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TO-252封装:智能插座分立器件选型指南

随着智能家居的普及，智能插座作为电力控制与数据传输的关键节点，其核心器件的高效性和可靠性至关重要。TO-252封装以其散热性能优异、体积紧凑、安装便捷等特点，成为智能插座分立器件的主流选择。合科泰半导体深耕分立器件领域30余年，其TO-252封装产品凭借高耐压、低损耗、快速响应等特性，为智能插座提供全场景解决方案。图片来源于网络，侵权请联系删除 “电力小管家”智能插座智能插座的结构主要由外壳和内部功能模块组成，外壳通常采用阻燃、耐高温的环保材料，确保使用安全；内部包含电源模块、控制模块、传感器模块及通信模块，并集成过载保护、短路保护等多重安全电路，可在异常时自动断电。智能插座的工作原理就像一个“电力小管家”。它通过内置的无线通信模块（如Wi-Fi或蓝牙）与手机“对话”，接收指令后由主控芯片（相当于“指挥官”）指挥继电器（类似“电路开关门卫”）控制电流通断。同时，内部的电压和电流传感器（像“电力侦察兵”）实时监测用电情况，一旦发现超负荷（比如电器总功率过大），便会触发过载保护机制，自动断电避免危险，仿佛一个“安全卫士”在守护电路；整电能计量模块则负责精确统计用电数据，实现能耗管理。图片来源于网络，侵权请联系删除电源模块和继电器控制模块需依赖高性能分立器件，插座各模块需通过分立器件实现高效能、低损耗的电路设计。智能插座中的分立器件作用如下： MOS管：负责快速切换电流通断（类似“智能开关”），确保低损耗和高响应速度；整流二极管：将交流电转为直流电（如“电流矫正器”），为控制模块供电； TVS二极管：则像“电压安全阀”，可吸收ESD静电、雷击浪涌等瞬态过电压，保护后级电路，防止高压损坏电路；保险丝/热敏电阻：作为“故障守门员”，在过载或高温时切断电源。合科泰TO-252封装器件推荐基于上述功能需求，合科泰推荐以下TO-252封装明星产品： HKTD50N03（30V/50A）：超低导通电阻（RDS(on)≤8.5mΩ），适配高频开关场景； HKTD5N50（500V/5A）：耐高压设计，满足工业级电源防护需求； HKTD4N65（650V/4A）：宽温度范围（-55℃~150℃），保障高温环境稳定性。选择合科泰的理由合科泰半导体凭借高30余年的技术积累，持续为智能家居、工业控制等领域提供优质解决方案。选择合科泰，即选择可靠性能与卓越服务的双重保障。我们的优势如下：产能保障：TO-252封装全自动化产线，年交付能力超20亿只；极速响应：48小时内提供样品，7天完成小批量定制；技术服务：资深FAE团队支持电路设计优化与失效分析。

厂商投稿 . 2025-03-10 3945
江波龙即将亮相2025德国嵌入式展，重磅发布高可靠存储新品

2025年3月11日至13日，全球嵌入式技术领域的盛会——德国嵌入式展（Embedded World）将在纽伦堡举行。该展会始终以汇聚顶尖创新技术而备受瞩目，往届吸引了全球头部企业集中展示人工智能、工业及汽车电子领域的前沿成果，是行业技术迭代与趋势研判的核心舞台。当前，随着汽车产业加速向电动化、智能化转型，以及工业领域对高可靠存储需求的爆发式增长，嵌入式存储技术已成为驱动行业升级的关键引擎。作为全球领先的半导体存储企业，江波龙将以“高可靠存储，赋能工业世界”为主题，携全新工规级与车规级存储产品亮相本届展会，展示其在工业自动化、智能汽车ADAS高级辅助驾驶等前沿应用领域的存储创新成果与全栈定制化服务能力，助力全球工业与汽车产业在变革中保持领先。高可靠存储新品发布，实力护航产业升级江波龙将在此次展会上面向工业市场，推出新一代工规级存储产品，包括工规级DDR5 DIMM、工规级大容量SATA SSD、工规级PCIe Gen4 SSD等，全面支持宽温环境，能够在极端温度范围内稳定运行，充分满足工业自动化、智能制造、智能网卡领域对存储性能和可靠性的高要求。江波龙首款工规级DDR5 DIMM 支持ECC纠错功能，具备多种容量选择，显著提升数据传输效率。产品已通过多项可靠性测试，能够在复杂工业环境下稳定运行，为工业应用提供灵活的配置方案。工规级PCIe Gen4 SSD 具备高速读写性能和强大的纠错能力，能够满足高负荷工业应用的需求，并配备抗硫化和防浪涌设计，确保在复杂环境中稳定运行，为工业智能化提供高效支持。工规级SATA SSD 新增4TB容量选项，以支持更大数据存储需求的工业设备设计，支持长时间、不间断运行，同时产品具备抗硫化和温控特性，适应极端环境，为工业设备提供安全可靠的数据存储解决方案。在汽车存储领域，江波龙持续引领技术创新与市场突破，已经形成了全品类的汽车存储产品矩阵，涵盖嵌入式存储、SD/microSD卡、SSD、DIMM、车载U盘等。本次展会，江波龙将重点展示车规级LPDDR4x、车规级UFS、车规级eMMC和车规级SPI NAND Flash等产品，打造Flash+DRAM的双轮组合。这些产品不仅符合AEC-Q100 Grade2/Grade3车规级可靠性测试标准，还成功进入多个整车厂供应商体系，得到了汽车行业的广泛认可。值得一提的是，去年11月，公司车规级LPDDR4x产品在德国慕尼黑电子展上首次亮相并荣获了Embedded Computing Design在展会期间颁发的“Best-in-Show”最佳展览奖，成为全场唯一获此殊荣的车规级DRAM产品。本次展会，江波龙还将推出新一代车载监控SSD，支持24路1080p高清视频存储，主要应用于大巴、工程车、装备车等商用车辆上，满足车载场景下严苛应用环境对高性能存储的需求，持续赋能全球汽车产业的智能化未来。 PTM全栈定制化服务，满足行业个性化需求在PTM商业模式的驱动下，江波龙提供全栈定制化服务，可依客户需求定制外形、功能及可靠性。其在工业/汽车存储产品定制领域优势显著，已携手超20个汽车品牌，业务覆盖100多种车型和工业设备，成功推进数十个定制项目，出货量高达数千万颗，不良率低至5PPM以下，品质卓越。从去年11月的德国慕尼黑电子展，到今年1月的美国CES展，以及日前在西班牙巴塞罗那的MWC25，近年来江波龙在海外各大展会中持续亮相，不断推出多款创新存储新品，吸引了全球行业目光与广泛关注。展望即将到来的2025德国纽伦堡嵌入式展，我们期待在展会上与全球合作伙伴共同探讨半导体存储技术的未来，共同推动工业与汽车产业的升级变革。

江波龙

芯查查资讯 . 2025-03-07 5 4 1305
收购 | 安森美拟以每股35.10美元现金，总价69亿美元收购Allegro

2025年3月7日消息，安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）于美国时间3月5日披露了向Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称"Allegro") （美国纳斯达克股票代号：ALGM）董事会提交的收购提案的详情，以每股35.10美元的现金收购Allegro的所有已发行普通股，按完全稀释后的股本计算，对应的隐含企业价值为69亿美元。在过去六个月中，安森美多次尝试就潜在交易展开建设性讨论。最新的提案于2025年2月12日提交给Allegro，相比2024年9月2日提交的最初每股34.50美元的提案有所增加。 “我们相信，Allegro加入安森美将使双方高度互补的业务融合，让我们各自的客户受益，并为Allegro的股东带来即时价值。”安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示，“Allegro团队在汽车和工业终端市场的磁传感和功率IC领域建立了令人瞩目的领导地位。Allegro独特的产品组合与安森美差异化的智能电源和感知技术相结合，将共同打造汽车、工业及AI数据中心应用领域的多元化领导者。” El-Khoury 补充道：“虽然我们更希望与 Allegro 私下达成协议，但我们决定公开提案，因为我们相信两家公司的结合将为双方带来诸多优势，这符合 Allegro 和安森美股东的最佳利益。我们敦促 Allegro 董事会和管理团队与安森美管理团队就拟议的交易进行诚挚的讨论，以便为 Allegro 股东带来最大化的价值。” 鉴于双方在汽车和工业市场各自的优势，安森美与Allegro的合并将在战略上形成天然的契合： • 令人信服的战略合理性，为客户和员工带来益处：Allegro的产品组合补足了安森美的智能电源与感知阵容，巩固了安森美在汽车、工业及AI数据中心应用的领先地位。合并将汇聚两支强大的团队，共享创新文化，并在扩大的组织内获得令人振奋的新发展机会。 • 为Allegro股东带来即时和确定的价值：根据提案条款，安森美提出的每股 35.10 美元的全现金收购要约，与 2025 年 2 月 28 日（即有媒体报道安森美有意收购Allegro之前的最后一个交易日） Allegro 的收盘价相比溢价 57%。 • 明确的完成路径和融资计划：安森美已经组建了一支经验丰富的顾问团队，准备迅速高效地完成尽职调查，并协商达成双方同意的最终协议。公司预计不会出现任何融资方面的意外情况，并打算利用已承诺的融资、手头现金和现有循环信贷额度下的可用资金为这一潜在交易提供资金。接洽历史安森美于2024年9月2日首次通过正式信函向Allegro提出全现金收购的潜在可能性，初始报价为每股34.50美元。随后，在2024年12月10日，安森美又发出了一封后续信函，重申了其交易意愿，并寻求进行尽职调查的途径。之后，安森美又尝试进行了建设性的接触，最近一次是在2025年2月12日提交了一封信函，将全现金报价提高至每股35.10美元，同时还强调了公司为与 Allegro 公司进行有意义的接洽所做的诸多努力。自2024年9月2日以来，安森美的要求始终如一：希望通过严谨的管理层间对话，以及进行必要的尽职调查和监管要求的范围界定，来推动达成这一对股东而言极具价值的结果，以便迅速推进交易的最终完成。

