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有源晶振四个引脚是如何分布与定义的

常见的引脚分布规律有标记的引脚作为起始引脚：许多有源晶振会在其中一个引脚上或者靠近该引脚的外壳位置做一个明显标记，比如打点、印一个小圆圈、有一个缺口等。这个有标记的引脚一般被定义为1脚。然后将有源晶振的引脚朝下，以正视的角度，按照逆时针方向依次为2脚、3脚和4脚。基于封装外形的引脚识别：正方的DIP-8封装：打点的是1脚，各引脚功能通常为：1脚一般为NC（空脚，不连接任何功能，在某些设计中也可能有特殊用途，但常规应用中悬空）；4脚为GND（接地引脚，用于为晶振内部电路提供参考地电位，确保电路工作稳定，减少噪声干扰）；5脚为Output（输出引脚，输出稳定的时钟信号，供其他电路使用）；8脚为VCC（电源引脚，为晶振内部的振荡电路等提供工作电压，常见的工作电压有3.3V、5V等，不同型号的有源晶振工作电压有所不同）。长方的DIP-14封装：同样打点的是1脚，其引脚功能一般为：1脚为NC（空脚）；7脚为GND（接地）；8脚为Output（输出时钟信号）；14脚为VCC（电源输入）。通用的引脚功能定义电源引脚（VCC）：此引脚接入直流电源，为有源晶振内部的晶体、晶体管以及阻容元件等构成的振荡电路提供电能，使其能够持续稳定地产生振荡信号。电源电压值需严格符合该型号有源晶振的规格要求，如TTL型的有源晶振一般使用5V电源，而HC型的则可支持3.3V或5V电源。如果接入的电源电压过高，可能会损坏晶振内部电路；电压过低，则晶振可能无法正常起振工作。接地引脚（GND）：接地引脚是整个电路的参考电位点，将晶振内部电路的低电位端与系统地相连，能够稳定电路工作，减少信号干扰。在电路中，良好的接地设计对于晶振输出稳定的时钟信号至关重要，若接地不良，可能会引入噪声，导致晶振输出的时钟信号出现抖动，影响使用该时钟信号的其他电路的正常工作。信号输出引脚（OUT）：这是有源晶振的关键引脚，经过内部振荡电路产生并处理后的稳定时钟信号从该引脚输出，以供其他电子元件或电路模块使用，比如为微控制器、数字信号处理器（DSP）等提供精确的时钟基准，确保它们能够按照既定的时序进行数据处理、指令执行等操作。输出信号的频率由晶振内部的石英晶体特性以及振荡电路决定，其频率精度和稳定性直接影响到整个系统的性能。空脚（NC）：空脚在多数常见应用中不连接任何电路，处于悬空状态。它的存在可能是出于晶振生产工艺、电气性能优化或者为未来可能的功能扩展预留的。不过在某些特殊的电路设计中，空脚也可能被赋予特定的功能，但这种情况相对较少。在一般的使用中，无需对空脚进行额外处理，但要注意避免其意外接触到其他带电引脚或受到外界干扰。实际应用中，在使用有源晶振前，一定要仔细查阅该型号晶振的datasheet（数据手册），因为不同厂家生产的有源晶振，即使是相同的封装形式，其引脚定义和功能也可能存在差异。只有严格按照数据手册的说明进行引脚连接和电路设计，才能确保有源晶振正常工作，为整个电子系统提供稳定可靠的时钟信号。

