【招商电子】美光FY25Q2跟踪报告：HBM收入环比持续高增长，指引FY25Q3 DRAM和NAND量价齐升

事件：

美光于3月21日公布FY25Q2财报（注：截至2月28日的3个月期间），营收80.5亿美元，同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，均符合指引。

1）按产品划分：①DRAM单季收入61.2亿美元，同比+47.3%/环比-4.3%，占比76%，位元出货量环比下降高个位数百分比，ASP环比增长中个位数百分比；②NAND单季收入18.6亿美元，同比+18.4%/环比-17.2%，占比23%，位元出货量略有增加，ASP环比下降高十位数百分比；

2）按业务划分：①计算和网络（CNBU）收入45.6亿美元，续创历史新高，同比+109%/环比+4%，其中HBM环比增长超50%；②存储（SBU）收入13.9亿美元，同比+54%/环比-20%，环比下降系数据中心客户减少存储投资及NAND价格影响；③手机（MBU）收入10.7亿美元，同比-33%/环比-30%，系手机客户仍持续去库存所致；④嵌入式（EBU）收入10.3亿美元，同比-8%/环比-3%。

3、上修2025年HBM市场规模指引，消费类终端持续复苏和存储扩容。

1）数据中心：公司继续上修2025年HBM市场规模至350亿美元，指引2026年需求仍然强劲。公司预计其2025财年HBM收入达数十亿美元，2026年实现HBM4大规模量产；

2）PC：预计2025年出货量增长中个位数百分比，出货集中于下半年，系Windows10终止及AI PC带来换机需求，平均DRAM容量将从12GB增至16GB及以上；

3）手机：预计2025年出货量增长低个位数百分比，手机客户库存调整符合预期，平均DRAM容量将从8GB增至12GB及以上；

4）汽车：库存调整进入尾声阶段，随着AI车载及智驾系统发展，内存和存储容量持续增加。

4、指引FY25Q3 DRAM及NAND量价齐升，2025年资本支出聚焦HBM扩产。

1）FY25Q3指引：按NON-GAAP口径，指引收入88±2亿美元，中值同比+29.2%/环比+9.3%；毛利率36.5%±1pcts，中值同比+8.4pcts/环比-1.4pcts，环比下降系消费产品出货量增加及NAND产能未充分利用所致；摊薄EPS 1.57±0.1美金；

2）出货量和价格：FY25Q3 DRAM及NAND位元出货将环比增长，消费类产品出货预计增加；DRAM价格预计环比上升，主要系前沿产品供应紧张，AI终端产品需求强劲；NAND价格也预计环比上升，主要系供给侧减产同时消费类需求复苏，供需格局改善；

3）需求：公司将CY2025 DRAM位元需求增长率从中十位数百分比上调至中至高十位数百分比，NAND位元需求增长率仍为低十位数百分比，中期DRAM和NAND位元需求增长CAGR均达中十位数百分比；

4）供给：预计CY2025年HBM产能大幅提升，未来传统DRAM产能持续受限，指引FY2025年末减少10% NAND产能；公司预计FY25Q3 Capex超30亿美元，FY2025为140亿美元，绝大部分用于HBM及厂建、后端制造及研发。

风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。

附录：美光FY2025Q2业绩说明会纪要

时间：2025年3月21日

出席：Mark Murphy–执行副总裁兼首席财务官

Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼CEO

Satya Kumar–副总裁、IR兼资管

会议纪要根据公开信息整理如下：

管理层介绍：

美光正处于公司历史上最具竞争力的地位，并且我们在行业内的高利润率产品类别中不断提高市场份额。我们强劲的产品发展势头使我们得以深化与客户的关系，美光处于行业领先地位的产品如今更稳固地嵌入了客户的高价值产品规划路线中。

在第二财季，数据中心DRAM的收入创下了新纪录。HBM的收入环比增长超过50%，达到了一个新的里程碑，季度收入超过10亿美元。我们的HBM出货量超过了预期计划，这表明我们在持续扩大生产规模方面执行有力。

我们大容量DRAM的收入，加上我们在数据中心领域处于行业领先地位的LPDDR的收入，两者总和在本季度也超过了10亿美元的里程碑。美光仍然是全球唯一一家能够大量向数据中心供应LPDDR的公司，这彰显了我们的创新开拓精神，以及我们与客户在差异化解决方案方面的深度合作关系。