智能电源

安森美 . 2025-03-07 7 2 1835
产品 | 意法半导体推出创新型卫星导航接收器Teseo VI系列

近日，意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出Teseo VI系列全球导航卫星系统 (GNSS) 接收器芯片，目标应用锁定大规模采用高精度定位技术的多种行业。在汽车行业，Teseo VI芯片和模块将成为高级驾驶辅助系统 (ADAS)、智能车载系统、自动驾驶等安全关键应用的核心组件。在工业应用中，Teseo VI芯片可提升多种工业自动化设备的定位能力，包括资产追踪器、家用送货机器人、智能农业机械管理与作物监测、基站等定时系统，以及其他应用。意法半导体数字音频与信号解决方案部门总经理Luca Celant表示："Teseo VI新系列接收器代表我们在定位引擎领域取得了实质性创新突破，因为它是市场首个单片集成多星座四频信号处理器；首个采用两个Arm®处理器内核架构的卫星接收器芯片，让汽车辅助/自动驾驶系统同时具有很高的性能和ASIL级安全性；集成ST专有的相变存储器（PCM）技术，是开发新型高精度定位解决方案的高集成度、高性价比、高可靠性硬件平台。ST 的新卫星导航接收器芯片将赋能汽车ADAS驾驶系统实现令人期待的高级功能，并为制造业正在开发的许多新型应用赋能。 Teseo VI 是市场上首个单片集成厘米级定位所需的全部系统元件，支持同时接收处理多星座四频段卫星信号，创新设计简化了导航定位终端产品的开发过程，提高了信号接收可靠性，即使在高楼林立的城区以及其他的卫星信号不好的环境中，也能可靠地接收卫星信号，同时还能降低开发终端产品的物料清单成本。此外，这个单片接收器还可加快产品上市时间，缩小外观尺寸，降低重量。 Teseo VI新系列高精度定位接收器芯片利用意法半导体数十年的研制经验，并集成公司的多项专有技术，包括高精度定位和先进的嵌入式存储器。技术说明：意法半导体的新系列GNSS接收器芯片主要包括Teseo VI STA8600A 和 Teseo VI+, STA8610A两款产品，每款产品都搭载两个独立的 Arm® Cortex®-M7 处理器内核，用于控制接收器芯片（集成电路）的全部功能。Cortex-M7提供强大的 32 位处理能力，有助于在单片上同时接收处理多星座多频段信号。 Teseo VI+ 还可以安装 ST 授权合作伙伴等第三方自主开发的各种增强型定位引擎，为客户提供一个厘米级准确度的实时动态差分定位整体解决方案。 Teseo VI系列还有一款双核同步运算的Teseo APP2 STA9200MA 产品，为开发符合 ISO 26262 ASIL-B 功能安全标准的公路车辆导航应用提供一个硬件冗余解决方案。有些企业同时研制ASIL 认证和非 ASIL认证的导航设备，Teseo APP2 与 Teseo VI引脚兼容，简化了这类公司的 PCB 设计。 Teseo VI全系产品采用意法半导体创新的射频架构，GNSS 基带芯片支持四频 GNSS导航系统（L1、L2、L5 和 E6），并具有仅捕捉和跟踪 L5 的独特能力，这个优点可以有效地减少异常值，在高楼林立的城市和存在干扰的恶劣环境中提高定位的可靠性。此外，意法半导体的相变存储器 (PCM) 专有技术可以取代外部存储器，从而最大程度降低系统物料清单成本(BOM)，并简化制造商的供应链。PCM专有技术的鲁棒性非常强，能够耐受汽车等恶劣的工作环境，同时具有像闪存一样的非易失性。PCM的存储单元很小，空间利用率高，适合集成在芯片上。 Teseo VI全系包含一整套硬件网络安全功能，包括安全启动、无线固件更新保护、输出数据保护。此外，意法半导体的硬件安全模块 (HSM) 可提供强大的在线黑客攻击防御功能。这些产品符合UNECE R155和ISO 21434网络安全规范的最新规定。 Teseo VI 产品系列如今已经有了一个成熟的供应商和合作伙伴组成的生态圈，为Teseo VI用户提供算法、参考设计和兼容硬件附件。 Teseo VI 产品系列还包括两款新的车规GNSS模块：16mm x 12mm 的 Teseo-VIC6A（内置 Teseo VI）和尺寸为 17mm x 22mm 的 Teseo-ELE6A（内置Teseo VI+）。这两款新模块简化了在客户平台上集成Teseo VI/VI+ IC的过程，并确保终接收器保持最佳性能。现在可以申请Teseo VI样片。

卫星导航

意法半导体 . 2025-03-07 1 1 795
纳祥科技音频解码芯片NX9018，PIN to PIN国产替代CS4398

随着半导体技术改进，DAC精度、速度将提升，成本降低，应用范围扩大，低功耗、高性能的DAC更受关注与应用。 NX9018是一款高性能的120dB.192KHZ带音量控制的多位DAC，内含数字去加重模块、半分贝调节量的音量控制、ATAPI 混合通道，并具有120分贝以上的讯噪比和动态范围，总谐波失真＋噪声低至0.0005%，采用一个高级专用多位Delta-Sigma调制器，并整合了失配噪声整形技术。 NX9018可以PIN TO PIN CS4398，功能覆盖ESS9018。㈠ NX9018主要特性 NX9018的主要特性如下所示—— ● 高级多位Δ∑调制器 –120 dB动态范围 –107 dB THD+N ● PCM 输入 –支持高达 192 kHz 的采样频率 –最多可接收 24 位音频数据 –支持所有行业标准音频接口格式 –可供选择的数字滤波器响应 ● 支持独立模式和 I2C/SPI 接口配置 –1.8 V 至 5 V 串行音频输入 –1.8 V 至 5 V 控制数据输入 ● 直接数字信号流（DSD） –专用 DSD 输入引脚 –匹配的 PCM 和 DSD 模拟输出电平 –DSD 静音检测 –支持相位调制输入 ● DSD硬解 ▲NX9018功能框图㈡ NX9018优势展示 NX9018是一个完整的立体声24位/ 192 kHz数模系统，它采用了DAC(数字到模拟转换)技术，具有出色的音频性能和低功耗特性，适用于高保真的音频应用。 ① 卓越的信噪比和动态范围 NX9018具有卓越的信噪比（107dB）和动态范围（120dB），带来高保真音频输出。它能提供清晰、逼真的声音，满足高品质的视听需求。 ② DSD 处理器 NX9018 具有一个专用的 DSD 处理器，在无需要中间抽取的情况下进行音量控制和 50 kHz 的片内滤波。它还可以使用多元件开关电容阵列为 DSD 直解提供一条可选的路径。 ③ 低功耗特性 NX9018 在 32 kHz 至 216 kHz 的采样范围内接收 PCM 数据，还具有可选择的数字滤波器，且耗电量小，使音频设备更持久，并可提供卓越的音质。 ④ 灵活接口 NX9018还有一个重要特点是具备灵活接口，支持所有行业标准音频接口格式，如I2S、SPI等，兼容不同设备。 ⑤ 过采样模式 NX9018 基于输入采样率在三种过采样模式中的一种下进行工作。单速模式支持高达 50khz的输入采样率，并使用 128 倍过采样率。双速模式支持高达 100kHz 的输入采样率，使用64 倍的过采样率。四速模式支持高达 200 kHz 的输入采样率，使用 32 倍的过采样率。 ▲NX9018封装（TSSOP-28） ▲NX9018管脚设置㈢ NX9018应用领域作为一款高性能的解码芯片，NX9018具有出色的音频性能、低功耗特性、灵活的接口等，适用于各种音频应用场景，包括但不限于HIFI播放器、HIFI数字音箱、HIFI 高端音箱、新能源车载前端HIFI 音箱等等。 ▲NX9018半成品图 ▲NX9018成品示例图 NX9018抗干扰性和稳定性佳，确保无论长时间使用或高负载条件下均保持稳定性能，满足数字时代用户对高指标、高清晰、高动态范围的听觉享受，如对音频质量有较高要求，NX9018将是理想选择。

DAC

深圳市纳祥科技有限公司公众号 . 2025-03-07 1 1 5090
大联大品佳集团推出基于Infineon产品的3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案

大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET以及2EDS9259X栅极驱动IC的3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案。图示1-大联大品佳基于Infineon产品的3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案的展示板图随着AI技术的快速发展和能源结构的深刻变革，家用储能系统、便携储能以及AI Server市场正迎来快速增长浪潮。据相关数据显示，2023年，全球家用储能系统市场销售额达到87.4亿美元，预计2029年将达到498.6亿美元，年复合增长率（CAGR）为33.68%。同时，便携储能市场在经历一段爆发式增长后，现已步入稳定增长阶段，预计将在2027年突破900亿元大关。此外，AI Server市场的持续扩张也催生了对高功率服务器电源的强烈需求。面对这些新兴应用领域的发展，传统开关电源在“体积、重量、效率”方面难以满足市场需求。为此，大联大品佳基于Infineon XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET以及2EDS9259X栅极驱动IC推出3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案。图示2-大联大品佳基于Infineon产品的3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案的场景应用图方案主控采用Infineon XMC1404 MCU基于ARM® Cortex®-M0处理器内核，主频为48MHz，具有高速处理能力。该MCU利用电流内环+电压外环双环数字控制，开关频率可达100KHz。在安全机制方面，产品配置短路、过流、欠压、过压等保护功能，并预留UART通信接口，可满足电机控制和数字功率转换的实时控制需求。方案主回路采用CoolSiC™ MOSFET IMBG65R048M1H作为图腾柱PFC高频开关管，以及CoolMos™ MOSFET IPDQ60R010S7作为低频开关管，搭配2EDS9259X系列作为驱动，具有卓越的能效比与可靠性。图示3-大联大品佳基于Infineon产品的3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案的方块图除此之外，方案还配备一个可插拔的辅助电源模块，该模块基于Infineon旗下QR-Flyback IC ICE5QSBG，搭配CoolMos™ MOSFET IPN70R360P7S，可为MCU、栅极驱动和风扇等模块供电。借助这些出色的器件，本方案实现3.3KW 100KHz全数字双向电源系统，该系统集成高效能、高密度的连续导电模式（CCM）图腾柱无桥功率因数校正（TP PFC）变换器，支持110Vac至265Vac的宽范围输入电压，并能稳定输出400V的直流电压，其功率因数高达0.99，峰值效率可达98.5%，性能表现出色。核心技术优势：高功率密度、高效率、高功率因数；基于英飞凌ARM® Cortex® M0 MCU XMC1404为核心，全数字控制；控制精度高，充分发挥XMC1404的优势，采用双环路数字控制，开关频率可达100KHz，超高分辨率PWM（150ps）；主回路、辅助电源、主控板模块化程度高，提高产品设计灵活度。方案规格：输入电压：110Vac~265Vac；输出电压：400Vdc（额定值），稳态纹波＜5V（负载100%）；最大输出功率：3.3KW（160Vac~265Vac）、1.6KW（110Vac~150Vac）；开关频率：100KHz；峰值效率：>98.5% @ 50%负载； iTHD：<5@230Vac &负载 >20%；功率因数：>0.99 @ 230Vac & 负载>20%；外观尺寸：208mm×88mm×45mm。