晶振

官网 . 2025-04-15 1 1980
新品上市 | MDD82052那么小又那么大，原来是这颗MOS

在智能家电与电动工具快速迭代的今天，高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率、功耗和可靠性。随着便携式设备、智能家居和工业自动化对功率密度和能效的要求越来越高，工程师需要更高性能的MOSFET解决方案。一、双N沟道，为高效而生 MDD8205是一款20V双 N沟道MOS，采用SOT-23-6L封装，在20V耐压下实现极低导通电阻（RDS(on)）与超快开关速度。其专为严苛负载场景优化，兼顾高电流承载与微型封装，成为高效率、高可靠性设计的理想选择。二、四大核心优势，赋能电机驱动 1、高电流承载，动力输出更澎湃双N沟道设计：支持5A持续电流与25A脉冲电流，轻松应对电机启停、电动工具瞬间高负载，避免过热降频。 20V耐压：稳定适配各类低压电池系统，保障设备长时间高强度运行。 2、超低导通损耗，续航与效率双提升 RDS(on)低至22mΩ（Vgs=4.5V）：相比传统MOSFET，功耗降低30%以上，显著延长如扫地机器人、手持吸尘器等设备的电池续航。低栅极电荷（Qg=10nC）：减少开关损耗，高频工况下效率提升20%，适合DC-DC转换器等高动态场景。 3、微型封装，高密度设计更灵活 SOT-23-6L封装：节省70% PCB空间，完美适配紧凑电路板、电动工具微型驱动模组设计，助力产品轻量化与成本优化。 4、宽温运行，无惧严苛环境 -55℃~150℃工作范围：从极寒户外到高温工业场景，保障扫地机器人、电动工具在恶劣环境下的稳定运行，故障率降低50%。三、开关时间测试电路和波形四、应用场景：让智能设备“动力十足” 1. 便携式设备负载开关 MDD8205适用于智能手机、TWS耳机等电池供电设备，低RDS(on)延长续航。 SOT-23-6L封装节省空间，助力超薄设计。 2. DC-DC转换器快速开关特性提升Buck/Boost转换效率，适用于POL（点负载）电源设计。双管并联支持更高电流输出，适用于FPGA、ASIC供电。 3. 电机驱动（扫地机器人、电动工具） 5A持续电流支持高扭矩电机控制。低开关损耗优化PWM驱动效率，减少发热。 4. LCD显示逆变器宽温工作范围确保背光驱动稳定性。优化的栅极电荷（Qg）适合高频PWM调光。无论是追求极致能效的智能家电，还是需要可靠动力的工业设备，MDD8205以大承载、小体积、低损耗、强耐候的四大特性，助力电机驱动领域发展。

MDD辰达半导体 . 2025-04-15 1850
德明利亮相环球资源香港展，全栈定制能力释放数据价值

作为全球消费电子领域最具影响力的盛会之一，德明利以“一站式定制”服务推出最新大容量、高速传输、高耐用性存储方案亮相，加速数据价值深度释放与用户体验升级。产品升级性能铁三角破解存储技术升级核心诉求 “大容量、高速度、便携性” 德明利聚焦AI PC、QLC NAND闪存技术等前沿领域，升级全栈消费级存储技术方案。在PC市场中，AIPC带动PCle 4.0/5.0 SSD发展，目前PCle 4.0 SSD仍是市场主流选择。德明利PCle 4.0 SSD以超7000MB/s读写速度配合QLC NAND闪存介质优化方案，在4TB大容量配置下持续改善存储性能，在无独立缓存设计下维持稳定IOPS输出，为AIPC及高性能计算场景提供可靠存储支持。大容量TB级存储满足多场景需求 microSD卡智能microSD卡搭载自研SD6.0主控芯片TW2985，通过高速接口协议优化、智能缓存管理及动态功耗控制技术，提供全高清录制规格的专业速度和容量，全面适配无人机航拍、移动设备扩容、安防监控等高负载场景。高速移动固态硬盘PSSD 荣膺最佳产品设计奖德明利旗下品牌CUSU K8 PSSD搭载USB3.2 Gen2×2高速接口，实现高达2000MB/s高速读写性能，提供512GB至4TB弹性容量配置，为内容创作者提供即插即用的跨平台数据方案。展会现场，CUSU K5 PSSD荣膺最佳产品设计奖。服务升级全栈定制能力垂直整合满足差异化场景需求覆盖存储核心技术全链路德明利深度整合研发、智能制造和供应链资源，构建从NAND Flash颗粒验证、主控芯片设计、固件开发到硬件量产交付的垂直赋能体系。全栈定制服务为无人机、智能终端等七大领域提供兼具高可靠性、协议兼容性、高能效比的定制化存储方案，将技术优势转化为高性能存储方案的全球化竞争力，助力客户在快速变化市场中的应变能力和业务连续性。德明利以全栈定制突破存储性能边界通过“一场景一方案”精准适配分层需求推动消费级存储从标准化产品向场景化价值服务升级为全球数字化转型提供底层支撑力