随着我们继续保持这一发展势头，预计在DRAM和NAND的出货量增长的推动下，美光第三财季的收入将再创新高。我们认为，AI数据中心的需求，加上HBM的量产爬坡及其相关的贸易比例，将导致前沿领域的供应紧张，并限制非HBM的DRAM供给。我们预计，NAND领域各公司宣布的供应调整举措将改善NAND市场的供需态势。

技术与运营

美光的1β DRAM技术在行业中处于领先地位。我们通过推出1γ制程节点，以及上个月首次向市场出货基于1γ制程的D5，进一步巩固了我们的领先优势。美光的1γ制程是我们首个采用EUV技术的动态随机存取存储器制程节点。与我们的1β动态随机存取存储器相比，1γ制程实现了功耗降低20%、性能提升15%，并且位密度提高了超过30%。

美光领先的G9 NAND技术制程节点能够生产出行业内速度最快的基于TLC的闪存产品。我们在推进这一制程节点的量产爬坡时，充分考虑了行业内的供需平衡情况。

制造情况更新

美光持续进行审慎的投资，使我们能够充分利用由人工智能所驱动的巨大增长机遇。我们专注于在现有制造工厂中扩大HBM的产能，以满足直至2026年的市场需求。今年1月，我们在新加坡开始建设一座高带宽内存先进封装工厂。这项投资使我们能够从2027日历年起大幅扩大我们的整体先进封装产能。我们在爱达荷州新建的DRAM制造工厂完成了一个重要的建设里程碑，这使得我们在本季度能够收到该项目的首笔“美国芯片与科学法案”拨款资金。这座位于爱达荷州的新制造工厂将从2027财年起实现可观的DRAM产出。

终端市场

计算硬件的巨大进步降低了生成式AI模型中每个token的成本。这些硬件方面的改进，再加上更高效的算法和软件，降低了推理成本，使得基于生成式AI的功能能够更广泛地应用于新的应用程序和使用场景中。这种应用范围不断扩大为AI整体需求创造了一个强劲的增长动力，并且AI生态系统中的关键参与者所取得的近期创新成果以及正在研发中的成果，将继续推动这一增长趋势。

随着GPU和定制化人工智能加速器性能随着新一代产品的推出而不断提升，这些高性能处理器对内存带宽的需求愈发迫切。HBM提供了必要的带宽，能够以最有效和高效的方式发挥这些强大处理器的性能。我们很高兴看到这个复杂且高价值的产品类别所蕴含的增长机遇，如今我们的客户已认可美光在高带宽内存技术方面在行业中的领先地位。

数据中心

最近，大型超大规模客户重申，他们在2025日历年的资本投资将实现强劲的同比增长。我们预计2025日历年服务器出货量将实现中个位数百分比的增长，其中传统服务器和人工智能服务器均会增长。

我们看到了对HBM的强劲需求，并且再次上调了我们对2025日历年HBM的潜在市场规模的预估，将其提高到超过350亿美元。按年化计算的口径下，我们仍有望在2025日历年第四季度使HBM市场份额达到与我们DRAM供应份额相近的水平。如前所述，美光2025日历年HBM产能已全部售空。我们发现2026年对我们HBM的供应需求依然强劲，并且正在与客户就满足他们2026日历年的HBM需求进行协议洽谈。

美光处于行业领先地位的HBM3E相比竞争对手的产品功耗降低了30%，并且我们的12Hi HBM3E产品相比竞争对手8H的产品，具有显著的20%的功耗优势，同时内存容量高出50%。我们已经开始大规模量产12Hi HBM3E产品，并专注于提升产能和良品率。我们预计在2025日历年下半年，12Hi HBM3E产品将占我们HBM出货量的绝大部分。

我们在HBM的更多平台适配和客户认证方面取得了良好进展。美光的8Hi HBM3E产品已被设计应用于英伟达的GB200系统中，而我们12Hi HBM3E产品则被设计应用于GB300系统中。在第二财季，我们开始向我们的第三家大型HBM3E客户进行批量出货，并且预计随着时间推移还会有更多客户。我们预计在2025财年HBM的收入将达到数十亿美元。

展望未来，我们对美光的HBM4充满期待，该产品将于2026日历年实现大规模量产。

与HBM3E相比，我们的HBM4产品的带宽提升超过60%。我们推出HBM4的时间契合客户的需求，并且我们致力于在能效、质量和性能方面，向市场推出最优秀的HBM4产品。我们经证实的HBM产品性能、强大的HBM产品规划路线，以及卓越的制造能力，使美光在利用下一代HBM4和HBM4E解决方案方面具备独特优势。

