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企业 | 聚辰股份营收首破10亿

聚辰股份3月24日晚间发布2024年度财务报告，同时公告拟向全体股东每10股派发现金红利3元。数据显示，该公司2024年实现营收10.28亿元，同比增长46.17%。据了解，这是聚辰股份年度营收首次超过10亿元，实现历史同期最好成绩。归母净利润方面，2024年度实现2.9亿元，同比增长189.23%。不过净利润规模尚未恢复至2022年度同期最优水平。关于过去一年的业绩增长，聚辰股份表示，该公司及时把握DDR内存模组换代升级以及汽车级EEPROM芯片供应短缺带来的市场发展机遇，积极顺应下游客户需求并快速做出响应，形成了稳定的产品供货能力和优异的品牌认可度。其中，该公司应用于DDR5内存模组、汽车电子及工业控制等高附加值市场的产品，自2021年第四季度起大批量供货，已成为聚辰股份收入规模扩张和盈利能力提升的重要驱动力。在2024年，聚辰股份已经成为全球市场DDR5 SPD相关产品的主要供应商，该公司与澜起科技通过合作，占据了该领域的先发优势，下游客户实现对行业主要内存模组厂商的覆盖。 EEPROM产品方面，在2024年，聚辰股份应用于工业控制领域的高可靠性EEPROM产品出货量实现高速增长；汽车级EEPROM产品通过积极进行欧洲、美国、韩国、日本等海外重点市场的拓展，成功导入多家全球领先的汽车电子Tier1供应商，产品的销量和收入较上年同期实现高速增长，并加速向汽车核心部件应用领域渗透；受益于终端应用市场需求逐步回暖，新一代EEPROM产品的推出，该公司应用于智能手机摄像头模组、液晶面板等细分市场的EEPROM产品销量在去年实现稳健增长。此外，聚辰股份音圈马达驱动芯片产品已在2024年实现向部分客户小批量供货。据介绍，该公司已与部分头部智能手机厂商合作开发闭环式和光学防抖音圈马达驱动芯片产品，能够满足中高端及旗舰智能手机的市场需求。近三年来，受下游应用市场和宏观经济波动的影响，聚辰股份各主要产品的市场销售情况呈现一定程度上的分化。 2024年度财报显示，分产品来看，聚辰股份的智能卡芯片产品收入进一步收缩，2024年营收规模约为3727万元，销售额减少约30%，同时库存量同比增长89.43%；存储类芯片产品景气度提升，销售额终止在2023年度的下跌态势，并在2024年实现57.74%的增长；音圈马达驱动芯片继续保持高增长，增速达到20.48%。聚辰股份表示，2024年该公司销售订单规模增长，带动音圈马达驱动芯片生产、销售齐增，同时为应对潜在订单需求，在满足当期订单的基础之上进行适度备货，音圈马达驱动芯片库存增加47.76%；而智能卡芯片产品的期末库存量大幅增长，则是由于需求恢复不及预期。 2024年，聚辰股份境外市场恢复增长，增速达到72.41%，境外市场营收规模及增速均超过境内市场。