大联大 . 2025-03-07 4360
产品 | LDO“NR1644系列”新品上市，最适合需要大电流/低电压工作的电子设备

在无人机和医疗设备上都装有摄像头，在安保防盗上也都用到监控摄像头，现在对摄像头的需求在持续增长。随之，相机模块中搭载的CIS （CMOS图像传感器）的需求也在日益增加。 CIS为了实现低功耗、高画质，工作电压的低压化趋势越来越明显，因此对于驱动CIS的稳压器，低电压输出的要求就越来越高。此外，由于CIS器件对噪声极为敏感，因此除了低电压输出外，还要求低噪声。本产品是具有最大2A输出的LDO稳压器，可实现0.4V低电压输出。因此对于提高画质而需要大电流的CIS而言，本产品完全能够应对。输出噪声电压为5μVrms（10Hz to 100kHz），即使在1A的重负荷下，纹波抑制比也只有50dB（1MHz），具有超低噪声和高纹波抑制比的特点。此外，本产品还内置了限制启动电流的功能，从而可以抑制浪涌电流，并且即使对后级器件电源的输入电压上升转换速率和斜率等有限制，也能轻松控制。此外，一般来说，实现低输出电压的课题是，通过增加功率晶体管（PMOS输出型）的导通电阻来降低输入电压，从而导致增加功率损耗。本产品为了实现高效稳压，将内部电路电源输入引脚（VBIAS）和NMOS功率晶体管输入引脚（VIN）分离。并且，搭载了低导通电阻（90mΩ）的NMOS功率晶体管，可以将输入输出电压差抑制到非常小。（180mV（Iout=2A））为了降低轻负载时的消耗电流，准备了两个版本，一种是可根据负载电流自动切换高速模式和低功耗模式的版本，另一种是重视响应性的高速模式固定版本。此外，使用Enable引脚关断本产品时，还可以对后级电容进行放电。产品特点 1. 降噪电容（CNR）可实现高纹波抑制比和低输出噪声电压本产品备有降噪引脚（NR引脚），在NR引脚和GND引脚之间连接0.1µF～2.2µF的降噪电容，可以实现高纹波抑制比和低输出噪声电压。 VIN引脚纹波抑制比输出噪声电压 2. 软启动功能当“High”电平的控制信号输入到EN引脚，接通IC时，可以根据连接在NR引脚的CNR电容和IC内部设定的充电恒流（1mA）来设定软启动时间。主要性能指标详情请参考以下链接（复制链接到浏览器跳转查看） nisshinbo-microdevices.co.jp/en/pdf/datasheet/nr1644-s-e.pdf

日清纺

NISSHINBO Micro Devices . 2025-03-06 1 4 1110
产品 | PI 推出新款LLC开关IC，可提供1650W的连续输出功率

美国加利福尼亚州圣何塞，2025年3月5日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出新款HiperLCS™-2芯片组，可实现输出功率翻倍。新器件采用更高级的半桥开关技术和创新封装，可提供高达1650W的连续输出功率，效率超过98%。该产品系列的这一新品主要面向工业电源以及电动踏板车和户外电动工具的充电器，其高效率和高集成度可减少外壳体积，无需再设计通风口和风扇，从而提高可靠性和防尘防潮性能。在50W及更高功率的应用当中，高度集成的HiperLCS-2产品系列可将半桥LLC谐振功率变换器的元件数目和电路板面积减少30%至60%。新款IC采用新型高效散热的POWeDIP™封装，将连续功率提高到1.6kW以上，并允许2.5kW的短时峰值负载。该封装含有一个电气绝缘的陶瓷材料导热垫，易于安装到任何平坦的散热器表面。它为封装引脚提供了足够的爬电距离，使整体温升性能达到每瓦不到1摄氏度。 Power Integrations产品营销经理Zeeshan Kabeer表示：“高功率和高效率是全密闭充电器和适配器的不二要求。对于那些依靠电动工具或个人交通工具谋生的人来说，由于灰尘、潮湿、昆虫或机电元件损坏而导致充电器故障是不可接受的。我们这款新推出的高效率HiperLCS-2芯片组能提供1650W的输出功率，适用于制造完全密闭的充电器，轻松应对这些关键应用场合。” 芯片组中的初级侧HiperLCS2-HB器件采用半桥结构，集成了600V的FREDFET。自偏置供电和启动控制能够在不使用外部偏置电源的情况下确保正常工作，从而降低系统成本和复杂性。芯片组中的配套芯片HiperLCS2-SR则集成了次级侧主控制器，可提供优化的同步整流(SR)控制，从而降低输出整流损耗。它还内置有FluxLink™隔离机制，可为初级侧IC提供稳定、高速的反馈，进而无需使用速度慢且不可靠的光耦器。该IC可实现多种突发工作模式的控制，确保出色的轻载和空载性能，同时消除音频噪声并降低输出纹波。为了确保高可靠性，该IC还提供了非常完善的故障保护功能。

PI

PI电源芯片 . 2025-03-06 1 845
代理商 | ADI取消文晔代理权对文晔及供应链有哪些影响？

传闻已有一段时间的ADI将要取消文晔代理权一事，昨天有了更确定的消息。文晔主动给客户发出声明，已经接到ADI的通知，将会取消文晔的代理权。根据ADI发送给文晔的通知，文晔需要将所接到的所有采购订单在4月下旬之前全部发送给ADI，后续将不能再接受新的订单。而ADI给文晔客户的产品交付日期最晚到2025年7月26日。虽然消息看起来是确定了，但是双方都还没有发布正式公告，ADI官网上的授权分销商页面上还有文晔的信息，文晔官网的代理产品线一栏下ADI还排在第一位。图注：ADI官网截图 ADI去年开始频繁调整供应链如果不算2017年取消安富利与世平的代理权的话，仅仅2024年ADI就采取了多个行动调整其授权代理商，2024年4月，ADI先是变更了与Arrow的合作模式，Arrow不再承担需求方面的职能，只作为ADI的Fulfillment代理商，承担订单、物流等基础职能，ADI还鼓励客户接入自有的eShop商城与销售团队。 2024年11月，ADI宣布终止了与英国分销商Anglia，以及EMEA（欧洲、中东和非洲）地区的合作伙伴（官网上的Semitron和Nisko）的分销协议。Anglia一直是ADI公司主要区域分销商之一，与 Semitron 一起在德国分销ADI功率器件。当时Anglia的CEO Steve Rawlins还对ADI取消其代理权还进行过抨击，认为ADI的决定将对客户选择产生负面影响，“并不是每个人都想从全球超市购买所有的产品，因为那里你唯一能够期待的服务就是自助服务。” 如今又将取消文晔的代理权，虽然ADI没有像TI一样一下子砍掉大部分代理，而是只取消了少数几家代理，不过从TI的进程来看，未来ADI估计将会取消更多代理商的代理权。取消代理权后对文晔的影响文晔在2024年刚刚登上全球分销商第一宝座，在数据中心和服务器相关产品大量出货的带动下，文晔2024年实现了9,594亿元新台币（约301.65亿美元），同比增长61.38%，超过了Arrow的279.23亿美元年营收。根据文晔今年2月公布的数据，其员工人数约8,000人，全球市占率为12.2%，亚太地区的市场占有率为14.5%，服务了超过25,000家客户。图注：文晔公司概况（来源：文晔）对比上次2022年被TI取消代理权之后，文晔的营收直接蒸发了12%，被迫裁员300人。此次，ADI取消其代理权之后，预计影响年营收约8~10亿美元（占总营收的3%~4%）。更致命的是ADI的工业与汽车芯片占文晔大陆市场收入的35%，这部分的客户可能被原厂直接接管。图注：2024年文晔营收按照不同应用类别划分的比例情况（来源：文晔）芯查查观点： 1、由于中美之间持续的科技贸易战，已经显露出对于科技公司业绩的影响，头部芯片厂商（如TI、ADI）通过取消代理，直接对接大客户，缩短供应链层级，提升利润空间。长期需关注未来是否有更多的芯片厂商效仿渠道融合策略，通过直销获取终端数据（如客户需求、使用场景），进一步巩固对产业链的控制，挤压下游厂商利润。 2、对代理商的影响分析：核心代理商市场份额扩大，议价能力增强，可能挤压中小客户服务资源。核心头部代理商需优化客户领域，避免市场领域单一化，加快拓宽业务领域以应对突发的某一厂商取消代理权而对业绩形成大的波动影响。中小代理商需向方案设计服务（如参考设计、算法集成）等高附加值领域转型。 3、终端企业应对策略：根据以往芯片原厂取消代理的案例来看，一般会经历半年左右的供货混乱期，需做好应对策略：短期策略：联系ADI官方或指定代理商确认库存与交期，优先锁定关键物料，通过ADI官网提交技术支持请求，获取替代设计资源，迅速提货和做好短期囤货，同步加快转单。长期策略：评估同类型芯片方案，降低对单一供应商依赖。加快推进试用国产芯片，做好国产替代方案。与ADI或新代理商协商长期供应协议（LTA），明确缺货责任与赔偿机制。重点监控库存水位与交期波动，提升响应速度。