德明利

德明利 . 2025-04-15 1875
整流桥导电特性有哪些？

整流桥，作为电子领域中不可或缺的关键部件，由四个二极管以精妙布局连接而成，主要负责将单相交流电巧妙转换为全波整流后的电流形式。其工作原理犹如一场精密的电流 “舞蹈”：在交流电正半周时，其中两只二极管如同训练有素的舞者，迅速导通，而另外两只则保持截止状态，此时电流顺势通过负载，方向呈现正向；当进入负半周，原本导通与截止的二极管角色瞬间互换，神奇的是，电流依旧保持正向流动，如此循环往复，成功将双向交流电驯服为单向的脉动直流电。一、正向导通：压降与效率的权衡整流桥正向导通时的特性，首当其冲体现在正向压降上。每个二极管导通之际，都会 “消耗” 一定电压，硅二极管通常产生约 0.7V 的正向压降，肖特基二极管则相对较小，约为 0.3V。在整流桥的电流通路中，每次电流需 “穿越” 两个二极管，所以总的正向压降，硅二极管整流桥约为 1.4V，肖特基二极管整流桥约 0.6V。别小看这看似不起眼的压降，在大电流应用场景里，它引发的功率损耗不容小觑，好比管道中的微小阻力，在水流湍急时也能消耗大量能量。为攻克这一难题，工程师们往往青睐低压降的肖特基二极管来搭建整流桥。在大电流奔腾而过时，肖特基整流桥凭借更低的功率损耗，为电路整体效率的提升立下汗马功劳，让电子设备在高效运行的道路上一路驰骋。二、反向阻断：守护电路的 “盾牌” 反向阻断特性堪称整流桥导电特性中的坚固 “盾牌”。在交流电的半个周期内，有两个二极管处于反向偏置的 “防守” 姿态，它们肩负着承受反向电压且坚决不导通的重任，这便是二极管强大的反向阻断能力在发挥作用。理想状态下，反向漏电流应微弱到近乎可以忽略不计，如此方能减少能量的 “跑冒滴漏”，全力保障电路稳定运行。在高效整流桥的构建中，通常选用反向阻断特性极为出色的二极管，即便面对高压炙烤的恶劣环境，也能坚守岗位，稳定工作。特别是在工业应用的复杂战场，整流桥时常遭遇高电压、极端温度等 “敌人”，此时其反向阻断特性便成为决定自身可靠性与使用寿命的关键因素。三、导电损耗：寻找能耗的 “黑洞” 整流桥的导电损耗主要源自两个 “黑洞”：一是正向导通压降引发的损耗，二是反向漏电流造成的能量流失。在大功率应用的广阔舞台上，导电损耗在电路总损耗中占据相当大的比重，如同一个隐形的 “电老虎”，吞噬着大量电能。因此，挑选低压降、低漏电流的二极管成为降低损耗的关键一步。除此之外，整流桥的工作频率也会对导电损耗产生影响。在高频应用的快节奏世界里，反向恢复特性欠佳的二极管可能会在开关过程中产生额外损耗，就像跑步时步伐不协调会消耗更多体力。而快恢复二极管和肖特基二极管在高频整流领域大放异彩，它们既降低了导通损耗，又巧妙减少了开关损耗，双管齐下，极大地提升了整流桥的整体效率。四、实际应用：特性与需求的碰撞整流桥在电源适配器、充电器、逆变器以及形形色色的工业电源中都有广泛应用，其导电特性在这些场景中起着举足轻重的作用。以开关电源为例，整流桥的效率直接关乎电源的能效等级，高效的整流桥能让电源在节能的道路上更进一步；在逆变器中，整流桥的可靠性则如同定海神针，决定了设备能否稳定运行以及使用寿命的长短。不同的应用场景对整流桥的性能有着千差万别的需求。在低电压、大电流的应用场景下，低正向压降的肖特基整流桥无疑是最佳拍档，能最大限度降低能量损耗；而在高压应用领域，反向阻断特性卓越的快恢复二极管则更能胜任，为电路安全稳定运行保驾护航。总之，整流桥作为关键的整流元件，其导电特性与电路整体性能息息相关。通过精准选择合适的二极管类型，巧妙优化整流桥的正向导通和反向阻断特性，能够显著提升电路的效率与可靠性。在实际应用中，深入理解并精心优化整流桥的导电特性，将为设计出更高效、更稳定的电子设备奠定坚实基础。