聚辰股份

科创板日报 . 2025-03-25 685
分析 | 美光FY25Q2跟踪报告：HBM收入环比持续高增长，指引FY25Q3 DRAM和NAND量价齐升

事件：美光于3月21日公布FY25Q2财报（注：截至2月28日的3个月期间），营收80.5亿美元，同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，均符合指引。评论： 1、FY25Q2收入和毛利率符合指引，摊薄EPS超指引预期。按NON-GAAP口径，美光FY25Q2收入为80.5亿美元，符合指引（79±2亿美元），同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，符合指引（38.5%±1.0pcts）；摊薄EPS为1.56美元，超指引预期。 2、NAND业务表现相对疲软，HBM收入环比持续高增长。 1）按产品划分：①DRAM单季收入61.2亿美元，同比+47.3%/环比-4.3%，占比76%，位元出货量环比下降高个位数百分比，ASP环比增长中个位数百分比；②NAND单季收入18.6亿美元，同比+18.4%/环比-17.2%，占比23%，位元出货量略有增加，ASP环比下降高十位数百分比； 2）按业务划分：①计算和网络（CNBU）收入45.6亿美元，续创历史新高，同比+109%/环比+4%，其中HBM环比增长超50%；②存储（SBU）收入13.9亿美元，同比+54%/环比-20%，环比下降系数据中心客户减少存储投资及NAND价格影响；③手机（MBU）收入10.7亿美元，同比-33%/环比-30%，系手机客户仍持续去库存所致；④嵌入式（EBU）收入10.3亿美元，同比-8%/环比-3%。 3、上修2025年HBM市场规模指引，消费类终端持续复苏和存储扩容。 1）数据中心：公司继续上修2025年HBM市场规模至350亿美元，指引2026年需求仍然强劲。公司预计其2025财年HBM收入达数十亿美元，2026年实现HBM4大规模量产； 2）PC：预计2025年出货量增长中个位数百分比，出货集中于下半年，系Windows10终止及AI PC带来换机需求，平均DRAM容量将从12GB增至16GB及以上； 3）手机：预计2025年出货量增长低个位数百分比，手机客户库存调整符合预期，平均DRAM容量将从8GB增至12GB及以上； 4）汽车：库存调整进入尾声阶段，随着AI车载及智驾系统发展，内存和存储容量持续增加。 4、指引FY25Q3 DRAM及NAND量价齐升，2025年资本支出聚焦HBM扩产。 1）FY25Q3指引：按NON-GAAP口径，指引收入88±2亿美元，中值同比+29.2%/环比+9.3%；毛利率36.5%±1pcts，中值同比+8.4pcts/环比-1.4pcts，环比下降系消费产品出货量增加及NAND产能未充分利用所致；摊薄EPS 1.57±0.1美金； 2）出货量和价格：FY25Q3 DRAM及NAND位元出货将环比增长，消费类产品出货预计增加；DRAM价格预计环比上升，主要系前沿产品供应紧张，AI终端产品需求强劲；NAND价格也预计环比上升，主要系供给侧减产同时消费类需求复苏，供需格局改善； 3）需求：公司将CY2025 DRAM位元需求增长率从中十位数百分比上调至中至高十位数百分比，NAND位元需求增长率仍为低十位数百分比，中期DRAM和NAND位元需求增长CAGR均达中十位数百分比； 4）供给：预计CY2025年HBM产能大幅提升，未来传统DRAM产能持续受限，指引FY2025年末减少10% NAND产能；公司预计FY25Q3 Capex超30亿美元，FY2025为140亿美元，绝大部分用于HBM及厂建、后端制造及研发。风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。附录：美光FY2025Q2业绩说明会纪要时间：2025年3月21日出席：Mark Murphy–执行副总裁兼首席财务官 Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼CEO Satya Kumar–副总裁、IR兼资管会议纪要根据公开信息整理如下：管理层介绍：美光正处于公司历史上最具竞争力的地位，并且我们在行业内的高利润率产品类别中不断提高市场份额。我们强劲的产品发展势头使我们得以深化与客户的关系，美光处于行业领先地位的产品如今更稳固地嵌入了客户的高价值产品规划路线中。在第二财季，数据中心DRAM的收入创下了新纪录。HBM的收入环比增长超过50%，达到了一个新的里程碑，季度收入超过10亿美元。我们的HBM出货量超过了预期计划，这表明我们在持续扩大生产规模方面执行有力。我们大容量DRAM的收入，加上我们在数据中心领域处于行业领先地位的LPDDR的收入，两者总和在本季度也超过了10亿美元的里程碑。美光仍然是全球唯一一家能够大量向数据中心供应LPDDR的公司，这彰显了我们的创新开拓精神，以及我们与客户在差异化解决方案方面的深度合作关系。随着我们继续保持这一发展势头，预计在DRAM和NAND的出货量增长的推动下，美光第三财季的收入将再创新高。我们认为，AI数据中心的需求，加上HBM的量产爬坡及其相关的贸易比例，将导致前沿领域的供应紧张，并限制非HBM的DRAM供给。我们预计，NAND领域各公司宣布的供应调整举措将改善NAND市场的供需态势。技术与运营美光的1β DRAM技术在行业中处于领先地位。我们通过推出1γ制程节点，以及上个月首次向市场出货基于1γ制程的D5，进一步巩固了我们的领先优势。美光的1γ制程是我们首个采用EUV技术的动态随机存取存储器制程节点。与我们的1β动态随机存取存储器相比，1γ制程实现了功耗降低20%、性能提升15%，并且位密度提高了超过30%。美光领先的G9 NAND技术制程节点能够生产出行业内速度最快的基于TLC的闪存产品。我们在推进这一制程节点的量产爬坡时，充分考虑了行业内的供需平衡情况。制造情况更新美光持续进行审慎的投资，使我们能够充分利用由人工智能所驱动的巨大增长机遇。我们专注于在现有制造工厂中扩大HBM的产能，以满足直至2026年的市场需求。今年1月，我们在新加坡开始建设一座高带宽内存先进封装工厂。这项投资使我们能够从2027日历年起大幅扩大我们的整体先进封装产能。我们在爱达荷州新建的DRAM制造工厂完成了一个重要的建设里程碑，这使得我们在本季度能够收到该项目的首笔“美国芯片与科学法案”拨款资金。这座位于爱达荷州的新制造工厂将从2027财年起实现可观的DRAM产出。终端市场计算硬件的巨大进步降低了生成式AI模型中每个token的成本。这些硬件方面的改进，再加上更高效的算法和软件，降低了推理成本，使得基于生成式AI的功能能够更广泛地应用于新的应用程序和使用场景中。这种应用范围不断扩大为AI整体需求创造了一个强劲的增长动力，并且AI生态系统中的关键参与者所取得的近期创新成果以及正在研发中的成果，将继续推动这一增长趋势。随着GPU和定制化人工智能加速器性能随着新一代产品的推出而不断提升，这些高性能处理器对内存带宽的需求愈发迫切。HBM提供了必要的带宽，能够以最有效和高效的方式发挥这些强大处理器的性能。我们很高兴看到这个复杂且高价值的产品类别所蕴含的增长机遇，如今我们的客户已认可美光在高带宽内存技术方面在行业中的领先地位。数据中心最近，大型超大规模客户重申，他们在2025日历年的资本投资将实现强劲的同比增长。我们预计2025日历年服务器出货量将实现中个位数百分比的增长，其中传统服务器和人工智能服务器均会增长。我们看到了对HBM的强劲需求，并且再次上调了我们对2025日历年HBM的潜在市场规模的预估，将其提高到超过350亿美元。按年化计算的口径下，我们仍有望在2025日历年第四季度使HBM市场份额达到与我们DRAM供应份额相近的水平。如前所述，美光2025日历年HBM产能已全部售空。我们发现2026年对我们HBM的供应需求依然强劲，并且正在与客户就满足他们2026日历年的HBM需求进行协议洽谈。美光处于行业领先地位的HBM3E相比竞争对手的产品功耗降低了30%，并且我们的12Hi HBM3E产品相比竞争对手8H的产品，具有显著的20%的功耗优势，同时内存容量高出50%。我们已经开始大规模量产12Hi HBM3E产品，并专注于提升产能和良品率。我们预计在2025日历年下半年，12Hi HBM3E产品将占我们HBM出货量的绝大部分。我们在HBM的更多平台适配和客户认证方面取得了良好进展。美光的8Hi HBM3E产品已被设计应用于英伟达的GB200系统中，而我们12Hi HBM3E产品则被设计应用于GB300系统中。在第二财季，我们开始向我们的第三家大型HBM3E客户进行批量出货，并且预计随着时间推移还会有更多客户。我们预计在2025财年HBM的收入将达到数十亿美元。展望未来，我们对美光的HBM4充满期待，该产品将于2026日历年实现大规模量产。与HBM3E相比，我们的HBM4产品的带宽提升超过60%。我们推出HBM4的时间契合客户的需求，并且我们致力于在能效、质量和性能方面，向市场推出最优秀的HBM4产品。我们经证实的HBM产品性能、强大的HBM产品规划路线，以及卓越的制造能力，使美光在利用下一代HBM4和HBM4E解决方案方面具备独特优势。美光在数据中心领域率先采用了低功耗内存技术。在AI服务器中，美光的低功耗内存相比D5，将内存功耗降低了三分之二以上。随着服务器内存从焊接模组向SOCAMM形式转变（注：美光SOCAMM采用低功耗DRAM和压缩连接内存模块（CAMM）配合，适用于LPDDR5X的数据中心模块化外形尺寸，较传统的DDR5 RDIMM可节省空间），我们预计将在服务器低功耗内存领域保持领先地位。美光的SOCAMM是与英伟达合作开发的，用于支持GB300系统。采用SOCAMM形式的LPDDR使服务器的制造和维护更加便捷，有助于推动低功耗内存技术在服务器市场更广泛的应用。我们有望在2025财年通过面向数据中心的大容量D5和低功耗产品系列实现数十亿美元的收入。 PC领域我们预计2025日历年PC市场的出货量将达中个位数百分比增长，且增长主要集中在2025日历年下半年。2025年10月Windows10系统将终止，再加上现有设备使用年限较长，以及客户希望确保其PC硬件规格在未来能够支持出色的AI应用程序，这些都是推动市场增长的关键因素。AIPC至少需要16GB DRAM，许多型号所需的内存甚至比去年PC平均12GB的内存容量更高。在本季度，我们向PC客户提供了基于1γ制程的16Gb D5产品样品。在NAND方面，我们推出了基于G9制程的4600高性能SSDs，这是目前客户端市场上速度最快的固态硬盘，并且我们的2650主流固态硬盘已通过多家PC OEM认证。智能手机领域我们预计2025日历年智能手机的出货量增长幅度仍将保持在低个位数百分比。智能手机客户的库存动态变化如预期般发展，这使得我们在第三财季的智能手机用DRAM和NAND的位元出货量实现了增长。AI技术的应用依然是推动移动设备用DRAM需求增长的一个重要因素。具备AI功能的旗舰手机的DRAM容量越来越多地达到12GB或更高，而去年的机型平均容量仅为8GB。智能手机OEM正在采用美光处于行业领先地位的传输速率达9.6Gbps的LP5X DRAM，以提升人工智能性能。与在同一SoC上使用传统速率等级内存的设备相比，其每秒处理的token数量最多可增加20%。在本季度，我们宣布美光的LP5X DRAM和第四代通用UFS 4.0 NAND被应用于三星Galaxy S25系列的高端机型中。美光的移动设备用DRAM和UFS存储解决方案需求旺盛，并将在全年陆续应用于各款旗舰和高端智能手机中。此外，我们目前正在提供业内首款基于移动设备用G9制程管理的NAND的UFS 4.1解决方案的样品，其存储密度最高可达1TB。汽车与工业领域汽车OEM、工业以及消费类嵌入式产品客户目前正处于调整库存水平的后期阶段。在汽车领域，我们嵌入式业务部门（EBU）的收入中占比最大，随着具备人AI功能的车载信息娱乐系统变得更加丰富，以及驾驶辅助功能不断增强，每辆汽车的内存和存储容量持续增加。如今，先进的自动驾驶出租车平台所配备的DRAM容量超过200GB，是普通汽车平均内存容量的20到30倍。美光凭借其处于行业领先地位的汽车产品系列，能够很好地利用这一发展趋势。在本季度，我们宣布业内首款支持9.6Gbps速率等级的汽车用LP5X DRAM产品已具备量产条件，该产品可满足汽车内AI驱动应用对性能日益增长的需求。此外，我们的4150 SSD成为业内首款通过汽车行业认证的企业级SSD产品，目前已向目标客户提供样品，这进一步巩固了我们在这一重要市场中致力于创新和保持领先地位的决心。市场展望 2024日历年，DRAM的位元需求增长幅度达到了high-teens，这与我们之前的预期相符。2024日历年，NAND的位元需求增长幅度约为10%，略低于我们此前预计的低十位数百分比。我们预测2025日历年DRAM的位元需求增长幅度位于中至高十位数百分比，而NAND的位元需求增长幅度将处于低十位数百分比。从中期来看，我们预计DRAM和NAND行业的位元需求CAGR均将达到中十位数百分比。 NAND技术的更新换代大幅提高了整体的位元产出量。通过延长制程节点更新换代的间隔时间，持续削减NAND行业的capex以及晶圆产能，NAND行业的供需有望实现持续平衡。NAND行业晶圆产能未充分利用有助于改善NAND市场的短期供需态势。我们预计在2025日历年，美光在DRAM和NAND方面的供应增长幅度将低于行业需求增长幅度。随着2025日历年的推进，我们预计库存天数将减少。我们期望在2025日历年保持在DRAM和NAND市场的位元份额。在DRAM方面，我们预计整个2025日历年HBM的产量将大幅提升。如前所述，生产相同数量的位元，HBM3E所需的晶圆数量是D5的三倍。展望未来，我们预计随着HBM4的推出，其贸易比例将有所上升，而当HBM4E推出时，这一比例预计将超过4:1。在可预见的未来，硅片使用强度的持续显著增加，将导致行业前沿制程节点的供应紧张，并限制非HBM产能。在NAND方面，我们的制造工厂产能仍未充分利用，晶圆产量较之前的水平下降了中十位数百分比。我们计划重新利用部分未充分利用的NAND设备，以支持以资本高效的方式转换到前沿制程节点。与2024财年结束时的水平相比，这一策略将使2025财年结束时NAND晶圆产能实现超过10%的结构性削减。我们将继续审慎管理NAND的供应，包括资本投资水平、新技术制程节点的量产爬坡速度、制造工厂的产能以及与需求增长相匹配的产能利用率。我们2025财年的资本支出计划保持不变，约为140亿美元。我们的资本投资很大一部分集中在多年期的工厂设施投资上，以支持我们的DRAM和HBM制造业务，包括我们在爱达荷州的制造工厂、新加坡的HBM先进封装工厂以及中国台湾地区的DRAM测试工厂。美光将继续审慎管理我们的整体设备投资，以使供应增长与需求相匹配。关于关税方面，对于极少量可能会受到新宣布针对加拿大、墨西哥和中国的关税影响的产品，我们将继续关注未来可能出台的关税政策，并准备与客户和供应商合作，以了解未来关税的影响以及可能出现的供应链选择方案。在关税确实产生影响的情况下，我们会将这些成本转嫁给我们的客户。财务情况美光第二财季的每股收益（EPS）超出了预期指引范围，营收和毛利率则在预期范围内。第二财季总营收约为81亿美元，环比下降8%，同比增长38%。分产品 DRAM:第二财季DRAM营收为61亿美元，同比增长47%，占总营收的76%。环比来看，DRAM营收下降了4%。由于产品组合的改善，位元出货量下降高个位数百分比，而价格上涨中个位数百分比。 NAND:第二财季NAND营收为19亿美元，同比增长18%，占美光总营收的23%。环比来看，NAND营收下降了17%，位元出货量略有增加，而价格下降高十位数百分比。受面向消费者的出货量增加的推动，第二财季NAND的位元出货量高于我们的预期。分部门计算与网络业务部门：营收环比增长4%，达到46亿美元，占总营收的57%。在HBM营收环比增长超过50%的推动下，该业务部门的营收连续第三个季度创下新的季度纪录。存储业务部门：营收为14亿美元，环比下降20%。该业务部门营收下降的主要原因是，在经历了几个季度的强劲增长后，数据中心客户减少了存储方面的投资，以及整个NAND行业的价格影响。手机业务部门：营收为11亿美元，环比下降30%，这是因为移动设备客户继续改善其库存状况。嵌入式业务部门：营收为10亿美元，环比下降3%。环比营收下降主要是由于汽车客户采取了库存改善措施。运营业绩毛利率：第二财季的综合毛利率为37.9%，环比下降了160个基点，主要原因是面向消费市场的产品定价，尤其是NAND产品的定价，以及如前所述，NAND产品组合向面向消费类产品的转变。我们持续推进的DRAM产品组合向高价值产品的转变，在一定程度上抵消了这些因素的影响。 Opex：第二财季的运营支出为10亿美元，环比持平。由于产品提前通过认证以及某些研发项目的时间安排，研发（R&D）支出低于计划水平。营业利润：第二财季我们实现了20亿美元的营业利润，营业利润率为24.9%，环比下降约260个基点，同比去年同期增长了21个百分点。第二财季经调整的EBITDA为41亿美元，EBITDA利润率为50.7%，环比上升10个基点，同比去年同期增长了14个百分点（即增加了20亿美元）。税费：第二财季的税费为2.14亿美元，实际税率为10.7%，由于本季度一次性项目的影响，实际税率低于我们的预期指引。每股收益：第二财季非美国通用会计准则的摊薄每股收益为1.56美元，高于预期指引区间的上限，上一季度为每股1.79美元，去年同期为每股0.42美元。现金流：在第二财季，我们的经营活动现金流超过39亿美元，扣除政府激励资金后的资本支出为31亿美元。因此，本季度的自由现金流为8.57亿美元。库存情况：我们第二财季末的库存为90亿美元，库存天数为158天，如之前所通报的那样有所增加，较上一季度增加了9天。现金及债务总额：在资产负债表方面，季度末我们持有96亿美元的现金及投资，若算上未动用的信贷额度，我们的流动性资产为121亿美元。在第二财季，我们通过发行10亿美元的10年期优先票据和17亿美元的定期贷款延长了债务到期期限，所得款项主要用于偿还2026年到期的票据以及此前的定期贷款余额。季度末，我们的总债务为144亿美元，净杠杆率较低，债务的加权平均到期年份为2032年。季度结束后，我们续签了五年期循环信贷额度并将其规模增至35亿美元。这为我们增加了10亿美元的流动性资金，并进一步提升了我们的财务灵活性。业绩展望位元出货量：我们预计第三财季DRAM和NAND的位元出货量将实现增长。毛利率：我们预计第三财季的毛利率将环比下降，这其中包括面向消费市场的产品出货量增加所带来的影响。NAND产能的未充分利用将继续对毛利率造成压力。运营支出：我们预计第三财季的运营支出约为11.3亿美元，2025财年的运营支出将增长超过10%，这反映了为支持包括HBM在内的高价值产品组合而计划增加的支出。库存：随着位元出货量的增加，我们预计第三财季的库存天数将减少。我们仍预计2025财年末DRAM的库存将较为紧张。税率：对于第三财季和第四财季，我们估计非美国通用会计准则下的税率约为14%。资本支出：我们预计第三财季的资本支出将超过30亿美元。我们对2025财年的资本支出预计仍约为140亿美元。2025财年的绝大部分资本支出将用于支持HBM业务，以及工厂设施建设、后端制造和研发投资。鉴于关税实施的时间、性质和具体方式存在不确定性，潜在的新关税所带来的影响未包含在我们的业绩指引中。 FY25Q3 Non-GAAP业绩指引我们预计营收为88亿美元，上下浮动2亿美元；毛利率在36.5%左右，上下浮动100个基点；运营支出约为11.3亿美元，上下浮动1500万美元。如前所述，我们预计第三财季的税率约为14%。基于约11.4亿股的流通股数量，我们预计每股收益为1.57美元，上下浮动0.1美元。结束语在第二财季，美光的收益超出了预期指引范围，数据中心DRAM的营收再次创下纪录，领先的HBM产量不断提升，并且推出了行业内最先进的DRAM制程技术。对于第三财季，我们预计在业绩指引的中间值水平上实现创纪录的季度营收。在巩固领先地位并把握未来巨大增长机遇的过程中，我们正集中研发资源，严格把控资本投入，并保持强劲的资产负债表状况。美光处于独特的优势地位，能够充分利用从数据中心到边缘设备等领域由人工智能驱动的变革性增长机遇。我们有望在2025财年实现创纪录的营收，并大幅提升盈利能力。我们有信心凭借审慎的投资以及专注于高价值产品组合的转变，应对当前的市场动态。这是我所经历的内存和存储领域最激动人心的时期，美光的创新处于这场革命的前沿。我们对未来的机遇感到兴奋，并将继续致力于为所有利益相关者创造价值。 Q&A Q：我们是否仍可以预期毛利率可能从FY25Q4开始改善？这种改善会涵盖数据中心相关产品和消费类相关产品，以及整个DRAM业务和NAND业务板块吗？ A：关于FY25Q3的情况，正如我们在会议上所指出环比下降了，下降的主要原因是面向消费的产品销量占比增加、CY25Q1面向消费者市场的定价降低，以及行业整体NAND市场状况。不过较高的HBM产品销量在一定程度上抵消了这些不利因素。尽管毛利率有所下降，但情况已经有所改善，最新的观点反映在了今天的业绩指引当中。我们预计FY25Q4毛利率会有所上升。就有利因素而言，我们预计市场状况会有所改善，我们预计HBM及其他高价值产品将实现增长，并有助于产品组合的优化。至于一些不利因素，我们确实看到了NAND产能未充分利用的情况。实际上由于我们的产能已从结构上进行了削减，FY25Q3期间这些相关成本会减少一些，而随着FY25Q4库存出清，我们会面临更多此类成本的冲击。我们已经采取了措施来管理NAND的供应，这部分业务仍在逐步恢复，我们打算在CY25Q2采取调价措施，并努力维持供应纪律。FY25Q4我们将会有一些与厂建、新节点以及我们正在推进的DRAM相关的启动成本。简而言之，我们预计第四季度的利润率会比第三季度有所上升。 Q：您对2025年DRAM行业的位元需求预测从中十位数百分比增长提高到中至高十位数百分比增长，是因为HBM增长嘛？今年您是否看到DRAM内的其他细分领域也在推动行业位元需求呈现出更好的态势呢？ A：我们曾预计在消费业务领域，到春季时客户的库存情况会有所改善。而实际情况也正如我们所预计的那样发展。当然，智能手机和PC市场上配备AI的设备也越来越多，这推动了数据容量的增长。因此，随着客户库存逐渐接近更健康的水平，我们看到客户恢复了采购，而所有这些情况都符合我们对2025年位元需求的预期。当然，数据中心业务依旧强劲。在数据中心领域，HBM无疑是推动收入增长的重要因素。就数据中心的位元需求增长而言,高密度DIMM产品以及美光在行业中处于领先地位的低功耗内存产品，也都对2025年的需求增长起到了推动作用。 Q：关于第三财季的业绩指引方面，你们预计收入将增长约7.5亿美元。你们提到DRAM和NAND的位元出货量都有增加，这两项业务分别贡献了多少呢？ A：关于给定的收入数字。你已经有了DRAM和NAND截至目前的年度收入、位元出货量增长以及价格等方面的数据。而且我们也向你提供了本年度位元需求增长的数据。所以我认为我们已经向你介绍了业务的大致情况，你应该能够基于这些对收入预期做出一些关于出货量和价格方面的假设。我们确实预计在第三季度DRAM和NAND的位元出货量都会有所增长。 Q：是否预计DRAM业务和NAND业务的收入都会增长？ A：增长的倾向将体现在拥有HBM产品且涉足数据中心领域的DRAM业务。 Q：贵公司认为在FY25Q4能恢复到FY25Q2的利润率水平吗？何时能看到HBM业务以及在非HBM的DRAM业务方面的成本削减举措带来的效益？什么时候能看到一个清晰的毛利率数据？ A：我们不会提供FY25Q4的数据。我们已经表明FY25Q4的毛利率会比FY25Q3有所上升。我们在技术和产品的市场覆盖范围方面处于有史以来的最佳状态。制造业的运营情况也非常良好。在成本方面，为了帮助你进行建模分析，我们预计FY2025 DRAM的综合成本将基本持平。FY2025 NAND综合成本将下降中十位数百分比。所以我们正在对NAND业务采取供应方面的举措。这包括降低产能、削减资本支出、推迟工艺节点转换，我们已经开始看到这部分业务出现了一些改善的迹象。在DRAM业务方面，HBM会持续增长，数据中心业务也会更广泛地发展，而且DRAM的前沿技术供应紧张。我们再次预计到本财年末，我们的DIO水平将低于我们设定的目标。当然，我们会继续专注于提高我们在DRAM和NAND业务方面的收入中高利润领域的占比。我们的产品组合处于最佳定位，因此要继续推动产品组合及其结构优化，切实专注于增强盈利能力。我们已经谈到过需求趋势。我们对DRAM的需求趋势很有信心，在NAND业务方面，供应管控将至关重要。我们当然会极其关注这一点，而且AI也有利于提升数据中心和边缘计算领域对我们DRAM的需求。我们的技术地位、产品地位以及成本状况也都持续保持良好。 Q：最近一些内存价格有所上涨，这在多大程度上是由真实的需求增长导致的，多大程度是与关税相关的提前采购所造成的？行业的定价动态具有多大的可持续性？ A：正如我们所指出的DRAM的需求驱动因素，以及消费业务领域中NAND在智能手机，和PC方面的需求驱动因素都在改善，尤其是智能手机，因为消费市场中的客户正逐渐接近其正常的库存水平。这也再次符合我们之前的预测。就PC而言，很可能在今年下半年我们就会看到AI PC方面出现更强劲的需求趋势，并且AI PC的普及率会不断提高。 AI PC相比过去的电脑需要更多的DRAM容量。普通PC平均配备12GB内存，而运行算力达到40 TOPS及以上的带有NPU的AI PC则需要16GB及以上的内存。PC领域存在着良好的需求趋势，智能手机领域也有同样的情况。有多款智能手机推出，而且未来还会有更多智能手机上市，其中不少将是AI智能手机，这些手机的DRAM容量更高，超过12GB，而去年的手机平均是8GB。数据中心对DRAM的需求趋势也依然强劲，所以需求趋势向好。在供应方面，正如刚刚所提及的，前沿产品的供应很紧张。出现这种情况是因为对HBM的需求不断增加及贸易比例变化所致。 NAND方面，各个厂商采取的供应举措，以及晶圆厂的产能未充分利用的情况，无疑也在改善供应状况，所有这些因素都在改善行业的供需环境。我们正专注于推动在CY25Q2涨价。并且，我们的产品在各个终端市场领域都具有良好的定位。我们真心期待能够继续最大限度地把握业务机会，并持续提高我们业务中来自行业高利润领域的占比。 Q：12Hi HBM4良率会不会比8Hi HBM3E低？这会对毛利率产生什么负面影响？ A：首先，我们非常满意8Hi HBM3E。FY25Q2，我们实际交付的HBM3E数量比计划的要多，并且首次实现了超过10亿美元的营收，这是一个重要的里程碑。而且8 Hi HBM3E表现依然出色。我们的良率不错，产能提升进展顺利，执行工作也开展得很顺利。在产能提升和良率提升方面，8 Hi积累的经验会在我们提升12 Hi过程中提供帮助。如我们之前所宣布的，我们现在已经实现了12 Hi量产。就像任何其他新产品一样，而且这些产品高度复杂，HBM是行业内有史以来制造的最复杂的产品，对于这类复杂产品，在早期阶段良率自然会有一个提升的过程。我们预计12 Hi产品价格当然会高于8H产品，并且也会继续显著提升我们DRAM的利润率。在今年下半年，将我们的绝大部分产能转向12 Hi产品。随着我们提升这方面的产量，良率当然也会持续提高。正如我们和你们分享过的那样，到今年年底，我们预计HBM业务的市场份额将与我们在整个行业DRAM业务中的市场份额相符。 Q：目前你们的DIO是153天，而你们将在两个季度内降至120天，为了实现这一目标需要减少多少库存数量？HBM的一些供应趋势等因素对库存产生了多大影响呢？贵司是如何削减这么多库存的？ A：第二季度的DIO天数是158天。DRAM市场的情况比NAND市场更为紧张。我们在NAND业务方面采取的供应举措。我们已经看到那里的出货量有了良好的增长，并且预计这种增长会持续下去。但是行业现状是存在产能未充分利用的情况，我们在削减资本支出，并且推迟工艺节点的转换。在DRAM方面，人工智能驱动的增长与HBM以及其他产品系列相关，尤其是HBM，由于其行业交易比例的情况，使得该市场供应紧张。我们之前设定的库存目标是120天的DIO，并且我们预计在FY25Q4 DRAM的库存天数将低于这一目标。 Q：你们给出下一季度的库存情况指引了吗？库存开始下降了吗？ A：DIO在今年内会下降。 Q：在NAND业务上，如何考虑FY25Q3和FY25Q4的产能未充分利用费用以及期间成本？该如何思考FY25Q4和FY26Q1新增的建设成本呢？ A：我们FY25Q3的期间成本比最初预计的要低，部分原因是我们从结构上降低了产能。因此，更多的产能未充分利用费用将计入库存，然后会以这种方式逐步消化而不是计入期间成本。这些期间成本，确实会在FY25Q4以及FY2026年对毛利率造成压力。但我们认为业务的增长、市场状况的改善以及产品组合的优化，这些因素综合起来会使FY25Q4毛利率有所提高。至于启动成本，从FY25Q3到FY25Q4，按环比来看其影响相对较小。但随着我们接近爱达荷州晶圆厂的晶圆投产，到FY2026年这个成本数字会增加。 Q：你们调高了对HBM行业的规模预期，对于上半年和下半年的情况，你们是否有一个特定的思考框架？ A：下半年的收入随着从8Hi向12Hi转变会持续增长，因为12 Hi相比8Hi会有一定的溢价。所以我们预计CY2025 HBM的行业TAM将超过350亿美元，并且2025年下半年的收入在这一总额中所占的比例会比上半年更大。当然，这里所说的超过350亿美元就是我们提到的HBM行业的市场规模。HBM客户群体正在不断扩大。我们现在已经开始向第三家大型客户供货了。所以客户群体的扩大也有助于推动下半年HBM业务收入的增长。 Q：在DRAM方面，LP4和DDR4产品的市场覆盖情况如何？随着下半年HBM业务开始增长，同时一些消费市场也逐渐恢复正常，这对收入和利润率的影响如何？ A：关于DDR4和LP4产品，在上个季度的财报电话会议上我们曾提到，在本财年剩余时间里，来自这些LP4和DDR4产品的收入大约占我们公司总收入的10%。所以在本财年剩余时间里，我们预计情况仍会如此。关于第二个问题，这在公司的整体收入中占比较小。而且我们在D5、HBM以及基于D5和LP5的产品方面处于领先地位，无论是在数据中心还是在消费市场的其他领域。所以，随着时间的推移，LP4和D4产品的占比当然会继续缩小。从DRAM的需求驱动因素以及供应紧张程度来看，DRAM行业的整体状况正在改善。这也会对DRAM市场各个部分的整体动态产生一定影响。 Q：明年你们是否仍将提升HBM产能？ A：我们曾说过到CY2025结束时，我们在HBM领域的市场份额将与DRAM领域的市场份额相当。所以从目前的发展态势来看，在CY2026我们全年的市场份额相比2025年将会更高。而且我们依然高度专注于持续提升HBM的产能。我之前提到过，我们在持续提升产能方面执行得相当不错，不断从8Hi向12Hi转变，并且非常专注于明年将HBM4推向市场，当然，同时也会满足与此相关的所有产能需求。虽然我们目前还没有对2026年的市场份额做出预测，但我们对自己在HBM领域的地位、与客户的紧密关系、在技术和产品方面的执行能力以及整体的制造水平都非常有信心。 Q：过去三个季度年收入与三年前市场回升时相近，但当时毛利率高10个百分点。现折旧变化不大、营收基数相同但毛利率低约10个点？这是否意味着毛利率难再超 50%？如何让毛利率回到该水平？ A：总体而言，我们在DRAM业务上的毛利率一直处于良好水平，而且这再次得益于我们基于D5产品、LPD5产品以及HBM产品所确立的强大技术和产品优势地位。NAND业务才是拉低我们毛利率的因素。当然，由于整个行业环境以及行业总体的供需失衡状况，我们在NAND业务上一直保持关注，所以无论是在DRAM还是NAND业务方面，毛利率始终取决于供需环境，但我们也非常注重增加高价值解决方案在业务中的占比。在NAND业务上我们也在持续这样做。随着我们看到行业内的供应管控更加严格，我们完全有理由预期NAND业务的行业基本面也会得到改善，在这方面持续保持对供应管控的关注也很重要。因此，展望未来，正如我们所指出的，我们会继续高度关注进一步强化我们的收入结构以及业务中的产品结构，使其更多地向高利润率产品倾斜，无论是在NAND还是DRAM领域，继续关注产品组合的优势，密切管理供需关系，并且密切管理我们的技术研发和投产进程，以确保我们的供需能够良好匹配，当然我们也会非常关注总体成本。基于这些，我们乐观地认为随着行业整体结构的改善，业务基本面也会随之改善。 Q：您提到毛利率较低的部分原因是消费端占比增加，实际上你们NAND业务下滑幅度比DRAM业务要大得多。在DRAM业务方面，你们是否也看到了对消费端占比增加？为什么会出现这种情况？如何改变这种状况？ A：我们在数据中心业务方面表现良好，并且正如我们所指出的，我们在数据中心的DRAM业务占比持续增加。在数据中心的DRAM领域，我们拥有领先的产品，包括HBM、SOCAMM等，DRAM方面我们进展顺利；过去几个季度消费端的客户库存积压情况比较严重，DRAM业务也存在这种情况。随着客户库存逐渐接近正常水平，再加上消费类终端受到AI拉动，我们看到需求出现了强劲反弹，尤其是在智能手机方面。实际上这导致了HBM的行业交易问题，同时消费端需求的强劲反弹也造成了前沿产品供应紧张，这些供需基本面因素使我们能够在CY25Q2推动价格上涨。 NAND业务方面也是同样的情况，行业内采取的供应举措，以及客户及消费端的库存逐渐恢复正常，也使得NAND业务的需求有所回升。我们也会在CY25Q2推动NAND业务的价格上涨。

