芯查查-电子信息产业数据引擎

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携手共进，江波龙与电子五所在中山展开深度交流

近日，半导体存储品牌企业江波龙与工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室，以下简称“电子五所”）在江波龙中山存储产业园展开了深度交流。江波龙在工业和汽车存储领域深耕多年，积累了丰富的市场经验和深厚的技术实力，其在存储技术与产品测试方面的创新成果已广泛应用于多个行业。电子五所作为国内领先的质量可靠性共性技术服务平台，一直是江波龙在追求卓越质量道路上的重要合作伙伴。双方强强联合，在存储质量技术的最前沿共同前行。在本次交流期间，电子五所参观了江波龙中山存储产业园，深入了解存储文化的起源和历史脉络，充分感受到了存储技术从古老的结绳记事到现代半导体存储的漫长演变过程。通过这次富有意义的参观，电子五所的成员对存储行业有了更直观、更深刻的认识。此外，江波龙与电子五所的代表们就高可靠存储的重要性、存储实验的发展与合作等议题进行了深入探讨，双方在交流中不断碰撞出火花，期待在未来的项目中再次取得新的突破。随后迎来了一场激动人心的足球友谊赛，双方队员秉持“友谊第一，比赛第二”的原则，在赛场上展现了高水平的竞技精神和团队协作，在激烈的竞争中进一步增进了彼此的了解和信任。这场足球友谊赛不仅是一场体育竞技的盛宴，更是江波龙与电子五所之间友谊与合作精神的生动写照。随着深中通道的正式通车，江波龙深圳总部与中山存储产业园之间的联系更加紧密，为双方的合作提供了更多的便利和可能性。电子五所代表对此次活动给予了高度评价，认为这是一次成功的团队建设和文化交流活动，有助于双方在未来的合作中更加默契。此次交流不仅加强了双方在业务层面的联系，也为未来的协同创新奠定了坚实的基础。

存储

江波龙 . 2024-12-31 1 2 1095
新年特辑 | 芯片热搜TOP20榜单出炉，工程师2024年最关注哪些芯片?

重点内容速览： | 2024年热搜型号TOP20 | 模拟器件库存见底，明年有望转正 | MCU市场很卷，明年有望改善 | 2024年半导体行情总结作为电子信息产业数据引擎，芯查查2024年在产业数据方面相比去年又有了不小的变化，我们收录了半导体、传感器、无源器件、保护器件、光电器件五大品类52个细分类目的元器件。型号数量从去年的9000万增长到了超过1.2亿，品牌总数达到了5201，其中国产品牌数量为2351，占了45.2%。图：芯查查大数据智能统计分析平台（来源：芯查查）又到年末，芯查查2024年搜索排名也顺利出炉，从芯查查的用户搜索中可以看出，今年热搜榜靠前的几个型号，都是比较有历史的IC，也是电子工程师在入门和工作中会经常用到的那些芯片。 2024年热搜型号TOP20榜单根据我们的统计，排名前五的芯片分别为UC3842、LM358、TL431、NE555和S8050。相信工程师朋友对这几颗芯片都比较熟悉，大都在学生时代教科书中就学过，相信工作中也会经常碰到。当然，随着芯片技术的进步，现在有了很多集成度更高，性能更好的芯片，设计起来也更加得心应手，但这些基础类芯片仍然还有很大的市场。数据来源：芯查查，图为芯查查制图拿 UC3842 来说，做过开关电源的工程师朋友应该首先会用到该芯片。它是一款脉冲宽度调制（PWM）控制器，用于开关电源和DC/DC转换器。最初，UC3842由Unitrode公司设计和生产的，后来Unitrode被TI（德州仪器）收购。随着原始设计的专利权到期，其他制造商便有权生产和销售相似的产品，成为行业中的一个标准选择。现在除了TI、ST、安森美、NXP这类海外厂商有相关产品之外，国内的华富勤、华轩阳、科信、虹茂半导体、华之美、壹芯微、华冠等厂商也有相关的产品供应。当然，您也可以在我们芯查查平台找到更多品牌的产品信息，包括芯片的Datasheet、替代料、PCN/PDN、购买渠道信息，以及价格和库存信息等。 LM358 是双运算放大器，它内部有两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式。使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。其主流的品牌有TI、安森美、ST等，国内的品牌有思瑞浦、美森科、友顺科技、聚洵、长运通、复旦微、富满微、圣邦微等。 TL431 也是一颗有历史的器件，但是它的市场使用率却非常高。该芯片有商业级、工业级、汽车级和军品级。它的功能与稳压二极管有些类似，但又有一些不一样。首先，TL431可以通过外围电路的设计来调整稳压值；其次是，它的精度更高，普通稳压二极管如果是5.1V的稳压电压，真正工作时的输出可能就是4.8、4.9或者5.3V，但它可以精确到mV级，其可输出电压范围是为2.495V至36V；三是工作温度范围是-40℃至125℃，其中商用级的器件运行温度范围为0℃至70℃，工业级的为-40℃至85℃，汽车级的为-40℃至125℃；四是它具有低输出噪声，说明输出的纹波很小；五是输出阻抗典型值为0.2Ω，作为电压源来说，内阻越小越好；六是灌电流能力为1mA至100mA，表示这个器件在工作的时候，至少得有1mA的电流流入，100mA表示它的带负载能力是100mA。 NE555 就更不用说了，相信学过数电的同学都知道这颗计时器芯片。 ST的两颗MCU热门型号 STM32F103C8T6和STM32F103VET6 在榜上。另外，还有两颗总线接口芯片上榜，分别是NXP的 TJA1042 和ADI的 ADM2587E 。其中，TJA1042是一款高速CAN收发器PHY，可在控制器局域网（CAN）协议控制器和物理双线式CAN总线之间提供接口。该收发器专用于汽车业的高速CAN应用，可以为（微控制器中的）CAN协议控制器提供发送和接收差分信号的功能。TJA1042属于NXP的第三代高速CAN收发器，相比第一代和第二代器件（如TJA1040），有明显的改进。TJA1042的电磁兼容性（EMC）和静电放电（ESD）性能更高，断电时不影响CAN总线的正常运行，具有极低电流的待机模式和总线唤醒功能，有VIO引脚的型号可以直接连接供电电压为3.3V至5V的微控制器接口。TJA1042实现了ISO11898-2:2016和SAEJ2284-1至SAEJ2284-5中定义的CAN物理层。在CAN FD快速相位下，即使数据速率高达5Mbit/s，它也能实现可靠的通信。该芯片如此受关注应该跟近年来汽车电子的快速发展有关。而ADM2587E则是ADI推出的集成了iCoupler数字隔离的隔离型RS485/422收发器，输入/输出引脚具备±15kV静电放电（ESD）保护功能，适用于高速通信的多点传输线。ADM2582E/ADM2587E还内置了隔离的DC-DC电源，摒弃了外部DC-DC隔离模块的需求。其主要特性为：（1）隔离式RS485、RS422收发器，可设置半双工、全双工两种模式。（2）内部封装了 isoPower隔离型DC-DC转换器，无需外部连接DC-DC电源芯片。（3）DC5V或3.3V电源供电（使用3.3V功耗更小）。（4）通信速率500kb/s，支持波特率115200。（5）强大的保护功能，比如热关断保护、高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs等。模拟器件库存见底，明年有望转正从芯查查SaaS供应链波动情况来看，2024年年初至11月，模拟器件的整体价格都呈现下滑态势，不过在11月份开始有回暖现象，总的来看，国内模拟器件市场还是非常之卷。交期指数在今年4月份达到最低点后，开始保持平稳。图：模拟器件价格与交期近1年走势情况（数据来源：芯查查）这从模拟芯片头部供应商TI的财报可见一斑，根据TI前三季度的财报，前三个季度同比均在下滑，只有在Q3时环比才增长了9%，但同比仍然下降了8%。分应用市场来看，Q3汽车业务收入环比增长了7%~8%，其中中国市场因电动汽车需求强劲创下历史新高，但中国以外市场的需求则持续疲软；工业市场在长期库存消化的影响下，环比连续下滑，较2022年Q3的峰值下降了30%。好在在季节性需求带动下，个人典之子产品、企业系统和通信设备实现了环比增长。另一大供应商ADI的工业部门收入环比增长了2%，但同比下降了21% 。其汽车业务在中国电动汽车市场强劲需求的推动下，实现了环比增长。可穿戴设备和游戏业务实现了环比和同比的增长。相反，国内模拟芯片企业比如圣邦微、思瑞浦等表现相对更好。这可能跟近几年国内比较强调使用国产芯片相关。在2020年的国家《十四五规划》中曾提出，2025年国产芯片自给率要达到70%。据TechInsights数据，2020年中国芯片市场规模约为1460亿美元，中国生产的芯片规模约为242亿美元，芯片自给率约为16.6%，2021年芯片自给率约为17.6%，2022年时约为18.3%；近两年可以明显看到国产芯片的市场占有率在不断提升当中。这与近年来的地缘政治有关，12月2日晚间，美国《联邦公报》最新文件显示，美国工业和安全局(BIS)修订了《出口管理条例》(EAR)，将 140个中国半导体行业相关实体添加到“实体清单”。12月3日，中国互联网协会、中国半导体行业协会、中国汽车工业协会共同表态，建议业内谨慎采购美国芯片，积极使用内外资企业在华生产制造的芯片。12月23日，美国政府又宣布对中国成熟芯片进行“301条款”调查，可能进一步提高来自中国的芯片关税。 MCU市场很卷，明年有望改善在热搜排行榜中ST的MCU依然比较受工程师关注，两颗上榜的型号都来自ST。据芯查查了解，目前国内MCU市场中，国际MCU厂商企业的终端应用主要集中在汽车电子和工业控制等领域，国内MCU企业则主要集中在小家电和消费电子等中低端市场。车规级MCU市场，国产化率不足5%，工业控制市场，国产化率不到20%，仅消费电子领域国产化率超过了50%。但好消息是，这几年国内MCU产品的性能和可靠性提升很大，市场占有率也在快速提升中。根据芯查查的统计，目前国内有23家可以提供MCU产品的MCU企业。不过由于今年MCU市场太卷，虽然销售额有增长，但利润率却在下降。但与去年基本都在亏本清库存相比，今年的日子相对好过，大部分的MCU企业还是能保证一定的利润。 2024年半导体行情总结 2024年的半导体市场虽然磕磕绊绊，从去年底的乐观预期，到年中的不及预期，再到下半年的逐渐回暖，现在交卷时刻总算不负众望，今年大概率能保持双位数的增长，其中存储与GPU增长显著，AI和HPC是主要推动力，汽车和工业应用需求疲软依旧。根据SIA在12月5日发布的报告，半导体行业在10月份达到了有史以来最高的月度销售总额，且月度销售额连续7个月增长。WSTS预计，全球销售额将同比增长 19.0%，今年销售额总额将达到 6,269 亿美元。2025年，全球销售额预计将达到6972亿美元，同比增长11.2%。图： WSTS预测全球半导体销售额情况（来源： WSTS）其实， 2024年的增长主要由存储和逻辑芯片推动的，其中存储预计将增长81%，逻辑芯片预计增长16.9%。除去这两大块，分立器件、光电子、传感器和模拟半导体则是下降的，其中分立器件甚至将下降11.2%，模拟半导体将下降2.2% 。结语今年一整年，与AI相关的逻辑器件和存储器件都有增长，而出去这两大块，其他市场就相对差了不少。不过好消息是，今年的最后几个月看起来市场有回暖迹象，明年应该会变得更好。