整流桥正向导通特性

官网 . 2025-04-15 1 1860
方案 | UFS 4.1：旗舰手机高清影像时代的存力底座

如今，智能手机的影像能力已经进入了“8K视频、亿级像素、RAW格式”时代。然而，仅仅搭载这些先进的影像功能，并非万事大吉。在实际使用过程中，存储性能不足往往会成为影响拍摄体验的瓶颈：写入速度低：如今的影像旗舰手机支持RAW格式连拍——这种曾经能让手机直接宕机的操作对于存储设备的写入速度提出了极高的要求。手机单张Raw格式文件约为75-85MB，在动辄数十张每秒的连拍场景中往往会出现写入速度不足的情况，不仅影响了拍摄的连贯性，还可能导致卡顿而错过关键瞬间。容量不足： 8K视频和1亿像素几乎成为旗舰手机的标配功能。然而，手机录制1分钟的8K视频的文件大小通常约为791MB，单张JPG格式的一亿像素照片文件也通常超过40MB。换言之，一部256GB的手机满打满算只能装下大约5个小时的8K视频素材。掉电快： 8K视频的分辨率为7680x4320，大约含有3300万个像素点。在处理和录制如此高分辨率视频的过程中，低效的存储协议会显著增加功耗，导致手机在拍摄过程中发热严重、耗电过快。试想，当你打开手机的8K高清视频录制，想记录一段超高清的家庭旅行温馨时光。此刻，瞬间即永恒，你一定不希望手机因为任何问题而掉链子。随着智能手机影像功能的不断提升，用户对于拍摄的需求也越来越高。而存储设备，才是决定影像体验能否“丝滑落地”的关键。然而，这些存储性能上的痛点，可能会在全新的UFS 4.1标准下得到有效解决。全新UFS 4.1标准：释放手机多重影像潜能 UFS 4.1作为新一代的存储标准，具有诸多优势，能够有效地解决影像旗舰手机在存储方面所面临的痛点问题，释放出高速度、高能效、高容量等多重潜能。速度跃升实现大文件写入 UFS 4.1拥有翻倍的接口带宽，理论读写速度最高可达约4.2GB/s。这一速度的提升，无论是高速连拍还是高码率视频录制，UFS 4.1都能够提供足够的速度支持，确保数据能够快速、稳定地写入存储设备。用户再也不用担心因为存储速度不足而导致的卡顿、延迟问题，可以尽情地享受拍摄的乐趣。能效比革新减缓续航压力在提升速度的同时，UFS 4.1还在能效比方面进行了革新。它能够在拥有更高的写入、读取速度的同时，保持低功耗运行。这意味着手机在进行长时间拍摄时，不会因为存储设备的高功耗而出现发热严重、耗电过快的情况。相反，UFS 4.1能够有效地延长连续拍摄时长，避免因过热强制降频甚至关机。大容量加持尽情记录精彩随着用户拍摄需求的不断增加，对于存储容量的要求也越来越高。UFS 4.1标准下，嵌入式存储的最大容量将提升至1TB，这为专业创作提供了充足的存储空间，在紧凑的手机空间内实现更高的容量，让用户告别 “存储空间不足”的弹窗焦虑。长江存储UFS嵌入式存储解决方案作为国内领先的存储解决方案提供商，长江存储一直致力于为用户提供高性能、高可靠性的存储解决方案。长江存储在UFS嵌入式存储产品的技术上不断突破创新，依托晶栈®Xtacking®这一创新架构，实现了存储设备的高性能和高可靠性，在存储密度、读写速度、稳定性和安全性等方面进行了优化和提升，为旗舰手机等智能终端提供高质量存力。图：长江存储首款UFS4.1嵌入式闪存芯片UC420 在今年3月12日的MemoryS闪存峰会上，长江存储首次展示了长江存储UFS4.1嵌入式存储新品UC420，该产品以多项技术创新重新定义高端移动存储标准。UC420实现了0.85mm超薄封装技术突破，同时保持饱和带宽与满血性能表现，成为业界UFS 4.1标准下的性能标杆*。UC420提供1TB超大容量，满足了折叠屏手机对存储器小尺寸、高性能、大容量的三重需求。未来，长江存储将继续推动存储技术的发展，不断提升UFS嵌入式存储的性能和功能，以满足市场对高性能存储设备不断增长的需求，打造旗舰手机AI影像时代的存力底座。注：与业界旗舰UFS 4.x产品对比，在长江存储内部实验环境下测试结果