美光

招商电子 . 2025-03-25 750
【招商电子】美光FY25Q2跟踪报告：HBM收入环比持续高增长，指引FY25Q3 DRAM和NAND量价齐升

事件：美光于3月21日公布FY25Q2财报（注：截至2月28日的3个月期间），营收80.5亿美元，同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，均符合指引。评论： 1、FY25Q2收入和毛利率符合指引，摊薄EPS超指引预期。按NON-GAAP口径，美光FY25Q2收入为80.5亿美元，符合指引（79±2亿美元），同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，符合指引（38.5%±1.0pcts）；摊薄EPS为1.56美元，超指引预期。 2、NAND业务表现相对疲软，HBM收入环比持续高增长。 1）按产品划分：①DRAM单季收入61.2亿美元，同比+47.3%/环比-4.3%，占比76%，位元出货量环比下降高个位数百分比，ASP环比增长中个位数百分比；②NAND单季收入18.6亿美元，同比+18.4%/环比-17.2%，占比23%，位元出货量略有增加，ASP环比下降高十位数百分比； 2）按业务划分：①计算和网络（CNBU）收入45.6亿美元，续创历史新高，同比+109%/环比+4%，其中HBM环比增长超50%；②存储（SBU）收入13.9亿美元，同比+54%/环比-20%，环比下降系数据中心客户减少存储投资及NAND价格影响；③手机（MBU）收入10.7亿美元，同比-33%/环比-30%，系手机客户仍持续去库存所致；④嵌入式（EBU）收入10.3亿美元，同比-8%/环比-3%。 3、上修2025年HBM市场规模指引，消费类终端持续复苏和存储扩容。 1）数据中心：公司继续上修2025年HBM市场规模至350亿美元，指引2026年需求仍然强劲。公司预计其2025财年HBM收入达数十亿美元，2026年实现HBM4大规模量产； 2）PC：预计2025年出货量增长中个位数百分比，出货集中于下半年，系Windows10终止及AI PC带来换机需求，平均DRAM容量将从12GB增至16GB及以上； 3）手机：预计2025年出货量增长低个位数百分比，手机客户库存调整符合预期，平均DRAM容量将从8GB增至12GB及以上； 4）汽车：库存调整进入尾声阶段，随着AI车载及智驾系统发展，内存和存储容量持续增加。 4、指引FY25Q3 DRAM及NAND量价齐升，2025年资本支出聚焦HBM扩产。 1）FY25Q3指引：按NON-GAAP口径，指引收入88±2亿美元，中值同比+29.2%/环比+9.3%；毛利率36.5%±1pcts，中值同比+8.4pcts/环比-1.4pcts，环比下降系消费产品出货量增加及NAND产能未充分利用所致；摊薄EPS 1.57±0.1美金； 2）出货量和价格：FY25Q3 DRAM及NAND位元出货将环比增长，消费类产品出货预计增加；DRAM价格预计环比上升，主要系前沿产品供应紧张，AI终端产品需求强劲；NAND价格也预计环比上升，主要系供给侧减产同时消费类需求复苏，供需格局改善； 3）需求：公司将CY2025 DRAM位元需求增长率从中十位数百分比上调至中至高十位数百分比，NAND位元需求增长率仍为低十位数百分比，中期DRAM和NAND位元需求增长CAGR均达中十位数百分比； 4）供给：预计CY2025年HBM产能大幅提升，未来传统DRAM产能持续受限，指引FY2025年末减少10% NAND产能；公司预计FY25Q3 Capex超30亿美元，FY2025为140亿美元，绝大部分用于HBM及厂建、后端制造及研发。风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。附录：美光FY2025Q2业绩说明会纪要时间：2025年3月21日出席：Mark Murphy–执行副总裁兼首席财务官 Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼CEO Satya Kumar–副总裁、IR兼资管会议纪要根据公开信息整理如下：管理层介绍：美光正处于公司历史上最具竞争力的地位，并且我们在行业内的高利润率产品类别中不断提高市场份额。我们强劲的产品发展势头使我们得以深化与客户的关系，美光处于行业领先地位的产品如今更稳固地嵌入了客户的高价值产品规划路线中。在第二财季，数据中心DRAM的收入创下了新纪录。HBM的收入环比增长超过50%，达到了一个新的里程碑，季度收入超过10亿美元。我们的HBM出货量超过了预期计划，这表明我们在持续扩大生产规模方面执行有力。我们大容量DRAM的收入，加上我们在数据中心领域处于行业领先地位的LPDDR的收入，两者总和在本季度也超过了10亿美元的里程碑。美光仍然是全球唯一一家能够大量向数据中心供应LPDDR的公司，这彰显了我们的创新开拓精神，以及我们与客户在差异化解决方案方面的深度合作关系。随着我们继续保持这一发展势头，预计在DRAM和NAND的出货量增长的推动下，美光第三财季的收入将再创新高。我们认为，AI数据中心的需求，加上HBM的量产爬坡及其相关的贸易比例，将导致前沿领域的供应紧张，并限制非HBM的DRAM供给。我们预计，NAND领域各公司宣布的供应调整举措将改善NAND市场的供需态势。技术与运营美光的1β DRAM技术在行业中处于领先地位。我们通过推出1γ制程节点，以及上个月首次向市场出货基于1γ制程的D5，进一步巩固了我们的领先优势。美光的1γ制程是我们首个采用EUV技术的动态随机存取存储器制程节点。与我们的1β动态随机存取存储器相比，1γ制程实现了功耗降低20%、性能提升15%，并且位密度提高了超过30%。美光领先的G9 NAND技术制程节点能够生产出行业内速度最快的基于TLC的闪存产品。我们在推进这一制程节点的量产爬坡时，充分考虑了行业内的供需平衡情况。制造情况更新美光持续进行审慎的投资，使我们能够充分利用由人工智能所驱动的巨大增长机遇。我们专注于在现有制造工厂中扩大HBM的产能，以满足直至2026年的市场需求。今年1月，我们在新加坡开始建设一座高带宽内存先进封装工厂。这项投资使我们能够从2027日历年起大幅扩大我们的整体先进封装产能。我们在爱达荷州新建的DRAM制造工厂完成了一个重要的建设里程碑，这使得我们在本季度能够收到该项目的首笔“美国芯片与科学法案”拨款资金。这座位于爱达荷州的新制造工厂将从2027财年起实现可观的DRAM产出。终端市场计算硬件的巨大进步降低了生成式AI模型中每个token的成本。这些硬件方面的改进，再加上更高效的算法和软件，降低了推理成本，使得基于生成式AI的功能能够更广泛地应用于新的应用程序和使用场景中。这种应用范围不断扩大为AI整体需求创造了一个强劲的增长动力，并且AI生态系统中的关键参与者所取得的近期创新成果以及正在研发中的成果，将继续推动这一增长趋势。随着GPU和定制化人工智能加速器性能随着新一代产品的推出而不断提升，这些高性能处理器对内存带宽的需求愈发迫切。HBM提供了必要的带宽，能够以最有效和高效的方式发挥这些强大处理器的性能。我们很高兴看到这个复杂且高价值的产品类别所蕴含的增长机遇，如今我们的客户已认可美光在高带宽内存技术方面在行业中的领先地位。数据中心最近，大型超大规模客户重申，他们在2025日历年的资本投资将实现强劲的同比增长。我们预计2025日历年服务器出货量将实现中个位数百分比的增长，其中传统服务器和人工智能服务器均会增长。我们看到了对HBM的强劲需求，并且再次上调了我们对2025日历年HBM的潜在市场规模的预估，将其提高到超过350亿美元。按年化计算的口径下，我们仍有望在2025日历年第四季度使HBM市场份额达到与我们DRAM供应份额相近的水平。如前所述，美光2025日历年HBM产能已全部售空。我们发现2026年对我们HBM的供应需求依然强劲，并且正在与客户就满足他们2026日历年的HBM需求进行协议洽谈。美光处于行业领先地位的HBM3E相比竞争对手的产品功耗降低了30%，并且我们的12Hi HBM3E产品相比竞争对手8H的产品，具有显著的20%的功耗优势，同时内存容量高出50%。我们已经开始大规模量产12Hi HBM3E产品，并专注于提升产能和良品率。我们预计在2025日历年下半年，12Hi HBM3E产品将占我们HBM出货量的绝大部分。我们在HBM的更多平台适配和客户认证方面取得了良好进展。美光的8Hi HBM3E产品已被设计应用于英伟达的GB200系统中，而我们12Hi HBM3E产品则被设计应用于GB300系统中。在第二财季，我们开始向我们的第三家大型HBM3E客户进行批量出货，并且预计随着时间推移还会有更多客户。我们预计在2025财年HBM的收入将达到数十亿美元。展望未来，我们对美光的HBM4充满期待，该产品将于2026日历年实现大规模量产。与HBM3E相比，我们的HBM4产品的带宽提升超过60%。我们推出HBM4的时间契合客户的需求，并且我们致力于在能效、质量和性能方面，向市场推出最优秀的HBM4产品。我们经证实的HBM产品性能、强大的HBM产品规划路线，以及卓越的制造能力，使美光在利用下一代HBM4和HBM4E解决方案方面具备独特优势。美光在数据中心领域率先采用了低功耗内存技术。在AI服务器中，美光的低功耗内存相比D5，将内存功耗降低了三分之二以上。随着服务器内存从焊接模组向SOCAMM形式转变（注：美光SOCAMM采用低功耗DRAM和压缩连接内存模块（CAMM）配合，适用于LPDDR5X的数据中心模块化外形尺寸，较传统的DDR5 RDIMM可节省空间），我们预计将在服务器低功耗内存领域保持领先地位。美光的SOCAMM是与英伟达合作开发的，用于支持GB300系统。采用SOCAMM形式的LPDDR使服务器的制造和维护更加便捷，有助于推动低功耗内存技术在服务器市场更广泛的应用。我们有望在2025财年通过面向数据中心的大容量D5和低功耗产品系列实现数十亿美元的收入。 PC领域我们预计2025日历年PC市场的出货量将达中个位数百分比增长，且增长主要集中在2025日历年下半年。2025年10月Windows10系统将终止，再加上现有设备使用年限较长，以及客户希望确保其PC硬件规格在未来能够支持出色的AI应用程序，这些都是推动市场增长的关键因素。AIPC至少需要16GB DRAM，许多型号所需的内存甚至比去年PC平均12GB的内存容量更高。在本季度，我们向PC客户提供了基于1γ制程的16Gb D5产品样品。在NAND方面，我们推出了基于G9制程的4600高性能SSDs，这是目前客户端市场上速度最快的固态硬盘，并且我们的2650主流固态硬盘已通过多家PC OEM认证。智能手机领域我们预计2025日历年智能手机的出货量增长幅度仍将保持在低个位数百分比。智能手机客户的库存动态变化如预期般发展，这使得我们在第三财季的智能手机用DRAM和NAND的位元出货量实现了增长。AI技术的应用依然是推动移动设备用DRAM需求增长的一个重要因素。具备AI功能的旗舰手机的DRAM容量越来越多地达到12GB或更高，而去年的机型平均容量仅为8GB。智能手机OEM正在采用美光处于行业领先地位的传输速率达9.6Gbps的LP5X DRAM，以提升人工智能性能。与在同一SoC上使用传统速率等级内存的设备相比，其每秒处理的token数量最多可增加20%。在本季度，我们宣布美光的LP5X DRAM和第四代通用UFS 4.0 NAND被应用于三星Galaxy S25系列的高端机型中。美光的移动设备用DRAM和UFS存储解决方案需求旺盛，并将在全年陆续应用于各款旗舰和高端智能手机中。此外，我们目前正在提供业内首款基于移动设备用G9制程管理的NAND的UFS 4.1解决方案的样品，其存储密度最高可达1TB。汽车与工业领域汽车OEM、工业以及消费类嵌入式产品客户目前正处于调整库存水平的后期阶段。在汽车领域，我们嵌入式业务部门（EBU）的收入中占比最大，随着具备人AI功能的车载信息娱乐系统变得更加丰富，以及驾驶辅助功能不断增强，每辆汽车的内存和存储容量持续增加。如今，先进的自动驾驶出租车平台所配备的DRAM容量超过200GB，是普通汽车平均内存容量的20到30倍。美光凭借其处于行业领先地位的汽车产品系列，能够很好地利用这一发展趋势。在本季度，我们宣布业内首款支持9.6Gbps速率等级的汽车用LP5X DRAM产品已具备量产条件，该产品可满足汽车内AI驱动应用对性能日益增长的需求。此外，我们的4150 SSD成为业内首款通过汽车行业认证的企业级SSD产品，目前已向目标客户提供样品，这进一步巩固了我们在这一重要市场中致力于创新和保持领先地位的决心。市场展望 2024日历年，DRAM的位元需求增长幅度达到了high-teens，这与我们之前的预期相符。2024日历年，NAND的位元需求增长幅度约为10%，略低于我们此前预计的低十位数百分比。我们预测2025日历年DRAM的位元需求增长幅度位于中至高十位数百分比，而NAND的位元需求增长幅度将处于低十位数百分比。从中期来看，我们预计DRAM和NAND行业的位元需求CAGR均将达到中十位数百分比。 NAND技术的更新换代大幅提高了整体的位元产出量。通过延长制程节点更新换代的间隔时间，持续削减NAND行业的capex以及晶圆产能，NAND行业的供需有望实现持续平衡。NAND行业晶圆产能未充分利用有助于改善NAND市场的短期供需态势。我们预计在2025日历年，美光在DRAM和NAND方面的供应增长幅度将低于行业需求增长幅度。随着2025日历年的推进，我们预计库存天数将减少。我们期望在2025日历年保持在DRAM和NAND市场的位元份额。在DRAM方面，我们预计整个2025日历年HBM的产量将大幅提升。如前所述，生产相同数量的位元，HBM3E所需的晶圆数量是D5的三倍。展望未来，我们预计随着HBM4的推出，其贸易比例将有所上升，而当HBM4E推出时，这一比例预计将超过4:1。在可预见的未来，硅片使用强度的持续显著增加，将导致行业前沿制程节点的供应紧张，并限制非HBM产能。在NAND方面，我们的制造工厂产能仍未充分利用，晶圆产量较之前的水平下降了中十位数百分比。我们计划重新利用部分未充分利用的NAND设备，以支持以资本高效的方式转换到前沿制程节点。与2024财年结束时的水平相比，这一策略将使2025财年结束时NAND晶圆产能实现超过10%的结构性削减。我们将继续审慎管理NAND的供应，包括资本投资水平、新技术制程节点的量产爬坡速度、制造工厂的产能以及与需求增长相匹配的产能利用率。我们2025财年的资本支出计划保持不变，约为140亿美元。我们的资本投资很大一部分集中在多年期的工厂设施投资上，以支持我们的DRAM和HBM制造业务，包括我们在爱达荷州的制造工厂、新加坡的HBM先进封装工厂以及中国台湾地区的DRAM测试工厂。美光将继续审慎管理我们的整体设备投资，以使供应增长与需求相匹配。关于关税方面，对于极少量可能会受到新宣布针对加拿大、墨西哥和中国的关税影响的产品，我们将继续关注未来可能出台的关税政策，并准备与客户和供应商合作，以了解未来关税的影响以及可能出现的供应链选择方案。在关税确实产生影响的情况下，我们会将这些成本转嫁给我们的客户。财务情况美光第二财季的每股收益（EPS）超出了预期指引范围，营收和毛利率则在预期范围内。第二财季总营收约为81亿美元，环比下降8%，同比增长38%。分产品 DRAM:第二财季DRAM营收为61亿美元，同比增长47%，占总营收的76%。环比来看，DRAM营收下降了4%。由于产品组合的改善，位元出货量下降高个位数百分比，而价格上涨中个位数百分比。 NAND:第二财季NAND营收为19亿美元，同比增长18%，占美光总营收的23%。环比来看，NAND营收下降了17%，位元出货量略有增加，而价格下降高十位数百分比。受面向消费者的出货量增加的推动，第二财季NAND的位元出货量高于我们的预期。分部门计算与网络业务部门：营收环比增长4%，达到46亿美元，占总营收的57%。在HBM营收环比增长超过50%的推动下，该业务部门的营收连续第三个季度创下新的季度纪录。存储业务部门：营收为14亿美元，环比下降20%。该业务部门营收下降的主要原因是，在经历了几个季度的强劲增长后，数据中心客户减少了存储方面的投资，以及整个NAND行业的价格影响。手机业务部门：营收为11亿美元，环比下降30%，这是因为移动设备客户继续改善其库存状况。嵌入式业务部门：营收为10亿美元，环比下降3%。环比营收下降主要是由于汽车客户采取了库存改善措施。运营业绩毛利率：第二财季的综合毛利率为37.9%，环比下降了160个基点，主要原因是面向消费市场的产品定价，尤其是NAND产品的定价，以及如前所述，NAND产品组合向面向消费类产品的转变。我们持续推进的DRAM产品组合向高价值产品的转变，在一定程度上抵消了这些因素的影响。 Opex：第二财季的运营支出为10亿美元，环比持平。由于产品提前通过认证以及某些研发项目的时间安排，研发（R&D）支出低于计划水平。营业利润：第二财季我们实现了20亿美元的营业利润，营业利润率为24.9%，环比下降约260个基点，同比去年同期增长了21个百分点。第二财季经调整的EBITDA为41亿美元，EBITDA利润率为50.7%，环比上升10个基点，同比去年同期增长了14个百分点（即增加了20亿美元）。税费：第二财季的税费为2.14亿美元，实际税率为10.7%，由于本季度一次性项目的影响，实际税率低于我们的预期指引。每股收益：第二财季非美国通用会计准则的摊薄每股收益为1.56美元，高于预期指引区间的上限，上一季度为每股1.79美元，去年同期为每股0.42美元。现金流：在第二财季，我们的经营活动现金流超过39亿美元，扣除政府激励资金后的资本支出为31亿美元。因此，本季度的自由现金流为8.57亿美元。库存情况：我们第二财季末的库存为90亿美元，库存天数为158天，如之前所通报的那样有所增加，较上一季度增加了9天。现金及债务总额：在资产负债表方面，季度末我们持有96亿美元的现金及投资，若算上未动用的信贷额度，我们的流动性资产为121亿美元。在第二财季，我们通过发行10亿美元的10年期优先票据和17亿美元的定期贷款延长了债务到期期限，所得款项主要用于偿还2026年到期的票据以及此前的定期贷款余额。季度末，我们的总债务为144亿美元，净杠杆率较低，债务的加权平均到期年份为2032年。季度结束后，我们续签了五年期循环信贷额度并将其规模增至35亿美元。这为我们增加了10亿美元的流动性资金，并进一步提升了我们的财务灵活性。业绩展望位元出货量：我们预计第三财季DRAM和NAND的位元出货量将实现增长。毛利率：我们预计第三财季的毛利率将环比下降，这其中包括面向消费市场的产品出货量增加所带来的影响。NAND产能的未充分利用将继续对毛利率造成压力。运营支出：我们预计第三财季的运营支出约为11.3亿美元，2025财年的运营支出将增长超过10%，这反映了为支持包括HBM在内的高价值产品组合而计划增加的支出。库存：随着位元出货量的增加，我们预计第三财季的库存天数将减少。我们仍预计2025财年末DRAM的库存将较为紧张。税率：对于第三财季和第四财季，我们估计非美国通用会计准则下的税率约为14%。资本支出：我们预计第三财季的资本支出将超过30亿美元。我们对2025财年的资本支出预计仍约为140亿美元。2025财年的绝大部分资本支出将用于支持HBM业务，以及工厂设施建设、后端制造和研发投资。鉴于关税实施的时间、性质和具体方式存在不确定性，潜在的新关税所带来的影响未包含在我们的业绩指引中。 FY25Q3 Non-GAAP业绩指引我们预计营收为88亿美元，上下浮动2亿美元；毛利率在36.5%左右，上下浮动100个基点；运营支出约为11.3亿美元，上下浮动1500万美元。如前所述，我们预计第三财季的税率约为14%。基于约11.4亿股的流通股数量，我们预计每股收益为1.57美元，上下浮动0.1美元。结束语在第二财季，美光的收益超出了预期指引范围，数据中心DRAM的营收再次创下纪录，领先的HBM产量不断提升，并且推出了行业内最先进的DRAM制程技术。对于第三财季，我们预计在业绩指引的中间值水平上实现创纪录的季度营收。在巩固领先地位并把握未来巨大增长机遇的过程中，我们正集中研发资源，严格把控资本投入，并保持强劲的资产负债表状况。美光处于独特的优势地位，能够充分利用从数据中心到边缘设备等领域由人工智能驱动的变革性增长机遇。我们有望在2025财年实现创纪录的营收，并大幅提升盈利能力。我们有信心凭借审慎的投资以及专注于高价值产品组合的转变，应对当前的市场动态。这是我所经历的内存和存储领域最激动人心的时期，美光的创新处于这场革命的前沿。我们对未来的机遇感到兴奋，并将继续致力于为所有利益相关者创造价值。 Q&A Q：我们是否仍可以预期毛利率可能从FY25Q4开始改善？这种改善会涵盖数据中心相关产品和消费类相关产品，以及整个DRAM业务和NAND业务板块吗？ A：关于FY25Q3的情况，正如我们在会议上所指出环比下降了，下降的主要原因是面向消费的产品销量占比增加、CY25Q1面向消费者市场的定价降低，以及行业整体NAND市场状况。不过较高的HBM产品销量在一定程度上抵消了这些不利因素。尽管毛利率有所下降，但情况已经有所改善，最新的观点反映在了今天的业绩指引当中。我们预计FY25Q4毛利率会有所上升。就有利因素而言，我们预计市场状况会有所改善，我们预计HBM及其他高价值产品将实现增长，并有助于产品组合的优化。至于一些不利因素，我们确实看到了NAND产能未充分利用的情况。实际上由于我们的产能已从结构上进行了削减，FY25Q3期间这些相关成本会减少一些，而随着FY25Q4库存出清，我们会面临更多此类成本的冲击。我们已经采取了措施来管理NAND的供应，这部分业务仍在逐步恢复，我们打算在CY25Q2采取调价措施，并努力维持供应纪律。FY25Q4我们将会有一些与厂建、新节点以及我们正在推进的DRAM相关的启动成本。简而言之，我们预计第四季度的利润率会比第三季度有所上升。 Q：您对2025年DRAM行业的位元需求预测从中十位数百分比增长提高到中至高十位数百分比增长，是因为HBM增长嘛？今年您是否看到DRAM内的其他细分领域也在推动行业位元需求呈现出更好的态势呢？ A：我们曾预计在消费业务领域，到春季时客户的库存情况会有所改善。而实际情况也正如我们所预计的那样发展。当然，智能手机和PC市场上配备AI的设备也越来越多，这推动了数据容量的增长。因此，随着客户库存逐渐接近更健康的水平，我们看到客户恢复了采购，而所有这些情况都符合我们对2025年位元需求的预期。当然，数据中心业务依旧强劲。在数据中心领域，HBM无疑是推动收入增长的重要因素。就数据中心的位元需求增长而言,高密度DIMM产品以及美光在行业中处于领先地位的低功耗内存产品，也都对2025年的需求增长起到了推动作用。 Q：关于第三财季的业绩指引方面，你们预计收入将增长约7.5亿美元。你们提到DRAM和NAND的位元出货量都有增加，这两项业务分别贡献了多少呢？ A：关于给定的收入数字。你已经有了DRAM和NAND截至目前的年度收入、位元出货量增长以及价格等方面的数据。而且我们也向你提供了本年度位元需求增长的数据。所以我认为我们已经向你介绍了业务的大致情况，你应该能够基于这些对收入预期做出一些关于出货量和价格方面的假设。我们确实预计在第三季度DRAM和NAND的位元出货量都会有所增长。 Q：是否预计DRAM业务和NAND业务的收入都会增长？ A：增长的倾向将体现在拥有HBM产品且涉足数据中心领域的DRAM业务。 Q：贵公司认为在FY25Q4能恢复到FY25Q2的利润率水平吗？何时能看到HBM业务以及在非HBM的DRAM业务方面的成本削减举措带来的效益？什么时候能看到一个清晰的毛利率数据？ A：我们不会提供FY25Q4的数据。我们已经表明FY25Q4的毛利率会比FY25Q3有所上升。我们在技术和产品的市场覆盖范围方面处于有史以来的最佳状态。制造业的运营情况也非常良好。在成本方面，为了帮助你进行建模分析，我们预计FY2025 DRAM的综合成本将基本持平。FY2025 NAND综合成本将下降中十位数百分比。所以我们正在对NAND业务采取供应方面的举措。这包括降低产能、削减资本支出、推迟工艺节点转换，我们已经开始看到这部分业务出现了一些改善的迹象。在DRAM业务方面，HBM会持续增长，数据中心业务也会更广泛地发展，而且DRAM的前沿技术供应紧张。我们再次预计到本财年末，我们的DIO水平将低于我们设定的目标。当然，我们会继续专注于提高我们在DRAM和NAND业务方面的收入中高利润领域的占比。我们的产品组合处于最佳定位，因此要继续推动产品组合及其结构优化，切实专注于增强盈利能力。我们已经谈到过需求趋势。我们对DRAM的需求趋势很有信心，在NAND业务方面，供应管控将至关重要。我们当然会极其关注这一点，而且AI也有利于提升数据中心和边缘计算领域对我们DRAM的需求。我们的技术地位、产品地位以及成本状况也都持续保持良好。 Q：最近一些内存价格有所上涨，这在多大程度上是由真实的需求增长导致的，多大程度是与关税相关的提前采购所造成的？行业的定价动态具有多大的可持续性？ A：正如我们所指出的DRAM的需求驱动因素，以及消费业务领域中NAND在智能手机，和PC方面的需求驱动因素都在改善，尤其是智能手机，因为消费市场中的客户正逐渐接近其正常的库存水平。这也再次符合我们之前的预测。就PC而言，很可能在今年下半年我们就会看到AI PC方面出现更强劲的需求趋势，并且AI PC的普及率会不断提高。 AI PC相比过去的电脑需要更多的DRAM容量。普通PC平均配备12GB内存，而运行算力达到40 TOPS及以上的带有NPU的AI PC则需要16GB及以上的内存。PC领域存在着良好的需求趋势，智能手机领域也有同样的情况。有多款智能手机推出，而且未来还会有更多智能手机上市，其中不少将是AI智能手机，这些手机的DRAM容量更高，超过12GB，而去年的手机平均是8GB。数据中心对DRAM的需求趋势也依然强劲，所以需求趋势向好。在供应方面，正如刚刚所提及的，前沿产品的供应很紧张。出现这种情况是因为对HBM的需求不断增加及贸易比例变化所致。 NAND方面，各个厂商采取的供应举措，以及晶圆厂的产能未充分利用的情况，无疑也在改善供应状况，所有这些因素都在改善行业的供需环境。我们正专注于推动在CY25Q2涨价。并且，我们的产品在各个终端市场领域都具有良好的定位。我们真心期待能够继续最大限度地把握业务机会，并持续提高我们业务中来自行业高利润领域的占比。 Q：12Hi HBM4良率会不会比8Hi HBM3E低？这会对毛利率产生什么负面影响？ A：首先，我们非常满意8Hi HBM3E。FY25Q2，我们实际交付的HBM3E数量比计划的要多，并且首次实现了超过10亿美元的营收，这是一个重要的里程碑。而且8 Hi HBM3E表现依然出色。我们的良率不错，产能提升进展顺利，执行工作也开展得很顺利。在产能提升和良率提升方面，8 Hi积累的经验会在我们提升12 Hi过程中提供帮助。如我们之前所宣布的，我们现在已经实现了12 Hi量产。就像任何其他新产品一样，而且这些产品高度复杂，HBM是行业内有史以来制造的最复杂的产品，对于这类复杂产品，在早期阶段良率自然会有一个提升的过程。我们预计12 Hi产品价格当然会高于8H产品，并且也会继续显著提升我们DRAM的利润率。在今年下半年，将我们的绝大部分产能转向12 Hi产品。随着我们提升这方面的产量，良率当然也会持续提高。正如我们和你们分享过的那样，到今年年底，我们预计HBM业务的市场份额将与我们在整个行业DRAM业务中的市场份额相符。 Q：目前你们的DIO是153天，而你们将在两个季度内降至120天，为了实现这一目标需要减少多少库存数量？HBM的一些供应趋势等因素对库存产生了多大影响呢？贵司是如何削减这么多库存的？ A：第二季度的DIO天数是158天。DRAM市场的情况比NAND市场更为紧张。我们在NAND业务方面采取的供应举措。我们已经看到那里的出货量有了良好的增长，并且预计这种增长会持续下去。但是行业现状是存在产能未充分利用的情况，我们在削减资本支出，并且推迟工艺节点的转换。在DRAM方面，人工智能驱动的增长与HBM以及其他产品系列相关，尤其是HBM，由于其行业交易比例的情况，使得该市场供应紧张。我们之前设定的库存目标是120天的DIO，并且我们预计在FY25Q4 DRAM的库存天数将低于这一目标。 Q：你们给出下一季度的库存情况指引了吗？库存开始下降了吗？ A：DIO在今年内会下降。 Q：在NAND业务上，如何考虑FY25Q3和FY25Q4的产能未充分利用费用以及期间成本？该如何思考FY25Q4和FY26Q1新增的建设成本呢？ A：我们FY25Q3的期间成本比最初预计的要低，部分原因是我们从结构上降低了产能。因此，更多的产能未充分利用费用将计入库存，然后会以这种方式逐步消化而不是计入期间成本。这些期间成本，确实会在FY25Q4以及FY2026年对毛利率造成压力。但我们认为业务的增长、市场状况的改善以及产品组合的优化，这些因素综合起来会使FY25Q4毛利率有所提高。至于启动成本，从FY25Q3到FY25Q4，按环比来看其影响相对较小。但随着我们接近爱达荷州晶圆厂的晶圆投产，到FY2026年这个成本数字会增加。 Q：你们调高了对HBM行业的规模预期，对于上半年和下半年的情况，你们是否有一个特定的思考框架？ A：下半年的收入随着从8Hi向12Hi转变会持续增长，因为12 Hi相比8Hi会有一定的溢价。所以我们预计CY2025 HBM的行业TAM将超过350亿美元，并且2025年下半年的收入在这一总额中所占的比例会比上半年更大。当然，这里所说的超过350亿美元就是我们提到的HBM行业的市场规模。HBM客户群体正在不断扩大。我们现在已经开始向第三家大型客户供货了。所以客户群体的扩大也有助于推动下半年HBM业务收入的增长。 Q：在DRAM方面，LP4和DDR4产品的市场覆盖情况如何？随着下半年HBM业务开始增长，同时一些消费市场也逐渐恢复正常，这对收入和利润率的影响如何？ A：关于DDR4和LP4产品，在上个季度的财报电话会议上我们曾提到，在本财年剩余时间里，来自这些LP4和DDR4产品的收入大约占我们公司总收入的10%。所以在本财年剩余时间里，我们预计情况仍会如此。关于第二个问题，这在公司的整体收入中占比较小。而且我们在D5、HBM以及基于D5和LP5的产品方面处于领先地位，无论是在数据中心还是在消费市场的其他领域。所以，随着时间的推移，LP4和D4产品的占比当然会继续缩小。从DRAM的需求驱动因素以及供应紧张程度来看，DRAM行业的整体状况正在改善。这也会对DRAM市场各个部分的整体动态产生一定影响。 Q：明年你们是否仍将提升HBM产能？ A：我们曾说过到CY2025结束时，我们在HBM领域的市场份额将与DRAM领域的市场份额相当。所以从目前的发展态势来看，在CY2026我们全年的市场份额相比2025年将会更高。而且我们依然高度专注于持续提升HBM的产能。我之前提到过，我们在持续提升产能方面执行得相当不错，不断从8Hi向12Hi转变，并且非常专注于明年将HBM4推向市场，当然，同时也会满足与此相关的所有产能需求。虽然我们目前还没有对2026年的市场份额做出预测，但我们对自己在HBM领域的地位、与客户的紧密关系、在技术和产品方面的执行能力以及整体的制造水平都非常有信心。 Q：过去三个季度年收入与三年前市场回升时相近，但当时毛利率高10个百分点。现折旧变化不大、营收基数相同但毛利率低约10个点？这是否意味着毛利率难再超 50%？如何让毛利率回到该水平？ A：总体而言，我们在DRAM业务上的毛利率一直处于良好水平，而且这再次得益于我们基于D5产品、LPD5产品以及HBM产品所确立的强大技术和产品优势地位。NAND业务才是拉低我们毛利率的因素。当然，由于整个行业环境以及行业总体的供需失衡状况，我们在NAND业务上一直保持关注，所以无论是在DRAM还是NAND业务方面，毛利率始终取决于供需环境，但我们也非常注重增加高价值解决方案在业务中的占比。在NAND业务上我们也在持续这样做。随着我们看到行业内的供应管控更加严格，我们完全有理由预期NAND业务的行业基本面也会得到改善，在这方面持续保持对供应管控的关注也很重要。因此，展望未来，正如我们所指出的，我们会继续高度关注进一步强化我们的收入结构以及业务中的产品结构，使其更多地向高利润率产品倾斜，无论是在NAND还是DRAM领域，继续关注产品组合的优势，密切管理供需关系，并且密切管理我们的技术研发和投产进程，以确保我们的供需能够良好匹配，当然我们也会非常关注总体成本。基于这些，我们乐观地认为随着行业整体结构的改善，业务基本面也会随之改善。 Q：您提到毛利率较低的部分原因是消费端占比增加，实际上你们NAND业务下滑幅度比DRAM业务要大得多。在DRAM业务方面，你们是否也看到了对消费端占比增加？为什么会出现这种情况？如何改变这种状况？ A：我们在数据中心业务方面表现良好，并且正如我们所指出的，我们在数据中心的DRAM业务占比持续增加。在数据中心的DRAM领域，我们拥有领先的产品，包括HBM、SOCAMM等，DRAM方面我们进展顺利；过去几个季度消费端的客户库存积压情况比较严重，DRAM业务也存在这种情况。随着客户库存逐渐接近正常水平，再加上消费类终端受到AI拉动，我们看到需求出现了强劲反弹，尤其是在智能手机方面。实际上这导致了HBM的行业交易问题，同时消费端需求的强劲反弹也造成了前沿产品供应紧张，这些供需基本面因素使我们能够在CY25Q2推动价格上涨。 NAND业务方面也是同样的情况，行业内采取的供应举措，以及客户及消费端的库存逐渐恢复正常，也使得NAND业务的需求有所回升。我们也会在CY25Q2推动NAND业务的价格上涨。