美光在数据中心领域率先采用了低功耗内存技术。在AI服务器中，美光的低功耗内存相比D5，将内存功耗降低了三分之二以上。随着服务器内存从焊接模组向SOCAMM形式转变（注：美光SOCAMM采用低功耗DRAM和压缩连接内存模块（CAMM）配合，适用于LPDDR5X的数据中心模块化外形尺寸，较传统的DDR5 RDIMM可节省空间），我们预计将在服务器低功耗内存领域保持领先地位。美光的SOCAMM是与英伟达合作开发的，用于支持GB300系统。采用SOCAMM形式的LPDDR使服务器的制造和维护更加便捷，有助于推动低功耗内存技术在服务器市场更广泛的应用。我们有望在2025财年通过面向数据中心的大容量D5和低功耗产品系列实现数十亿美元的收入。

PC领域

我们预计2025日历年PC市场的出货量将达中个位数百分比增长，且增长主要集中在2025日历年下半年。2025年10月Windows10系统将终止，再加上现有设备使用年限较长，以及客户希望确保其PC硬件规格在未来能够支持出色的AI应用程序，这些都是推动市场增长的关键因素。AIPC至少需要16GB DRAM，许多型号所需的内存甚至比去年PC平均12GB的内存容量更高。在本季度，我们向PC客户提供了基于1γ制程的16Gb D5产品样品。在NAND方面，我们推出了基于G9制程的4600高性能SSDs，这是目前客户端市场上速度最快的固态硬盘，并且我们的2650主流固态硬盘已通过多家PC OEM认证。

智能手机领域

我们预计2025日历年智能手机的出货量增长幅度仍将保持在低个位数百分比。智能手机客户的库存动态变化如预期般发展，这使得我们在第三财季的智能手机用DRAM和NAND的位元出货量实现了增长。AI技术的应用依然是推动移动设备用DRAM需求增长的一个重要因素。具备AI功能的旗舰手机的DRAM容量越来越多地达到12GB或更高，而去年的机型平均容量仅为8GB。

智能手机OEM正在采用美光处于行业领先地位的传输速率达9.6Gbps的LP5X DRAM，以提升人工智能性能。与在同一SoC上使用传统速率等级内存的设备相比，其每秒处理的token数量最多可增加20%。在本季度，我们宣布美光的LP5X DRAM和第四代通用UFS 4.0 NAND被应用于三星Galaxy S25系列的高端机型中。美光的移动设备用DRAM和UFS存储解决方案需求旺盛，并将在全年陆续应用于各款旗舰和高端智能手机中。此外，我们目前正在提供业内首款基于移动设备用G9制程管理的NAND的UFS 4.1解决方案的样品，其存储密度最高可达1TB。

汽车与工业领域

汽车OEM、工业以及消费类嵌入式产品客户目前正处于调整库存水平的后期阶段。在汽车领域，我们嵌入式业务部门（EBU）的收入中占比最大，随着具备人AI功能的车载信息娱乐系统变得更加丰富，以及驾驶辅助功能不断增强，每辆汽车的内存和存储容量持续增加。如今，先进的自动驾驶出租车平台所配备的DRAM容量超过200GB，是普通汽车平均内存容量的20到30倍。

美光凭借其处于行业领先地位的汽车产品系列，能够很好地利用这一发展趋势。在本季度，我们宣布业内首款支持9.6Gbps速率等级的汽车用LP5X DRAM产品已具备量产条件，该产品可满足汽车内AI驱动应用对性能日益增长的需求。此外，我们的4150 SSD成为业内首款通过汽车行业认证的企业级SSD产品，目前已向目标客户提供样品，这进一步巩固了我们在这一重要市场中致力于创新和保持领先地位的决心。

市场展望

2024日历年，DRAM的位元需求增长幅度达到了high-teens，这与我们之前的预期相符。2024日历年，NAND的位元需求增长幅度约为10%，略低于我们此前预计的低十位数百分比。我们预测2025日历年DRAM的位元需求增长幅度位于中至高十位数百分比，而NAND的位元需求增长幅度将处于低十位数百分比。从中期来看，我们预计DRAM和NAND行业的位元需求CAGR均将达到中十位数百分比。

NAND技术的更新换代大幅提高了整体的位元产出量。通过延长制程节点更新换代的间隔时间，持续削减NAND行业的capex以及晶圆产能，NAND行业的供需有望实现持续平衡。NAND行业晶圆产能未充分利用有助于改善NAND市场的短期供需态势。