文晔

芯查查资讯 . 2025-03-06 1 12 1w
方案 | 448G连接如何塑造未来的数据中心

下一代数据速率的突破看似遥远，但448G连接已经近在眼前。Molex莫仕设计工程师正在探索实现这一里程碑所需的关键组件和技术，应对当前的挑战，为未来的突破做好准备。 448 Gbps技术标志着连接性的一次变革性飞跃，为前所未有的实时数据处理提供了可能。先进制造、沉浸式技术、医疗诊断、自动驾驶汽车、智能城市和工业4.0等行业将从更高速率和带宽中获益，推动依赖大规模数据传输和实时响应的应用发展。然而，实现这一目标并非易事。通过224G技术获得的丰富经验和知识，正在为早期的448G开发提供指导，工程师们正专注于解决信号衰减、功耗和热管理等挑战。我们凭借目前的开发成果以及与客户积极合作，正在为高效、可扩展的448G系统铺平道路，同时不断突破极限。随着人工智能应用不断发展，大语言模型对计算资源的需求呈现指数级增长，建构能够满足这些数据传输需求的基础设施变得更加迫切。现在就必须开始进行积极主动的标准化工作，确保为448G技术的未来部署做好准备。 448G的关键设计挑战要实现448G需要解决一系列相互关联的问题，包括保持信号完整性、管理热量和实现可扩展性。随着连接速率的提高，以上每个要素都会带来特定的技术复杂性。在更高的速率下，插入损耗和串扰的影响会更加突出，从而干扰数据传输。Molex莫仕工程师不断改进屏蔽技术并优化信号调节方法，即使在高密度环境中也能保持可靠的数据流。新的挑战，例如在不影响稳定性的情况下设计更高密度的互连，也推动了通道架构和屏蔽材料的创新。热管理则是另一个重大挑战，传统的空气冷却系统无法有效处理448G 传输速率产生的热量。工程师们正在开发创新的解决方案，例如通过液冷和混合方法来管理热负荷，同时保持能源效率和稳定运行。这些系统可减少热限制，实现更密集的配置，最大限度地减少高速数据中心设备所需的物理空间。适应性同样重要。数据中心需要结构紧凑、节省空间的连接器，以提供高性能的同时最小化占用的实体空间。我们的工程师正在探索既能与现有基础设施无缝集成，又能支持未来增长的系统。实现448G速率还需要对整个通道和应用进行详细的审视，以识别通道中断的位置、插入损耗如何影响信号完整性，以及散热需求如何推动系统创新。这包括研究共同封装的光学器件以减少互联上的能量损耗，以及开发可提高吞吐量的新型基板。权衡利弊与调制技术选择合适的调制技术是实现448G的关键。虽然PAM4是当前高速数据传输的调制标准，然而，为了满足带宽需求，业界将会需要PAM6、PAM8甚至PAM16等更高阶的方法。这些技术支持更快的数据传输速率，但也带来了更大的复杂性、更高的功耗和更高的潜在错误率。例如，PAM8和PAM16可降低Nyquist频率要求，从而在带宽受限的通道中实现更好的性能。然而，这些技术需要先进的纠错和噪声管理系统，才可在大规模下保持可靠性。为了应对这些挑战，工程师正在改进调制方案，探索先进的电源管理策略。通过采用差分信号和增强型编码方法等新型信令技术，开发人员力求在电源效率和信号完整性之间取得平衡。Molex莫仕工程师正在努力改进这些方法，以平衡能源需求和信号完整性，为可扩展的下一代系统铺平道路。不断演进的数据中心架构向448G过渡将推动数据中心设计和基础设施的显著变化。当前的架构可能不再适应，需要采用全新的方法来满足更高速率对密度、能源和冷却要求。新兴的448G解决方案将需要重新考虑数据中心的空间分配和冷却策略。液冷系统等先进的冷却方法可以减少热量限制，实现更高密度的配置，从而提高能效。共同封装光学器件和新型基板设计等混合解决方案，通过解决传统数据中心架构的实体限制，提供了前进的可能性。例如，共封装光学技术可以将光学模块放置在更靠近处理单元的位置，从而减少长距离连接对铜缆的依赖。此外，我们还在评估新的介电材料，以提高数据传输效率和支持更高的带宽需求。超越人工智能的应用虽然人工智能(AI)和机器学习(ML)是推动更快连接的主要动力，但448G的潜在应用远不止这些领域。自动驾驶汽车依赖于快速、可靠的数据传输来处理环境输入并做出实时决策。同样地，智能城市也需要强大的高速网络来进行实时监控、通信和基础设施管理。增强现实和虚拟现实(AR/VR)等沉浸式技术将会依赖448G支持的无缝高质量数据流来提供不间断的丰富用户体验。这些技术需要持续的低延迟和高带宽，因而是未来448G系统的理想应用目标。在医疗保健领域中，更快的速率将实现实时诊断、大规模模拟以及病人护理和医学研究的进步。包括先进制造和工业自动化在内的工业4.0 应用也将大大受益，利用448G支持快速数据交换和系统监控。例如，高度自动化的工厂可以利用448G实现近乎即时的响应时间和连接数千台设备，从而提高运作效率。这些示例表明了448G不仅仅标志着性能的提高，而且是实现新功能、改变数据处理和利用方式的重要举措。通过开拓性发展推进互联互通尽管如今448G只是理论上的里程碑，但Molex莫仕正在积极准备迎接448G这个必定会实现的未来。我们在开发224G解决方案方面拥有领先地位，这为应对下一代连接的挑战奠定了基础。我们与开放计算项目(OCP)、电气与电子工程师协会(IEEE)和光网络论坛(OIF)的合作，有助于制定各种新兴技术的标准和基准。随着业界对下一代连接的需求不断增长，Molex莫仕将继续引领各界交流对话。通过严谨的研究、合作和创新，我们正在帮助定义可能的技术。Molex莫仕224G解决方案不仅正在塑造不久将来的数据中心面貌，而且还在为448G铺平道路。请即探究Molex莫仕如何规划提升现今的基础架构以满足未来的数据传输速率需求。

molex

Molex莫仕连接器 . 2025-03-06 2 2 1080
市场 | 2024年，可穿戴手环市场蓬勃发展，中国与新兴市场引领增长

2024年，全球可穿戴腕带设备市场实现稳步增长，出货量达1.93亿部，同比增长4%。这是继2022年市场调整后，连续两年实现增长，展现出复苏的势头。中国及新兴市场的强劲需求成为主要增长动力，弥补了美国、印度等成熟市场的下滑。基础手表和基础手环推动了入门级用户的增长，而苹果、小米、华为等头部品牌竞争加剧，市场格局进一步演变。中国引领全球增长，增速超越印度和美国 2024年，中国依然是全球最大的可穿戴腕带设备市场，出货量占全球30%，同比增长20%。得益于政府补贴、产品升级及生态整合等多重因素的推动，第四季度更是激增50%。 Canalys研究分析师Jack Leathem表示：“中国市场表现亮眼，而印度和美国则面临挑战，凸显出不同地区市场表现的差异。作为全球第二大可穿戴腕带设备市场，由于本土厂商在基础手表的功能和性能升级方面遇到挑战，并且该品类占印度市场出货量的96%，2024年印度市场出货量下降22%。新兴市场推动增长，厂商瞄准新用户 Canalys研究经理Cynthia Chen表示：“除了中国，新兴市场在全球增长中扮演了关键角色，小米、华为和传音通过提升品牌认知度，推动出货量的增长。” 中东地区引领全球扩张，同比增长55%，紧随其后的是东南亚（45%）、拉丁美洲（21%）和中东欧（20%）。这一增长主要来自于价格亲民的基础设备，品牌通过价格的可负担性和扩展零售渠道来吸引首次购买者。基础手表延续增长势头，基础手环迎来复苏基础手表仍是市场增长的主要推动力，继2023年强劲增长25%后，2024年再增长8%。华为和小米合计占据41%的市场份额，这两家厂商积极拓展产品线。基础手表的已不再局限于对入门级手环的逐步升级，而是向更商务化、高级运动及医疗导向的设备转型，如小米Watch S系列和华为Watch D系列。与此同时，基础手环市场在多年下滑后迎来复苏。第三季度出货量重回增长（增长7%），并在第四季度大幅加速（增长49%），主要受小米（46%）、三星（18%）和华为（17%）的推动。这一回暖趋势凸显了消费者对简单、轻便、非侵入式可穿戴腕带设备的持续需求，尤其是在健康与健身追踪方面。此外，智能戒指的流行趋势也反映出市场对极简可穿戴产品的偏好正在增长。三星通过推出Galaxy Fit 3重新进入基础健身手环市场，填补了其产品线的空白并加剧了竞争。这一举措促使小米在拉美、中东和东南亚等市场调整定价和分销策略，作为其将用户转向更高利润可穿戴腕带设备战略的一部分。同样，三星重返这一市场的战略目标是通过入门级可穿戴腕带设备吸引新用户加入三星健康生态系统，然后逐步引导他们升级到智能手表，同时增强该生态系统在预算有限和中端三星手机用户中的覆盖范围。展望2025：创新和市场扩展是增长的关键 Cynthia补充道：“2024年可穿戴腕带设备市场的持续扩张，凸显了新兴市场对价格亲民设备需求的增长。但成熟市场面临越来越大的挑战，较长的升级周期和创新停滞导致需求放缓。” Leathem表示：“随着厂商应对市场变化，2025年及未来的发展，将取决于平衡创新与价格亲民的特性，扩展全球市场份额，并利用智能戒指、高级健康追踪等新兴趋势来推动用户采纳。”