美光

招商电子 . 2025-03-25 640
企业 | 晶丰明源2024年营收超15亿元，净利亏损63%

近日，上海晶丰明源半导体股份有限公司（以下简称“晶丰明源”）发布了2024年度财报。财报显示，晶丰明源2024年实现销售收入15.04亿元，较上年同比上升15.38%，但归母净利润-0.33亿元，同比减亏63.78%。单季度来看，晶丰明源2024年第四季度归母净利润为2125万元，系时隔一年后首次单季度盈利。晶丰明源总部位于上海，在杭州、成都和香港设有子公司，在深圳、厦门、中山、东莞、苏州等13个城市设有客户支持中心。公司专注于电源管理和电机控制芯片的研发和销售，坚持自主创新，产品覆盖LED照明驱动芯片、AC/DC电源管理芯片、DC/DC电源管理芯片、电机控制驱动芯片等，广泛应用于LED照明、家电、手机、个人电脑、服务器、基站、网通、汽车、工业控制等领域。其中，AC/DC电源芯片作为该公司第二增长曲线，收入相较于上年提升39.64%。用于大、小家电领域的AC/DC电源产品，销售收入同比上升79.13%；应用于充电器、适配器领域的AC/DC电源产品，销售收入同比上升30.56%。同时，2024年电机控制驱动芯片、高性能计算电源芯片销售收入增长同样明显，增幅分别达95.67%、1402.25%。与此同时，晶丰明源产品销售结构进一步平衡，以上三类产品营收占比均有不同程度提升，而去年LED照明驱动芯片的营收占比则从2023年的72.30%降至57.76%。晶丰明源表示，该公司自研的第一代0.18μmBCD工艺平台已实现量产，正推进第二代0.18μmBCD工艺的测试，第二代工艺平台量产后将在性能提升、成本优化等方面进一步提供助力；更高性价比的65nm LDMOS工艺平台取得阶段性成果，预计2025年进入试产阶段。

晶丰明源

芯查查资讯 . 2025-03-25 1 610
产品 | 600MHz RISC-V 双核加持！先楫HPM6P00重新定义国产高性能混合信号MCU

2025 年 3 月 25 日，上海 —— 高性能微控制器及嵌入式解决方案提供商上海先楫半导体科技有限公司（先楫半导体，HPMicro）正式发布全新一代高性能混合信号微控制器 —— HPM6P00 系列，聚焦工业自动化、智能电源及精密伺服控制领域。作为该系列的旗舰产品HPM6P81内置 RISC-V 双核，主频高达 600 MHz，支持多达 32 路高分辨率 PWM 输出，配备 4 个独立 16 位 ADC（多达32个模拟输入通道）和 8 个高速模拟比较器，并集成 Σ∆ 数字滤波、硬件电流环等高精度运动控制模块，满足严苛控制应用需求。 HPM6P00系列凭借卓越的计算性能、精准的模拟与控制能力、高精度定位与测量，以及丰富的通信接口，为新能源、工业自动化、机器人等前沿领域提供核心驱动力，助力客户打造更高效、更可靠的数字电源与运动控制系统，加速产业智能化升级。增强核心技术 1. 高实时性双核，提供澎湃算力： RISC-V 双核支持双精度浮点运算及强大的DSP扩展，主频600MHz，性能超过 6780 CoreMark™ 和 3420 DMIPS。 32KB 高速缓存 (I/D Cache) 和双核各高达 256KB 的零等待指令和数据本地存储器 (ILM / DLM)，加上256KB 通用 SRAM，极大避免了低速外部存储器引发的性能损失。双核各司其职，可分别专注控制环路运算和通讯等其他任务，实现算力与实时性的双重突破。 2. 增强PWM输出，重新定义电源和运动控制功率驱动的灵活性边界：输出通道多达32个通道，全部支持100ps级别高分辨率PWM调制精度，PWM波形灵活。支持最多32路独立PWM或者16对互补PWM输出。 PWM输出可通过互联管理模块与ADC等外设协同。 3. 强大的模拟外设，实现多通道精密测量与数字系统无缝对接： 4个16位ADC，转化率超过2MSPS，共32个模拟输入通道。 ADC支持差分和单端模拟输入，差分模式下ADC有效位数可达13.5位。 8个模拟比较器，内部集成12b DAC作为参考，可以对输入模拟信号进行上下限的窗口监测。 4. 实时控制系统，专为高精度控制场景打造：硬件空间坐标变换单元，实现硬件Clark和Park变换。闭环控制器。各类位置编码器接口，可以连接不同制式的绝对式和脉冲式编码器，实现旋转变压器解码。典型应用参考作为智能控制的核心引擎，先楫半导体HPM6P00 MCU的应用场景涵盖双向储能方案、双向微型逆变器、直流充电桩、锂电池均衡维护仪、储能系统能量管理、新能源汽车电机驱动及电池热监控等关键环节，其典型应用系统架构请参考下图。 1. 双向储能方案 2. 直流充电桩方案 3. 双向微型逆变器方案 4. 锂电池均衡维护仪方案赋能多元场景此次先楫半导体发布的新品HPM6P00系列不仅突破性能边界，更通过软硬件协同优化，集成电源模块、智能外设和灵活功耗模式，实现了从nA级待机到高效运行的全面覆盖。这些特性使其在电池驱动、能量采集及高可靠性场景中成为不可替代的核心组件。 • 能源与电源：数字电源、逆变器、电池管理系统（BMS） • 工业自动化：机械臂关节控制、PLC模块、智能传感器 • 精密设备：医疗仪器、3D打印、激光加工 • 消费电子：高端家电、无人机云台控制 HPM6P00EVK提供RGMII千兆网口、CAN接口、音频接口、sigma-detal 转换接口、HS USB接口以及标准的电机接口，可以适配先楫的电机驱动板。同时，HPM6P00EVK的FEMC/PPI插槽方便用户实现各类总线接口，并默认提供FEMC/PPI子板，可实现SDRAM、SRAM和并口的ADC采样功能。此外，HPM6P00EVK提供树莓派部分接口以及板载的调试接口可以方便用户进行调试，也提供标准的JTAG接口供用户选择。