我们预计在2025日历年，美光在DRAM和NAND方面的供应增长幅度将低于行业需求增长幅度。随着2025日历年的推进，我们预计库存天数将减少。我们期望在2025日历年保持在DRAM和NAND市场的位元份额。

在DRAM方面，我们预计整个2025日历年HBM的产量将大幅提升。如前所述，生产相同数量的位元，HBM3E所需的晶圆数量是D5的三倍。展望未来，我们预计随着HBM4的推出，其贸易比例将有所上升，而当HBM4E推出时，这一比例预计将超过4:1。在可预见的未来，硅片使用强度的持续显著增加，将导致行业前沿制程节点的供应紧张，并限制非HBM产能。

在NAND方面，我们的制造工厂产能仍未充分利用，晶圆产量较之前的水平下降了中十位数百分比。我们计划重新利用部分未充分利用的NAND设备，以支持以资本高效的方式转换到前沿制程节点。与2024财年结束时的水平相比，这一策略将使2025财年结束时NAND晶圆产能实现超过10%的结构性削减。我们将继续审慎管理NAND的供应，包括资本投资水平、新技术制程节点的量产爬坡速度、制造工厂的产能以及与需求增长相匹配的产能利用率。

我们2025财年的资本支出计划保持不变，约为140亿美元。我们的资本投资很大一部分集中在多年期的工厂设施投资上，以支持我们的DRAM和HBM制造业务，包括我们在爱达荷州的制造工厂、新加坡的HBM先进封装工厂以及中国台湾地区的DRAM测试工厂。美光将继续审慎管理我们的整体设备投资，以使供应增长与需求相匹配。

关于关税方面，对于极少量可能会受到新宣布针对加拿大、墨西哥和中国的关税影响的产品，我们将继续关注未来可能出台的关税政策，并准备与客户和供应商合作，以了解未来关税的影响以及可能出现的供应链选择方案。在关税确实产生影响的情况下，我们会将这些成本转嫁给我们的客户。

财务情况

美光第二财季的每股收益（EPS）超出了预期指引范围，营收和毛利率则在预期范围内。第二财季总营收约为81亿美元，环比下降8%，同比增长38%。

分产品

DRAM:第二财季DRAM营收为61亿美元，同比增长47%，占总营收的76%。环比来看，DRAM营收下降了4%。由于产品组合的改善，位元出货量下降高个位数百分比，而价格上涨中个位数百分比。

NAND:第二财季NAND营收为19亿美元，同比增长18%，占美光总营收的23%。环比来看，NAND营收下降了17%，位元出货量略有增加，而价格下降高十位数百分比。受面向消费者的出货量增加的推动，第二财季NAND的位元出货量高于我们的预期。

分部门

计算与网络业务部门：营收环比增长4%，达到46亿美元，占总营收的57%。在HBM营收环比增长超过50%的推动下，该业务部门的营收连续第三个季度创下新的季度纪录。

存储业务部门：营收为14亿美元，环比下降20%。该业务部门营收下降的主要原因是，在经历了几个季度的强劲增长后，数据中心客户减少了存储方面的投资，以及整个NAND行业的价格影响。

手机业务部门：营收为11亿美元，环比下降30%，这是因为移动设备客户继续改善其库存状况。

嵌入式业务部门：营收为10亿美元，环比下降3%。环比营收下降主要是由于汽车客户采取了库存改善措施。

运营业绩

毛利率：第二财季的综合毛利率为37.9%，环比下降了160个基点，主要原因是面向消费市场的产品定价，尤其是NAND产品的定价，以及如前所述，NAND产品组合向面向消费类产品的转变。我们持续推进的DRAM产品组合向高价值产品的转变，在一定程度上抵消了这些因素的影响。

Opex：第二财季的运营支出为10亿美元，环比持平。由于产品提前通过认证以及某些研发项目的时间安排，研发（R&D）支出低于计划水平。

营业利润：第二财季我们实现了20亿美元的营业利润，营业利润率为24.9%，环比下降约260个基点，同比去年同期增长了21个百分点。第二财季经调整的EBITDA为41亿美元，EBITDA利润率为50.7%，环比上升10个基点，同比去年同期增长了14个百分点（即增加了20亿美元）。

