的研发实力与开创性的精神，成功斩获OPPO 2024最具创新奖。英诺赛科作为氮化镓革命的领军者，在氮化镓技术发展的浪潮中，凭借卓越的技术实力，有力地推动着行业创新的步伐。双方合作过程中，英诺赛科与OPPO技术团队紧密协作，深度融合，为OPPO众多旗舰产品提供了全链路的氮化镓技术支撑，充分利用氮化镓高频高效的特性，实现了OPPO产品性能的突破性提升，取得了令人瞩目的巨大飞跃。 2024年，OPPO与英诺赛科携手合作，涉及的主要产品涵盖了OPPO Find系列中的X7/X7pro/X7 Ultra、X8/X8pro/X8 Ultra，以及OPPO旗下一加品牌的Ace 2/2Pro，Ace 3/3 Pro，Ace 3V，还有真我Realme品牌的GT5/6/7/Pro，Realme GT Neo5/Neo 6/Neo SE等。在这些产品中，从电源侧的快速充电（超级闪充/无线充）功能，到手机内部主板的充电过压保护（OVP）系统，均采用了英诺赛科的氮化镓技术。这不仅使产品具备了小型化的优势，还在成本优化和性能提升方面发挥了显著作用，双方共同引领充电技术实现了意义非凡的重大跨越。此次英诺赛科获评年度最具创新奖，充分体现了 OPPO 对氮化镓创新技术的大力支持，以及对英诺赛科产品性能的高度认可。展望未来，期待双方能够继续保持深度合作，携手以卓越的技术实力和优质的产品服务，共同推动行业创新发展，不断创造更多具有里程碑意义的重大进展。

英诺赛科

英诺赛科 . 2024-11-20 1 2 1755