先楫半导体

先楫半导体HPMicro . 2025-03-25 685
技术 | 基于小华HC32F334的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC参考设计

本文介绍了基于小华HC32F334数字电源控制器的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC参考设计：着重介绍了工频过零点电流畸变控制、工频过零点附近的逻辑处理、轻载效率和THD优化、准确负电流检测与防干扰设计、变频交错功能实现、以及保护功能设计，更多功能期待大家亲测品鉴。参考设计简介随着服务器计算需求的增长，特别是云计算和人工智能（AI）计算的兴起，服务器CPU/GPU所需功率在大幅增加，服务器电源的功率预算已经从21世纪初的200W至300W范围，增加到现在的800W至2000W，并且未来可能进一步增加到3000W/5500W甚至8000W以上‌。为了满足电子产品对高质量电源的需求，同时，在行业头部企业和节能减排宏观趋势的驱动下，服务器电源的行业标准也将从当前国内普遍采用的CRPS2.2标准逐渐升级到M-CRPS标准，新标准对掉电再恢复的冲击电流、电网电流THD、PF值及功率密度等方面提出了更为严格的要求，THD新旧标准差异如图1所示。图 1 M_CRPS/CRPS标准中THDi的要求应服务器电源高效、高功率密度的要求，图腾柱PFC相比传统二极管整流boost PFC每次能量传输少经过一个开关管、更为高效，因而在服务器电源、通信电源等领域得到了广泛应用，图腾柱PFC和传统拓扑的对比如图2所示。图 2 传统拓扑与图腾柱拓扑对比为进一步提升图腾柱PFC的效率和功率密度，TCM模式相对于DCM、CCM、CRM模式优势明显，如图3所示，TCM模式有利于实现全负载范围内的ZVS开通。在功率等级较高的情况下，单路 PFC 的输入纹波电流很大，滤波器的体积也会相应增大。为解决大功率场景中 PFC 电感和滤波器体积过大的问题，可采用多相（N相）交错技术。采用该技术后，输入电感电流频率成倍增加，输入滤波器差模部分所需的截止频率也成倍增加，因此可极大地降低系统滤波器的体积，有利于功率密度提升。图 3 电感电流工作模式对比基于上述考虑，小华半导体推出了基于HC32F334芯片的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC参考设计方案。系统具体控制框图如图4所示，方案采用互感器检测正、负向电流实现整流管OCP保护以及续流管负电流关断，同时实现交错控制。图5为满载电流交错以及主管实现ZVS的情况。图6为参考方案的THD、PF值以及效率曲线。参考方案的THD与PF值指标满足更加严格的M_CRPS标准。方案实现的主要要点与难点如下： 1、工频过零点电流畸变控制； 2、工频过零点附近的逻辑处理，包含： a) 对调整流管与续流管的驱动脉冲； b) 切换相应的负电流检测事件配置； c) 切换相应的OCP保护事件配置； d) 更改相应的消隐窗口配置； e) 工频过零点附近驱动关波逻辑； 3、轻载效率和THD优化； 4、准确负电流检测与防干扰设计； 5、变频交错功能实现； 6、保护功能设计，介绍： a) 电感电流的OCP保护； b) 以及软件防饱和保护；图 4 小华TCM_PFC系统控制框图图 5 Vin>Vout/2下的ZVS实现以及电感电流交错波形图 6 额定220V输入下THD曲线(左轴)和PF值(右轴)以及不同输入下的效率曲线方案设计要点工频过零点电流畸变控制在工频过零点附近，受续流管的反向恢复、采样电路延时、驱动电路延时的影响，在负电流达到阈值后电感电流会继续以的斜率上升一段时间（绝对值），导致实际关断的负电流会比给定值大一些。然而，在工频过零点附近输入电压瞬时值比较低，电感电流的上升斜率缓慢，会导致过零点附近的TON开出来的电流恢复不到负电流给定值以上。最终的结果是TON结束后，由于此刻母线电压相对较高，电感电流会以比较大的斜率下降到负向OCP保护阈值处，使得工频过零点电流出现尖刺。因此，在电感电流恢复到给定值以上之前的时间要防止开通续流管，同时要保证主管的脉冲在TON结束后能够重新开启。小华HC32F334芯片针对上述问题，对外设细节进行了优化处理，以便应对上述问题。芯片增加了外部事件消隐延迟功能，如图7所示。工频过零点附近，当负电流持续有效时，在死区时间结束后会清零计数器进而重新开启TON，直到负电流恢复到给定值以上。本方案中，负电流检测消隐信号跟随功率管脉冲动态调整，图8为未开启消隐延迟功能的发波示意图，图9为开启消隐延迟功能的发波示意图。图 7 消隐模式下触发计数器清零的外部事件延迟功能图 8 未开启消隐延迟功能驱动发波示意图图 9 开启消隐延迟功能驱动发波示意图未开启消隐延迟功能时，由于工频过零点附近TON开启未能使负电流恢复到给定值以上，样机工作异常，频繁的进入负向OCP的过流保护，不能正常起机，如图10所示。当开启消隐延迟功能时，如图11所示，样机正常工作，工频过零点附近电流波形平滑无尖刺。图 10 消隐延迟功能未开启图 11 消隐延迟功能开启工频过零点附近的逻辑处理无桥图腾柱拓扑在工频换相附近，需要处理以下逻辑：基于HC32F334芯片外设优异的性能，以上逻辑均可以通过配置外设轻松搞定。通过HRPWM外设的swap功能，可配置寄存器实现逻辑①对调整流管与续流管的驱动脉冲逻辑。由上一章节介绍的消隐窗口，通过配置更改事件的消隐模式即可实现逻辑①更改相应的消隐窗口配置的需求。HRPWM外设发波单元可配置选择10个外部事件中任一一个或多个作为清零、捕获、PWM动作的触发源，更改寄存器配置可轻松实现逻辑②、③负电流检测以及OCP保护逻辑的切换配置。逻辑④实现的一般方法是通过在环路中断程序中判断标志位后操作寄存器来关闭驱动脉冲，这样做的缺点是每个环路中断中必须要软件干预才可以，同时开关波会有跟中断服务函数相等时长的延时，另外关断逻辑还会跟控制耦合在一起，增加逻辑的复杂性。利用HC32F334芯片的EMB外设可轻松搞定上述问题。配置EMB外设的端口保护功能，过零点附近操作GPIO口的置高置低来提供EMB外设的端口保护源，保护功能配置为状态释放，这样无需软件干预即可释放驱动脉冲。过零点附近的驱动关波波形以及驱动切换如图12所示。图12 工频过零点驱动波形图另外，HC32F334芯片的HRPWM外设包含丰富的事件用来控制PWM输出，如相比于竞品，HC32F334的事件更多：除周期点、零点外，有6个比较寄存器动作点，和10个外部事件输入动作源。并且在计数器的上升计数，下降计数时可以配置不同的输出状态。表1 PWM控制事件基于HC32F334芯片如此灵活的发波性能，配置高频臂的驱动如图20所示，在环路中断中分别更改寄存器HRGCMAR、HRGCMER的值即可分别实现驱动的脉宽缓起的逻辑。轻载效率和THD优化本文采用的TCM模式是CRM模式的衍生，其共同点是电感电流均为三角波，不同点是，CRM模式电感电流最小值为0，而TCM模式电感电流最小值为负值。因此，TCM模式下得THD可参照CRM模式类比过来，将TCM模式下的电流平均值补偿为CRM模式下的平均值即可得到与CRM模式下相同得THD效果。如图13所示为TCM模式下电流补偿示意图：图 13 TCM模式下THD补偿图 TCM模式下得电感电流平均值与CRM模式下得电感电流平均值相等，可列出等式：求解令p= ,解得：小华HC32F334芯片为基于32bit Cortex-M4F CPU，内置FPU，同时具备最大 128KB 的 Flash memory，因此上述算法软件实现可通过公式计算或者查表的方式轻松实现。补偿后的波形如图6所示，满足M-CRPS标准要求。另外，为了提高轻载效率以及THD，方案在40%负载以下工作在单路模式，这对输入滤波器提出了更高的要求。如图14所示，为方案中采用两级滤波器仿真模型图以及滤波器的幅频特性。图 14 输入滤波器特性仿真如图14所示，滤波器包含两个谐振频率，本方案中两路工作模式切换至单路工作模式后，工作频率相比两路工作模式下会降低，进而穿越如图14所示的最右侧的谐振频率。由于该谐振频率点的衰减系数突然变小，同时由于是工作在TCM模式下，电感电流波形为三角波，幅值比较大，这样位于谐振点附近的电感电流衰减系数不够，导致三角波电感电流几乎无衰减。在输入滤波器看进去的电流如图15所示，滤波器在谐振频率29KHz处对电感电流几乎无衰减。如果将滤波器的谐振频率降低，必然要增加差模感量或者X电容容值，这样会导致输入滤波器的插入损耗进一步增加或者导致无功电流增加影响PF值。图 15 输入电流震荡波形本方案通过在X电容上串入电阻，很好地解决了上述问题，串入电阻后的滤波器波特图如图16所示。图 16 X电容串电阻后的滤波器波特图准确负电流检测与防干扰设计 TCM模式下的PFC工作在变频模式，频率范围可由20kHz至300kHz区间变化，因此负电流检测对检测回路的带宽要求较高，参考方案使用高频互感器进行检测，如图17所示。当电流从互感器T1的7引脚流向8引脚，Q4和Q5开通进行正向电流的OCP检测，以及ZCD电流的检测；当互感器不检测电流（关断），Q4和Q5关断，互感器T1由D17进行退磁。与串联的互感器采样回路分别实现了的OCP采样与的负电流采样，采样波形如图18、19所示。采样波形分别经过高速比较器输出至MCU芯片HRPWM外设，经过HRPWM外设灵活的外部事件处理性能实现逐周期的OCP电流保护功能以及负向电流检测功能。如图20所示，为高频臂驱动发波示意图。HC32F334的HRPWM外设具备外部事件消隐功能，可以忽略指定时间发生的外部事件，其中指定消隐时间配置非常灵活，用户可以通过寄存器设置选择下面任意一种模式： ①消隐时间可以由本单元滤波偏移寄存器EEFOFFSETAR到窗口寄存器EEFWINAR ②其他单元生成的消隐信号 ③其他单元的PWM信号：PWMA_PRE1或PWMB_PRE1 ④本单元计数值等于周期值或者锯齿波硬件清零到偏移值EEFOFFSETAR（或窗口值EEFWINAR）的时间 ⑤本单元计数值等于0到偏移值EEFOFFSETAR（或窗口值EEFWINAR）的时间本参考方案中，因OCP电流保护与负向电流检测两路事件为弱信号，在管子动作时很容易受干扰。HRPWM外设针对外部事件可配置消隐窗口，在消隐窗口时间内可忽略外部事件作用。因此，针对OCP保护以及负电流检测事件分别做了内部消隐。得益于HC32F334芯片外部事件灵活的消隐功能，本参考方案可分别对OCP事件配置消隐模式④，对负向的电流检测事件配置消隐模式⑤，进而保证驱动以及保护不受干扰，正确运行。图 17 电流检测电路图 18 续流管负电流采样波形图 19 主管OCP电流采样波形图20 基于HC32F334的TCM_PFC高频臂驱动发波配置示意图变频交错功能实现本参考方案中两路交错TCM_PFC在变频控制时，需实时矫正两路相位差，以便保证两路能够可靠交错。HRPWM模块每个单元timer都支持PWM输出和捕获功能同时使能，每个单元都有两路捕获功能，因此第一路timer既可以通过本单元ovf事件触发本单元捕获，测量出本路的开关周期T，还可以通过第二路timer的ovf事件触发第一路timer的捕获功能，从而得到从路相对于主路的相位P，进而计算出当前实时检测到的相位P与理论目标相位（180°）的差：，而后通过占空比微调使得从路相对于主路的相位保持在180°左右。如图21所示，两路电感电流实现了可靠的交错。图 21 两路电感电流波形以及主路的驱动与Vds波形保护功能设计如图22所示，为方案中高频功率电感的饱和电流测试波形。PFC电感饱和后，感量会急剧下降，进而会导致严重的功率损坏。因此，PFC电感的防饱和保护功能至关重要，除了单周期的OCP功能外，控制软件中还需增加一层保护。控制软件依据公式（2-1），通过查询输入电压瞬时值来限制TON得大小来间接限制得大小。 (2‑1) 图 22 高频电感饱和电流波形测试图交错无桥图腾柱TCM_PFC应用方案扩展随着以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体的发展，以及高性能MCU数字电源处理器的不断升级迭代，基于CCM模式的无桥图腾柱应用将会越来越广泛。小华HC32F334也能很好地支持基于CCM模式的无桥图腾柱拓扑控制策略，系统框图如图23所示。欢迎大家开发探讨。图 23 两路交错无桥图腾柱CCM_PFC系统框图总结随着AI和人工智能等新一代信息技术产业的蓬勃发展，服务器电源的高效率和高功率密度要求日益增强。本文详细介绍了基于小华HC32F334数字电源控制器的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC参考设计，重点介绍了工频过零点电流畸变控制、工频过零点附近的逻辑处理、轻载效率和THD优化、准确负电流检测与防干扰设计、变频交错功能的实现、及保护功能设计。上述分析和实验结果表明，小华HC32F334从芯片层面保证了图腾柱PFC控制功能的实现；同时灵活性的PWM波形控制功能有利于各种电源拓扑的数字控制开发，让用户使用起来更便捷、更安全！

小华半导体

小华半导体有限公司 . 2025-03-25 1 560
产品 | 圣邦微电子推出具备功率监控和 SMBus 功能的 1 至 4 节电池充电控制器 SGM41538/SGM41538B

圣邦微电子推出 SGM41538/SGM41538B，一款支持混合动力提升和纯电池提升模式，具备功率监控和 SMBus 功能的 1 至 4 节电池充电控制器。该器件可应用于支持电池/电容器备份的系统，笔记本电脑、超级本、二合一设备和平板电脑，工业与医疗设备及便携式设备。 SGM41538 和 SGM41538B 是高效的同步多化学电池充电器，适用于 1 至 4 节电池，专为高密度应用设计，显著减少了外部元件数量。 SGM41538 和 SGM41538B 支持混合动力增强模式（Hybrid Power Boost，HPB），当系统功率需求超过适配器额定功率时，电池能够辅助适配器供电。此外，它们还具备从充电到放电的超快速切换功能，确保在不同工作模式之间切换时系统运行平稳，不会出现崩溃的情况。 SGM41538 和 SGM41538B 还提供纯电池升压模式（Battery-Only-Boost Mode）。在适配器不在场且电池电压（VBAT）高于最低系统运行电压（VSYSMIN）时，电池场效应晶体管（BATFET）会直接将电池连接到系统。当 VBAT 降至接近 VSYSMIN 或更低时，升压转换器会被激活，以提升低电池电压并调节系统电压，直至电池存储的能量被完全利用并耗尽。此外，SGM41538 和 SGM41538B 配备了精确的功率和电流监控功能，通过各自的引脚（IADP、IDCHG、PMON）分别监测适配器电流、电池放电电流和系统功率，以便主机在需要时能够限制 CPU 并降低系统功率。它们还支持两级输入电流限制，最大化适配器的功率利用率，同时最小化电池放电。充电电压、输入电流、充电电流和放电电流的限制精度分别为 -0.3%~0.35%（16mV/Step）、-2.2%~2.5%（64mA/Step）、-1.5%~3.5%（64mA/Step）和 -3.5%~1.5%（512mA/Step）。设备的供电源会在电池和适配器之间自动选择。外部 N-MOSFET（ACFET、RBFET 和 BATFET）的集成栅极驱动器由两个内部电荷泵供电。SGM41538 和 SGM41538B 的集成 SMBus 接口允许电源管理控制器精确设置和调节输入电流、充电电流、放电电流和充电电压，并提供了一整套可编程保护功能。 SGM41538 和 SGM41538B 还增强了安全性保护，防止过压、过流、电池短路、电感短路和 MOSFET 短路。它们支持四种开关频率：300kHz、400kHz、600kHz 和 800kHz，并通过 ILIM 引脚实现对系统电流限制的实时控制。 SGM41538 和 SGM41538B 采用符合环保理念的 TQFN-4×4-28BL 绿色封装，能够在 -40℃ 至 +125℃ 的结温范围内稳定工作，适用于广泛的高密度应用。图 1 SGM41538 电池充电典型应用图 2 SGM41538/SGM41538B 功能框图

圣邦微

圣邦微电子 . 2025-03-25 450
拆解纳祥科技超声波清洗机方案电路板，了解提升清洁效率的秘密

随着生活品质的提升，眼镜、珠宝、牙套等各类精细物件的清洗日益增长，但传统手洗难彻底除垢且易损物件，小型超声波清洗机方案凭借高效便捷等优势出圈，满足多场景清洁需求。今天一起看看纳祥科技展示的超声波清洗机方案。㈠方案概述纳祥科技超声波清洗机方案，其原理是发生器产生的高频振荡电信号，通过换能器转换成高频的机械振动，传播到清洗液中。超声波在液体中产生微小气泡，这些气泡在高压环境下不断生长并迅速破裂，从而产生强大的冲击力。这种 “空化效应” 产生的连续高压深入清洁盲区，使污垢迅速剥落，达到清洗目的。本方案配备控制主板，集成电源管理模块、超声驱动电路、单片机、触摸感应器等核心电子元件，各元件布局合理，线路连接简洁，确保设备运行稳定可靠。㈡方案实施流程我们以眼镜清洗为例，展示本方案—— ① 将眼镜放入清洗槽中，加入清水（也可加入2~5滴清洗液） ② 接入适配器电源，机器指示灯闪烁 ③ 轻触按键，指示灯长亮，开启超声波清洗机 ④ 清洗结束，取出眼镜，放在自来水下冲洗一遍即可备注：除了眼镜，本方案还能清洗耳环、剃须刀、牙套、项链、牙刷、化妆刷、手镯、手表等物品。㈢方案功能本方案利用超声波在液体中产生的空化作用，通过46KHz的高频震波，在220V额定电压下，有效清除物体表面的污垢和杂质。在实际设计与应用过程中，本方案集成了漏电保护、过载保护、过温保护以及功率控制等功能，以确保设备运行的安全性。㈣总结本方案通过高集成度芯片选型与智能化设计，实现小型超声波清洗机的低成本、低功耗及高可靠性，满足办公室、宿舍、居家等多场景需求。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

纳祥科技,超声波,超声波清洗方案,电子方案

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-03-25 1 2420
企业 | 奔向物理AI，NVIDIA推出开源人形机器人基础模型Isaac GR00T N1