税费：第二财季的税费为2.14亿美元，实际税率为10.7%，由于本季度一次性项目的影响，实际税率低于我们的预期指引。

每股收益：第二财季非美国通用会计准则的摊薄每股收益为1.56美元，高于预期指引区间的上限，上一季度为每股1.79美元，去年同期为每股0.42美元。

现金流：在第二财季，我们的经营活动现金流超过39亿美元，扣除政府激励资金后的资本支出为31亿美元。因此，本季度的自由现金流为8.57亿美元。

库存情况：我们第二财季末的库存为90亿美元，库存天数为158天，如之前所通报的那样有所增加，较上一季度增加了9天。

现金及债务总额：在资产负债表方面，季度末我们持有96亿美元的现金及投资，若算上未动用的信贷额度，我们的流动性资产为121亿美元。在第二财季，我们通过发行10亿美元的10年期优先票据和17亿美元的定期贷款延长了债务到期期限，所得款项主要用于偿还2026年到期的票据以及此前的定期贷款余额。季度末，我们的总债务为144亿美元，净杠杆率较低，债务的加权平均到期年份为2032年。季度结束后，我们续签了五年期循环信贷额度并将其规模增至35亿美元。这为我们增加了10亿美元的流动性资金，并进一步提升了我们的财务灵活性。

业绩展望

位元出货量：我们预计第三财季DRAM和NAND的位元出货量将实现增长。
毛利率：我们预计第三财季的毛利率将环比下降，这其中包括面向消费市场的产品出货量增加所带来的影响。NAND产能的未充分利用将继续对毛利率造成压力。
运营支出：我们预计第三财季的运营支出约为11.3亿美元，2025财年的运营支出将增长超过10%，这反映了为支持包括HBM在内的高价值产品组合而计划增加的支出。
库存：随着位元出货量的增加，我们预计第三财季的库存天数将减少。我们仍预计2025财年末DRAM的库存将较为紧张。
税率：对于第三财季和第四财季，我们估计非美国通用会计准则下的税率约为14%。
资本支出：我们预计第三财季的资本支出将超过30亿美元。我们对2025财年的资本支出预计仍约为140亿美元。2025财年的绝大部分资本支出将用于支持HBM业务，以及工厂设施建设、后端制造和研发投资。

鉴于关税实施的时间、性质和具体方式存在不确定性，潜在的新关税所带来的影响未包含在我们的业绩指引中。

FY25Q3 Non-GAAP业绩指引

我们预计营收为88亿美元，上下浮动2亿美元；毛利率在36.5%左右，上下浮动100个基点；运营支出约为11.3亿美元，上下浮动1500万美元。如前所述，我们预计第三财季的税率约为14%。基于约11.4亿股的流通股数量，我们预计每股收益为1.57美元，上下浮动0.1美元。

结束语

在第二财季，美光的收益超出了预期指引范围，数据中心DRAM的营收再次创下纪录，领先的HBM产量不断提升，并且推出了行业内最先进的DRAM制程技术。对于第三财季，我们预计在业绩指引的中间值水平上实现创纪录的季度营收。在巩固领先地位并把握未来巨大增长机遇的过程中，我们正集中研发资源，严格把控资本投入，并保持强劲的资产负债表状况。

美光处于独特的优势地位，能够充分利用从数据中心到边缘设备等领域由人工智能驱动的变革性增长机遇。我们有望在2025财年实现创纪录的营收，并大幅提升盈利能力。我们有信心凭借审慎的投资以及专注于高价值产品组合的转变，应对当前的市场动态。这是我所经历的内存和存储领域最激动人心的时期，美光的创新处于这场革命的前沿。我们对未来的机遇感到兴奋，并将继续致力于为所有利益相关者创造价值。

Q&A

Q：我们是否仍可以预期毛利率可能从FY25Q4开始改善？这种改善会涵盖数据中心相关产品和消费类相关产品，以及整个DRAM业务和NAND业务板块吗？

A：关于FY25Q3的情况，正如我们在会议上所指出环比下降了，下降的主要原因是面向消费的产品销量占比增加、CY25Q1面向消费者市场的定价降低，以及行业整体NAND市场状况。不过较高的HBM产品销量在一定程度上抵消了这些不利因素。尽管毛利率有所下降，但情况已经有所改善，最新的观点反映在了今天的业绩指引当中。