长江存储

长江存储商用存储方案 . 2025-04-14 990
产品 ▏24Bit高性能Σ-Δ ADC_ LTD2532

LTD2532 是一颗面向高端称重市场推出的24位分辨率、高性能、低失真的两通道Σ-Δ ADC 。针对目前高端称重市场现有产品的痛点，LTD2532以更低的功耗，提供了更好的噪声性能以及动态响应性能，解决了现有产品在高采样率下有效位不够的问题。 LTD2532 产品特点 LTD2532内部集成了多路复用器、低噪声可编程增益放大器、Δ-Σ调制器，以及可编程数字滤波器。器件采用 SPI 通信协议进行交互。器件内部集成的可编程增益放大器具有高输入阻抗和低噪声的特点，对于小信号的精密测量有显著优势，同时其自稳零技术有效地将失调电压、失调电压漂移以及 1/f 噪声降到最小。在默认配置下，LTD2532的 FIR 数字滤波器组合可以实现 250SPS 到 4000 SPS 的数据转换速率，对应于最高1652Hz 的-3dB信号带宽。利用Sinc滤波器模式可以实现更快的采样速率，采样速率为8kSPS到128kSPS。器件具备同步功能，允许外部信号触发 ADC 的数据转换动作，因此可以用同一触发信号同步控制多个器件进行同步转换。器件的关断引脚可以使器件功耗最小化运行并复位寄存器设置。SPI 兼容性允许并行器件共享公共串行总线。 LTD2532还支持增益误差和失调电压的系统校准功能。器件优化了失真性能，典型积分非线性性能可达± 0.0001%FS。 LTD2532的最小应用系统如图所示。LTD2532支持单电源供电以及正负电源供电。为了实现更高的噪声性能，基准输入可以通过外部基准源来提供。 LTD2532应用示意图 LTD2532的最小应用系统如图所示。LTD2532支持单电源供电以及正负电源供电。为了实现更高的噪声性能，基准输入可以通过外部基准源来提供。 LTD2532典型表征 LTD2532器件优化了针对工业现场的可靠性，器件的 HBM ESD 可达 4000V 以上；MM ESD 可达 300V 以上。下表给出了LTD2532在集中典型模式下的输入RMS噪声以及无噪声分辨率测试结果。下图给出了在几种典型条件下LTD2532的噪声直方图统计结果以及噪声频谱。 250SPS PGA=1 250SPS PGA=64 噪声结果 4000SPS PGA=1 4000SPS PGA=64 噪声结果下图给出了几种典型条件下LTD2532的失真特性。 250SPS PGA=8 2000SPS PGA=8 失真性能使用LTD2532代码示例在LTD2532的使用过程中，通过使用OFFSET设置可以有效解决IDLE TONE问题。在使用OFFSET后，通过自动校正模式可以消除OFFSET的影响。下面给出了一个更好的使用LTD2532的代码示例。代码给出了初始化LTD2532以及配置offset寄存器以及失调自动校正寄存器的过程；在校正完成后，开始正常读取数据。如有必要，还可以根据控制外部输入信号来进行增益校正。 LTD2532 典型应用高精度仪器快速称重 LTD2532订购信息