可穿戴

Canalys . 2025-03-06 740
产品 | E3650开启客户送样，芯驰新一代旗舰智控MCU已获多家头部车企定点

开年以来，新能源汽车行业竞争进入白热化阶段，市场呈现出"配置攀升、价格下探"的显著特征，智能驾驶功能加速普及，智能座舱配置持续向高端车型看齐，而作为车辆运动安全核心的智能控制，也随着电子电气架构的演进进入新的发展阶段。在此背景下，新一代智控MCU如何通过精准的产品定位助力汽车电子电气架构变革，同时兼顾降本与增效的市场需求，满足车企的「既要、又要、还要」? E3650，自主高端车规MCU芯片新标杆 2024年4月，芯驰科技在北京车展上重磅发布E3650。作为自主高端车规MCU芯片新标杆，E3650专为区域控制器（ZCU）和域控（DCU）应用而设计，以“跨代的性能跃升和极致的系统降本”，助力车企电子电气架构变革，帮助车企实现更高集成度、更安全、适配更多车型的架构设计。芯驰科技MCU产品线总经理张曦桐在直播中公布，E3650已开启客户送样，并获得多家头部车企定点，将成为2025年及以后新一代整车区域控制器（ZCU）和域控（DCU）领域的核心解决方案。超速计算、更大存储：随着新一代整车区域控制器走向跨域融合，车身功能时常需要跨域集成底盘、动力相关功能，复杂度显著提升。E3650采用最新的ARM Cortex R52+高性能锁步多核集群，主频达到了同档位产品最高的600MHz，具有更高的实时和安全性能。同时，E3650片上集成了高达16MB嵌入式非易失性存储器，具备大容量SRAM，可满足域控场景对算力与响应速度的极致需求。随着整车不同ECU的应用向区域控制器或域控融合，多系统集成的耦合度提升，跨部门、跨供应商开发、软件代码迁移的问题涌现。针对这一痛点，E3650专门针对MCU系统上的虚拟化（Hypervisor）做了优化支持，并且提供可量产级的虚拟化解决方案，帮助主机厂实现高效的业务隔离和代码集成。丰富外设、通信增强：针对域控场景特别需求的外设资源和通信处理能力，E3650集成了多颗外围BOM器件，并配置了市面最多的可用GPIO数量，大幅减少系统外围用到的各种IO扩展芯片，简化系统设计、降低系统成本。另外，E3650内置了硬件通信加速引擎，卸载域控中通信任务的处理，减少丢包和延迟，同时显著降低主CPU负载。安全天花板：整车的功能越来越多，节点越来越复杂，国内外信息安全的需求也在不断提升。E3650集成了芯驰玄武超安全HSM信息安全模块，支持车厂定制化的、复杂的加解密算法，满足ISO 21434，Evita Full及以上的信息安全标准，支持本土与海外双重高等级安全标准，实现信息安全天花板级防护。极致小型化：在上述芯片配置大幅提升的基础上，E3650的芯片面积仅有19x19mm，有助于主机厂实现控制器的极致小型化。同档位最能打的旗舰MCU 通过架构创新与集成化设计，E3650成功打破性能与成本的线性定律：对比大部分同档位产品，算力跃升近40%，存储容量扩大30%，可用外设和GPIO增多30%，低功耗性能提升50%，同时芯片面积缩小40%。通过E3650更高的集成度，实现BOM成本减省近60% (不同系统设计可能有差异)。这一“剪刀差”效应背后，是芯驰对车企痛点的深度洞察——域控架构的迭代，既需要更高的芯片处理能力，又受制于成本的红线。E3650以“一芯多能”的高集成策略替代传统堆叠扩展方案，将增效与降本从对立转化为共生，为车企提供电子电气架构进化的最优解。 E3650，自主高端车规MCU芯片新标杆 E3650可全面覆盖整车区域控制器、VMC底盘域控、智舱/智驾域控、动力域控四大核心应用场景。当前，大多数车企处于域控制器集中式架构的阶段，也有部分头部车企已经迈进中央计算+区域控制架构的阶段。在演进过程中，将会呈现出两种不同的架构形式：路径1：完全区域化架构：中央计算平台+多个跨域融合的区域控制器。在此架构中，车身、底盘和动力的相关功能全部被拆开、打散，就近融合到附近的区域控制器中。路径2：半区域化架构：中央计算平台+区域控制器（车身应用为主）+功能域控制器（动力域控制器、底盘域控制器）。相比完全区域化架构，这种架构形态的区域控制器以实现车身相关的功能为主，或少部分跨域融合。而动力和底盘相关的功能仍向功能域融合。芯驰的E3650不仅适配于上述的半区域化和全融合架构，还兼容未来的功能平台化需求，展现出极强的市场适应能力和前瞻性。芯驰E3系列已创下多项“国内首个” 在智能车控领域，芯驰E3系列车规MCU已广泛应用于区域控制、车身控制、电驱、BMS电池管理、智能底盘、ADAS智能驾驶等核心领域，积累了在整车核心应用领域丰富的量产经验，并创下了多项“国内首个”：作为国内首个支持激光雷达量产的高性能MCU，E3系列已经在理想L系列、理想MEGA，以及路特斯ELETRE、零跑C10、零跑C16等爆款新势力车型上量产；作为国内首个应用于主动悬架的车规控制芯片，搭载芯驰MCU的悬架控制器（CDC）已经在奇瑞瑞虎9、星途瑶光等车型上量产；在电传动领域，由威睿能源打造的OBC+DCDC项目中，采用了芯驰E3系列MCU产品，成功在smart 精灵#1、smart 精灵#3、极氪X等车型上量产并出海欧洲；在某本土爆款车型上，E3系列产品成为国内首个量产应用于区域控制器的车规MCU。随着E3650的客户送样推进及头部车企定点的落地，芯驰科技将进一步巩固其在智能车控领域的领先地位，助力全球车企在智能化浪潮中实现“强大又实惠”的目标。

芯驰科技

芯驰科技SemiDrive . 2025-03-06 670
软件 | Qorvo®为屡获殊荣的QSPICE®电路仿真软件新增建模功能

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，为其屡获殊荣的QSPICE 电路仿真软件新增一项重要功能——在几分钟而非几小时内精确地为半导体元件创建模型。电子设计师现在可以在QSPICE免费软件包中使用该全新工具。这项新功能使得设计师能够利用数据表中常见的信息，为分立结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和二极管创建电路仿真模型。QSPICE的开发者Mike Engelhardt表示，这一新功能是自2023年QSPICE发布以来最重要的电路仿真改进。 “QSPICE用户现在可以轻松为这些功率器件创建模型，将他们的电路仿真工作提升到更高水平。”Engelhardt表示，“所有电路仿真都基于功能性的部件模型，而这一工具使工程人员和电子设计爱好者能够快速、准确地完成这项工作。” 除了在模拟仿真技术方面取得的前沿进展，QSPICE还允许设计人员仿真复杂的数字电路及算法。现代原理图捕获与快速混合模式仿真功能的独特结合，使其成为当今系统设计人员的理想工具，以解决日益复杂的软硬件挑战。 Qorvo的QSPICE作为新一代电路仿真软件，通过提高仿真速度、功能和可靠性，大幅提升电源及模拟设计人员的设计效率。该软件使开发人员能够在构建原型之前测试电路，从而节省时间、降低成本，并减少对环境的影响。QSPICE曾荣获Elektra奖和电子金奖（Electrons d’Or Trophy）等奖项。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-03-06 810
产品 | ST新IMU集成先进的二合一MEMS加速计，用于可穿戴设备和跟踪器中的高强度冲击感应

意法半导体创新的惯性测量单元LSM6DSV80X在一个封装内集成两个满量程16g和80g的加速计、一个满量程4000dps的陀螺仪和一个嵌入式智能核心，这款新型传感器能够以同样的精度测量从轻微运动到强烈撞击等各种事件，在可穿戴设备和运动追踪器等设备中实现增强功能。意法半导体新MEMS传感器将刷新消费级和专业级可穿戴设备市场上现有产品标准和功能预期。采用LSM6DSV80X的个人电子设备可以为运动员提供训练分析、性能基准等高级功能，帮助他们提高技术。模块中的低量程加速度计可以识别、跟踪步行、跑步等运动和手势控制等动作，而高量程传感器处理则用于处理那些超出常规IMU监测能力的并有可能影响测量准确度的剧烈运动。集这些独特功能于一身的LSM6DSV80X在运动器材市场上应用非常广泛，例如，在进行跑跳锻炼过程中记录监测运动绩效。下坡跑步和增强式训练等爆发性运动可能产生30g以上的冲击力，巨大的冲击力会让膝盖和脚踝承受很强的应力，现在，不用花很多钱就能轻松地监录这类运动应力。在拳击运动中，冲击力通常超过60g，现在，市场上出现了内置LSM6DSV80X的穿戴设备，运动员可以用这类设备捕获运动数据，提高力量和爆发力，还能检测脑震荡，加强运动安全防护。剧烈冲击测量传感器同样也能给网球等运动带来好处，能够为运动员提供重要的数据和分析建议，改善球拍控制准确度和加速度，从而提高击球的速度和准确度。除了先进的加速度计架构外，LSM6DSV80X还集成了MEMS陀螺仪和数字信号处理器以及低功耗传感数据融合（SFLP）算法，可实现空间方向和手势检测。此外，意法半导体的机器学习核心（MLC）和有限状态机（FSM）为传感器带来边缘处理能力，以提高系统性能，同时节能降耗。通过在本地处理原始数据，IMU可以自主识别用户的活动，并简化与主控制设备的通信，从而实现更灵敏的响应和更低的功耗。这样就可以更全面地分析运动员训练情况，检查运动员动作的准确度。该传感器还具有自适应配置（ASC），可适应不同的活动场景。开发人员可以在ST MEMS Studio软件中找到LSM6DSV80X的全部支持资源。ST MEMS Studio是一个免费的图形界面开发环境，包含传感器配置工具、MLC决策树训练工具和测试工具。此外，意法半导体还提供一系列价格实惠的评估板，包括专业版MEMS工具（STEVAL-MKI109D）和SensorTile.box PRO（STEVAL-MKBOXPRO），可通过一块转接卡把新传感器连接到主板上。