原创

芯查查 . 2024-12-31 1 13 6635
黑芝麻智能发布华山A2000家族芯片平台，打造全场景通识智驾标杆

12月30日，黑芝麻智能宣布推出其专为下一代AI模型设计的高算力芯片平台——华山A2000家族。A2000家族芯片平台承袭黑芝麻智能华山产品线的使命，以更高算力、更强性能赋能汽车行业，加速高阶智能驾驶成为标配，打造全场景通识智驾标杆。图：华山A2000家族正式问世智驾终途，高阶智驾驶向全场景通识智驾在智能驾驶技术的浪潮中，端到端（E2E）和大模型技术正成为推动行业向前发展的核心动力。基于黑芝麻智能对这些技术的深刻洞察，我们预见到算法的未来发展将更加聚焦于提升效率和性能。随着行业步入大模型时代，Transformer算法结构和混合模型架构将引领新的技术潮流。黑芝麻智能提出的全场景通识智驾概念，基于知识范式将驾驶场景的信息引入到知识增强的表示空间中，这些信息可以被推导为场景语义空间中的通用知识，随后通过知识的反映来推断场景，从而指导实现更好的智能驾驶体验。也就是说，让AI模型具备人类的常识和知识，进而影响场景里的决策，让车开得比老司机还好，改善驾驶体验。通识智驾具备实现高级感知、决策和执行的通用能力，能够全面覆盖城市道路、高速公路、昼夜变化以及各种气候条件的不同场景。预计从2025年开始，高阶智驾能力逐渐成为标配，多传感兼容、支持多种模型算法开发以及更具性价比和成本控制的方案，才能满足市场和客户的增长需求，推动自动驾驶技术的普及和经济效益提升。图：智驾计算的多维挑战黑芝麻智能认为下一自动驾驶计算芯片的关键要素需要涵盖高算力、高带宽、平台化设计的需求，配合友好通用的工具链以及全栈化解决方案，以满足自动驾驶技术的快速落地和持续迭代。当前，能够实现NOA等高阶功能并成功量产的智能驾驶芯片企业屈指可数，这不仅因为量产对芯片性能和稳定性有着严苛要求，更在于它需要算法、软件、工具链等整个生态系统的持续优化和迭代。随着智能驾驶技术向更复杂场景和高阶功能的演进，对高算力芯片的需求变得尤为迫切。黑芝麻智能凭借华山系列的量产经验和成熟生态，全面支持未来智能驾驶场景和算法的需求。我们以开放灵活的合作模式，致力于成为本土高阶智能驾驶芯片供应的最优解。华山A2000家族，为全场景通识智驾设计，赋能智能万物黑芝麻智能华山®A2000家族是面向下一代AI模型更高性能、更高效率的芯片平台。华山A2000家族包括A2000 Lite、A2000和A2000 Pro三款产品，分别针对不同等级的自动驾驶需求。A2000 Lite专注于城市智驾，A2000支持全场景通识智驾，而A2000 Pro则是为高阶全场景通识智驾设计。图：华山A2000家族芯片平台作为新一代自动驾驶芯片，华山A2000家族以其卓越的性能和全面的功能，标志着华山系列在自动驾驶技术领域的重大飞跃。A2000家族的芯片集成了业界领先的CPU、DSP、GPU、NPU、MCU、ISP和CV等多功能单元，实现了高度集成化和单芯片多任务处理的能力。新一代ISP技术，具备4帧曝光和150dB HDR，在隧道和夜间等场景下表现更好，显著提升了图像处理能力。单芯片数据闭环的设计，使得数据在智驾功能正常运行的同时能够实现全车数据的脱敏、压缩、编码和存储，为算法的迭代和创新提供坚实基础。A2000家族算力最大是当前主流旗舰芯片的4倍，原生支持Transformer模型。A2000家族的灵活扩展性，允许多芯片算力的扩展，以适应不同级别的自动驾驶需求，产品组合全面覆盖从NOA到Robotaxi的广泛应用场景。华山A2000家族芯片不仅在智能汽车领域展现出强大的性能，还能够支持机器人和通用计算等多个领域。值得一提的是，A2000芯片能够满足机器人的"大小脑"需求，推动机器人产业从原型开发阶段迈向大规模量产。核心IP的技术创新为华山A2000家族性能跃升保驾护航与此同时，黑芝麻智能重磅推出了自研 NPU 新架构——黑芝麻智能"九韶"，九韶是黑芝麻智能为满足自动驾驶技术需求而推出的高性能 AI 芯片的计算核心。新一代通用 AI工具链BaRT和新一代双芯粒互联技术BLink两大创新，共同赋能"九韶"计算性能的充分发挥和灵活扩展，构成了一个强大的智能驾驶技术底座，为 A2000 家族性能跃迁保驾护航。图：自研 NPU 新架构——“九韶” 九韶NPU采用了领先的大核架构，支持智驾大模型的实时推理，降低算法计算的延迟，基于优先级抢占的机制为处理复杂计算任务提供了强有力的支撑。同时，九韶NPU也是业界最高安全等级的NPU，高安全等级能够避免模型推理过程中的随机错误和失效，支持训练与部署的一致性，确保了自动驾驶系统的高安全性和确定性。九韶NPU的特点包括高算力、高能效和高带宽，这是智能驾驶技术向更高阶迭代的基础。它支持包括INT8/FP8/FP16在内的混合精度，集成了针对高精度精细量化和Transformer的硬加速，能够简化开发者在量化和部署过程中的工作。此外，九韶NPU还具备低延时和高吞吐的三层内存架构，包括大容量高带宽的NPU专用缓存、核心模块片内共享缓存，以及对称的双数据通路和专用DMA引擎。提升了性能和有效带宽，降低了对外部存储带宽的依赖，在性能、带宽和成本之间取得了极致平衡。为了充分发挥九韶NPU的潜力，黑芝麻智能研发了新一代通用AI工具链BaRT。BaRT支持多种流行框架和模型的转换，原生兼容PyTorch的推理API，支持Python编程部署。这使得开发者能够更加便捷地利用九韶架构进行AI模型的开发和部署。 BaRT的另一个优势是支持业界主流的Triton自定义算子编程，允许开发者使用Python语言编写Triton自定义算子，这些算子可以被自动化编译成硬件加速代码，从而进一步加速开发者AI模型的部署。为了满足不同等级自动驾驶的算力需求，新一代双芯粒互联技术BLink技术为算力扩充提供了高效解决方案。BLink支持Cache一致性互联的高效C2C（Chip-to-Chip）技术，能够扩展支持更大规模模型的算力需求，为算法长期演进做好准备。通过BLink技术，A2000家族芯片能够实现软件单OS跨片部署，支持高带宽C2C一致性连接，满足NUMA跨芯片访存要求，简化软件开发和部署的难度。随着华山A2000家族芯片的发布，黑芝麻智能不仅为自动驾驶技术的发展提供了强有力的硬件支持，而且进一步践行了用"芯"赋能未来出行这一愿景。黑芝麻智能期待与全球产业链伙伴携手合作，共同推动智能驾驶技术的创新与应用。我们坚信，通过持续的技术创新和跨行业合作，智能驾驶技术将实现不断突破，为未来出行提供更加智能、安全和高效的解决方案。

智能汽车

黑芝麻智能 . 2024-12-30 2 1 8841
YXC可编程晶振的关键技术——锁相环原理讲解

可编程晶振器是通过数字控制方式来改变其输出频率的装置，它由晶体和谐振腔两个主要部分组成。当加电压时，石英晶体产生振动并发出电信号，此信号被检测并数字化后，通过处理器进行解调，最后输出所需的频率信号。而锁相环（Phase-Locked Loop，PLL）技术在可编程晶振中扮演着关键角色，以下是对可编程晶振中锁相环技术的详细讲解：一、锁相环技术的基本原理 1、锁相环是一种利用相位同步产生的电压去调谐压控振荡器（Voltage Controlled Oscillator，VCO）以产生目标频率的负反馈控制系统。它根据自动控制原理，利用外部输入的参考信号控制环路内部振荡信号的频率和相位，实现输出信号频率对输入信号频率的自动跟踪。 2、锁相环通常由鉴相器（Phase Detector，PD）、滤波器（Loop Filter，LF）和压控振荡器三部分组成前向通路，由分频器组成频率相位的反馈通路。锁相环的工作原理是检测输入信号和输出信号的相位差，并将检测出的相位差信号通过鉴相器转换成电压信号输出，经低通滤波器滤波后形成压控振荡器的控制电压，对振荡器输出信号的频率实施控制，再通过反馈通路把振荡器输出信号的频率、相位反馈到鉴相器。 3、在锁相环工作过程中，当输出信号的频率成比例地反映输入信号的频率时，输出电压与输入电压保持固定的相位差值，这样输出电压与输入电压的相位就被锁住了。二、锁相环技术在可编程晶振中的应用 1、频率稳定性提升：锁相环技术通过与高稳定度的参考信号进行比较，可以进一步减小可编程晶振的频率偏差，提高系统的频率稳定性。 2、可调频率：通过调整锁相环的控制输入，可以实现对可编程晶振输出频率的精确控制，使其适应不同的工作模式或通信标准。 3、相位同步：在通信系统中，锁相环用于确保发送和接收端的时钟信号是相位同步的，从而确保数据传输的准确性。这对于可编程晶振在通信领域的应用尤为重要。 4、抑制噪声：锁相环通过反馈机制有助于抑制可编程晶振的相位噪声和频率噪声，提高系统的整体性能。三、锁相环技术的优势 1、高精度：锁相环技术能够提供高精度的频率输出，满足现代电子系统对频率精度的严格要求。 2、灵活性：通过调整锁相环的参数，可以灵活地改变输出频率，适应不同的应用场景。 3、稳定性：锁相环技术通过负反馈控制机制，能够保持输出频率的稳定性，不受外界干扰的影响。四、锁相环技术在扬兴科技晶振中的应用与优势 1、可编程性：扬兴科技的可编程晶振利用锁相环技术，实现了核心参数的随意编程定制。这意味着客户可以根据具体需求，在1MHz~2100MHz的宽频率范围内（精确至小数点后六位）选择任意频点进行定制。这一特性使得扬兴科技的可编程晶振能够满足更丰富、更特殊的要求，为客户提供更多的定制选择。 2、高性能：锁相环技术的运用使得扬兴科技的晶振产品具有高精度、高稳定性、低抖动等卓越性能。例如，扬兴科技的可编程晶振具有±2.5PPM（min.）的超高精度和150fs（min.）的超低抖动，以及-40~+125℃（max.）的超宽温区范围。这些性能优势使得扬兴科技的晶振产品在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能输出。 3、快速交付与灵活供应：扬兴科技拥有先进的生产和供应链管理系统，能够快速响应客户需求，实现快速交付。样品2秒出样，批量最快一周可交付，较传统工艺至少缩短50%的交期。这种快速交付和灵活供应的能力使得扬兴科技能够更好地满足客户的紧急需求和市场变化。扬兴科技在锁相环技术的应用上具有一定的领先性和创新性，这一技术的运用为扬兴科技的晶振产品带来了可编程性、高性能、快速交付与灵活供应等显著优势。