先积集成

先积集成 . 2025-04-14 535
产品 | 导通电阻再创新低，东芝新款MOSFET引领锂电池保护电路新趋势

随着全球对电动化、智能化和便携式设备需求的不断增加，锂离子电池作为主流能源来源，已成为各类消费电子产品和电动工具的核心。在这一发展过程中，锂离子电池的保护电路正面临着更高的要求。特别是在快充技术日益成熟的今天，如何实现高效的电池管理，确保电池在高负载条件下的安全性和稳定性，成为设计者亟待解决的关键问题。 MOSFET作为电池管理系统的重要元件，其性能的提升直接影响到整个系统的功效和稳定性。东芝一直致力于为锂离子电池保护电路提供高性能的MOSFET解决方案，尤其在降低导通电阻方面，SSM14N956L代表了公司在这一领域的又一重要创新进展。低导通电阻，提升功率效率 SSM14N956L是东芝MOSFET产品系列中的新成员，是一款专为移动设备锂离子电池组设计的低导通电阻产品，与此前发布的SSM10N954L和SSM6N951L类似，均采用了微工艺技术，但在此基础上进一步降低了导通电阻。 SSM14N956L与SSM10N954L的主要规格对比 SSM14N956L的源极-漏极通道电阻的典型值为RSS(ON)＝1.1 mΩ（@VGS＝3.8 V），这一特性使其在高电流条件下能够显著降低功率损耗，在锂电池保护电路中，低导通电阻能够最大限度地减少电流通过MOSFET时的电压降，从而提升整体系统的能效。 SSM14N956L的RSS(ON)与栅源电压（VGS）关系的图示在快充应用场景中，电流密度较高，对MOSFET的导通电阻要求更加严格。低导通电阻不仅有助于减小热量产生，还能提高电池的充电效率。这对于提高充电速度、延长电池寿命以及提升设备安全性至关重要。 SSM14N956L的其他亮点解析除低导通电阻外，SSM14N956L还具备低栅源漏电流，即使在较高的栅源电压下，其漏电流依然保持在非常低的水平，IGSS最大值仅为±1 μA（@VGS＝±8 V）。在锂电池保护电路中，MOSFET的栅源漏电流对待机功耗有着直接影响。较低的漏电流意味着在设备处于待机模式时，系统能耗更低，从而有效延长电池的使用时间。 SSM14N956L IGSS与VGS之间的关系这一特性对于便携式设备尤为重要，尤其是智能手机、平板电脑等需要长时间待机的应用场景。随着设备对低功耗技术要求的提高，SSM14N956L凭借其低栅源漏电流，为电池管理系统提供了更高效的能量管理方案。超薄封装设计，满足小型化需求现代移动设备不断追求更小巧、更轻便的设计，因此电子元件的体积和厚度成为了产品设计中不可忽视的因素。 SSM14N956L采用的TCSPED-302701封装，尺寸为2.74 mm×3.0 mm，厚度仅为0.085 mm（典型值）。这一超薄小型化封装，不仅满足了空间受限的设计需求，还能有效降低电路板上的布局复杂度。此外，这种封装还支持更高的散热效率，避免了过热对系统稳定性和电池性能的负面影响。 TCSPED-302701封装和引脚布局 SSM14N956L采用的共漏极结构，由于其较低的开关损耗和简化的驱动需求，特别适合用于高效、可靠的电池保护电路设计。应用场景自2023年5月发布以来，SSM14N956L已经在市场中得到广泛应用，并取得了积极的市场反馈。SSM14N956L可广泛应用于家用电器、消费类电子产品以及办公和个人设备中，特别是采用锂离子电池的智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器等。总结东芝SSM14N956L MOSFET优异的性能和小型化封装使其成为移动设备电池保护电路的理想选择。未来，东芝将持续致力于MOSFET技术的研发与创新，不断推出更高性能、更具竞争力的产品，以满足市场日益增长的需求。