ST

意法半导体中国 . 2025-03-06 610
技术 | 适用于汽车以太网应用的ESD保护解决方案

为应对未来的汽车连接和电气化需求，我们需要高速度、高带宽的汽车以太网。行业领导者依托开放技术联盟SIG积极合作，促进以太网在汽车领域的普及应用。但在更高级的电气设计中，分立ESD保护器件变得越来越重要。 Nexperia率先推出完全符合10BASE-T1s和100/1000BASE-T1开放技术联盟标准的以太网ESD保护器件，改进的0.4 pF（最大值）二极管电容可确保出色的信号完整性。此外，Nexperia还超越了这一标准，推出了千兆级以太网和高速优化型FC-LGA封装。主要特性完全符合10BASE-T1s和100/1000BASE-T1开放技术联盟标准 < 0.4 pF的低电容提供高达30 kV的ESD保护（IEC 61000-4-2，接触式） ESD稳健性：1000次放电，15 kV 高触发电压：Vt1 = 100 V（最小值）多种可供选择的封装符合AEC-Q101认证/汽车级关键应用车载网络的ESD保护汽车环境开放技术联盟10BASE-T1s和100/1000BASE-T1以太网可用封装选项：汽车以太网产品组合 *粗体类型表示新产品开放技术联盟和ESD保护方案开放技术联盟（单对以太网络）特别兴趣小组(SIG)是一个非营利性联盟，主要由汽车行业和技术供应商组成，他们共同倡导将基于以太网的网络作为汽车联网应用中的标准来广泛采用。该组织的一个关键目标是实现现有的IEEE 10BASE-T1s/100BASE-T1和1000BASE-T1物理层规范的部署，并制定一些补充协议规范以实现彼此间的互通互融。图1：ESD抑制器件在100/1000BASE-T1 MDI接口内部的放置方式，开放技术联盟SIG(2020)，功率放大器应用中的SPDT以及10 Base T1sTC14实施规范(2023) 分立式ESD保护器件在确保系统的高水平稳健性以及满足特定要求方面发挥着至关重要的作用。在以前的汽车以太网系统中，PHY供应商建议根据需要在共模扼流圈(CMC)和PHY之间放置分立式ESD保护器件。如果没有ESD保护器件，或者如果该器件位于更靠近PHY的位置，则ESD释放的能量将通CM终端、DC模块和CMC。如果ESD保护器件放置在连接器之后，就不仅能保护PHY，还将保护CMC和其他无源器件。在此位置，ESD脉冲的能量可以立即导向地面。开放技术联盟标准建议直接在连接器上安装ESD保护器件。但这种拓扑更改需要完全不同的ESD保护。根据开放技术联盟标准规范，在连接器上直接安装ESD保护器件需要高触发电压(Vt >100 V)。由于10BASE-T1s和100/1000BASE-T1网络使用非屏蔽双绞线，高触发电压还应考虑额外的耦合电压。千兆级以太网除了行业标准的开放技术联盟以太网10、100和1000BASE-T1之外，行业还在进一步努力为汽车应用提供更丰富的连接性和更高的数据带宽。千兆级以太网是指旨在支持2.5、5和10 Gbps等更高数据速率的解决方案。在汽车应用领域得到广泛采用，旨在满足数据密集型需求。为确保以太网PHY的可靠性和性能，建议使用ESD保护器件，以防止所使用的电气元件（包括PHY以及共模扼流圈、电阻和电容器等无源组件）受到任何损坏。千兆级以太网示意图方案1：在直流电容前面方案2：在直流电容后面图3：用于千兆级以太网和高速视频链路的ESD保护器件放置选项千兆级以太网和高速视频链路的典型框图如上图所示。放置ESD保护器件有两种可能的方案，即直接放置在连接器一侧或更靠近直流电容后面的PHY。如果将ESD保护器件直接放置在连接器上，则需要更高的VRWM才能承受电池短路的情况。但是，如果ESD保护器件放置在直流电容后面更靠近PHY的位置，则VRWM需要设置得更低，并且必须与PHY内部ESD保护电路的击穿行为相匹配。使ESD保护与PHY内部ESD保护相匹配，可以及时触发外部ESD保护器件，从而吸收ESD脉冲的能量，阻止其进入PHY并造成损坏。在保护配置方面，Nexperia提供了广泛的产品组合。所有器件都具有非常低的电容、出色的信号完整性性能和较高的ESD稳健性，可确保受保护电路平稳运行，同时实现稳健的ESD保护。用于ESD1的Nexperia产品选项粗体类型代表新产品，红色粗体类型代表正在开发的产品。 * 采用2引脚和3引脚FC-LGA 1.0x0.6mm尺寸封装⸺ DFN1006L-2、DFN1006LD-2、DFN1006L-3和DFN1006LD-3 用于ESD2的Nexperia产品选项粗体类型代表新产品，红色粗体类型代表正在开发的产品。 * 采用2引脚和3引脚FC-LGA 1.0x0.6mm尺寸封装⸺ DFN1006L-2、DFN1006LD-2、DFN1006L-3和DFN1006LD-3 倒装芯片LGA封装为了满足对高数据速率的信号完整性需求，Nexperia推出了倒装芯片LGA封装。与传统的引线框架封装不同，倒装芯片LGA通过消除键合线和铜引线框架，最大限度地减少寄生元件。这一设计带来了卓越的性能和良好的信号完整性，同时满足汽车行业的质量和可靠性标准。包括支持AOI功能的侧边可湿焊盘选项。这种设计的优点包括显著的性能提升。例如，2引脚DFN1006LD-2 FC-LGA封装可将带宽提高约5 GHz，而3引脚DFN1006LD-3封装与传统的2引脚DFN1006BD-2封装相比，可将带宽提高高达6 GHz。正是倒装芯片LGA封装中寄生元件的大幅缩小带来了这些性能增强。主要特性和优势超低电容：Cd <0.25 pF 深度回弹结合低至0.35 Ω的动态电阻 ESD保护稳健性高达15 kV (IEC61000-4-2) 非常优秀的RF、信号完整性和钳位性能，针对高速网络进行了优化符合AEC-Q101/车规级标准应用汽车千兆级以太网汽车信息娱乐系统：A/V监视器、显示器、摄像头高速网络：USB 3.2、HDMI 2.0 低电压差分信号(LVDS)汽车倒装芯片LGA封装比较图2：封装性能比较：倒装芯片LGA与相同尺寸的传统引线框架封装的比较。

安世

安世半导体 . 2025-03-06 630
产品 | 采用超小型封装（SOT553）的高速低功耗比较器——AiP3201B

AiP3201B高速低功耗比较器专门为成本敏感、空间受限的应用而设计。此电路为单通道推挽输出比较器电路，具有内部迟滞、低传输延时、轨到轨输入的特点，可用于检测设备、高速采样等系统，同时因其低功耗的优点，可广泛用于便携式设备。主要特点传输延时：50ns（典型）静态电流：95uA 输入失调电压：1mV 输入共模范围：-0.2V～VCC+0.2V 推挽输出电源范围：+2.7V～5.5V 工作温度范围：-40℃～125℃ 引脚排列图 AiP3201B-SOT553 应用领域便携式甲烷检测报警仪,超高功率飞秒激光器结语中微爱芯还提供了超高速比较器AiP321X系列和AiP320X系列其他型号的高速低功耗比较器供客户选择。 AiP321X系列 AiP320X系列

中微爱芯

无锡中微爱芯电子有限公司 . 2025-03-06 1 1 795
江波龙在MWC 2025首秀，存储产品技术创新激活移动通信潜力

西班牙时间3月3日，江波龙首次亮相巴塞罗那MWC 2025，以“PTM赋能世界移动通信”为主题，携一系列创新存储产品参展，引发广泛关注。作为半导体存储品牌企业，公司始终坚持技术驱动创新，以创新赋能行业发展的理念，不断推出新技术和新产品，持续拓宽行业边界，为客户创造价值。 PTM商业模式：为创新定制带来更多灵感展会伊始，江波龙的PTM商业模式展示区便吸引了众多目光，从主控芯片研发到产品方案设计，再到严苛的测试验证和智能生产制造，公司为全球移动通信行业带来了专属的存储一站式解决方案。手机嵌入式存储：旗舰级性能全解锁 QLC eMMC | UFS | LPDDR5 面向移动智能终端市场，江波龙展示了全系列嵌入式存储产品，广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴等设备。从高性能的UFS到搭载自研主控的QLC eMMC，再到低功耗的LPDDR5，覆盖了从入门到高端的多样化需求，为移动智能终端提供了全方位的嵌入式存储支持。江波龙于2024年率先将先进的3D QLC技术应用于eMMC产品，推出支持128GB~512GB容量选择的QLC eMMC，满足终端应用“降本扩容”的需求，目前已在多种类型智能手机中实现应用。在PTM商业模式下，QLC eMMC基于江波龙自研主控WM6000开发，采用独特的QLC算法、LDPC纠错算法和自研软件架构，整体性能提升超过30%，并实现了uW级别的待机功耗，极大地提升了设备的续航能力。此外，针对特殊场景需求，产品能够调整逻辑分区，更好地进行文件系统保护，并通过Host数据分类写入保障分区数据的安全，为客户提供精准高效的存储解决方案。 QLC NAND Flash以高存储密度和低每GB成本的特点，推动市场渗透率持续攀升。QLC eMMC有望在更多移动终端设备中广泛应用，进一步推动大容量5G智能终端的普及。服务器存储：AI推理大模型的全球机遇企业级固态硬盘： ORCA 4836 NVMe eSSD | UNCIA 3839 SATA eSSD 企业级内存： CXL 2.0内存拓展模块 | DDR5 RDIMM 2025年，大模型技术将从概率生成向强推理能力过渡，推动数据中心和云计算行业对存储提出更高要求。江波龙在此次展会上带来的服务器存储产品，能够有效满足AI服务器在大规模数据处理和高效计算中的需求。在服务器存储领域，公司已构建起涵盖NVMe/SATA eSSD、CXL 2.0内存拓展模块以及DDR5 RDIMM等产品的丰富组合。 ORCA 4836系列NVMe eSSD和UNCIA 3839系列SATA eSSD等产品，均采用3D eTLC NAND闪存，搭载企业级主控，覆盖480GB~7.68TB的大容量范围，并适配主流服务器硬件环境。凭借高吞吐量、稳定的性能一致性以及优异的QoS特性，结合多种高等级自研安全固件，广泛应用于企业级读密集型和混合型场景。 CXL 2.0内存拓展模块基于DDR5 DRAM开发，支持PCIe 5.0×8接口和最大192GB容量，理论带宽高达32GB/s，可实现内存池化共享，满足高性能计算和AI应用的需求。DDR5 RDIMM产品则支持最大96GB容量和6400Mbps速率，能够有效提升对内存资源要求较高的复杂工作负载的性能表现。江波龙服务器存储通过与人工智能、通信运营商、金融、互联网等多个行业标杆客户的深度合作，进一步提升综合竞争力。随着AI推理大模型的全球普及，公司有望在这一趋势中迎来更广阔的发展机遇。蓝牙智能PSSD：隔空无感解锁隐形存储空间支持蓝牙5.2协议并向后兼容 | 128GB~1TB 轻薄化设计 | 超低功耗 | 自研主控蓝牙智能PSSD凭借独特的功能设计，现场演示成为一大亮点。该产品采用轻薄化设计，具备超低功耗（休眠功耗仅1.5mA）和抗冲击防震特性，并配备USB 3.2高速接口，兼容BOT和UASP多种协议，容量从128GB到1TB可选。产品支持蓝牙5.2协议并向后兼容，同时支持独特的验证机制和分区管理。在常规使用状态下，用户仅能访问部分存储区域，而特定的存储区域需要通过特定设备（如手机、平板）连接配对后才能解锁，实现数据的存取。用户在首次配对后无需重复操作，只要授权设备在附近，设备即可自动解锁，实现无缝访问。当用户离开设备一定距离后，特定存储区域将自动进入保护状态，确保数据安全。 NFC PSSD：碰一碰解锁隐形存储空间 NFC协议 | 可升级支持iTAP协议 | 128GB~4TB | 自研主控与蓝牙智能PSSD类似，NFC PSSD同样注重隐私数据保护，但采用NFC技术解锁。用户只需用支持NFC的智能手机、智能手表或NFC卡轻触感应区，即可解锁特定的存储区域，实现数据的存取，为用户打造随身的隐私存储空间。该款产品已于1月份在CES 2025中首次发布。未来，随着PTM商业模式推进，客户能够将创新存储与汽车、家居等领域进行更具创意的物联结合，为用户带来更加智能、便捷的体验。 Lexar手机影像存储：专业摄影生产力手机影像存储方面，公司旗下消费类存储品牌Lexar雷克沙带来了SL500移动固态硬盘和专为iPhone手机摄影设计的Professional Go手机固态硬盘摄影套装。 Lexar SL500移动固态硬盘磁吸套装读速2000MB/s | 写速1800MB/s 1TB~4TB | Apple ProRes 产品广泛兼容多种设备，提供了高达4TB的存储容量，独特的磁吸设计，支持iPhone 15 Pro系列和16 Pro系列外录ProRes 4K 视频，边拍边存，无需占据手机内存，为用户带来了极大的便利。 Lexar Professional Go手机固态硬盘摄影套装读速1050MB/s | 写速1000MB/s | 1TB~2TB 产品采用Mini小尺寸设计，无需繁琐的线材连接，一插即拍，轻松实现外录ProRes 4K视频，即时传输无忧，拍摄素材直达硬盘。配合扩展坞使用，进阶专业摄影，一站式满足收音和补光等专业需求，是专业摄影师的理想之选。存储出海：全球化布局+本地化服务在MWC 2025上，江波龙展示了全球化发展与本地化服务的战略规划。公司不断加速在全球市场的拓展，通过本地化的销售与技术支持，精准满足当地客户的需求。此外，公司通过构建国内海外双循环供应链体系，并在全球范围内高效调配资源，确保产品的稳定供应，从而为客户提高运营效率，同时降低商业成本。未来，公司借助技术定制、联合创新与高质量智能制造，为更多有创新需求的客户提供灵活、高效的存储Foundry模式，助力移动通信领域向AI场景、便捷场景、差异化优势的方向发展。