晶振,可编程晶振,锁相环

扬兴科技 . 2024-12-30 1 5 8892
泰凌微电子RF SoC 芯片助力机器学习与人工智能，TL721X 与 TL751X 开启人工智能应用新时代

在科技浪潮的持续推动下，泰凌微电子（688591.SH）于芯片技术领域斩获新突破，其新近推出的 TL721X 和 TL751X 搭载高度集成自研IP增加边缘运算能力与其超低功耗芯片设计领先同行, 两款芯片皆支持机器学习（Machine Learning）与人工智能（Artificial Intelligence），为智能应用的未来发展铺就崭新道路，并注入源源不断的活力。自 2010 年扬帆起航以来，泰凌微电子始终如一地在无线物联网芯片技术这片广袤领域精耕细作，凭借着不懈的努力，收获了令人瞩目的斐然成果。其芯片的全球累计出货量已然跨越 20 亿颗这一具有里程碑意义的大关，彰显了泰凌微电子在市场竞争中所具备的强劲实力，以及其芯片技术所蕴含的高度可靠性与稳定性。 TL721X 作为国内率先实现工作电流低至 1mA 量级的超低功耗多协议物联网无线 SoC 芯片，在泰凌微电子既往的 TLSR9 产品家族的雄厚基石之上，实现了全方位、多层次的优化升级。它巧妙融合了多项前沿性的创新技术，精准锚定并出色满足了新一代高性能物联网终端产品对于核心芯片所提出的更为严苛、多元的高标准要求。而 TL751X 则以其独特的高性能、多协议以及高集成度的显著特质，在无线音频 SoC 领域崭露头角。这款芯片采用先进的多核设计理念，集成了HiFi-5 DSP，由此衍生出极为强大的运算处理能力，并集成了丰富多样且实用的功能模块。这两款芯片在多个应用领域有力推动人工智能应用的创新和发展。智能音频：在消费音频设备中，TL751X 以高性能、多协议和高集成度支持耳机等设备实现优质音频传输，同时借助强大算力为智能语音交互助力，如依语音指令智能切换音频模式；TL721X 则以低功耗和人工智能降噪算法，精准识别并抑制环境噪音。音频会议系统里，TL751X 处理多路音频，借人工智能实现高清通话、混音与智能语音指令响应，像自动记录要点等。车载音频系统方面，TL751X 结合人工智能对驾驶场景的感知，依车速路况智能调控音频，高速增低音、拥堵优导航音。多人组网对讲系统中，二者协作，人工智能优化组网，达成 24 人低延时、高稳且灵活的 Mesh 组网，4 人双工通信，此前 5 人双工系统获认可并为研发基石，推动智能音频在人工智能加持下创新发展与广泛应用。智能家居：TL721X 和 TL751X 的高性能，低延时与低功耗特性，让智能语音助手更加流畅自然，用户可通过语音便捷控制灯光、窗帘、空调等设备。支持Matter使不同协议的灯光、窗帘、空调等设备无缝连接，加上低功耗优势保障设备持久运行。丰富的外设接口连接传感器，借助人工智能算法（LiteRT, TVM 等），可实现室内环境的智能感知学习与调控，提升居住舒适度。目前，泰凌微电子在智能家居Matter+ML/AI扩展应用上在行业内处于领先地位。智能穿戴：智能手表以及手环等穿戴设备，凭借 TL721X 和 TL751X 的低功耗特性，能够长时间稳定运行，持续对用户的运动与健康数据进行监测。借助人工智能算法，能够深入分析运动姿态、睡眠质量、心率变异性等复杂数据，从而为用户提供极具个性化的健康建议与运动指导。此外，运用机器学习模型，支持语音或手势交互功能，使得操作更加便捷高效，为用户带来更优质的使用体验。智慧医疗：在智慧医疗领域，TL721X 和 TL751X 凭借其先进的微处理器架构与高效的信号处理能力，为移动医疗监测带来创新解决方案。这两款芯片集成的低功耗蓝牙通信协议，支持与多种医疗传感器无缝连接，如心率监测仪、血压计、血糖仪等，能够借助边缘人工智能运算，在本地对采集到的数据展开分析，这样既保障了用户隐私，又能运用机器学习技术，为用户提供相应的提醒以及医疗服务。位置服务：TL721X和 TL751X支持最新的蓝牙6.0蓝牙信道探测（Channel Sounding）高精度定位结合环境蓝牙信标，在大型商场、机场、医院等场所提供高精度室内定位与导航服务，帮助用户快速找到目的地，提升场所运营效率与用户体验。对于企业固定资产管理，如设备、货物追踪，两款芯片可实时获取位置信息并传输至管理系统，借助人工智能算法与机器学习达成资产移动轨迹与使用状态分析，实现智能化追踪与管理，提高资产利用率并降低流失风险。智能遥控：TL721X 和 TL751X 所支持的多协议并发模式赋予了遥控器更为强大的设备兼容性与协同工作能力。在家庭影院等复杂的智能娱乐场景中，用户仅需借助一个遥控器，就能轻松集中统一控制电视、音响、投影仪等多种不同类型的智能设备。借助机器学习，各设备间可实现高效无缝协同运作，全方位满足用户多样化娱乐需求，显著提升智能娱乐体验的整体品质与便捷性，同时达成低功耗、减少电池替换的绿色节能目标。工业传感：在工业生产中，两款芯片可实时收集传感器数据，运用人工智能算法进行数据分析与建模，预测设备故障（Anomaly Detection），实现预防性维护，减少停机时间，提高生产效率与降低维护成本。多协议通信功能将不同工业设备连接成网，综合分析数据优化生产流程、调整工艺参数，推动工业生产智能化升级。赓续TL721X 和 TL751X的产品研发，泰凌微电子秉持着对技术创新的不懈追求与对未来发展的坚定信念，未来芯片发展方向将持之以恒地融合机器学习及人工智能软硬件技术，并以拓展智能应用领域为导向，积极探索与开拓更为广阔的市场空间，为全方位推动各行业的智能化转型升级贡献自身的智慧与力量。目前， TL721X 已步入量产筹备的关键阶段，预计将于 2025 年中正式开启大规模批量生产的新篇章，并已率先向部分先导客户提供样品进行前期试用与评估。而 TL751X 则凭借其卓越的高性能、广泛的多协议支持以及出色的高集成度优势，已然在市场中崭露头角，蓄势待发，满足不同客户群体多元化、个性化的需求，携手客户共同绘制智能应用的宏伟蓝图。

泰凌微

泰凌微电子 . 2024-12-30 1 2 1810
英诺赛科成功上市，氮化镓功率半导体引领者全“芯”启航

北京时间2024年12月30日，氮化镓功率半导体引领者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。上市当天，英诺赛科领导团队共同在香港敲响了开市钟，庆祝公司股票首日上市交易。英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。当前，英诺赛科已与OPPO、Vivo、小米等知名手机厂商，安克、绿联等电商，速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商，以及家电、储能行业的头部企业建立了密切合作关系，其产品InnoGaN也在手机OVP、快充、车载激光雷达、车载PD、家电马达驱动、工业电机驱动、数据中心服务器电源、BMS电池管理、储能双向变换器、光伏MPPT等产品中大批量量产。2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达42.4%。截至2024年6月，累计出货量超过8.5亿颗。敲钟仪式现场，英诺赛科董事长骆薇薇博士在发言中讲到，“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。此次在香港交易所的上市，是公司发展历程中的一个重要里程碑，标志着我们将以更广阔的视野和更坚定的步伐，迈向全球市场。英诺赛科相信GaN可以改变世界，打造更加绿色的地球家园。作为全球氮化镓行业的领军企业，我们将持续专注技术创新，赋能全球客户体验高频、高效、绿色节能的氮化镓产品。” 随着在港交所主板的成功上市，英诺赛科有望借助国际资本市场的力量进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。展望未来，公司将进一步加速技术创新和业务拓展的步伐，提升品牌影响力和市场竞争力，巩固其作为全球龙头的地位，在新一轮全球化产业竞争中创造更加辉煌的成就。用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！

英诺赛科

英诺赛科 . 2024-12-30 3 2 1520
有奖直播 | 《数说芯事第10期》：极越汽车破产；NVIDIA被调查；美国禁令新增136家中企；英特尔CEO下课……