在北京时间3月19日凌晨的NVIDIA GTC 2025上，NVIDIA首席执行官黄仁勋大声宣布，AI浪潮将继续，现在我们已经从生成式AI时代，来到了代理式AI时代，接下来将是物理AI时代。NVIDIA走在时代的前沿，在大家都在代理式AI时代时，他们已经在为物理AI时代的到来做准备了。在黄仁勋看来，机器人将是物理AI时代的重要标志。因此，在GTC大会上，NVIDIA针对机器人推出了一系列全新的产品，包括全球首个开源且完全可定制的基础模型Isaac GR00T N1，以及其他仿真框架和蓝图，比如用于生成合成数据的Isaac GR00T Blueprint、与Google DeepMind及Disney Research共同开发的、专为机器人开发而构建的开源物理引擎 Newton，以及与GE医疗合作的Isaac for Healthcare等。 Isaac GR00T N1的特性与优势能够制造出跟人类一样可以自主执行任务的人形机器人一直是一个令人着迷的目标。近年来，随着机器人硬件、AI和加速计算的进步，让这个看似遥远的目标变得触手可及了。当然，为现实世界任务和不可预测环境场景开发通用人形机器人仍然面临着一系列的挑战。比如每一项任务都需要一个专用的AI模型，而通用人形机器人需要执行海量的任务，这就必然需要这些任务的特定数据，然后用这些数据进行训练，再得到一个可用的模型。如果每一项任务，每一个环境都需要从头训练模型，这将是一项非常庞大的工程，而且成本很高。那有没有什么好的办法呢？NVIDIA给出了他们的一套解决方案，那就是Isaac GR00T，通过提供开源的提供开源 SimReady数据、Isaac Sim和Isaac Lab等仿真框架、合成数据蓝图及预训练基础模型，助力攻克这些挑战并加速通用人形机器人开发进程。今年推出的Isaac GR00T N1就是一个面向通用人形机器人的开源基础模型，该模型采用了双系统架构的视觉-语言-动作（VLA）模型。其中，“系统 1”是一个快速思考的动作模型，反映人类的本能反应或直觉。“系统 2”是慢思考模型，用于进行经过深度思考的决策制定。系统2由视觉语言模型提供支持，它会对所处环境和接收到的指令进行推理，从而规划行动。系统1随后将这些规划转化为精确、连续的机器人运动。系统1基于人类演示数据和 NVIDIA Omniverse平台生成的海量合成数据进行训练。 Isaac GR00T N1采用海量人形机器人数据集，再加上Isaac GR00T Blueprint组件生成的合成数据，以及互联网上大规模的视频数据训练后，可将该训练后的模型调整适配到特定机器人本体、任务场景与环境条件下。目前，开发者可以通过Hugging Face平台免费获得GR00T N1模型的部分训练数据。据悉，GR00T N1可轻松适应并完成通用任务，如单手或双手抓取、移动物体，将物体从一只手臂转移到另一只手臂，或执行需要长语境和通用技能组合的多步骤任务。这些功能可应用于物品搬运、包装和检查等各种使用场景中。当然，开发者和研究人员可以使用真实数据或合成数据针对特定人形机器人或任务对GR00T N1进行后训练。 1X Technologies首席执行官Bernt Børnich认为GR00T N1模型在机器人推理和技能方面实现了重大突破，仅需要少量的后训练数据，就能在NEO Gamma上全面部署。目前除了1X Technologies，Agility Robotics、波士顿动力、Mentee Robotics 和 NEURA Robotics也都在采用GR00T N1来开发他们的人形机器人产品。 Isaac GR00T Blueprint简化训练数据众所周知，在AI领域算力、算法和数据是其关键三要素，在人形机器人的训练中，数据也是非常关键的。但如果仅靠物理捕获数据，其成本高昂，耗时耗力。因为真实世界中，每人一天只有24小时，由此产生的人类演示数据，对人形机器人来说是远远不够的。但NVIDIA推出的用于合成运动生成的Isaac GR00T Blueprint刚好可以弥补这个不足。该蓝图基于Omniverse 和 NVIDIA Cosmos Transfer 世界基础模型构建，让开发者可以通过少量的人工演示生成大量合成运动数据，以用于操作任务。根据NVIDIA官网的介绍，利用为蓝图提供的首批组件，NVIDIA 能够在短短11小时内生成780,000个合成轨迹，相当于6,500小时或连续九个月的人类演示数据。然后，通过将合成数据与真实数据相结合，与仅使用真实数据相比，NVIDIA将GR00T N1的性能提高了40%。 Isaac GR00T N1的性能根据NVIDIA官网对GR00T N1模型进行模拟和现实基准测试评估，以衡量其在多样化机器人形态和操作任务中的性能表现。其中，仿真实验采用了三个不同的基准测试，现实测试则聚焦于GR-1人形机器人的桌面操作任务。首先是仿真基准测试。仿真实验采用了三个基准测试：其中两个为先前研究中已有的开源基准，另一个是新开发的套件，旨在模拟现实世界中的桌面操作任务。表1：各仿真基准测试的平均成功率（每项任务使用100次演示）真实环境测试中，这些模型在多种需要精确物体操控、双手协调动作和高级空间意识的操作任务上进行了评估。表2：GR-1人形机器人在现实任务中的平均策略成功率（来源：NVIDIA）表3：GR-1人形机器人中现实任务中的平均策略成功率（来源：NVIDIA）从这些测试中可以看到，GR00T N1不仅学习新任务的效率更高，其接收语言指令的精度也显著优于基线方案。结语除了前面提到的人形机器人，NVIDIA还与Google DeepMind 和 Disney Research 合作，共同开发开源物理引擎 Newton，可让机器人学习如何以更高的精度处理复杂任务。NVIDIA还通过Isaac for Healthcare，与GE医疗合作为能够挽救生命的医疗设备赋予自主能力，助力全球医疗服务普及。可以看出，NVIDIA在人形机器人领域布局甚广，且非常具有前瞻性。

人形机器人

芯查查资讯 . 2025-03-24 2 1 765
产品 | 全球首款批量装车1500V高耐压大功率SiC芯片助力全球最强超级e平台

在3月17日的超级e平台技术发布会上，比亚迪发布了划时代超级e平台，推出闪充电池、3万转电机和全新一代车规级碳化硅功率芯片，核心三电全维升级，搭配全球首个电动车全域千伏架构，刷新多项全球之最。 “超级e平台技术”，是全球首个量产的乘用车“全域千伏高压架构”，该系统将电池、电机、电源、空调等都做到了“千伏级”承载能力，以超高电压1000V、超大电流1000A 、超大功率1000kW ，实现兆瓦闪充。当千伏电压架构加持下的新能源汽车在追求极致性能的道路上疾驰，一道横亘在工程师面前的“高压天堑"却让研发历程步履维艰。在千伏级高压系统平台上关断时，加持在器件上的反电动势远远超过了现有车用碳化硅模块的耐压极限，如同海啸冲击堤坝一般，面临着巨大的挑战。在工业发展中，电机技术始终牢牢占据关键的地位，构筑起工业的核心基础。电机技术每一次革新，都有力彰显着一个企业技术能力的跃升。早期，高压电驱技术限制了电机甚至整车性能的发挥，阻碍整车布局，使得系统难以达到最优适配，汽车行业对于提升车用碳化硅的耐压等级、动力性需求极为迫切。全新一代SiC功率芯片，全技术链自研自产针对1000V高压系统及兆瓦闪充需求，比亚迪半导体另辟蹊径，依托集团垂直整合优势，快速开发推出1500V大功率SiC芯片，解决了模块耐压瓶颈，这是汽车电机驱动领域首次大规模量产应用的最高电压等级SiC芯片。 1500V高耐压大功率SiC芯片这项里程碑式创新，在业界率先实现乘用车千伏级电压架构的稳定运行，匹配了汽车超高功率充电，助力超级e平台成为全球首个量产的乘用车“全域千伏高压架构”，实现电池、电机、电源、空调等都做到1000V，达到全球量产最快充电速度——闪充5分钟，畅行400公里。超级e平台：全球最强专业纯电平台多重极致防护，铸就高压电控系统“金刚”之躯面对新能源汽车在各种极端工况下依然能够稳定工作的"炼狱考验"，研发团队为1500V车规级SiC模块构筑起多重技术护城河。这款SiC模块，之所以能成为高压平台卓越性能的颠覆者，不仅在于先进的芯片特性，也因其独特的创新结构设计，结合先进的激光焊接技术，实现创新、高效和可持续性设计的完美结合。高电压平台双面银烧结SiC模块亮点业内首创满足高达1000V电压平台应用，真正释放了电机的潜能，开启高效电力传输新纪元。高效率、低损耗 5nH低杂散电感设计，相比传统封装可以降低30%动态损耗，提升整车效率和续航能力。长寿命、高可靠性采用耐高温塑封材料及纳米银烧结工艺，实现了200℃工作结温，功率循环寿命超越常规工艺3倍以上，让芯片在各种极端工况下仍然能够稳定工作，为整车提供了坚实的动力保障。耐振动性能远超目前可靠性试验标准，随机振动特性曲线可超过14G，±XYZ六向加速度耐受能力完全满足模块侧装、倒装等不同安装方式，满足应用端多样化、灵活性的配置需求，实现随心所欲的功能部署与性能优化。小体积、轻量化通过塑封模块引线框架、底板一体成型注塑工艺，摒弃传统灌封模块外框设计，降低杂散电感的同时，实现器件尺寸的显著缩减，同输出能力下相较传统灌封模块总体积减小28%，赋予应用端更多设计空间，极大提升了系统的效率和可靠性。丰富的车规级量产应用经验为汽车提供核心支撑此次，比亚迪发布超级e平台，电动车核心三电再进化。比亚迪半导体通过芯片设计、晶圆制造、模块封装等关键环节的全面突破，解决了高压电驱系统的关键瓶颈之一，助力整车打造一款真正突破极限的电驱总成，为新能源汽车性能升级提供核心支撑。与此同时，该方案有力推动了1000V高压平台加速普及，助力新能源汽车电控、电驱技术向更高能效、更长续航演进，引领电驱总成进入 “3” 时代，助力整车动力性、经济性、舒适性全面提升。比亚迪半导体在国内功率半导体领域拥有领先的全产业链一体化IDM运营能力，深耕功率器件20余年，具备丰富的IGBT和SiC 芯片设计、晶圆制造、模块封装及测试应用经验。丰富的量产经验与整车使用数据，推动半导体产品创新迭代，快速实现技术方案的突破与创新。成立至今，比亚迪半导体已形成多项国内首创技术，同时有多项产品在国内实现率先应用，多个品类国内市占率处于行业领先地位，在全球新能源汽车市场上也展现了其强大的竞争力和影响力。比亚迪半导体不仅是国内第一家实现车规级IGBT大规模量产的企业，也是国内第一家车规级SiC模块批量装车的企业，新能源汽车功率模块市场占有率在国内高居榜首。同时，其自主研发的车规级MCU、BMS AFE、车用电流传感器、车规级LED光源等系列产品装车量位列国内自主品牌前列。依托国内新能源汽车产业的飞速发展，比亚迪半导体打破国产车规级半导体下游应用瓶颈，成功打造集成化的车规级产品协同应用平台，提供高效、智能、集成的新型半导体产品，为广大客户提供领先的车规级半导体整体解决方案。

比亚迪

比亚迪半导体 . 2025-03-24 595
收购 | 立讯精密收购闻泰科技ODM业务

近日，立讯精密发布公告称，公司及立讯通讯将收购闻泰科技关于消费电子系统集成（同“ODM”）业务的相关子公司股权、业务资产包。此次交易完成后，公司将取得闻泰科技旗下多家公司100%股权，及印度闻泰、无锡闻泰、无锡闻讯相关业务资产包。闻泰科技表示，本次重组是公司在地缘政治新环境影响下，顺应变化、优化业务布局、提升核心竞争力的重要战略举措，符合公司的长远战略规划。通过本次交易，公司拟战略性退出产品集成业务，集中资源专注于半导体业务发展。据此前消息，2024年12月31日，闻泰科技与立讯精密控股股东立讯有限公司签署了《出售意向协议》，拟将公司及控股子公司拥有与产品集成业务相关的9家标的公司股权和标的经营资产转让给立讯有限或其指定方。今年1月，闻泰科技全资子公司闻泰通讯股份有限公司与立讯通讯（上海）有限公司签署《股权转让协议》，转让嘉兴永瑞、上海闻泰电子和上海闻泰信息（含下属子公司）100%股权。

立讯精密

芯查查资讯 . 2025-03-24 810
产品 | 海思 SAR ADC 架构芯片“AC9610”发布：支持 2Msps 采样率、24bit 采样精度

3 月 23 日消息，海思技术有限公司本月官宣推出 SAR ADC 架构芯片“AC9610”，其实现了高速高精度的精密信号采集系统。据介绍，传统 ADC（模拟到数字转换器，主要用于将连续传输的模拟信号转换为数字信号，便于数字系统对传输信息进行快速处理和分析）在采样率和采样精度这两大关键性能指标上遭遇了兼得性的难题：若片面提升采样率，分辨率便会大打折扣，致使采集到的数据在细节呈现上模糊不清；若着重提升分辨率，采样率又会跟不上快节奏的信号变化，错过关键信息。海思 AC9610 芯片在实现 2Msps 采样率的同时保持了 24bit 超高采样精度，其中 2Msps 的采样率可捕获 μs 级瞬态信号，应对超声、高速传感器等动态信号分析，避免了传统 ADC 因采样间隔过长导致的信号失真；24bit 采样精度可精准识别 0.5uV 弱小信号差异，在精密传感器，高精度测试仪器仪表领域，实现“纤毫毕现”的数据还原。该芯片凭借其低噪声设计，2Msps 下可达 103.5dBFS 的 SNR、在 1Ksps 可达 138dBFS，支持在强干扰环境下分辨目标信号与噪声信号。AC9610 通过先进的封装设计技术，支持-40°C~125°C 宽温工作，同时保证低温漂，确保工业复杂环境下仍能正常运行。 AC9610 关键指标如下：

海思

芯查查资讯 . 2025-03-24 685
产品 | Microchip推出AVR SD系列入门级MCU，降低安全关键型应用的系统成本和复杂性

为帮助工程师在严苛安全要求下最大程度地降低设计成本与复杂性，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）正式推出AVR® SD系列单片机（MCU）。该系列单片机集成内置功能安全机制，专为需要高可靠性验证的应用设计，且定价不到1美元，成为首款在该价位段满足汽车安全完整性等级C（ASIL C）和安全完整性等级2（SIL 2）要求的入门级单片机。该系列单片机功能安全管理体系已通过德国莱茵TÜV认证，进一步增强了安全性能。 AVR SD系列单片机具有多项硬件安全特性，包括双核锁步CPU、双模数模转换器（ADC）、全内存纠错码（ECC）、专用错误控制模块、错误注入机制以及电压与时钟监控器。这些功能大幅缩短故障检测时间并降低软件复杂度，支持实现低至1毫秒的故障检测时间间隔（FDTI）目标，有效预防危险状况并提升系统可靠性。结合Microchip的安全框架软件使用，该系列单片机可自主管理功能安全诊断，检测和处理错误，并在必要时触发安全状态。该系列单片机可用作主处理器，以最小的功耗实现关键功能，如检测热失控或监控旋转位置等传感器数据。它还是复杂系统中协处理器的绝佳候选产品，可镜像或卸载安全关键功能，适用于安全完整性等级较高的应用，最高可支持ASIL D 和SIL 3级别。 Microchip负责单片机（MCU）业务部的公司副总裁Greg Robinson表示：“在设计安全关键型应用时，工程师通常只能使用昂贵而复杂的器件。通过将特定安全功能直接集成到入门级MCU中并提供支持软件框架，我们正在帮助客户以更高的效率满足严格的安全标准。借助AVR SD系列，设计人员可以大大缩短开发时间，最大限度地降低系统和认证成本。” AVR SD系列单片机符合ISO 26262（汽车）和IEC 61508（工业）国际安全标准，适用于航空航天和防务、工业自动化、汽车及医疗等多个领域，具体包括飞行控制系统、点火控制、机器人安全功能、高级驾驶辅助系统（ADAS）及医疗输液泵等。请访问Microchip网站，了解有关公司AVR® MCU和功能安全产品全系列的更多信息。开发工具开发者可基于通过TÜV SÜD认证的MPLAB® XC8 Pro编译器和Microchip Curiosity Nano开发板进行开发，并配套功能安全软件包提供支持，其中包括安全文档（故障模式、影响和诊断分析报告、安全手册、依赖性故障分析报告）、安全软件和合规报告。供货与定价 AVR SD单片机（MCU）起价为0.93美元/件（每5000件起订），批量采购可享更低优惠。

MCU

Microchip . 2025-03-24 1 575
芯查查四周年庆典，精彩活动、超多福利等你来解锁！

芯查查4岁啦~ 自2020年3月诞生以来，我们已陪伴百万电子元器件从业者走过了1460个日夜，累计服务企业超百家，这份成长离不开每一位芯查查用户的认可和支持在这个特别的日子里，我们特别策划“三重芯意”周年庆系列活动，邀您共赴这场“芯动之旅”。第一重：芯查查用户线下茶话会时间：3月28日14:00 地点：深圳市南山区招商局前海经贸中心一期A座20层第二重：四周年庆专属直播间点击此处，即可跳转芯查查四周年庆专属直播间！第三重：芯查查四周岁生日许愿贴以上三场活动，芯查查都给大家设置了超多丰厚的礼品，绝对诚意满满~ 3月27日-28日，我们线上 or 线下，不见不散！

芯查查

芯查查 . 2025-03-24 4 14 3330
存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