我们预计FY25Q4毛利率会有所上升。就有利因素而言，我们预计市场状况会有所改善，我们预计HBM及其他高价值产品将实现增长，并有助于产品组合的优化。至于一些不利因素，我们确实看到了NAND产能未充分利用的情况。实际上由于我们的产能已从结构上进行了削减，FY25Q3期间这些相关成本会减少一些，而随着FY25Q4库存出清，我们会面临更多此类成本的冲击。我们已经采取了措施来管理NAND的供应，这部分业务仍在逐步恢复，我们打算在CY25Q2采取调价措施，并努力维持供应纪律。FY25Q4我们将会有一些与厂建、新节点以及我们正在推进的DRAM相关的启动成本。简而言之，我们预计第四季度的利润率会比第三季度有所上升。

Q：您对2025年DRAM行业的位元需求预测从中十位数百分比增长提高到中至高十位数百分比增长，是因为HBM增长嘛？今年您是否看到DRAM内的其他细分领域也在推动行业位元需求呈现出更好的态势呢？

A：我们曾预计在消费业务领域，到春季时客户的库存情况会有所改善。而实际情况也正如我们所预计的那样发展。当然，智能手机和PC市场上配备AI的设备也越来越多，这推动了数据容量的增长。因此，随着客户库存逐渐接近更健康的水平，我们看到客户恢复了采购，而所有这些情况都符合我们对2025年位元需求的预期。

当然，数据中心业务依旧强劲。在数据中心领域，HBM无疑是推动收入增长的重要因素。就数据中心的位元需求增长而言,高密度DIMM产品以及美光在行业中处于领先地位的低功耗内存产品，也都对2025年的需求增长起到了推动作用。

Q：关于第三财季的业绩指引方面，你们预计收入将增长约7.5亿美元。你们提到DRAM和NAND的位元出货量都有增加，这两项业务分别贡献了多少呢？

A：关于给定的收入数字。你已经有了DRAM和NAND截至目前的年度收入、位元出货量增长以及价格等方面的数据。而且我们也向你提供了本年度位元需求增长的数据。所以我认为我们已经向你介绍了业务的大致情况，你应该能够基于这些对收入预期做出一些关于出货量和价格方面的假设。我们确实预计在第三季度DRAM和NAND的位元出货量都会有所增长。

Q：是否预计DRAM业务和NAND业务的收入都会增长？

A：增长的倾向将体现在拥有HBM产品且涉足数据中心领域的DRAM业务。

Q：贵公司认为在FY25Q4能恢复到FY25Q2的利润率水平吗？何时能看到HBM业务以及在非HBM的DRAM业务方面的成本削减举措带来的效益？什么时候能看到一个清晰的毛利率数据？

A：我们不会提供FY25Q4的数据。我们已经表明FY25Q4的毛利率会比FY25Q3有所上升。我们在技术和产品的市场覆盖范围方面处于有史以来的最佳状态。制造业的运营情况也非常良好。

在成本方面，为了帮助你进行建模分析，我们预计FY2025 DRAM的综合成本将基本持平。FY2025 NAND综合成本将下降中十位数百分比。所以我们正在对NAND业务采取供应方面的举措。这包括降低产能、削减资本支出、推迟工艺节点转换，我们已经开始看到这部分业务出现了一些改善的迹象。在DRAM业务方面，HBM会持续增长，数据中心业务也会更广泛地发展，而且DRAM的前沿技术供应紧张。我们再次预计到本财年末，我们的DIO水平将低于我们设定的目标。

当然，我们会继续专注于提高我们在DRAM和NAND业务方面的收入中高利润领域的占比。我们的产品组合处于最佳定位，因此要继续推动产品组合及其结构优化，切实专注于增强盈利能力。我们已经谈到过需求趋势。我们对DRAM的需求趋势很有信心，在NAND业务方面，供应管控将至关重要。我们当然会极其关注这一点，而且AI也有利于提升数据中心和边缘计算领域对我们DRAM的需求。我们的技术地位、产品地位以及成本状况也都持续保持良好。

Q：最近一些内存价格有所上涨，这在多大程度上是由真实的需求增长导致的，多大程度是与关税相关的提前采购所造成的？行业的定价动态具有多大的可持续性？

A：正如我们所指出的DRAM的需求驱动因素，以及消费业务领域中NAND在智能手机，和PC方面的需求驱动因素都在改善，尤其是智能手机，因为消费市场中的客户正逐渐接近其正常的库存水平。这也再次符合我们之前的预测。就PC而言，很可能在今年下半年我们就会看到AI PC方面出现更强劲的需求趋势，并且AI PC的普及率会不断提高。