2024年12月，芯片行业发生了哪些大事件？对行业有怎样的影响？芯查查筛选出2024年12月重要芯闻，以供回顾与参考。速览： | 英特尔CEO基辛格下课 | ST、英飞凌、NXP扩大中国供应链 | 美国将136家中国企业列入实体名单 | 预计2024年国内IC设计销售额超6000亿元 | NVIDIA被市监局调查 | 华虹二期投12英寸顺利投片 | 极越汽车破产 | 尚阳通被湖南百货零售商收购 | 更多热门芯闻尽在直播间…… 英特尔CEO基辛格下课首席执行官Pat Gelsinger在逾40年的职业生涯后，从公司退休，并于2024年12月1日卸任董事会职务。David Zinsner和Michelle Johnston Holthaus被任命为临时联合首席执行官。 Zinsner现任英特尔执行副总裁兼首席财务官，而Holthaus则被任命为新设立的英特尔产品首席执行官一职，英特尔产品包括了客户端计算事业部（CCG）、数据中心和人工智能事业部（DCAI）以及网络与边缘事业部（NEX）。英特尔独立董事会主席Frank Yeary将在过渡期间担任临时执行董事长。英特尔代工领导组织架构保持不变。 ST、英飞凌、NXP扩大中国供应链 ST：与华虹宏力（HHGrace）合作，在40 nm、OFT、BCD/IGBT技术节点上构建专属产能通道。40nm eNVM STM32将采用中国和非中国的双重供应链，并计划于2025年底在中国本土生产。此外，ST还投资扩建深圳后端封测厂（STS赛意法），该工厂是ST最大的全球组装和测试基地，迄今已经扎根中国30年，贡献公司全球超过50%的产能。 NXP：恩智浦（NXP）执行副总裁Andy Micallef表示，恩智浦在努力寻找一种方式来服务那些需要中国产能的客户，将为客户建立一条中国芯片供应链。在中国，恩智浦选择台积电南京、中芯国际、华虹分别开发16/28nm，40nm以及180nm不同种类的产品。天津封测厂完成80%的内部制造，20%由外部实现。英飞凌：Infineon的首席执行官Jochen Hanebeck在接受采访时表示，公司正在中国进行商品级产品的本地化生产，旨在加强与中国市场客户的紧密联系。Hanebeck指出，中国客户对某些难以更换的零部件提出了本地化生产的要求，为了满足这一需求，Infineon决定将一些产品的生产转移到中国的代工厂。美国将136家中国企业列入实体名单美国将于当地时间周一对中国半导体设备制造商北方华创、拓荆科技、新凯莱等136家公司进行出口管制。作为一揽子计划的一部分，新的出口限制还将包括限制向中国出口先进的高带宽内存芯片（HBM），并对24种半导体制造设备和3种软件工具的进行出口管制。【关联芯闻】—— 商务部、外交部加强对美反制措施，四大协会发声外交部：外交部发布《关于对美国军工企业及高级管理人员采取反制措施的决定》。商务部：禁止镓、锗、锑、超硬材料和石墨烯相关两用物项对美国军事用户或军事用途出口。四大协会：中国互联网协会、中国半导体行业协会、中国汽车工业协会、中国通信企业协会陆续发布声明，建议中国相关行业谨慎采购美国芯片。预计2024年国内IC设计销售额超6000亿元预计2024年国内芯片设计行业销售预计为6460.4亿元，相比2023年增长11.9%，重新回到两位数的高速发展轨道，占全球集成电路产品市场的比例与上年预计基本持平。从产业城市分布来看，上海、深圳、北京今年继续占据设计业规模前三位城市，其中上海市芯片设计产业规模达到1795亿元人民币，与深圳相比领先幅度进一步拉大，无锡的设计业规模达到678.2亿元，超过杭州排名第四。2024年进入销售过亿芯片设计企业的数量达到737家。【关联芯闻】——Apollo考虑对英特尔投资高达50亿美元全球半导体行业 2024 年第三季度收入达 1582 亿美元。从市占率来看前五名分别为，三星12.9%、SK海力士8.5%、高通5.5%、英特尔5%、美光4.9%。 NVIDIA被市监局调查因NVIDIA（NVIDIA）公司涉嫌违反《中华人民共和国反垄断法》及《市场监管总局关于附加限制性条件批准NVIDIA公司收购迈络思科技有限公司股权案反垄断审查决定的公告》，市场监管总局依法对NVIDIA公司开展立案调查。华虹二期投12英寸顺利投片近日，华虹无锡集成电路研发和制造基地（二期）12英寸生产线迎来建成投片。自2018年3月启动建设以来，该项目历经两次基建、两轮扩产，总投资额超百亿美元。总投资67亿美元（485.817亿元人民币）的华虹无锡二期项目聚焦车规级芯片制造，建设月产能8.3万片的12英寸特色工艺生产线。极越汽车破产极越爆出大幅裁员，研发部门首当其冲，将在此轮调整中完全裁撤。目前公司包括正职和外包员工在内共有5000余人，其中售后部门的300多名员工将缩减至仅80人，仅约四分之一员工能够留岗。尚阳通被湖南百货零售商收购湖南友谊阿波罗商业股份有限公司（即友阿股份）披露公告：拟通过发行股份及支付现金的方式购买深圳尚阳通科技股份有限公司100%股权，并募集配套资金。友阿股份是长沙及湖南规模最大的百货零售企业之一；而被收购方尚阳通则是一家半导体公司。 ……更多热门话题芯闻尽在直播间！ 12月30日11:00，点击此处相约芯查查直播第10期数说芯专场！

芯片

芯查查资讯 . 2024-12-27 3 7 3620
BL15102——适用于开漏和推挽应用的2路双向电平转换器

一、引言随着电子设备向着高性能、低功耗、智能化的方向发展，设计中往往会涉及到多种不同电压等级的功能模块。这些模块之间常常需要互相通信，而直接连接不同电压等级的设备可能会导致通信失败甚至损坏设备。为了确保这些设备之间能够正常通信，在设计时需要接入电平转换芯片，它能够将数字信号从一个电压域切换到另一个电压域，确保数据能够在不同电压等级的设备之间可靠传输。例如，如果系统中微控制器使用3.3V逻辑电平，但需要与一个使用5V逻辑电平的传感器进行通信，这时就需要使用电平转换芯片来确保它们之间的正常通信。二、产品概述 BL15102是一款适用于开漏和推挽应用的2路双向电平转换器，芯片采用两个独立的可配置电源轨，A端口和B端口分别跟踪VCCA电源和VCCB电源，A端口的电源电压范围为1.65V至5.5V，B端口的电源电压范围为2.3V至5.5V。BL15102可以提供不同电压节点（包括1.8V、2.5V、3.3V和5V）之间的双向电平转换功能。当芯片输出使能引脚OE为低电平时，所有IO端口为高阻态，从而显著降低了静态功耗。 BL15102无需方向控制信号，可以自动识别信号的传输方向。芯片集成边沿速率加速器（one-shot），以此来提升转换速率，开漏应用支持最高2Mbps数据速率，推挽应用支持最高24Mbps数据速率。BL15102内部集成两个10kΩ上拉电阻，开漏应用时不需要外部上拉电阻，可以减少外围电子元件数量。 BL15102采用节省空间的SOT23-8封装。三、主要优势特点双向转换，无需方向控制引脚：支持双向电平转换，可以自动识别信号的传输方向，无需方向控制信号。宽电压范围：可以支持多种不同的电源电压需求，A端口的电源电压范围为1.65V至 5.5V，B端口的电源电压范围为2.3V至5.5V。支持开漏和推挽应用：开漏应用支持最高2Mbps数据速率，推挽应用支持最高24Mbps数据速率。低功耗：在工作状态下，静态电流通常在1μA以下，非常适合功耗要求严苛的系统。宽工作温度范围：工作温度范围-40~+125℃，可以工作在严苛的温度环境。四、产品应用 BL15102主要用于I2C/SMBus、UART、GPIO等通信接口的电平转换，可以在不同电压等级的数字电路之间进行信号传输，确保信号的准确性和完整性。BL15102应用领域广泛，如家电、安防、4G/5G路由器、智能终端、显示设备、计算机等。图1是典型应用原理图，外围设计非常简单。图1 BL15102典型应用原理图五、订购信息

上海贝岭

上海贝岭 . 2024-12-27 3 1285
宽输入电压范围、小体积，思瑞浦推出采用ISO-Buck技术的同步降压转换器产品TPP38002

聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出同步降压转换器产品TPP38002，产品采用ISO-Buck技术，广泛应用于工业电源模块、储能、变频器和伺服等领域。 TPP38002静态功耗仅有70μA；支持4.5V~36V宽输入电压范围；在强制PWM工作模式下，TPP38002具有出色的纹波抑制能力；同时产品可提供TSOT23-6（3mm X 3.05mm）超小封装。 TPP38002产品优势高工作效率 TPP38002在12V输入条件下，输出5V非隔离和隔离电压时、非隔离侧效率超过85%，最高可达94%，隔离侧效率也超过70%。 TPP38002非隔离侧效率 VOUT1=5V, L1=18µH, 500kHz TPP38002隔离侧效率 VOUT2=5V, N1:N2=1:1, 500kHz 强纹波抑制能力 TPP38002的ISO-Buck方案在12V转5V&隔离5V、2A及0.2A的负载时，输出纹波控制在110mVpp内，保证了输出的稳定性。 CH4: VOUT1 Primary Side Output CH3: VOUT2 Secondary Side Output VIN=12V, I1=2A, I2=0.2A 高精度负载调整 TPP38002在ISO-Buck应用中，非隔离侧(Primary Side)和隔离侧(Secondary Side)输出电压全负载范围波动分别控制在±0.5%和0.9V以内，展现了出色的瞬态响应和负载适应能力。 Primary Side Load Regulation Secondary Side Load Regulation 低发热设计集成低导通阻抗的功率MOSFET和合理的反馈回路设计，基于TPP38002的12V转5V&隔离5V的ISO-Buck方案在轻载下最高温升仅为4℃。 TPP38002 ISO-Buck温升数据 TPP38002产品特性宽输入电压范围：4.5V～36V 支持2A的Buck拓扑应用支持最大3W的ISO-Buck转换器应用超低静态功耗：70μA静态工作电流集成2ms快速软启动集成内部环路补偿电路可调节输出电压（VFB=0.6V）集成过流、过压、过温保护功能宽工作温度范围：-40℃ 至 +125℃ 紧凑封装：TSOT23-6 （3mm X 3.05mm） TPP38002典型应用作为隔离式降压转换器，TPP38002集成了内部软启动、补偿和保护功能，不仅能够实现非隔离同步降压输出，还能通过耦合电感器或变压器生成一个或多个隔离式次级输出，实现低成本、高效率的降压调节，为客户提供灵活的设计选择。典型拓扑如下所示。 TPP38002 ISO-Buck拓扑

思瑞浦

思瑞浦3PEAK . 2024-12-27 3 5 2205
2025年HBM出货量将同比增长70%

市调机构TechInsights在报告中指出，存储器市场，包括DRAM和NAND，预计在2025年将实现显著增长，这主要得益于人工智能（AI）及相关技术的加速采用。 TechInsights称，随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而不是传统的DRAM产品。另外，TechInsights预测，受AI应用激增的推动，2025年内存市场的资本支出（capex）越来越多地流向DRAM，特别是HBM。随着制造商扩大产能以满足日益增长的需求，DRAM资本支出预计将同比增长近20%。然而，这一转变导致对NAND生产的投资极少，可能在市场上造成潜在的供应瓶颈。NAND领域的盈利能力持续改善，这可能会在 2026 年重新点燃该领域的投资热情。 DRAM市场寒流来袭，研调机构集邦科技（TrendForce）旗下DRAMeXchange最新报告指出，今年下半年以来8Gb DDR4标准型DRAM均价已崩跌35.7%，随着供过于求压力延续，今年底至明年初报价跌幅恐会超乎预期。随着报价跌势不止，业内人士认为，将不利南亚科（2408）、威刚（3260）、十铨（4967）、宇瞻（8271）以及创见（2451）等台湾DRAM相关业者后市。 DRAMeXchange调查发现，用于PC的标准型DRAM市况清淡，以8Gb（1Gbx8）DDR4颗粒为例，11月底均价滑落至1.35美元，比7月时的2.1美元崩跌35.7%。DDR5市况也不妙，11月16Gb DDR5均价为3.9美元，不仅较10月的4.05美元下跌3.7%，也比7月的4.65美元滑落16.1%。业界分析，标准型DRAM报价一路修正，主要与终端需求不振及供给过剩有关。南韩媒体BusinessKorea网站报导，市场对智慧手机、PC等产品的需求尚未复甦，反映大陆等主要国家的国内氛围依然疲软，这导致大型资讯科技业者下调DRAM库存。供给方面，大陆DRAM厂虽然尚未在用于AI领域的高频宽存储器（HBM）等先进产品领域追上南韩业者，但在DDR4等标准型DRAM市场却发动价格战抢市，传出长鑫存储等大陆存储器厂以大约1美元的价格销售8Gb DDR4 DRAM，约为市价五折贩售，导致价格一路崩跌。随着陆企价格战延续与需求持续低迷，南韩证券分析师悲观预期，DRAM价格在今年底和明年初预期跌幅会高于预期，“由于长鑫存储和其他公司以低价销售产品，因此直到明年第2季，DRAM供应成长率将超过需求成长率。”

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芯查查资讯 . 2024-12-27 1 8 1975
博通 CEO 陈福阳：正忙于 AI 半导体业务，目前无意收购英特尔