重点内容速览： 1. HBM收益AI需求快速增长，SK海力士一骑绝尘 2. DRAM技术持续迭代，进入10nm时代 3. NAND Flash层数不断突破，国内厂商不甘人后在人工智能的推动下，存储器市场正迎来一场变革，技术的发展节奏明显加快。要知道，当年DRAM等存储器主要就是依赖不断缩小的制程尺寸，来提升存储密度、降低功耗，以及降低成本的。然而在过去10年里，存储器的制程微缩大幅放缓，存储密度提升也相当有限。如今，随着AI的爆发，存储行业格局开始被打破，头部存储器厂商开始追逐新的工艺，推出新的产品，以应对市场需求。如今，高带宽内存（HBM）、先进的DRAM工艺（比如DDR5和3D DRAM）、多层NAND Flash技术等逐步成为三星、美光、SK海力士、铠侠、长江存储等头部存储器厂商争夺的焦点。图片来源：作者摄于2025深圳闪存峰会。图为 3D NAND与DRAM技术发展趋势。根据闪存市场发布的报告，在NAND Flash方面，三星已经量产了286层的V9 3D NAND Flash产品，SK海力士量产了321层的NAND Flash产品，美光也推出了276层的NAND Flash产品，铠侠和长江存储也分别推出了其200层以上的NAND Flash产品；在DRAM 方面，三星正在使用其第6代EUV技术来生产DRAM产品，SK海力士的1b nm EUV技术也已经开始量产，美光的1γ nm技术也已经开始给特定客户量产出货了。可以看得出来，未来围绕人工智能需求，各大存储器厂商必然会在存储技术方面继续突破。接下来，我们围绕市场比较热门的HBM技术、DDR5工艺，以及后续新型3D DRAM和3D NAND Flash等方面进行剖析，看看各家的技术都有哪些不一样。 HBM收益AI需求快速增长，SK海力士一骑绝尘 HBM是一种高性能的3D DRAM技术，其出现是由于按照摩尔定律的演进路线，处理器的性能不断飙升，内存所使用的DRAM却受到物理极限的限制，性能提升速度远慢于处理器速度，造成了DRAM的性能成为制约计算机性能的一个重要瓶颈，这就是所谓的“内存墙”。因此，2008年开始，AMD开始研究HBM技术，后来AMD联合SK海力士合作开发HBM。2013年，HBM技术的第一代规格被提出，并逐渐进入市场化阶段。2014年，SK海力士与AMD联合推出了HBM第一代产，并于2015年开始小批量量产，应用在了AMD的Fiji系列显卡（比如Radeon R9 Fury X）。当时HBM1通过2.5D封装技术，将DRAM堆叠在了一起，使用硅通孔技术（TSV）进行连接，并与GPU封装在了一起。按照JEDEC的分类，HBM属于GDDR内存。随后，HBM产品按照HBM1（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的顺序进行开发。近年来，随着AI和高性能计算的火爆发展，HBM作为一种能够满足高带宽和低功耗要求的内存技术，其市场需求迅速上升。美光和SK海力士今年的HBM产能已经被订购一空。根据TechInsights发布的《2025 Memory outlook Report》显示，AI推动下的HBM出货量今年的增长率将高达70%。图：HBM3E内部结构图（来源：美光）在市场关注度最高的HBM方面，三星推出了定制化的HBM4解决方案，支持客户IP集成。在DDR5 RDIMM方面，由于市场在寻找128GB甚至更高容量的产品，因此，三星推出了目前最大单一芯片DDR5 RDIMM 32Gb，可以最高实现256GB DDR5内存，满足AI算力需求。根据公开信息，HBM3的市场占有率SK海力士最高，占了85%，三星占12%，美光占3%。可看地出来，SK海力士在HBM市场占有先发优势，正在成为HBM市场的主导者。图：HBM细分市场，三大厂商的市占率及产能情况（来源：公开信息，芯查查）未来三年，HBM将先后向HBM3E和HBM4方向发展，各大厂商在封装技术、带宽密度、热管理方案，以及客户服务上存在明显的差异。各家在HBM路线上的侧重点也各不相同。 SK海力士：目前在HBM3E的量产上领先，在2024年，SK海力士就陆续实现了8层和12层HBM3E产品的量产，今年3月19日，其12层HBM4产品也开始向主要客户送样。SK海力士拥有较高的市场份额和成熟的TSV堆叠技术，加上其与NVIDIA等主要客户深度合作，目前在HBM市场一骑绝尘。三星电子：虽然在HBM市场占有一定的市场份额，但其大量的资源正转向3D封装服务，计划以自研HBM4与3D封装技术提升产品竞争力。其正在大力推广的HBM3E产品正在NVIDIA的认证中。3月中旬NVIDIA的高管还访问了三星电子在天安的封装工厂，审计和测试其HBM3E产品。据悉，三星还专门抽调HBM4的研发团队至HBM3E项目组，以帮助优化HBM3E的良率和稳定性，以确保顺利交付。美光科技：在HBM3E领域起步较晚，但借助先进的热管理和功耗优化策略，其2025年计划推出的HBM4产品将在带宽密度和能效方面与对手展开正面对抗。 HBM技术未来的突破方向还在于热管理、能效优化与空间互联技术等几个方面。对于HBM这样的DRAM堆叠产品，热传导路径较长，会导致热阻增加，热导性也会因芯片之间的填充材料而受限，再加上速度和容量的不断提升，也会导致热量增加。如果无法充分控制半导体芯片产生的热量，可能会对产品性能、生命周期和功能产生负面影响。因此，芯片制造商也非常关注热控制问题。SK海力士在其HBM2之前，一直是采用行业标准性热压非导电膜（TC-NCF）技术。到了2019年，SK海力士推出了新型封装技术MR-MUF应对HBM产品热量过高的问题。图： HBM产品发展及散热性能优化时间线（来源： SK海力士）美光的HBM3E产品通过优化堆叠结构，已经实现了功耗降低30%的技术突破；同时，SK海力士在HBM4的研发中通过集成台积电的逻辑芯片，实现了更高的信号完整性和低热阻设计，确保在高频告诉传输中依然保持稳定的工作状态。在空间互联方面，随着TSV技术不断成熟，未来HBM4的封装方案将借助更先进的微间距互联技术，实现10μm 甚至更小间距的精密互联，从而大幅提升内存模块的集成度和带宽密度。 DRAM技术持续迭代，进入10nm时代与数字芯片制程的10nm、7nm、5nm和3nm等之类的数字表达方式不同，存储器行业今年通常使用1X、1Y、1Z、1α、1β、1γ这样的术语来表示制程。与数字表达方式相对应的话1X大约等同于19nm制程、1Y约等同于18nm、1Z约等同于16~17nm、1α等同于14nm、1β等同于13nm、1γ等同于12nm。目前三星、SK海力士、美光等DRAM头部厂商正在积极推动DRAM技术的进步。比如三星首先商用了1Z nm制程，并积极研发更加先进的1α和1β制程；SK海力士也推出了基于HKMG（高K金属栅极）技术的LPDDR5X产品，以及布局1α和1β制程；美光更是在DRAM上持续创新，最早进入1β制程，最近更是宣布其1γ制程已经进入量产就绪阶段，并开始向特定客户出货。该技术节点采用新制造工艺，使用波长仅为13.5nm的极紫外（EUV）光刻技术，可在硅晶圆上绘制出更精细的图案。该技术可以进一步减小晶体管，以及整个DRAM芯片的尺寸，从而提高位密度。1γ节点还利用美光的新一代高K金属栅极（HKMG）CMOS技术，来提高晶体管的性能，并缩小电路面积。结合创新的CMOS技术以及精心优化的设计，包括对电路原理图和布局的改进，美光1γ 16Gb DDR5实现了高达9200MT/s的速度，同时功耗比前代节点降低20%以上。图：美光多代DRAM技术的性能（来源：美光） DRAM 具有多种不同版本，每种都针对特定应用进行优化。当前主流的 DRAM 类型包括： DDR5 （双倍数据速率 5 代）：主要用于服务器和 PC，具备最高的内存容量，采用 DIMM（双列直插式内存模块）封装。 LPDDR5X （低功耗 DDR5，X 代表增强版）：针对低功耗应用，但对 CPU 连接的距离和电容有更严格的限制，主要用于手机和笔记本电脑。 GDDR6X （G 代表 Graphics）：专为图形应用设计，提供高带宽但延迟较高、功耗更大，主要用于游戏显卡。 HBM3E （高带宽存储器 3E 代）：最优的带宽和功耗表现，但成本极高，主要用于 AI 加速器。图：美光DDR5 MRDIMM产品（来源：美光）如今，DDR5已在逐步取代DDR4，其主要优势在于数据带宽、功耗控制及系统稳定性等方面。当前，美光、三星与 SK 海力士在 DDR5 工艺上的竞争尤为激烈。当前 DDR5 市场正处于供不应求阶段，尤其在高性能服务器和 AI 服务器中，其应用逐渐上升。未来三年内，有以下趋势：价格走势：根据市场机构发布的预测，DDR5的平均价格将在未来三年内呈现周期性上涨，例如2024年约上涨8%，2025年可能达到12%，而2026年由于市场供需平衡后可能调整为7%左右的涨幅。技术成熟：随着更多先进工艺的应用及厂商间的横向竞争，DDR5相关的设计缺陷和初期问题将进一步被攻克，产品稳定性和兼容性不断提高。能效优化：各大厂商在DDR5产品中均将聚焦功耗控制和散热管理，通过进一步采用低功耗设计、芯片尺寸缩小及先进封装技术，把 DDR5 产品性能提升至新水平。图：DDR5的性能指标（来源：美光）在总线带宽、系统能耗及产品价格等方面的综合角度考虑，DDR5 将作为未来三年内主流内存技术的代表，为各类数据中心、云计算平台及 AI 应用提供更加高效的数据存储与传输支持。具体的产品方面，可以参考芯查查上期的文章《2025年都有哪些适合AI应用的全新存储器产品》。在国内，国产厂商正处于起初阶段，长鑫存储、兆易创新、紫光国芯、福建晋华、东芯股份、北京君正等均有DRAM产品。其中长鑫存储聚焦手机、PC和服务器等大宗DRAM市场，目前已经推出多款DRAM商用产品，比如12Gb的LPDDR5颗粒，12GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片等。 NAND Flash层数不断突破，国内厂商不甘人后 2023年开始，各大厂商正式突破200层，三星推出第八代236层、海力士推出了238层、美光推出了232层，铠侠推出218层的NAND Flash产品。在美国的设备制裁下，2022年12月美国将长江存储列入了实体清单，尽管如此，长江存储仍然取得了突破，目前市面上已经有232层的长江存储颗粒固态硬盘在销售。随着应用领域和使用场景越来越多样化，特别是AI的推动，市场对NAND Flash的要求也随之提升，对容量的要求越来越高。比如2024年，手机主流的存储容量也到了256GB至1TB之间。因此，在2025年，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据、长江存储等这些NAND Flash的头部企业的目标瞄准了300层的3D NAND Flash商用化。三星甚至宣称将在2030年推出1,000层的NAND Flash产品。图：各大厂商3D NAND Flash产品的关键信息对比（来源：公开信息）通过表中数据可以看出，随着层数的飞跃，混合键合技术与先进封装均将成为 NAND Flash 技术进一步迭代的重要因素。这将为 NAND 市场提供更高的存储密度、更低的功耗以及更优的性能表现，对未来存储器市场产生深远影响。根据IDC的预测，全球企业级SSD出货总容量有望从2024年的219EB增长至2028年的517.6EB；对应出货量从2024年的26.2万个增至2028年的32.4万个；市场规模从2024年的262亿美元增长至2028年的324亿美元。除了AI应用驱动SSD应用占比之外，SSD成本下降也将推动其渗透率上升。随着NAND Flash存储单元从SLC到QLC演进，以及3D NAND Flash层数不断增加，SSD单位成本在持续下降，单位GB价格将由2024年的0.11美元下降至2028年的0.06美元。这将进一步加快SSD硬盘取代机械硬盘的步伐。结语目前全球SSD市场主要以NAND原厂为主，比如三星、铠侠、SanDisk、美光、SK海力士和Solidigm等企业。不过近几年，我国由于信息安全的因素考虑，国内厂商份额逐步提升，国内的供应商有江波龙、忆联、大普微、浪潮、忆恒创源等。随着国家对数据安全自主可控的重视程度不断提高，《工业和信息化部等十六部门关于促进数据安全产业发展的指导意见》等相关政策落地，叠加国内互联网厂商资本开支增加，国内模组厂有望迎增量机遇。

存储

芯查查资讯 . 2025-03-24 7 2 4820
市场周讯 | 闪迪、长存等存储厂宣布涨价；英特尔新任CEO计划裁员；英伟达发布最新一代产品“Blackwell Ultra”

| 政策速览 1. 韩国：韩国产业通商资源部20日成立稀有金属产业发展协会。该协会计划通过研判分析国内稀有金属供应链及相关技术，以应对全球稀有金属及相关技术的出口管制。 2. 苏州：《苏州市加快发展AI芯片产业的若干措施（征求意见稿）》公开征求意见。其中提到，做强骨干核心企业。聚焦GPU通用型芯片、ASIC专用型芯片、FPGA半定制化芯片、存算一体芯片、硅光芯片等重点方向，加大招商力度，加快引育一批带动性强的优质项目、头部企业，对重点项目在空间保障、场地建设、人才引进等方面予以综合支持。推动AI芯片企业通过兼并重组等方式提升资源整合能力，向产业链上下游布局拓展业务，对优质AI芯片企业开展并购重组，鼓励县级市（区）对企业实施兼并重组给予奖励。 3. 欧洲：空客集团、达索系统及逾90家欧洲中小型科技公司与行业团体，于3月14日联名致信欧盟委员会主席冯德莱恩，呼吁欧盟设立主权基础设施基金，以加大公共资金对人工智能、芯片等尖端技术的投资力度。 4. 山东工信厅：2025年，加力塑强现代化工业体系，新兴产业重在聚链成群，推进新技术、新产品、新场景大规模应用示范。未来产业重在打造生态，大力促进人工智能、人形机器人产业创新发展，遴选元宇宙创新名品和应用名景10个以上，培育建设一批未来产业加速园区。 5. 珠海：珠海市工业和信息化局日前制定了《珠海市推动人工智能与机器人产业高质量发展若干措施（征求意见稿）》。其中提出，支持机器人关键技术攻关。面向机器人运动控制算法、灵巧手、高精度传感器、柔性关节、球形电机等领域组织开展技术攻关，组织开展“揭榜挂帅”任务，按不超过项目设备和软件投入的50%，给予最高3000万元的资助。支持人工智能与机器人创新中心建设。支持企业、高校、科研院所等各类创新主体开展联合攻关。鼓励建设机器人数据训练场、机器人关键零部件研发中心、RISC-V开源生态创新中心等创新载体，按创新载体的设备和软件投入不超30%的比例，给予一次性最高1000万元的资助。对获得人工智能与机器人领域国家级、省级制造业创新中心称号的，分别给予最高1000万元、500万元的配套资金支持。 | 市场动态 6. IDC：2025年全球半导体市场年增15.9％，较去年20％成长率略有放缓，仍维持健康发展。以NVIDIA为首的数据中心市场注入强劲动能；车用及工业用领域半导体则有望在今年下半年触底。 6. Counterpoint：全球晶圆代工行业在2024年Q4收入同比增长26% ，环比增长9%。先进制程的产能利用率依然维持在高位，主要受AI及旗舰智能手机需求驱动，尤其是台积电的N3和N5制程。 7. 闪存市场：对于渠道端，原厂控货惜售且涨价态度强硬，部分原厂相继发动新一轮涨价潮，涨价行情自上而下正在传导至现货市场，渠道、嵌入式及行业市场纷纷响应，现货价格全线强势拉涨，“涨价”气氛烘托下令备货需求持续升温。随着资源端持续涨价，令渠道部分成品面临倒挂加剧的压力，从而使得部分渠道存储价格快速推高。 8. TrendForce：2024年全球前十大IC设计业者营收合计约2,498亿美元，年增49%。AI热潮带动整体半导体产业向上，特别是英伟达2024年营收成长幅度高达125%。 9. 国家统计局：前两个月，规模以上高技术制造业增加值同比增长9.1%，比上年全年加快0.2个百分点。国产人工智能大模型异军突起，人工智能+等创新产品跑出了加速度，推动生产方式变革，带动高端制造快速发展。1-2月份，集成电路圆片、工业机器人、动车组、民用无人机等高技术产品产量同比分别增长19.6%、27%、64%、91.5%。 10. IDC：2024年中国新能源车市场规模突破1,100万辆，同比增长38.1%。其中，插电式混合动力（同比增长85.7%）与增程式动力车型（同比增长99.3%）在新能源车中的占比继续提升，分别由2023年的20.5%与7.1%增长至27.6%与10.2%，对新能源车市场增长的贡献进一步有所提升。纯电车型市场规模同比增长亦达18.7%。 11. IDC：全球智能扫地机器人市场2024年全年出货2,060.3万台，同比增长11.2%；全年销额达93.1亿美金，同比增长19.7%；平均单价上涨7.6%至452美金，高端化升级持续深化。 | 上游厂商动态 12. 三星：三星电子近日在博通的8层HBM3E质量测试中表现出色。分析表明，博通理想的HBM3E速度要求正在得到满足，并且已接近进入供应链。 13. SK海力士：由于博通HBM订单激增，SK海力士计划比原计划提前两个月在其新M15X工厂引入设备。设备交付原定于12月进行，现已提前至10月。 14. SK海力士：SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。 15. NVIDIA：NVIDIA CEO黄仁勋最新表示，中国人工智能企业DeepSeek发布的R1模型只会增加对计算基础设施的需求，因此，担忧“芯片需求可能减少”是毫无根据的，外界先前对“R1可能减少芯片需求”的理解是完全错误的，未来的计算需求甚至会变得要高得多。 16. NVIDIA：英伟达CEO黄仁勋在GTC主题演讲中推出了新产品“Blackwell Ultra”，并预告了公司的下一代芯片“Rubin”，Rubin之后的下一代命名Feynman。Blackwell Ultra基于公司一年前推出的Blackwell架构，结合了NVIDIA GB300 NVL72机架级解决方案和NVIDIA HGX B300 NVL16系统。 17. 台积电：台积电已向NVIDIA、AMD和博通提议投资于一家合资企业，该合资企业将运营英特尔的晶圆厂。对此，台积电董事刘镜清今日表示，台积电董事会从未讨论过接手英特尔代工部门的事。 18. 国芯科技：国芯科技宣布与深圳美电科技有限公司展开了深度合作。双方以国芯科技首颗端侧AI芯片CCR4001S为核心，携手推出AI传感器模组。据悉，这款模组已成功实现应用。 19. 英特尔：英特尔新任CEO陈立武计划全面改革芯片设计和制造业务，计划重启人工智能工作，并以每年的节奏生产芯片。还计划进一步裁员以减少臃肿。” 20. 摩根大通：AMD的整体业绩很可能在2025年取得大于20%的双位数增长。其中，人工智能（AI）GPU的业绩可能增长超过60%，带动盈利能力水涨船高。 21. 存储厂商：继闪迪此前通知4月1日将上调NAND闪存报价后，由于三星电子、 SK海力士进行减产，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，美光、三星电子、SK海力士等厂商均将从4月起提高NAND闪存报价。NAND价格回涨速度高于原先预期。 22. 软银：软银将以全现金交易的方式收购 Ampere，这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的公司估值为 65 亿美元。Ampere 的早期支持者包括甲骨文公司和私募股权公司凯雷集团，此次交易为众多希望利用人工智能消费热潮获利的芯片公司增添了新的活力。 23. 汇顶科技：董事会同意聘任柳玉平先生为公司总裁，全面负责公司的整体运营管理并直接向公司董事长兼首席执行官张帆先生汇报，任期自董事会审议通过之日起至第五届董事会任期届满时止。 24. 美光：美光公布截至2025年2月27日的2025财年第二季度业绩，其中营收为 80.5 亿美元。与之相较，上一季营收为87.1亿美元，而2024财年同期为58.2亿美元。 25. Microchip：Microchip负责其位于亚利桑那州坦佩的晶圆制造工厂（“晶圆厂 2 号”）的市场推广与出售事宜。这一决策是 Microchip 此前公布的制造重组计划的一部分，旨在提升运营效率和盈利能力，以达成其战略目标。 26. 英集芯：英集芯收购辉芒微告吹，主要是由于交易相关方未能就本次重组方案的交易对价等核心条款最终达成一致意见。 27. 华大九天：正在筹划发行股份及支付现金等方式购买芯和半导体的控股权，公司股票自3月17日开市时起开始停牌。 28. 三星：由于特朗普对墨西哥的关税计划引发经济担忧，三星决定停止在墨西哥的所有投资，并裁员30%。 | 应用端动态 29. 苹果：苹果A20处理器芯片应会采用台积电2纳米（N2）制程生产，而非此前误传的第三代3纳米（N3P）制程。 30. 吉利：具身智能机器人公司智平方与吉利科技集团旗下浙江晶能微电子有限公司于18日正式签署战略合作协议。双方将基于智平方自研的端到端具身大模型Alpha Brain和通用智能机器人Alpha Bot（爱宝），共同打造面向半导体高品质制造工厂的通用具身智能机器人解决方案。 31. 云供应商：美国四大公有云供应商——亚马逊、微软、Alphabet Inc.旗下谷歌和甲骨文——去年购买了130万块英伟达老一代的Hopper AI芯片。2025年迄今，这一阵营已购买360万块Blackwell AI芯片。 32. 小米：小米将投入总研发经费的1/4，大约70至80亿左右到AI中。长期来看，AI、OS和芯片三项被列为小米核心技术。短期来看，小米要做好AI基建，开发语言大模型、多模态大模型等AI技术，搭建AI大模型落地的应用场景，比如超级小爱、智能座舱、智能驾驶等，小米内部也会利用AI技术进行内部提效。 33. 长虹：长虹发布了行业首款治愈系AI TV追光系列Q10Air、客餐厅PRO共享空调、面向低空经济的通信模组WF-H105-ESA2等产品。其中，WF-H105-ESA2具有大速率、低延时、多并发、高可靠、长距离通信等特点，支持Open CPU开发，除无人机等低空经济领域外，还可广泛应用于PAD、数据卡、PDA、穿戴设备、影音媒体设备等消费电子和物联网智能终端领域。 34. 微软：微软表示，将在今年年中之前在马来西亚推出其首个云区域，其中包括三个数据中心。微软马来西亚董事总经理Laurence Si在新闻发布会上表示，这些数据中心被称为Malaysia West cloud，将位于大吉隆坡地区，并将于第二季度开始运营。— end —