AI PC相比过去的电脑需要更多的DRAM容量。普通PC平均配备12GB内存，而运行算力达到40 TOPS及以上的带有NPU的AI PC则需要16GB及以上的内存。PC领域存在着良好的需求趋势，智能手机领域也有同样的情况。

有多款智能手机推出，而且未来还会有更多智能手机上市，其中不少将是AI智能手机，这些手机的DRAM容量更高，超过12GB，而去年的手机平均是8GB。数据中心对DRAM的需求趋势也依然强劲，所以需求趋势向好。

在供应方面，正如刚刚所提及的，前沿产品的供应很紧张。出现这种情况是因为对HBM的需求不断增加及贸易比例变化所致。

NAND方面，各个厂商采取的供应举措，以及晶圆厂的产能未充分利用的情况，无疑也在改善供应状况，所有这些因素都在改善行业的供需环境。我们正专注于推动在CY25Q2涨价。并且，我们的产品在各个终端市场领域都具有良好的定位。我们真心期待能够继续最大限度地把握业务机会，并持续提高我们业务中来自行业高利润领域的占比。

Q：12Hi HBM4良率会不会比8Hi HBM3E低？这会对毛利率产生什么负面影响？

A：首先，我们非常满意8Hi HBM3E。FY25Q2，我们实际交付的HBM3E数量比计划的要多，并且首次实现了超过10亿美元的营收，这是一个重要的里程碑。而且8 Hi HBM3E表现依然出色。我们的良率不错，产能提升进展顺利，执行工作也开展得很顺利。在产能提升和良率提升方面，8 Hi积累的经验会在我们提升12 Hi过程中提供帮助。

如我们之前所宣布的，我们现在已经实现了12 Hi量产。就像任何其他新产品一样，而且这些产品高度复杂，HBM是行业内有史以来制造的最复杂的产品，对于这类复杂产品，在早期阶段良率自然会有一个提升的过程。我们预计12 Hi产品价格当然会高于8H产品，并且也会继续显著提升我们DRAM的利润率。

在今年下半年，将我们的绝大部分产能转向12 Hi产品。随着我们提升这方面的产量，良率当然也会持续提高。正如我们和你们分享过的那样，到今年年底，我们预计HBM业务的市场份额将与我们在整个行业DRAM业务中的市场份额相符。

Q：目前你们的DIO是153天，而你们将在两个季度内降至120天，为了实现这一目标需要减少多少库存数量？HBM的一些供应趋势等因素对库存产生了多大影响呢？贵司是如何削减这么多库存的？

A：第二季度的DIO天数是158天。DRAM市场的情况比NAND市场更为紧张。我们在NAND业务方面采取的供应举措。我们已经看到那里的出货量有了良好的增长，并且预计这种增长会持续下去。但是行业现状是存在产能未充分利用的情况，我们在削减资本支出，并且推迟工艺节点的转换。

在DRAM方面，人工智能驱动的增长与HBM以及其他产品系列相关，尤其是HBM，由于其行业交易比例的情况，使得该市场供应紧张。我们之前设定的库存目标是120天的DIO，并且我们预计在FY25Q4 DRAM的库存天数将低于这一目标。

Q：你们给出下一季度的库存情况指引了吗？库存开始下降了吗？

A：DIO在今年内会下降。

Q：在NAND业务上，如何考虑FY25Q3和FY25Q4的产能未充分利用费用以及期间成本？该如何思考FY25Q4和FY26Q1新增的建设成本呢？

A：我们FY25Q3的期间成本比最初预计的要低，部分原因是我们从结构上降低了产能。因此，更多的产能未充分利用费用将计入库存，然后会以这种方式逐步消化而不是计入期间成本。这些期间成本，确实会在FY25Q4以及FY2026年对毛利率造成压力。但我们认为业务的增长、市场状况的改善以及产品组合的优化，这些因素综合起来会使FY25Q4毛利率有所提高。

至于启动成本，从FY25Q3到FY25Q4，按环比来看其影响相对较小。但随着我们接近爱达荷州晶圆厂的晶圆投产，到FY2026年这个成本数字会增加。

Q：你们调高了对HBM行业的规模预期，对于上半年和下半年的情况，你们是否有一个特定的思考框架？

A：下半年的收入随着从8Hi向12Hi转变会持续增长，因为12 Hi相比8Hi会有一定的溢价。所以我们预计CY2025 HBM的行业TAM将超过350亿美元，并且2025年下半年的收入在这一总额中所占的比例会比上半年更大。