12 月 23 日消息，据英媒《金融时报》当地时间本月 20 日报道，科技巨头博通 Broadcom 首席执行官陈福阳（Hock Tan）在接受采访时提到，其正忙于 AI 半导体业务，目前无意收购英特尔。陈福阳表示，一方面其在 AI 半导体方面消耗了大量资源，这部分业务吸引了其很多关注；另一方面他并未收到参与收购英特尔的邀请，他目前只会在可行的情况下推动新的并购案。陈福阳以其大胆的收购操作而著称：正如博通的股票简称 AVGO 所示，如今的新博通由陈福阳领导的安华高于 2015 年以 370 亿美元并购老博通而来；而在 2023 年末，博通完成了 690 亿美元的 VMware 收购案。不过这位“并购狂人”也并非没有在收购交易上碰壁的时刻：博通 2017 年宣布计划收购高通，但因初始报价被拒绝，被高通拒绝后博通选择了敌意收购的路线，最终遭到特朗普政府的阻挠。陈福阳在采访中表示，这次经历告诉他不要再进行敌意收购操作。但陈福阳也宣称博通对潜在的软硬件领域收购仍持开放态度，“可以这样说，我们正处于考虑阶段”。在 AI 半导体方面，陈福阳表示大型科技公司正在算力芯片上“大额下注”，这些博通的现有或潜在客户正在匆忙制定 3~5 年的中期 AI 基础设施投资计划并全力执行，直到耗尽资金或是股东反对才会停下来。陈福阳称博通客户到 2027 年将构建包含百万颗芯片的 AI 算力集群，因为这些科技巨头看到了 AI 业务产生更多收入的巨大机会。对于通用人工智能，陈福阳认为没人知道 AGI 这一目标最终如何实现，但这种可能性极具诱惑，因此吸引了科技界的整体投入。此外，英特尔并非唯一被传出可能被收购的公司，AMD 也被认为有此潜力。在接受《时代》杂志采访时，AMD 首席执行官苏姿丰（Lisa Su）谈到竞争对手时，提到英特尔的首席执行官帕特・基辛格(Pat Gelsinger)近期辞职。苏姿丰在被问及继任者时，虽然没有透露具体人选，但对基辛格表示了敬意，并承认这一职位的挑战性。当被进一步询问拜登政府是否鼓励 AMD 与英特尔合并时，苏姿丰坚决否认

博通

芯查查资讯 . 2024-12-27 2 1 1210
揭秘射频 PCB 设计要求及激光焊锡的应用

在当今电子技术飞速发展的时代，射频 PCB 电路板的设计与焊接技术愈发关键。射频电路在通信、雷达等众多领域发挥着不可替代的作用，其性能直接影响整个系统的表现。然而，射频 PCB 电路板设计有其特殊要求，传统焊接方式也面临挑战。本文将深入探讨射频 PCB 电路板设计的特殊要点，并介绍激光焊锡在其中的应用。一、射频 PCB 电路板设计特殊要求（一）布局要点射频电路 PCB 的布局至关重要，直接影响整个系统的性能。对称布局能有效避免信号反射和多重返线带来的问题，对于大面积线路板，分层设计可将电气信号层和地层密切挂接，提高带宽。例如，在一些实际的射频项目中，采用对称布局后，信号传输的稳定性提升了约 20%。相同或对称布局对于多接收或多发射通道的设计尤为关键，可保证各通道信号传输特性一致，避免时延、失配等问题。十字形布局能避免电感器件之间的互感，实验数据表明，合理的十字形布局可使互感降低约 30%。45 度布局则能在空间有限的情况下，使射频线路尽可能短，提高布局的合理性和紧凑性。（二）布线要点射频信号走线的短直、少突变和少钻孔等要求是为了减少信号的反射和衰减。渐变线处理在射频线宽与 IC 器件管脚宽度差异较大时能保证信号的平稳过渡，圆弧线加工可减少外辐射和相互耦合，据测试，圆弧拐角的回波损耗比直角拐角降低约 15%。合理处理地线和电源能减少噪音和杂波，如提供足够的电源滤波电容和电感，可使关键信号路径中的噪音降低约 25%。交叉处理和共面阻抗能提高信号的抗干扰能力，降低对其他信号的干扰，确保信号的完整性。（三）空洞处理要点射频电路中的不同模块需要用空腔进行隔离，尤其是敏感电路和强辐射源之间。屏蔽腔的规则形状和圆弧拐角便于铸造和提高抗干扰性能。放置金属化孔固定屏蔽壳并开窗，能保证屏蔽壳的稳定性和焊接质量。在大功率多级放大器中，级间的隔离也非常重要，可防止信号互扰。通过合理的空洞处理，能有效提高射频电路的稳定性和抗干扰性，使系统性能得到显著提升。二、激光焊锡在射频 PCB 电路板中的应用（一）传统焊接的局限性传统的焊接技术在射频 PCB 电路板焊接过程中存在诸多问题。例如，在焊接过程中，元器件的引线与印刷电路板的焊盘会对融焊锡料扩散 Cu、Fe、Zn 等各种金属杂质。据统计，传统焊接方式下，金属杂质扩散的概率高达 30%。同时，熔融锡料在空气中高速流动容易产生氧化物，这些氧化物会影响焊接质量，降低焊点的导电性和稳定性。此外，传统回流焊时，电子元器件本身也被以很大的加热速度加热到锡焊温度，对元器件产生热冲击作用。一些薄型封装的元器件，特别是热敏感元器件存在被破坏的可能。而且，由于采用了整体加热方式，因 FPC 柔性线路板、PCB 板、电子元器件都要经历升温、保温、冷却的过程，而其热膨胀系数又不相同，冷热交替在组件内部易产生内应力。内应力的存在降低了焊点接头的疲劳强度，对电子组件的可靠性造成了破坏。（二）激光焊锡的优势激光焊锡以激光为发热源，实行局部非接触加热。这种加热方式能够减少金属杂质扩散和氧化物生成。激光光束直径小，能量密度大，热传递效率高，能够对焊点进行精细控制。例如，激光锡焊膏焊接过程分为两步：首先激光焊锡膏需要被加热，且焊点也被预热。之后焊接所用的激光锡膏被完全熔融，锡膏完全润湿焊盘，最终形成焊接。通过精确控制激光能量，激光焊锡可以减少热冲击和内应力，提高焊接质量和电子组件的可靠性。实验表明，采用激光焊锡后，焊点的疲劳强度提高了约 40%，电子组件的可靠性也得到了显著提升。（三）紫宸激光的专业经验紫宸激光作为激光焊锡工艺领军企业，拥有10年 + 的行业经验，专注于提供智能制造精密激光焊锡领域的最新技术和解决方案。紫宸激光能够为射频 PCB 电路板提供定制化焊接解决方案。其恒温精密激光锡焊机采用非接触性焊接，避免了对焊接区域的物理压力，降低了对敏感元件的损伤风险。同时，激光焊锡可以精确控制激光能量，实现对焊点的局部加热，避免了对敏感元件的热损伤，提高了焊接质量和生产效率。紫宸激光的锡焊技术保证了每次焊接的质量和一致性，产品一致性高。（四）自动激光焊锡机的高效性与灵活性自动激光焊锡机具有高效性和灵活性。它能够快速加热和熔化锡料，焊接时间短，效率高。据测试，自动激光焊锡机的焊接效率比传统焊接方式提高了约 50%。同时，焊点不会形成较厚的金属间化物层，质量可靠。自动激光焊锡机还可以与自动化系统集成，实现自动化焊接流程，减少人工干预，提高焊接一致性。此外，由于焊接过程中不需要使用额外的焊接材料或助焊剂，自动激光焊锡机大大减少了生产过程中的环境污染和废物产生，减少了污染和氧化。自动激光焊锡机能够适应多变的生产需求，为电子制造业带来革命性变革。

PCB电路板

https://www.vilaser.cn/article-item-530.html . 2024-12-27 8826
YXC无源晶振24mhz的作用

24MHz无源晶振具有多种重要作用，以下是一些常见的方面： · 系统时钟基准 1、同步各部分工作：在计算机、智能手机、平板电脑等电子设备中，24MHz 无源晶振为 CPU、GPU、内存等组件提供统一的时钟基准，确保它们按照精确的节奏协同工作，使数据的传输、处理和存储能够有条不紊地进行。 2、指令执行与数据处理：作为系统时钟源，它决定了 CPU 执行指令的速度和节奏。例如，在一个以 24MHz时钟运行的微控制器中，每一个时钟周期 CPU可以执行一条指令或完成一次数据处理操作，从而实现各种复杂的任务，如运行操作系统、处理用户输入等。 · 通信与数据传输 1、有线通信：在以太网、USB 等有线通信接口中，24MHz 无源晶振为数据传输提供时钟信号，确保数据在发送端和接收端能够准确同步，避免数据传输错误。 2、无线通信：在蓝牙、Wi-Fi 等无线通信模块中，24MHz无源晶振用于生成稳定的载波频率或时钟信号，使设备能够与其他设备进行高速、稳定的无线数据传输。 · 音频与视频处理 1、音频处理：在音频设备如 MP3 播放器、手机音频电路等中，24MHz无源晶振为音频编解码器、数字信号处理器等提供时钟信号，确保音频数据的采样、编码、解码等处理过程的准确性，从而实现高质量的音频播放和录制。 2、视频处理：对于视频监控摄像头、数码相机等设备，24MHz无源晶振为图像传感器、视频编码器等提供时钟信号，确保视频图像的采集、处理和传输的同步性和稳定性，使视频画面清晰流畅，色彩还原准确。 · 传感器与测量 1、传感器数据采集：在各种传感器如加速度计、陀螺仪、温度传感器等中，24MHz无源晶振为传感器的信号采集和处理电路提供时钟信号，确保传感器能够按照精确的时间间隔采集数据，并将数据准确地传输给微控制器或其他处理单元。 2、测量与控制：在电子测量仪器如示波器、频谱分析仪等中，24MHz无源晶振为测量电路提供时钟基准，确保测量结果的准确性和稳定性。 · 其他应用 1、汽车电子系统：在汽车的发动机控制单元、车身电子稳定系统、车载多媒体系统等中，24MHz无源晶振为各电子控制单元提供时钟信号，确保汽车电子系统的稳定运行和各部件之间的协调工作。 2、工业自动化设备：在 PLC、工业机器人、自动化生产线等工业自动化设备中，24MHz无源晶振为控制电路提供时钟信号，确保设备按照预设的程序和参数进行精确的动作控制和生产操作。扬兴无源晶振：