江波龙

江波龙 . 2025-03-06 4398
技术 | RA4M2开发——使用串口进行打印

概述本篇文章主要介绍如何使用e² studio对瑞萨RA4M2开发板进行串口打印配置。硬件准备首先需要准备一个开发板，这里我准备的是芯片型号R7FA4M2AD3CFP的开发板：硬件准备工程模板保存工程路径芯片配置本文中使用R7FA4M2AD3CFP来进行演示。工程模板选择视频教学 https://www.bilibili.com/video/BV1bc411u7PC/ 时钟设置开发板上的外部高速晶振为12M。需要修改XTAL为12M。管脚配置查看原理图可以得知，串口为P109和P110。 UART配置点击Stacks->New Stack->Driver->Connectivity -> UART Driver on r_sci_uart。 UART属性配置 printf()函数 printf()函数是式样化输出函数, 一般用于向准则输出设备按规定式样输出消息。正在编写步骤时经常会用到此函数。printf()函数的挪用式样为: printf(“<式样化字符串>”，<参数表>)；其中式样化字符串包括两部分内容: 一部分是正常字符, 这些字符将按原样输出；另一部分是式样化规定字符, 以"%“开端, 后跟一个或几个规定字符, 用来确定输出内容式样。参量表是需求输出的一系列参数, 其个数务必与式样化字符串所阐明的输出参数个数一样多, 各参数之间用英文逗号”,"分开, 且顺序逐一对应, 不然将会出现意想不到的错误。注意：函数printf从右到左压栈，然后将先读取放到栈底，最后读取的放在栈顶，处理时候是从栈顶开始的，所以我们看见的结果是，从右边开始处理的。设置e² studio堆栈 printf函数通常需要设置堆栈大小。这是因为printf函数在运行时需要使用栈空间来存储临时变量和函数调用信息。如果堆栈大小不足，可能会导致程序崩溃或不可预期的行为。 printf函数使用了可变参数列表，它会在调用时使用栈来存储参数，在函数调用结束时再清除参数，这需要足够的栈空间。另外printf也会使用一些临时变量，如果栈空间不足，会导致程序崩溃。因此，为了避免这类问题，应该根据程序的需求来合理设置堆栈大小。 e² studio的重定向printf设置在e² studio中使用printf打印时，如果在链接器脚本文件中使用了--specs=rdimon.specs参数，则编译器会使用rdimon.specs文件中的系统调用函数来实现printf函数。在这种情况下，printf函数的输出会被重定向到一个固定的地址（通常是RAM中的一段地址），而不是直接输出到控制台或串口。这样就需要在程序中实现一个驱动程序来读取这些输出并将其输出到控制台或串口。如果希望printf函数的输出直接输出到控制台或串口，那么需要删除--specs=rdimon.specs参数。这样编译器就会使用标准的printf函数实现，输出就会直接输出到控制台或串口。 C++ 构建->设置->GNU ARM Cross C Linker->Miscellaneous去掉Other linker flags中的 “--specs=rdimon.specs”。 R_SCI_UART_Open()函数原型故可以用 R_SCI_UART_Open()函数进行配置，开启和初始化UART。 /* Open the transfer instance with initial configuration. */ fsp_err_t err = R_SCI_UART_Open(&g_uart9_ctrl, &g_uart9_cfg); assert(FSP_SUCCESS == err); 回调函数user_uart_callback () 当数据发送的时候，可以查看UART_EVENT_TX_COMPLETE来判断是否发送完毕。可以检查检查 "p_args" 结构体中的 "event" 字段的值是否等于 "UART_EVENT_TX_COMPLETE"。如果条件为真，那么 if 语句后面的代码块将会执行。 volatile bool uart_send_complete_flag = false; void user_uart_callback (uart_callback_args_t * p_args) { if(p_args->event == UART_EVENT_TX_COMPLETE) { uart_send_complete_flag = true; } } printf输出重定向到串口打印最常用的方法是printf，所以要解决的问题是将printf的输出重定向到串口，然后通过串口将数据发送出去。注意一定要加上头文件#include <stdio.h> #ifdef __GNUC__ //串口重定向 #define PUTCHAR_PROTOTYPE int __io_putchar(int ch) #else #define PUTCHAR_PROTOTYPE int fputc(int ch, FILE *f) #endif PUTCHAR_PROTOTYPE { err = R_SCI_UART_Write(&g_uart9_ctrl, (uint8_t *)&ch, 1); if(FSP_SUCCESS != err) __BKPT(); while(uart_send_complete_flag == false){} uart_send_complete_flag = false; return ch; } int _write(int fd,char *pBuffer,int size) { for(int i=0;i<size;i++) { __io_putchar(*pBuffer++); } return size; } 完整代码 #include "hal_data.h" #include <stdio.h> FSP_CPP_HEADER void R_BSP_WarmStart(bsp_warm_start_event_t event); FSP_CPP_FOOTER fsp_err_t err = FSP_SUCCESS; volatile bool uart_send_complete_flag = false; /* Callback function */ void user_uart_callback(uart_callback_args_t *p_args) { /* TODO: add your own code here */ if(p_args->event == UART_EVENT_TX_COMPLETE) { uart_send_complete_flag = true; } } #ifdef __GNUC__ //串口重定向 #define PUTCHAR_PROTOTYPE int __io_putchar(int ch) #else #define PUTCHAR_PROTOTYPE int fputc(int ch, FILE *f) #endif PUTCHAR_PROTOTYPE { err = R_SCI_UART_Write(&g_uart9_ctrl, (uint8_t *)&ch, 1); if(FSP_SUCCESS != err) __BKPT(); while(uart_send_complete_flag == false){} uart_send_complete_flag = false; return ch; } int _write(int fd,char *pBuffer,int size) { for(int i=0;i<size;i++) { __io_putchar(*pBuffer++); } return size; } /*******************************************************************************************************************//** * main() is generated by the RA Configuration editor and is used to generate threads if an RTOS is used. This function * is called by main() when no RTOS is used. **********************************************************************************************************************/ void hal_entry(void) { /* TODO: add your own code here */ /* Open the transfer instance with initial configuration. */ err = R_SCI_UART_Open(&g_uart9_ctrl, &g_uart9_cfg); assert(FSP_SUCCESS == err); printf("hello world!\n"); #if BSP_TZ_SECURE_BUILD /* Enter non-secure code */ R_BSP_NonSecureEnter(); #endif } 实现效果