当然，这里所说的超过350亿美元就是我们提到的HBM行业的市场规模。HBM客户群体正在不断扩大。我们现在已经开始向第三家大型客户供货了。所以客户群体的扩大也有助于推动下半年HBM业务收入的增长。

Q：在DRAM方面，LP4和DDR4产品的市场覆盖情况如何？随着下半年HBM业务开始增长，同时一些消费市场也逐渐恢复正常，这对收入和利润率的影响如何？

A：关于DDR4和LP4产品，在上个季度的财报电话会议上我们曾提到，在本财年剩余时间里，来自这些LP4和DDR4产品的收入大约占我们公司总收入的10%。所以在本财年剩余时间里，我们预计情况仍会如此。

关于第二个问题，这在公司的整体收入中占比较小。而且我们在D5、HBM以及基于D5和LP5的产品方面处于领先地位，无论是在数据中心还是在消费市场的其他领域。所以，随着时间的推移，LP4和D4产品的占比当然会继续缩小。从DRAM的需求驱动因素以及供应紧张程度来看，DRAM行业的整体状况正在改善。这也会对DRAM市场各个部分的整体动态产生一定影响。

Q：明年你们是否仍将提升HBM产能？

A：我们曾说过到CY2025结束时，我们在HBM领域的市场份额将与DRAM领域的市场份额相当。所以从目前的发展态势来看，在CY2026我们全年的市场份额相比2025年将会更高。而且我们依然高度专注于持续提升HBM的产能。

我之前提到过，我们在持续提升产能方面执行得相当不错，不断从8Hi向12Hi转变，并且非常专注于明年将HBM4推向市场，当然，同时也会满足与此相关的所有产能需求。虽然我们目前还没有对2026年的市场份额做出预测，但我们对自己在HBM领域的地位、与客户的紧密关系、在技术和产品方面的执行能力以及整体的制造水平都非常有信心。

Q：过去三个季度年收入与三年前市场回升时相近，但当时毛利率高10个百分点。现折旧变化不大、营收基数相同但毛利率低约10个点？这是否意味着毛利率难再超 50%？如何让毛利率回到该水平？

A：总体而言，我们在DRAM业务上的毛利率一直处于良好水平，而且这再次得益于我们基于D5产品、LPD5产品以及HBM产品所确立的强大技术和产品优势地位。NAND业务才是拉低我们毛利率的因素。当然，由于整个行业环境以及行业总体的供需失衡状况，我们在NAND业务上一直保持关注，所以无论是在DRAM还是NAND业务方面，毛利率始终取决于供需环境，但我们也非常注重增加高价值解决方案在业务中的占比。在NAND业务上我们也在持续这样做。随着我们看到行业内的供应管控更加严格，我们完全有理由预期NAND业务的行业基本面也会得到改善，在这方面持续保持对供应管控的关注也很重要。

因此，展望未来，正如我们所指出的，我们会继续高度关注进一步强化我们的收入结构以及业务中的产品结构，使其更多地向高利润率产品倾斜，无论是在NAND还是DRAM领域，继续关注产品组合的优势，密切管理供需关系，并且密切管理我们的技术研发和投产进程，以确保我们的供需能够良好匹配，当然我们也会非常关注总体成本。基于这些，我们乐观地认为随着行业整体结构的改善，业务基本面也会随之改善。

Q：您提到毛利率较低的部分原因是消费端占比增加，实际上你们NAND业务下滑幅度比DRAM业务要大得多。在DRAM业务方面，你们是否也看到了对消费端占比增加？为什么会出现这种情况？如何改变这种状况？

A：我们在数据中心业务方面表现良好，并且正如我们所指出的，我们在数据中心的DRAM业务占比持续增加。在数据中心的DRAM领域，我们拥有领先的产品，包括HBM、SOCAMM等，DRAM方面我们进展顺利；过去几个季度消费端的客户库存积压情况比较严重，DRAM业务也存在这种情况。随着客户库存逐渐接近正常水平，再加上消费类终端受到AI拉动，我们看到需求出现了强劲反弹，尤其是在智能手机方面。实际上这导致了HBM的行业交易问题，同时消费端需求的强劲反弹也造成了前沿产品供应紧张，这些供需基本面因素使我们能够在CY25Q2推动价格上涨。

NAND业务方面也是同样的情况，行业内采取的供应举措，以及客户及消费端的库存逐渐恢复正常，也使得NAND业务的需求有所回升。我们也会在CY25Q2推动NAND业务的价格上涨。