晶振,无源晶振,24MHZ无源晶振

扬兴科技 . 2024-12-27 8785
RK3588和RK3576有什么区别，嵌入式工程师怎么选？

在中国半导体产业的版图中，瑞芯微作为国内SoC芯片领跑者，凭借其在处理器芯片设计领域的深厚积累和持续创新，推出很多智能应用处理器芯片，在嵌入式系统领域得到大规模的应用。RK3588和RK3576系列作为都是瑞芯微(Rockchip)高性能处理器代表，性能如何？价格如何？作为硬件产品开发的我们，这两款产品到底有什么区别呢，米尔与你一起探索。 CPU性能强劲，应用场景丰富 CPU 性能：RK3588采用的四核Cortex - A76+四核Cortex - A55 ，而RK3576出于成本考量选用的四核Cortex - A72+四核Cortex - A53架构，并配备ARM Cortex M0的协处理器，给相关应用带来了更多可能性。 GPU性能：RK3576采用ARM Mali G52 MC3，RK3588配备ARM Mali - G610MC4，都支持OpenGL ES 1.1、2.0和3.2，Vulkan 1.2，支持的图形标准上两者类似，但在OpenCL版本上RK3588更高（2.2对比2.1）。 NPU性能：两者都配备了6Tops的算力，都支持int4/int8/int16/FP16/BF16/TF32等数据格式，适配多样化的AI应用场景。内存和存储 RK3576支持32位LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5，同时支持eMMC5.1，SDIO3.0和SFC以及UFS v2.0， RK3588支持64位 LPDDR4/LPDDR4x/LPDDR5，支持eMMC5.1；搭配HS400，SDIO3.0搭配HS200，以及支持NMe和SFC。两者在内存数据位宽上不一样（64bit对比32bit），数据传输上RK3588更有优势。超强的视频编解码能力编码能力RK3588最高支持8K@30fps H.264/H.265，RK3576最高支持4K@60fps H.264/H.265。解码能力RK3588支持最高8K@60fps H.265，RK3576最高支持8K@30fps。两者都具备很强的视频编解码能力，在8K的视频编解码能力上RK3588更胜一筹。支持多屏异显两者都支持多屏异显和各种常见的显示接口。RK3576最多支持3屏异显和最高可支持(4K@120 + 2.5K@60 + 2K@60)，具有HDMI v2.1/ eDP v1.3组合接口、MIPI DSI 4通道、DP v1.4和USB 3.0组合（Type - C）接口等多种接口。 RK3588最高可以支持7屏异显和支持8K，具有双HDMI2.1/eDP V1.4组合接口、双MIPI - DSI TX 4通道以及双DP v1.3嵌入USB 3.1且带有音频和HDCP2.x。摄像头视频输入对比 RK3576支持最高16MPixel ISP带有HDR和3DNR RK3588配备48M Pixel ISP带有HDR和3DNR，RK3588的像素ISP分辨率更高（48M对比16M）具备丰富的接口配置两者都配备了丰富的接口配置，PCIe/ SATA/ TYPE C/ USB3.0/ USB2.0/双网口/多路串口，满足不同的产品应用需求。总结：性价比极高的RK3576 综合性能来讲，RK3588的CPU性能更强，强AI需求建议使用RK3588；但RK3576作为瑞芯微最新推出的一款高性能SOC，它可以说极具性价比，以30%的价格获RK3588的70%的性能，可用于大部分AIOT、人工智能、工业应用等场景。RK3576作为瑞芯微的又一款良心大作，是您的不二之选。米尔基于RK3576的开发板和核心板以及工控盒子火热售卖中，不同的内存和存储配置，不同的产品形态，满足你不一样的需求。核心板498元起，开发板699元起，戳链接购买： https://detail.tmall.com/item.htm?id=846172160887 米尔RK3576核心板配置型号产品型号主芯片内存存储器工作温度 MYC-LR3576-32E4D-220-C RK3576 4GB LPDDR4X 32GB eMMC 0℃~+70℃ 商业级 MYC-LR3576-64E8D-220-C RK3576 8GB LPDDR4X 64GB eMMC 0℃~+70℃ 商业级表 MYC-LR3576核心板选型表米尔RK3576开发板配置型号产品型号对应核心板型号工作温度 MYD-LR3576-32E4D-220-C MYC-LR3576-32E4D-220-C 0℃~+70℃ 商业级 MYD-LR3576-64E8D-220-C MYC-LR3576-64E8D-220-C 0℃~+70℃ 商业级表 MYD-LR3576开发板选型表米尔RK3576边缘计算盒子配置型号产品型号对应核心板型号工作温度 MYD-LR3576-64E8D-220-C-B MYC-LR3576-64E8D-220-C 0℃~+70℃ 商业级表边缘计算盒子选型表附：RK3576的参数对比表格芯片型号 RK3588 RK3576 制程和封装制程 8nm 8nm 封装 FCCSPFCBGA1088L 23mm*23mm*1.9mm 0.65mm pitch FCCSP698L 16.1mm*17.2mm*1mm 0.55mm&0.60mm&0.65mm pitch 性能 CPU Quad-Core A55, up to 1.8GHz Quad-Core A76, up to 2.4GHz Quad-Core A53, up to 2.2GHz Quad-Core A72, up to 2.3GHz GPU Mali-G610 MC4 1GHz Mali-G52 MC3 950MHz NPU Up to 6TOPS Up to 6TOPS 内存和存储 DRAM four channels, each channel 16bits data widths ； up to 32G Byte, LPDDR4/4X-4266Mbps, LPDDR5-5500Mbps, Dual channels, each channel 16bits data widths ； up to 16G Byte, LPDDR4/4X-4266Mbps, LPDDR5-4800Mbps, FLASH eMMC5.1 HS400 mode eMMC5.1 HS400 mode；2 data lanes UFS， Up to High-Speed Gear 3 (HS-G3)， Compatible to UFS V2.0 视频编解码 Video Decode 8K@60fps H.265/AVS2/VP9； 4K@60fps AVI； 8K@30fps H.264； 1080P@60fps MPEG-1/2/VC1/VP8 8K@30fps/4K@120fps H.265/HEVC/AVS2/VP9/AVI； 4K@60fps H.264/AVC； 1080P@60fps MPEG-1/2/VC1/VP8 Video Encode 8K@30fps H.264/H.265 4K@60fps H.264/H.265 显示多屏异显七屏异显三屏异显 4096x2160@60Hz 2560x1600@60Hz 1920x1080@60Hz LCD Interface up to 7680*4320, MIPI,eDP1.3, DP Port1.4a, BT.1120 up to 4096*2160, MIPI,eDP1.3, DP Port1.4, RGB/BT.656/BT.1120 E-ink EPD 摄像头 Camera 48M：dual ISP, MIPI-CSI and DVP interface one 16M ISP, MIPI-CSI and DVP interface 接口 PCIe PCIe2.1 x 3 PCIe3.0 x 2 PCIe2.1 x 2, SATA Up to 6.0Gbps, SATA3.0 x 3。 Compatible with Serial ATA3.1 and AHCI Revision 1.3.1 Up to 6.0Gbps, SATA3.1 x 2。 Compatible with eSATA and AHCI Revision 1.3.1 HDMI OUT/IN HDMI2.1 TX & HDMI2.0 RX HDMI2.1 TX TYPE C Interface 2 Type-C PHY 1 Type-C PHY USB3.0 Up to 5Gbps, USB OTG3.0 x 2 USB HOST3.0 x 1 Up to 5Gbps, USB OTG3.0 x 1 USB HOST3.0 x 1 USB2.0 USB OTG2.0 x 2 USB Host2.0 x 2 USB Host2.0 x 2 MAC 10/100/1000M Ethernet Controller x 2 10/100/1000M Ethernet Controller x 2 UART UART x 10 UART x 12 I2C I2C x 9 I2C x 10 CAN N/A CAN FD x 2 RK3588、RK3576、RK3576核心板、RK3576开发板

RK3588

米尔 . 2024-12-27 2 9030
思特威全新推出智能交通应用9MP及6MP高性能CMOS图像传感器

2024年12月26日，中国上海 — 思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出高性能智能交通(ITS)应用全局快门图像传感器产品SC935HGS(9MP)及SC635HGS(6MP)。两款新品基于思特威先进的SmartGSTM-2 Plus技术打造，搭载Lightbox IR®近红外增强技术，支持多种HDR模式，兼具高动态范围、高帧率、低噪声、无畸变等多项性能优势。针对智能交通应用的实际场景，SC935HGS及SC635HGS进行了高温性能、帧率、快门效率等多个关键能力的全面优化，能够切实解决道路监测中的多类型痛点，充分满足各类复杂条件下智能交通系统快速、清晰、准确、稳定的图像捕捉需求。 SmartGSTM-2 Plus技术，无畸变快速抓拍在拍摄高速运动物体时，卷帘式快门(Rolling Shutter)图像传感器因逐行曝光的工作原理，极易产生运动拖尾和变形问题，造成信息采集失真。搭载思特威SmartGSTM-2 Plus技术的SC935HGS及SC635HGS作为背照式全局快门(Global Shutter)图像传感器，实现了拍摄中所有像素的同时曝光，能够有效地抑制运动形变与拖尾模糊等问题的产生。因此，在ITS高速车流拍摄场景中，SC935HGS与SC635HGS可以帮助摄像头实现清晰、准确、无运动畸变的快速抓拍，提升车辆信息采集准确性。高感度高动态范围，高质量图像捕捉图像采集质量直接影响智能交通系统判别效率与准确度。作为智能交通应用的迭代升级产品，SC935HGS和SC635HGS在感度、动态范围、噪声控制等多个关键性能上都有着显著的效果提升，将为ITS系统提供更高画质、更佳夜视效果的全新高清影像。高感度得益于思特威先进的SmartGSTM-2 Plus技术，SC935HGS与SC635HGS在520nm可见光波段下的峰值量子效率高达78%，较前代产品显著提升，能够充分保障低光照条件下的成像清晰度。此外，SC935HGS与SC635HGS创新搭载思特威专利Lightbox IR®近红外增强技术，近红外波段下感度优于行业同规格竞品，可适用于海外近红外补光智能交通系统设备，提升终端产品地域兼容性。高动态范围基于PixGain技术，SC935HGS与SC635HGS实现了无惧昼夜光线变化的全天候高清效果。在夜晚低照度环境下，可采用高转换增益（High Gain）降低读出噪声，让画面细节更清晰；在白天强光照环境下则采用低转换增益（Low Gain）防止画面过曝，使成像细腻明暗有致。同时，SC935HGS与SC635HGS支持Zone HDR与ColGain HDR®两种单帧HDR模式，能够有效提升动态范围，降低昼夜光线变化对ITS摄像头带来的成像影响，减少局部过曝或暗处细节丢失等情况的出现。低噪声 SC935HGS与SC635HGS采用了先进的Stack MIM电容工艺与创新Denoise算法，从电路工艺与算法层面显著降低了图像噪声。SC935HGS与SC635HGS的读取噪声较前代产品降低约57%，固定噪声降低约42%。出色的低噪效果能够保障ITS摄像头夜间成像画面的细节质感与清晰度，提升夜间信息采集准确性。多项性能优化，打造稳定可靠ITS视觉系统在ITS道路监测摄像头的实际应用中，需面对室外高温天气与高速车辆拍摄等多重难点挑战。针对于此，SC935HGS与SC635HGS进行了高温性能、帧率、快门效率等关键痛点性能优化，能够显著提高影像捕捉稳定性，打造准确可靠的ITS视觉系统。高温性能优化高温天气下，应用于道路监测等场景的ITS室外摄像头需要接受全天候日晒考验。SC935HGS与SC635HGS通过先进的SmartGSTM-2 Plus技术与制造工艺，显著优化了高温成像性能。以SC935HGS为例，在80℃高温条件下Shading对比前代降低约83%，能够有效解决高温情况下摄像头成像边缘发紫的问题。更高帧率针对ITS高速车辆拍摄的应用场景特征，SC935HGS与SC635HGS进行了帧率优化，可支持最高65fps超高帧率，保障了高速车流视频拍摄的流畅性，同时能够为客户提供更多帧率冗余，提升实际应用的灵活性。快门效率优化为应对白色车辆及车牌等高亮高速运动物体的移动残影问题，SC935HGS与SC635HGS进行了快门效率的优化，较前代产品实现了超9倍提升。超高的快门效率（PLS>98000），让SC935HGS与SC635HGS能够有效解决高亮高速运动车辆拍摄不清晰的问题，为ITS摄像头提供准确、清晰的高质量图像。更佳视野，车道监测无死角 SC935HGS采用了3840Hx2336V的分辨率比例，其纵向分辨率较市场同类型竞品更高，能够在纵向上为ITS摄像头提供更佳视野，减少拍摄车身高度较高的大型车辆时纵向拍摄盲区的产生，让ITS车道监测视野更清晰、完整、无死角。SC635HGS则采用了2880Hx2160V的分辨率比例，可灵活应用于双车道等小型路段的ITS监测，满足不同应用需求。目前SC935HGS与SC635HGS已接受送样，预计将于2025年Q2实现量产。想了解更多有关SC935HGS与SC635HGS相关信息，请与思特威销售人员联系。