瑞萨

瑞萨嵌入式小百科 . 2025-03-05 700
市场 | 中国工业中低压电机市场规模到2028年将达到76亿美元

要点根据Omdia 2024年《低压电机》和《中压电机》报告预测，2023年中国工业低压和中压电机销售额达到了55.6亿美元，增速为4%。展望2025年，中国市场虽然面临着许多不确定性因素，但得益于经济刺激政策的加码，电机能效标准持续推行助力，以及下游部分行业需求的回暖，Omdia预计2025年中国工业中低压电机市场将保持增长态势，到2028年市场规模将达到76亿美元，2025年到2028年年复合增长率为6.7%。注： 1）本文仅针对工业用场景电机进行讨论。 2）工业低压电机是指额定功率0.75千瓦至378千瓦，电压为690伏及以下，功率为1马力及以上的低压感应电机。 3）工业中压电机是指电压超过1000伏、额定功率至少为200千瓦的同步或异步电机。统计数据不包括与大型电机一起销售的齿轮箱、涡轮机、驱动器或服务的收入。此外，发电机和牵引电机也不在研究范围内。 2023 国产品牌VS.国际品牌分争天下根据Omdia 2024年《低压电机》和《中压电机》报告显示，2023年中国工业低压和中压电机销售额达到了55.6亿美元，增速为4%。虽然2023年中国工业电机下游行业需求增长承压，然而在低压电机能效标准提升的推动下，高效电机的采购需求仍然保持增长韧性，抵消了整体市场需求下行的压力。从市场竞争格局来看，2023年中国工业电机（中低压）市场前5名工业电机供应商占据了40%以上的市场份额，卧龙电驱首当其冲，以14%市场占有率排名第一，得益于其在工业低压和中压电机市场中的产品实力和渠道能力。其次佳木斯电机、茵梦达、ABB和皖南电机，分别以9.5%、6.5%、6.0%和5.5% 的市场占有率紧随之后。从单一市场格局来看，本土工业电机制造商，得益于其本土优势，以及国产替代政策的助力，市场份额在不断扩大。其中，卧龙电驱，皖南电机和佳木斯电机占领了2023年中国工业低压电机市场排名的前三名，ABB和茵梦达紧随其后。在2023年中国中压电机市场排名中，卧龙电驱，上海电气，佳木斯电机分列前三位，ABB 和湘电紧随其后。近年来，中国出台了多项政策提高和支持高效节能电机的发展，也影响了中国电机市场的竞争格局变化。例如，2021年6月，《GB18613-2020电动机能效限定及能效等级》规定，IE3以下的能效电机将被强制停产。2022年6月工信部等印发的《工业能效提升行动计划》，鼓励电机生产企业开展性能优化、铁芯高效化、机壳轻量化等系统化创新设计，推进电机高效再制造，规划2025年新增高效节能电机占比达到70%以上。这些行业规定的出台与实施，有利于推动电机产品的技术升级以及高效节能电机的需求增长。国内的龙头电机制造商凭借其雄厚的资金实力和研发能力，能够更快的顺应市场对产品升级的技术要求，在抢占市场份额方面占据绝对优势。当然，ABB、茵梦达等国际电机品牌凭借其产品技术优势，也在这波高效节能市场趋势中，占据市场优势。本土品牌工业电机制造商的崛起引发了非本土制造商的担忧，特别是本土品牌工业电机制造商能够采取更加灵活的产品供应方式，可以提供不常见的定制产品选择，本土化成本优势，渠道把控能力，以及灵活的服务响应等，使其更具备地区竞争优势。激烈的市场竞争形势，引发了中国工业电机产品在多个下游行业中价格的下调，加剧了工业电机制造商定价的压力，这样的趋势在低压电机市场尤其明显。 2024年低谷中寻生机进入2024年，在地缘冲突不断、“后疫情”市场恢复期延长、以及全球通胀等负面因素的影响下，全球需求增长乏力，特别是受到欧洲地区需求低迷的拖累。虽然，中国市场出现了复苏的迹象，但由于受到海外市场以及国内部分行业增长乏力的影响，2024年中国工业中低压电机市场增长仍然备受压力。从下游行业来看，近些年投资增长快速的光伏、锂电池等行业投资增长有所趋缓。纺织、包装、暖通、风电、半导体和3C电子等行业在2024年有所回暖,但回升强度不够，离散行业整体需求复苏承压。从流程行业来看，下游石油和天然气、水泥等行业需求复苏乏力，而石油开采，电力、采矿等行业需求保持韧性抵消了部分市场下行压力。面对外需低迷和内需不足的双重压力，2024年中国政府采取一系列内需刺激措施，如出台了大规模设备更新和消费品以旧换新行动指南，该计划指出将大力推动生产设备、用能设备、输配电设备等更新和技术改造，加快推广能效达到先进水平和节能水平的用能设备，分行业分领域实施节能减碳改造。从工业角度来看，该指南将石油化工、钢铁、有色金属、建材、电力、汽车、工程机械、重型机械、航空、船舶、轻纺、电子、锂电池等27个行业作为设备升级改造的重点。虽然，一系列经济刺激政策对行业需求提升的作用仍存在一定的滞后性，Omdia 观察到截至2024年末，这些政策的推行在一定程度率先提振了消费类产品的相关行业需求的回升。从长期来看，政策刺激效用将在2025年持续发力，并为工业中低压电机产品需求增长提供机会。对于工业电机制造商而言，本土和国际品牌制造商在面对市场下行压力时，也纷纷采取了积极的应对策略。本土品牌制造商们一方面深耕优势细分市场，另一方面积极拓展新兴行业机会。卧龙电驱在稳固其在油气、石化、矿山等传统行业的市场地位外，大力开发可再生能源行业，风电储氢等领域，以拓宽其盈利渠道。国际品牌制造商为更好的应对本土工业电机厂商带来的竞争压力，更加积极的开展本地化布局，以稳固和扩大其在中国的业务版图。2024年，WEG宣布将投资约6200万美元在中国如皋地区建立制造基地。茵梦达宣布在中国天津建立电机生产基地和研发中心，新增面向海工装备、水泵用电机、矿用电机等产品线，预计2026年初投入使用。Omdia 预测，未来几年，中国工业中低压电机市场竞争将更加白热化。 2025年展望 Omdia 预计，2025年中国市场仍然面临着诸多不确定性因素可能为市场增长带来阻力，包括房地产市场的库存过剩问题，个别行业产能过剩，国际贸易环境的不确定性问题，尤其是来自于美国的关税政策以及美国对中国高新技术的发展限制等。虽然2025年中国市场面临着诸多阻力，但得益于经济刺激政策的加码，电机能效标准持续推行助力，以及部分下游行业需求增长的回暖，Omdia预计2025年中国工业中低压电机市场将保持增长态势. 那么，2025年及之后工业电机市场将受到哪些趋势影响呢？高效节能电机成为主流趋势: 从政策层面，国家正在积极的推动电机能效标准的提升。如，前文提到的低压电机行业标准《GB 18613-2020》已经将IE3产品设定为最低标准。同时，国家从政策补贴方面，针对采用能效一级和二级电机的终端客户给予不同等级的财政补贴，帮助高效电机快速打开市场。另外，针对高压电机提出《GB30254-2024行业标准》，将于2025年10月1日正式实施，新标准在原有标准的框架基础上，调整和新增了标准的适用范围和试验方法的改进，旨在进一步提升高压电机的能效水平，推动行业绿色发展。电机技术创新成为必然：一方面电机厂商正在积极尝试新型材料与技术，比如，利用高性能电磁线，高磁感低损耗冷轧硅钢片，轻稀土永磁材料，高效冷却技术等，在电机研发中不断创新，以提高电机的性能、效率和可靠性。另一方面，从终端市场来看，永磁同步电机和同步磁阻电机应用正在不断增加，得益于对能效和可持续的关注，以及国家政策的大力支持。智能化和集成化正在推动电机技术升级：在智能制造的趋势推动下，对高效、可靠电机需求在不断的增长。越来越多的电机系统将通过集成传感器、人工智能等技术，实现更精准的控制和运行优化，从而实现远程控制、监测以及高效节能的目标。国产替代为本土电机品牌提供机会：在国家政策的支持和引导下，高端智能装备领域国产化进程持续加速推进。电机作为工业的核心部件，尤其在高精尖应用领域（例如机器人、航空航天、医疗和军工等）依然存在大量市场机会，这为本土电机制造商提供了未来的发展空间。

电机

Omdia . 2025-03-05 945
产品 | 高可靠、高效率、低EMI！纳芯微推出车规级40V同步降压转换器NSR114xx系列

随着新能源汽车与智能驾驶技术的快速发展，中控VCU/TBOX、ADAS、信息娱乐系统等车载电子设备对电源芯片的要求日益提高。如何在严苛的汽车环境下保证稳定供电、提升能效及优化EMI性能，成为电源方案设计的关键挑战： • 电压稳定性：需应对12V供电系统的瞬态冲击、42V ABS抛负载等极端工况； • 能效与散热：高集成度要求高效率，同时降低功耗、优化散热，以延长电池续航； • 电磁兼容性（EMI）：复杂车身电磁环境下，需降低开关噪声对系统的干扰。纳芯微全新推出的NSR114xx-Q1系列车规级 40V 宽输入同步降压转换器，以高可靠、高效率、低EMI三大核心优势，助力新能源汽车电源方案升级！封装与选型 NSR114xx-Q1系列产品提供QFN-14和QFN-12两种封装，适用于汽车中控VCU/TBOX、ADAS、信息娱乐系统等多种应用场景。 NSR114xx-Q1系列产品选型表产品亮点宽输入电压，高可靠供电 ◆ 3~40V超宽输入电压（VIN），全场景适配车机应用：输出电压范围1~0.95*VIN，可提供高达4A的输出电流，轻松应对高压抛负载及低温冷启动等极端工况 ◆ 通过AEC-Q100 Grade 1认证：可在-40℃~125℃全环境温度稳定运行 ◆ 全温度范围±1%的高输出电压精度：确保MCU、传感器等关键设备供电安全高能效设计，续航与性能兼顾 ◆ 超低静态功耗，轻载高效：NSR114xx-Q1系列的典型静态工作电流IQ仅12μA，关断电流ISHDN仅160nA，在 1mA 负载下效率达 85%，大幅降低系统待机功耗，延长电池续航。关断电流ISHDN随温度变化曲线静态电流IQ随温度变化曲线 ◆ 低导通阻抗设计，实现全负载高效率：集成59mΩ的HS-FET和29mΩ的LS-FET，支持最高4A负载电流。在12V电池供电场景下，输出5V可实现高达95%的峰值效率，且具有出色的热稳定特性。 ◆ 外置偏置供电，进一步优化系统效率：NSR11440-Q1和NSR11430-Q1的BIAS管脚支持外部5.5V以上供电，从而降低输入侧电流。 400kHz, 5Vout测试条件下的效率曲线 2.2MHz, 5Vout 测试条件下的效率曲线低EMI优化设计，满足CISPR25 Class 5标准 ◆ 采用Flip Chip（倒装芯片）技术，优化高频性能将芯片直连引脚，相比传统封装可实现更小的封装尺寸，同时由于减少了键合线（Wire Bonding）的连接，可有效降低寄生电感和寄生阻容的影响，一定程度上改善了高频特性，从而降低EMI。 ◆ 采用对称式引脚分布设计，降低高频干扰优化 VIN→GND 输入电流路径，减少回流面积，降低高频噪声；双VIN并联输入，抑制寄生参数引起的高频振铃，优化 EMI 性能；输入电流回路磁场互相抵消，进一步降低寄生电感；优化 SW 和 FB 管脚间距，减少高频开关噪声对敏感信号的干扰。 ◆ 采用Spread Spectrum展频技术，降低峰值发射：NSR11440-Q1和NSR11430-Q1基于可选的自研展频技术，通过LFSR伪随机频率调制，将固定开关频率的发射能量均匀调制到±5.5%的频带区间，显著降低特定频点的能量峰值，优化 EMI 性能。此外，芯片支持200kHz~2.2MHz的开关频率调节，可根据应用需求选择合适的工作频率，进一步优化EMI特性。凭借这些优势，NSR114xx-Q1 系列无需外部共模电感，即可满足 CISPR25 Class 5 标准。 NSR114xx-Q1系列产品EMI测试表现

纳芯微

纳芯微电子 . 2025-03-05 1 1 810