芯片

芯查查资讯 . 2025-03-24 1 3 1105
市场 | 2024年Q4全球晶圆代工行业收入同比增长26%

根据 Counterpoint Research 的《晶圆代工季度追踪报告》数据，全球晶圆代工行业在 2024 年 Q4 收入同比增长 26% ，环比增长 9% ，主要受强劲的 AI 需求以及中国市场持续复苏的推动。先进制程的产能利用率依然维持在高位，主要受 AI 及旗舰智能手机需求驱动，尤其是TSMC的 N3 和 N5 制程。与此同时，全球（不含中国）的成熟制程晶圆代工厂仍面临较低的产能利用率困境，本季度整体利用率徘徊在 65%-70% 之间。其中，12 英寸制程的复苏势头强于 8 英寸制程，后者受汽车和工业领域需求低迷的影响更大。不过，非 AI 需求正逐步回暖，尤其是在消费电子和 PC 半导体领域，这得益于与美国关税相关的预先生产需求以及中国补贴驱动的需求，这为更广泛的市场稳定带来了一些乐观因素。随着 AI 和高性能计算（HPC）持续推动先进制程需求增长，先进封装在支撑行业增长方面发挥了关键作用。TSMC 积极扩展 CoWoS-L 和 CoWoS-R 产能，进一步强化这一趋势，并缓解了市场此前对产能及订单调整的担忧。数据来源：《2024 年 Q4 全球晶圆代工行业收入追踪报告》，（包含其关联公司 HLMC（FAB 5/6） 2023年Q4至2024年Q4全球晶圆代工市场收入份额与排名 TSMC 在 2024 年 Q4 交出了亮眼的成绩单，毛利率超出预期。TSMC 进一步扩大了其在行业中的收入份额，2024 年 Q4 达到了创纪录的 67% ，高于上一季度的 64% 。这一业绩的增长主要得益于先进制程的高产能利用率，尤其是 N3 和 N5 制程，这主要是受到 AI 加速器需求以及旗舰智能手机强劲销售的推动。尽管 2025 年第一季度受到智能手机市场的季节性影响，但 AI 相关需求预计将抵消这一影响，AI 业务收入有望在 2025 年翻倍。除 AI 之外，非 AI 半导体市场也开始出现复苏迹象，库存逐步恢复正常，同时更广泛的终端市场也呈现温和回暖。 TSMC 仍然处于有利位置，有望持续跑赢代工行业，预计 2025 年晶圆代工行业的收入将同比增长 10%，而TSMC预计 2025 年收入将同比增长 20% 左右。此外，TSMC 的长期增长前景依然稳健，预计 2024 至 2029 年期间收入将以 20% 的年复合增长率（CAGR）增长。与此同时，AI 加速器业务收入预计将在同一时期以 40% 左右的 CAGR 增长。公司对 2024 至 2029 年期间的收入指导和 AI 加速器收入预期均显著高于市场预期。数据来源: Counterpoint Research，（*）包括其关联公司 HLMC（FAB 56） Samsung 晶圆代工在 2024 年 Q4 的收入出现了轻微的环比下降，主要原因是安卓智能手机需求低于预期。运营表现受到较低产能利用率和较高研发费用的影响，后者可能与先进制程工程成本相关。移动市场需求疲软进一步对收入造成压力，导致 Samsung 代工在行业营收份额中的占比从 2024 年 Q3 的 12% 下降至 Q4 的 11%。尽管短期面临挑战，Samsung 代工仍专注于长期增长。公司计划通过增加先进制程上的 AI 和 HPC 产品销售，推动 2025 年的同比收入反弹。与此同时，Samsung 晶圆代工还在增强其在先进制程上的竞争力，并推动 2nm GAA 技术的发展，计划于 2025 年实现量产。 SMIC 2024 年 Q4 的业绩符合预期。公司在本季度的稳健收入增长主要得益于消费电子需求的持续恢复以及中国国内的国产化推进工作。公司 12 英寸晶圆出货量继续增长，而 8 英寸晶圆出货量相对疲软，这是由于 2024 年上半年存在提前拉动的需求。因此，SMIC 的整体产能利用率从上一季度的 90.4% 降至 2024 年 Q4 的 85.5% ，反映了本季度产能扩张和 8 英寸制程产能利用率较弱的情况。尽管 SMIC 对 2025 年 Q1 的业绩给出了乐观的指引，这表明在国内消费补贴以及美国关税前的预先生产需求的支持下，智能手机和消费电子领域的季节性增长将会好于预期，但由于缺乏强劲的需求驱动因素以及行业供过于求的现状，该公司对于 2025 年 Q2 以及 2025 年下半年的发展态势持保守态度。 UMC 2024 年 Q4 的业绩基本符合预期，在消费电子领域偶尔出现的紧急订单的支撑下，晶圆出货量保持稳定。然而，定价压力和 1 月台湾地震的影响压低了公司的毛利率，导致 2025 年 Q1 的前景较预期更为疲软。尽管 Wi-Fi、电视和显示驱动 IC 等消费应用的需求显现出初步的复苏迹象，管理层仍保持谨慎，指出整体市场动能仍然不足。UMC 继续看好互联封装技术、光子 IC 以及高压显示应用制程的市场机会，但这些领域短期内难以带来显著的收入增长。公司预计 2025 年成熟制程将实现低个位数的同比增长，并可能超越整体晶圆代工市场。然而，产能利用率的持续恢复仍然存在不确定性。 GlobalFoundries 报告称，2024 年 Q4 业绩稳定，强劲的晶圆出货量抵消了智能手机领域的季节性疲软。汽车需求仍然是主要的增长驱动力，受设计获胜（design win）项目推进的推动大幅增长。与此同时，在光收发器、卫星通信以及人工智能推理芯片需求不断增长的推动下，通信基础设施和数据中心业务的收入也得到了显著提升。家庭和工业物联网领域也出现了初步的复苏迹象，推动了收入环比增长。尽管由于季节性疲软和持续的宏观经济挑战，2025 年 Q1 的前景较为疲软，但该公司预计，在汽车领域增长势头的带动、AI相关机遇的不断拓展以及面向消费者市场的稳定趋势的支撑下，2025 年全年每季度的收入都将实现持续增长。 Counterpoint 研究分析师 Adam Chang 在评论季度业绩时表示：“2024 年 Q4 ，晶圆代工行业的强劲表现，在很大程度上是由 AI 和旗舰智能手机需求的激增所推动的，这使得先进制程的产能利用率保持高位，特别是 TSMC 的 N3 和 N5/N4 制程。AI 和 HPC 应用继续推动行业增长，进一步强化了对先进封装解决方案（如 CoWoS 和 SoIC）的需求。然而，成熟制程的晶圆代工厂，尤其是 8 英寸制程，仍面临来自汽车和工业领域需求疲软的持续挑战。进入 2025 年，晶圆代工行业的增长预计将保持强劲。AI 驱动的先进制程增长的可持续性以及传统工艺制程的广泛稳定性是值得关注的关键趋势。”

晶圆代工

Counterpoint . 2025-03-24 1 1080
电动工具产品需要哪些分离元器件？

在现代工业和生活中，电动工具扮演着不可或缺的角色，从建筑工地到家庭装修，从专业维修到日常DIY，它们以其高效、便捷的特性，极大地提升了工作效率和生活质量。而在这背后，MOS管作为电动工具的关键核心部件，就像一颗强劲的“动力引擎”，为电动工具的稳定运行和高效性能提供了有力保障。今天，就让我们一起走进合科泰的MOS管世界，探索它们在电动工具应用中的卓越表现。 MOS管：电动工具的“动力引擎” 想象一下，电动工具在工作时，需要快速而精准地控制电机的启动、停止、调速以及扭矩输出等操作，而这些复杂的动作需要以MOS管组成的功能模块来实现。它就像是一个智能的“开关”，能够瞬间响应控制信号，精确地控制电流的通断和大小，从而驱动电机按照预设的模式高效运转。以合科泰的TO-252封装的HKTD50N03为例，这款MOS管具有极低的导通电阻，能够有效降低在大电流工作时的能耗，提高电动工具的能效比。同时，它还具备出色的耐压能力和快速的开关速度，确保电动工具在各种复杂的工作条件下都能稳定运行，无论是高负载的长时间作业，还是频繁启停的间歇性工作，都能轻松应对。它就像一颗强劲而可靠的“动力引擎”，为电动工具提供了源源不断的动力支持。选型指南：为您的电动工具找到“完美引擎” 选择一款合适的MOS管对于电动工具的性能至关重要，就像为汽车选择合适的发动机一样。合科泰为您提供了一份详细的选型指南，帮助您根据电动工具的具体需求，找到最适合的“动力引擎”。首先，您需要根据电动工具的功率和工作电压来选择MOS管的耐压和电流参数。对于小型手持电动工具，如电钻、螺丝刀等，通常功率较小，工作电压较低，可以选择TO-252封装的HKTD50N03或PDFN3x3封装的HKTQ30N03等型号；而对于大型电动工具，如角磨机、切割机等，功率较大，工作电压较高，则需要选择耐压更高、电流更大的型号，如PDFN5x6封装的HKTG150N03或HKTG48N10等。其次，要考虑MOS管的开关速度和导通电阻。开关速度越快，电动工具的响应就越灵敏；导通电阻越低，能耗就越小，效率就越高。合科泰的MOS管在这些方面都经过了精心设计和优化，能够满足不同电动工具对性能的要求。最后，还要考虑MOS管的封装形式和散热性能。不同的电动工具对安装空间和散热要求不同，合科泰提供了多种封装形式供您选择，如TO-252、PDFN3x3、PDFN5x6、SOP-8等，确保MOS管能够完美适配您的电动工具。总之，选择合适的MOS管对于电动工具的性能至关重要。合科泰丰富的MOS管产品线涵盖了多种封装形式和性能参数，能够满足不同电动工具模块的需求。通过合理选型，可以有效提升电动工具的能效、可靠性和使用寿命，为电动工具的高效运行提供强劲动力。希望上述选型推荐和注意事项能为您的电动工具设计和选型提供有价值的参考。

电动工具

厂商投稿 . 2025-03-24 2970
一篇文章带您玩转T113的ARM+RISC-V+DSP三核异构！-米尔电子

近年来，随着半导体产业的快速发展和技术的不断迭代，物联网设备种类繁多（如智能家居、工业传感器），对算力、功耗、实时性要求差异大，单一架构无法满足所有需求。因此米尔推出MYD-YT113i开发板（基于全志T113-i）来应对这一市场需求。米尔基于全志T113-i核心板及开发板一、 T113-i芯片及OpenAMP简介 o T113-i芯片简介 T113-i由两颗ARM A7 、一颗C906（RISC-V）和一颗DSP（HIFI 4）组成。 · C906（RISC-V核）特性：主频最高1008MHz 32KB I-cache+32 KB D-cache 操作系统支持裸跑和FreeRTOS实时操作系统 4. 支持少量数据核间通讯（RPMsg）和大量核间数据（RPBuf） DSP（HIFI 4）特性：最高主频600MHz 32KB L1 I-cache+32 KB L1 D-cache 64KB I-ram+64KB D-ram 操作系统支持裸跑和FreeRTOS实时操作系统 4. 支持少量数据核间通讯（RPMsg）和大量核间数据（RPBuf） o OpenAMP系统原理 T113-i=2×ARM A7 + 1×C906（RISC-V） + 1×DSP（HIFI 4）组成，其中两个A7核为主核心，C906（RISC-V核）和DSP为双副核心。而其中的RISC-V属于超高能效副核心，标配内存管理单元，可运行RTOS或裸机程序，T113的主核运行Linux进行人机界面的交互和应用流程，而RISC-V则是后台可进行大数据数据采集，或者相关编码器的控制等，降低主核被中断的次数，大大提供了主核的运行效率。每个处理器核心相互隔离，拥有属于自己的内存，既可各自独立运行不同的任务，又可多个核心之间进行核间通信，这些不同架构的核心以及他们上面所运行的软件组合在一起，就成了 AMP 系统（Asymmetric Multiprocessing System 异构多处理系统）即非对称多处理架构。二、 AMP系统通信机制详解 o AMP通信原理由于两个核心存在的目的是协同的处理，因此在异构多处理系统中往往会形成Master-Remote结构。主核心启动后启动从核心。当两个核心上的系统都启动完成后，他们之间就通过IPC（Inter Processor Communication）方式进行通信，而 RPMsg就是IPC中的一种。在AMP系统中，两个核心通过共享内存的方式进行通信。两个核心通过AMP中断来传递讯息。内存的管理由主核负责。 o 使用 RPMsg进行核间通信 RPMsg整体通讯框架上面介绍了通讯原理，这里讲解如何通讯，AMP使用RPMsg框架进行通讯，该框架用于AMP场景下处理器之间进行相互通信。OpenAMP内部实现了可用于RTOS或裸机系统中的RPMsg框架，与Linux内核的RPMsg框架兼容。其通信链路建立流程如下： RTOS 端调用 rpmsg_create_ept 创建指定 name 的端点。 Linux 端 rpmsg core 层收到端点创建消息，调用 rpmsg_register_device 将其作为一个设备注册到 rpmsg bus。 Linux 端 rpmsg bus 匹配到相应的驱动，触发其 probe 函数。 Linux 端驱动 probe 函数完成一些资源的分配以及文件节点的生成。 Linux 端驱动的 probe 函数调用完后，rpmsg bus 会回复一个 ACK。 6. RTOS 端收到 ACK 后设置端点的状态，此时使用 is_rpmsg_ept_ready 函数会返回 true。 RPMsg数据传输流程如下：下面展示一次RPMsg数据传输的通信过程，下面详细说明： arm端把数据拷贝到buffer中，在初始化时已经将buffer和payload memory地址绑定，因此数据拷贝后相当于存放到了payloadmemory中。 2. 在消息传输命令后加上数据在payload memory中的起始地址和长度，组成数据包，调用RPMsg接口发送。 RPBuf：基于共享内存和RPMsg消息通知，实现传输大数据传输的框架。 RPMsg：基于VirtIO管理的共享内存，实现数据传输的框架。 VirtIO：原本是一套用在虚拟化环境中传输数据的框架，这里用作共享内存（VRING）的管理。 OpenAMP：OpenAMP框架为RTOS、裸机和Linux用户空间提供了RPMsg、VirtIO、re-moteproc（未列出）的实现，并且与Linux内核兼容。 Msgbox：是全志平台提供的一套消息中断机制，已通过linux内核中原生的mailbox框架作适配。 MSGBOX_IRO_REG：Msgbox的中断相关寄存器。 buffer：表示申请到的共享内存。用户通过操作buffer对象，可直接访问对应的共享内存。payload memory：用来存放实际传输数据的共享内存，因此称为payload（有效负载）。VRING：由Virtl0管理的一个环形共享内存。三、案例与性能测试 o A核与RISC-V核通讯流程 A核与RISC-V核通讯流程如下： 1. 首先监听端点 2. 创建端点 3. 节点通讯 linux向riscv发送 4. riscv接收数据 o A核与RISC-V核数据传输性能测试 A核与RISC-V核数据传输性能测试，使用rpmsg_test命令对rpmsg进行性能测试，测试发送方向和接收方向各自的耗时以及速率。 1. 主核测试结果： 2. 从核测试结果： 3. 通过输出的结果可以得到： [rpmsg1] send: 496.000000Kb 20.000000ms 24.799999M/s [rpmsg1] receive : 496.000000Kb 9980.000000ms 0.049699Mb/s 发送496KB数据耗时20ms发送速率为24.79Mb/s 接收496KB数据耗时9980ms发送速率为0.049699Mb/s DSP GPADC采集测试采集流程如下： 1. 开启DSP 2. DSP核打印 3. 开启DSP后，把GPADC0引脚接入1.8V电源，此时用户可以执行A核应用程序与DSP进行通讯，使DSP进行GPADC采集并返回数据可以看到GPADC0收的电压数据为1792，转换为电压值为：1792/1000=1.792V。米尔T113-i核心板配置型号产品型号主芯片内存存储器工作温度 MYC-YT113i-4E256D-110-I T113-i 256MB DDR3 4GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-YT113i-4E512D-110-I T113-i 512MB DDR3 4GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-YT113i-8E512D-110-I T113-i 512MB DDR3 8GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-YT113i-8E1D-110-I T113-i 1GB DDR3 8GB eMMC -40℃~+85℃ 表 MYC-YT113-i核心板选型表米尔T113-i开发板配置型号产品型号对应核心板型号工作温度 MYD-YT113i-4E256D-110-I MYC-YT113i-4E256D-110-I -40℃~+85℃ 工业级 MYD-YT113i-4E512D-110-I MYC-YT113i-4E512D-110-I -40℃~+85℃ 工业级 MYD-YT113i-8E512D-110-I MYC-YT113i-8E512D-110-I -40℃~+85℃ 工业级 MYD-YT113i-8E1D-110-I MYC-YT113i-8E1D-110-I -40℃~+85℃ 工业级表 MYD-YT113-i开发板选型表如需了解板卡的具体介绍，您可以通过访问以下米尔电子官网链接了解更多：https://www.myir.cn/sho‍ws/148/78.html

米尔 . 2025-03-24 2 2705
企业 | 汇顶任命柳玉平为新总裁

深圳市汇顶科技股份有限公司（以下简称“公司”）发布公告，为满足公司发展的需要，经公司首席执行官提名、董事会提名委员会资格审核，于 2025年3 月19日召开第五届董事会第六次会议，审议通过了《关于选聘公司总裁的议案》。董事会同意聘任柳玉平先生为公司总裁，全面负责公司的整体运营管理并直接向公司董事长兼首席执行官张帆先生汇报，任期自董事会审议通过之日起至第五届董事会任期届满时止。柳玉平，男，1979年出生，中国籍，无境外永久居留权，本科学历。2005年3月至2015年1月，历任深圳市汇顶科技股份有限公司研发工程师、项目经理、质量部经理、工程部总监等职务；2015年1月至2022年5月，历任深圳市汇顶科技股份有限公司副总裁、供应链负责人、产品线负责人。2025年3月加入深圳市汇顶科技股份有限公司，现任公司总裁。截至披露日，柳玉平先生未持有公司股份，与公司控股股东、实际控制人以及其他董事、监事、高级管理人员和持股5%以上的公司股东之间不存在关联关系，无重大失信等不良记录情况，亦未受过中国证监会及其他有关部门的处罚和证券交易所的惩戒，其任职资格符合《公司法》《上海证券交易所股票上市规则》等相关法律、法规及《公司章程》规定的任职要求。

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芯查查资讯 . 2025-03-21 4 995