CMOS图像传感器

思特威 . 2024-12-26 2 1 2090
国产品牌康盈半导体自研存储产品获国际认可，斩获两大国际奖项

据悉，近日由国际奖项协会（IAA）主办的美国好设计奖和美国MUSE设计奖公布了2024年度获奖名单，KOWIN康盈半导体旗下子品牌DIGIERA产品——随存之芯小金刚便携式磁吸移动固态硬盘凭借新颖的设计、独特的功能、极速的性能备受关注及收获了业内的高度认可，斩获美国好设计奖铂金奖项和美国MUSE设计奖金奖。这款硬盘完美融合了前沿科技与现代美学，为用户带来了全新的使用体验，成为设计与功能并重的典范。深受海内外消费者喜爱：便携式磁吸移动固态硬盘此次获奖的随存之芯小金刚磁吸PSSD，目前已成为深受海内外消费者喜爱的爆品之一，为追求数据自由与便捷存储的用户而设计。这款产品集成了磁性吸附与随拍随存的前沿功能，让数据存储变得前所未有的轻松与高效。无论是台式机、笔记本电脑、手机、相机还是PS5等设备的精彩内容，只需一键操作，即可快速备份至磁吸PSSD，让您随时随地拥抱数据自由。磁吸PSSD的关键技术创新点令人瞩目。首先，其独特的“一贴即合”磁性吸附功能，确保了存储设备与设备之间的稳固连接，即使在移动中也不易掉落，成为出行时的得力助手。其次，该硬盘支持Pro Res功能，能够直接连接iPhone 15 Pro及以上版本的手机，实现外录4K 120FPS视频，并即时存储，让创意工作者在拍摄与创作过程中如虎添翼，灵感不断。无论是追求高效存储的专业人士，还是热爱记录生活的普通用户，都被其出色的性能与便捷的使用体验所吸引。便携式磁吸移动固态硬盘，正以其独特的魅力，引领着数据存储的新潮流！康盈半导体表示：创新结合用户需求，提升存储体验，优化质量与服务，是增强市场竞争力的重要方式。C端存储产品——DIGIERA便携式磁吸移动固态硬盘正是通过深入洞察消费者需求，自主研发设计并发布的产品。同时，将持续推动创新，不断对DIGIERA便携式磁吸移动固态硬盘进行升级优化，确保始终满足消费者不断变化的需求。聚焦创新，驱动发展新动能康盈半导体凭借卓越的产品设计和创新实力，成功摘得美国好设计奖和美国Muse设计奖双奖。这两项殊荣不仅是对康盈半导体在全球工业设计领域实力的权威认可，也展示了中国品牌在国际舞台上的崛起与竞争力。康盈半导体自成立以来坚持技术引领与创新驱动，持续加大研发投入，探索先进技术与工艺，推动半导体存储产品的迭代升级。这一奖项的获得，是对其在半导体存储领域深厚积淀和创新能力的充分认可！

固态硬盘

康盈半导体 . 2024-12-26 2 1175
探索工业应用中边缘连接的未来

我们的世界正变得更加智能且紧密相连，楼宇和工厂正以前所未有的方式实现自动化。为了确保这些新系统有效运行，可靠的信息通信至关重要——这不仅体现在工业控制面板内部，也包括遍布整个场所的各种设备之间的通信。直到最近，工业网络还很复杂，可能需要使用各种协议和网关。这可能既昂贵又不可靠，难以确保应有的互联互通能力。然而，随着10BASE-T1S以太网的出现，一场变革正在发生。这一创新标准取代了传统的现场总线技术，为现代网络环境提供了多种优势，并消除了对网关的需求。支持新标准的一系列设备，如安森美的工业 10BASE- T1S 以太网控制器，为连接双绞线 (TP) 提供了可靠有效的单芯片解决方案。工业应用中的可靠连接虽然工业机柜内的距离相对较短，但要在工业应用中提供可靠的连接却极具挑战性，特别是由于存在大量的电气噪声。大型配电盘、电机和许多其他大电流/高电压设备都会产生一定程度的电磁干扰，从而破坏网络通信。在办公应用中，由于中断造成的数据传输缓慢会令人沮丧或不便。然而，在工业应用中，数据的及时传输至关重要，尤其是来自控制机器运行的远程传感器数据。如果数据延迟或不正确，可能会违反流程参数，更有甚者会损坏生产设备。出于同样的原因，及时传输数据变得尤为重要。这就不适用于那些基于随机超时来协商总线访问权限的协议。 10BASE-T1S 如何应对最新的工业连接挑战网络基础设施常被形容为一个 "堆栈"，最底层是物理实现（布线/媒体），其上是日益复杂的软件。在工厂 4.0 应用中，人工智能 (AI)、机器学习 (ML)、规划、执行、自动化、跟踪、库存控制、监督控制等位于顶层。最底层（物理层）是工厂车间，包括机器人、执行器、运动传感器和阀门在内的边缘节点在这里执行实体制造工作，通常覆盖多条装配线。图 1 - 10BASE-T1S 消除了对非以太网协议和相关网关的需求堆栈顶层的通信通常是通过多千兆位以太网局域网进行的。然而，工厂车间的通信往往是由多点网络现场总线协议（包括 HART、RS-485、Mod-bus、DeviceNet、Profi-Bus 和 CAN）组成的零散网络，通过一对双绞线（可能是屏蔽线或非屏蔽线）以兆位或更低的速率运行。为了使其成为一个统一的网络来工作，需要在以太网部分和其他协议之间安装网关，这会导致通信碎片化，增加了成本和复杂性。一种新型以太网将显著增强智能楼宇和工厂应用中的边缘连接。 2019年IEEE 802.3cg规范的批准带来了10BASE-T1S。该标准基于标准以太网，但有几点重要差异，提供了10Mb/s的吞吐量、具有确定性冲突处理机制的多点操作。该标准能在非屏蔽单对双绞线（SPE）上运行，从而极大简化了安装过程并降低了成本。确定性操作对于实时系统至关重要，因为实时系统必须在已知时间内传输信息。传统以太网使用的 CSMA/CD （载波监听多路访问/冲突检测），采用随机时间周期，因此无法保证通信时间的确定性。 10BASE-T1S 使用一种称为 PLCA（物理层冲突避免）的新系统，可避免总线上的数据冲突。在 PLCA 下，由节点0（协调器）发送2.0µs信标同步网络中的各个节点。然后，节点0获得传输机会。如果没有传输数据，则在默认标准 3.2 微秒内将机会传递给节点 1。如此循环往复，每个节点依次获得一次发送机会。循环结束后，协调器发出信标信号，新的循环开始。如果某个节点试图传输的数据超过允许的帧大小，那么 "jabber "功能就会中断传输并将传输机会传递给下一个节点，从而确保总线不会被阻塞。通过使用PLCA，最坏情况下的媒体访问延迟可以通过当前节点数量与最大网络帧大小的乘积来计算，这是可以调整的。许多工业应用都处于恶劣的电磁环境中，开关设备、电机和其他大型设备会产生辐射和传导噪声。尽管使用的是非屏蔽双绞线，但与现有的以太网协议相比，10BASE-T1S提供了出色的电磁兼容性（EMC）性能。这部分归功于 PLCA 的应用。由于总线已知是无冲突的，当环境中存在高水平噪声时，物理层接收器能够使用复杂的算法来检测或恢复信号。安森美的以太网控制器：增强连接性随着 10BASE-T1S 协议的推出，新器件针对 10BASE-T1S 进行了优化，使设计人员能够充分利用新特性。例如，安森美的 NCN26010 是一款符合 IEEE 802.3cg 标准的以太网收发器，它集成了媒体访问控制器 (MAC)、PLCA 调和子层 (PLCA-RS) 和适用于工业多点以太网的 10BASE-T1S 物理层。该器件内置了通过单根非屏蔽双绞线收发数据所需的所有物理层功能。图2——NCN26010基本框图，标示了外部元器件尽管集成了MAC、PLCA和PHY（包括TX+RX），该器件却可封装在一个小巧的4mm x 4mm QFN32封装内，并且仅需单一的3.3V电源供电。其时序是由外部25MHz晶体振荡器或外部25MHz时钟源驱动。与主机的通信则通过Open Alliance定义的OA SPI接口进行。此外，NCN26010 还具有增强抗噪（ENI）功能，可将抗噪能力提高到高于 10BASE-T1S 规范要求的水平。这大大提高了嘈杂工业环境中的网络性能。安森美于 2024 年 4 月发布了专为工业以太网设计的 NCN26000 10BASE-T1S 以太网收发器 (PHY)。它与早期的 NCN26010 有很多相同之处，包括符合 IEEE802.3cg 标准，可通过 SPE 实现多点、半双工 10 Mb/s 数据传输速率。图 3 - NCN26000 详细内部框图这两款器件的主要区别在于，NCN26000 在一个 5mm x 5mm QFN 封装中仅包含 PLCA-RS 和 PHY（TX + RX）。NCN26000 还需要 3.3 V 电源和 25MHz 外部时钟。 NCN26000具有符合IEEE802.3标准的媒体独立接口（MII），能够连接至任何具有CRS和COL引脚的CSMA/CD半双工功能的MAC，MII 还可用于配置和监测器件（称为 MDIO）。这两款器件都集成了安森美的 ENI 功能，可显著提高 10BASE-T1S 多点应用在电噪声环境中的性能。在实验室进行测试时，这两款器件轻松超过了 25 米内 8 个节点的最低要求。事实上，进一步的测试表明，ENI 可在 25 米处支持约 40 个节点，在 50 米处支持 16 个节点，在 60 米处支持 6 个节点，轻松超过了 IEEE 规范的要求。应用和部署场景 10BASE-T1S 不仅具有确定性工作的特点，其基于非屏蔽单对以太网（SPE）线缆，部署成本相对较低。10BASE-T1S 的更低成本和更简单的集成有助于为以前受预算或封装限制的应用带来广泛的可能性。其中一个例子是，在复杂的工业自动化中，通过将以前独立的传感器节点进行升级，连接到集中的网络系统。以前可用的连接方法可能过于昂贵或难以集成，而 10BASE-T1S 则克服了这些障碍。在新的机器人或自动化解决方案的设计过程中，也会遇到类似的成本和封装挑战，10BASE-T1S 可以再次帮助实现更高的互连性，而不会影响性能或增加预算。随着楼宇自动化领域的不断发展，10BASE-T1S 可用于控制面板、人机界面 (HMI)、传感器、执行器和照明等应用，为整个楼宇提供高速可靠的主干网。在工业应用中，性能和成本很重要，而抗噪声能力则尤为重要。在这里，10BASE-T1S 可用于连接从控制柜到可编程逻辑控制器 (PLC)、传感器、接触器和其他任何适当配备 10BASE-T1S 接口的器件。结论直到最近，由于边缘设备常用的各种协议相互之间不兼容，自动化工厂的网络需要在边缘设备和主以太网网络之间安装许多网关。通常情况下，这些现场总线协议包括 HART、RS-485、Mod-bus、DeviceNet、Profi-Bus 和 CAN，每种协议都需要各自的网关。这就增加了成本和复杂性，尤其是每个网关都需要软件更新和维护。随着 10BASE-T1S 的出现，工业网络得以简化，同时性能也得到了提高。不再需要网关的存在，边缘连接也从低于 1Mb/s 的现场总线协议转变为10Mb/s 的确定性以太网。安森美拥有一系列适用于新协议的产品，其中包括两款符合 IEEE 802.3cg 标准的控制器。凭借其独特的 ENI 功能，它们能够成功地部署在噪音最大的环境中，甚至可以在 25 米的线路上连接多达 40 个节点，是标准要求的四倍。

以太网控制器

安森美 . 2024-12-26 2 810
平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进

随着电动汽车动力总成和能源基础设施对碳化硅（SiC）功率器件需求的增加，加速了市场的增长。在这一过程中，终端用户需求不断提高以及日益增大的盈利压力促使各企业在其电力电子应用中考虑采用SiC沟槽技术（Trench）MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiC MOSFET技术的进步，这些技术很可能会带来好处，同时避免其固有风险。在电力电子应用中，平面技术（Planar）和沟槽技术（Trench）的关键差异在电力电子应用中，功率密度固然重要，但可靠性也同样至关重要，甚至在某些应用中可能更为关键。尽管工程师通常专注于性能局限性问题，但可能导致计划外停机或维修的实际故障则较难接受，因为它们可能会对业务产生不可预见的重大影响。因此，沟槽技术的潜力需要进行更全面的评估。虽然沟槽技术有望成为电力电子工程工具箱的标准配置，事实上也已经被采纳使用，但采用这种技术的人对其提供可靠性能的能力还抱有相当多的"大胆一试"的想法。在半导体生产的典型研发过程中，实现工艺的全面优化需要相当长的时间。故障可能来自意想不到的原因，而且可能要等到大量器件在现场部署数月乃至数年后才会显现出来。沟槽技术正在开辟新的道路，而基于相对有限的现场经验，供应商对可靠性的预测往往无法得到充分的验证。相比之下，众多供应商在平面技术方面积累了数十年的行业经验，为其性能和耐用性提供了有据可查的广泛依据。换句话说，在当前发展阶段，沟槽技术相较于其他方案仍然具有更大的风险。图1.M3e性能延长了碳化硅平面MOSFET的寿命沟槽技术供应商正在努力寻找既能提高管芯（unit cell）密度，又能保持高可靠性的设计。沟槽技术的基本问题之一（如上图左侧所示）是沟槽底部的强氧化物电场。当MOSFET阻断高压时，该电场会从相邻的强电场SiC放大。此外，沟槽底部拐角处的氧化物变薄和场拥挤效应也加剧了这一现象。这不是一个孤立的问题，而是业界一直面临的挑战。一个解决方案的例子如中间图片所示，该图例展示了A公司的第三代沟槽技术。A公司通过在栅极沟槽两侧增加源极沟槽，并将保护性的p层下沉至SiC n-drift层内，从而解决了氧化物的难题。这些额外的源极沟槽使得管芯间距增大，实质上牺牲了沟槽的优势，因此在给定面积下，其原始性能相较于最佳的平面MOSFET而言略逊一筹。沟槽电流利用率是评估SiC沟槽MOSFET性能的重要因素。 B公司的M1产品和A公司的第四代技术将沟槽利用率提高到50%，这代表了商业应用的SiC沟槽技术的最新水平，并逐渐接近最好的平面SiC MOSFET的性能。为了使SiC沟槽MOSFET性能超越平面结构，沟槽电流利用率必须达到100%。当前平面技术（Planar）的优势安森美（onsemi）如何打破维度势垒，将成熟的平面技术提升到一个新的水平？安森美在将沟槽技术作为自己 "路线图"上的一条重要技术路线的同时，还采取了两条并行的策略来实现这一目标。一方面，安森美致力于攻克沟槽技术面临的各项技术难题；另一方面，通过在非常成熟的平面技术基础上进行深化研发，不断提升性能，以实现与沟槽技术相当的性能。平面器件建立在安森美公司和整个行业数十年的全球制造经验基础之上。这意味着平面器件比其他替代方案具有更高的性能、稳定性和可靠性。整个平面供应链经过不断优化，以实现最佳效果。沟槽技术很可能最终达到这一水平，但目前相对较新，在实际应用中的长期部署案例还很有限。图2. 1200 V EliteSiC M3e用于主驱逆变器中实现行业领先的低损耗另一个需要考虑的因素是从硅衬底到SiC的过渡。大多数客户都是第一次使用SiC，可能没有意识到这种材料的可靠性风险更大。在硅衬底平面MOSFET中，氧化物与硅结合在一起，这种界面已经过广泛的研究和设计。在平面SiC中，顶部硅层发生氧化的情况与硅衬底有一定程度的相似性。而对于沟槽SiC，碳在氧化过程中起着不可忽视的作用--这是一种不同的、更具挑战性的情况，可能会导致界面形成物理上的锯齿状区域，从而可能导致电气问题。对于许多供应商来说，这仍然是一个有待时间、丰富的现场经验和工程验证才能明确解决的问题。正在采用平面技术制造，计划向沟槽技术过渡除了对沟槽技术可靠性的关注之外，对于安森美来说，无论是从系统级的每安培成本还是每千瓦成本的角度来看，平面器件都具有成本优势。安森美EliteSiC MOSFET 在沟槽技术上的路线图始于M1/M2平面技术、方形/六边形管芯器件。随后推出的M3T和M3S平面技术、条纹管芯、薄晶圆技术显著降低了管芯尺寸。不久前，安森美推出了1200 V M3e，采用了业界领先的薄晶圆平面技术，进一步适度减小了管芯体积。图3：安森美1200V M3e MOSFET 第三代M3e标志着平面技术的终极发展，其管芯间距与M1相比减少了超过60%。它建立在平面结构基础上，这种结构经过几十年的发展，已具有高度的可制造性和更长的使用寿命。SiC平面MOSFET在现场已累计使用数万亿小时，具有极低的故障率。针对SiC材料的弱点，通过100%缺陷筛选和加速电气测试进行了有效应对。特别是在栅极氧化层方面给予了特别关注，因为它们在导通状态和关断状态下都会承受高电场应力。图4. M3e提供更高功率及经过验证的高品质除了初始性能外，安森美M3e还通过足够高的阈值电压和极低的临界导通电阻（CRSS）实现了栅极电路的简化设计，可避免在VGS,OFF=0V时的直通现象。这一特性使得M3e对寄生导通具有更强的抗干扰能力。用户因此能够受益于在栅极驱动电路中使用单电压轨（single voltage rail）这一可行方案。安森美下一代M4S和M4T产品将采用先进的沟槽设计、薄晶圆技术，并进一步将管芯体积减小25%，从而提供业界领先的沟槽技术。最重要的是，第四代MOSFET将采用100%沟槽利用率设计，以提供真正有别于传统平面器件的性能。结论现实情况表明，电力电子应用领域仍在充分利用现有的最佳技术方案：平面技术。在沟槽技术不断进步并趋于成熟的同时，安森美正在对平面技术进行完善，并为沟槽技术规划了发展蓝图，旨在引导其在未来实现成功部署与应用（图5）。图5.安森美SiC路线图

安森美

安森美 . 2024-12-26 1465
美国对中国成熟工艺芯片展开301调查

12 月 23 日美国贸易代表办公室（USTR）宣布，根据《1974年贸易法》第301条，针对中国在半导体行业的行为、政策和做法展开调查（简称“301调查”）。此次调查主要聚焦于成熟制程的半导体产品，即28纳米及以上的非最先进工艺芯片，并触及国防、汽车、医疗设备、航空航天、电信、发电和电网等关键行业的下游产品。此次调查最直接的影响便是可能会导致对来自中国的芯片征收更多美国关税。此外，调查还将涉及中国产专门用于半导体生产的碳化硅衬底和碳化晶圆（silicon Carbide Substrates and Wafers）。拜登政府声称，中国通过非市场化政策、工业规划以及广泛的国家支持，试图在全球半导体产业中占据主导地位。美方认为，这种所谓的“不公平竞争”行为削弱了美国供应链的安全性，并对美国经济构成潜在威胁。在此背景下，美国贸易代表办公室（USTR）宣布启动基于《1974年贸易法》第301条的调查，重点审视中国在成熟制程半导体领域的相关行为及其对美国经济的所谓“影响”。据悉，对中国成熟芯片的 “301 条款” 调查于当选总统唐纳德・特朗普 1 月 20 日就职前四周正式启动，而这一调查进程将会持续到 2025 年 1 月，并将移交给特朗普政府来完成后续工作。这一时间安排背后或许蕴含着复杂的政治考量和战略意图，其可能会对未来几年中美之间的贸易关系和半导体产业格局产生深远的影响。

美国禁令

芯查查资讯 . 2024-12-26 1500
现代汽车5nm芯片团队解散

韩媒 ETNews 于 12 月 20 日发布博文，报道称现代汽车（Hyundai）解散了负责研发车载芯片的“半导体战略室”，并将该部门职能和人员并入其他相关部门。 “半导体战略室”成立于 2022 年，曾雄心勃勃地制定了各种车载芯片计划，其中最值得关注的是，计划在 2029 年量产自研的无人驾驶汽车芯片。消息称“半导体战略室”解散后，职能和人员分别并入先进汽车平台（AVP）本部和采购部门。AVP 本部由宋昌铉社长领导，负责软件研发；原半导体战略室室长，来自三星电子的 Jae-Seok Chae 常务，已离职。该媒体解读认为，现代汽车将深度融合半导体战略和软件定义汽车（SDV）战略，内部人士称，这是为了“集中力量，增强协同效应”。目前，自动驾驶芯片市场主要由 Mobileye、特斯拉、英伟达和高通等少数几家公司主导，现代汽车高度依赖 Mobileye 的 ADAS 芯片。 “半导体战略室”解散后，现代汽车可能会重新评估自动驾驶芯片等内部开发项目，代工合作伙伴的选择也增添了不确定性。此前，现代汽车在三星电子和台积电之间犹豫不决，三星电子报价较低，但台积电在良率和性能方面更具优势。

现代汽车

芯查查资讯 . 2024-12-26 700