东芝

东芝半导体 . 2025-04-14 460
市场周讯 | 中美关税大战，美方集成电路建议以流片原产地报关；国巨被动器件涨价10%；英飞凌收购Marvell汽车以太网业务

| 政策速览 1. 中国&美国：2025年4月9日，中国加强对特朗普(Trump)新关税政策的反制措施。自2025年4月10日12时01分起，中国国务院关税税则委员会调整对原产于美国的进口商品加征关税税率，由34%提高至84%。中国商务部将12家美国实体列入出口管制管控名单，禁止向其出口可能具有军事用途的物项；将6家美国公司列入“不可靠实体清单”，禁止这些公司从事与中国有关的进出口活动以及在中国境内新增投资。与此同时，2025年4月9日，特朗普在社交媒体平台Truth Social宣布再次提高对中国商品的关税，将税率提高至125%；并暂停90天实施对其他国家的“对等关税”；但是，美国对所有进口产品征收 10% 的全球基准税将继续有效。 2. 中国：中国海关发布《中华人民共和国进出口货物原产地条例》，其中“集成电路”原产地按照四位税则号改变原则认定。中国半导体行业协会建议，“集成电路”无论已封装或未封装，进口报关时的原产地以“晶圆流片工厂”所在地为准进行申报。 3. 广东：广东省正推动人工智能与机器人产业创新发展，加快打造全球人工智能与机器人发展高地，将大力推动“机器人+”在民生领域的广泛应用，以医疗健康、养老服务、教育、城市管理服务等领域为重点，遴选一批应用价值高、推广潜力大的应用场景，以应用场景为牵引，促进机器人技术迭代升级，形成技术支撑、场景牵引、深度赋能的机器人创新发展生态，加速机器人在重点行业的规模化应用。 4. 工信部：工业和信息化部电子信息司在《新型工业化》发布《践行新时代北斗精神高质量发展北斗产业》一文。文章表示，加快培育北斗独立定位新业态。围绕北斗芯片搜星、融合解算和高可靠性等关键环节，鼓励企业加大投入，开展质量攻关，提升北斗芯片、模组、终端性能及质量，以高质量供给创造引领新需求。引导北斗芯片企业调整算法及产品结构，从源头加大北斗产品的供应，面向各行业不断加大北斗产品供给量。通过多项有力举措，持续完善北斗产品供给体系，保障北斗产品的充足供给。 5. 国家认监委：近日批准《汽车芯片认证审查通用技术要求》等5项认证认可行业标准立项。此次5项认证认可行业标准的立项、制定，将进一步规范汽车芯片认证审查活动，提升认证机构、设计机构、测试机构、算力机构等技术能力。同时，将填补国内相关领域标准空白。 | 市场动态 6. SIA：2025年2月全球半导体销售额为549亿美元，较2024年2月的469亿美元增长17.1%，比2025年1月的565亿美元下降2.9%。 7. SEMI：全球半导体制造设备出货金额2024年达到1171亿美元，相较2023年的1063亿美元增长10%。其中晶圆加工设备的销售额增长了9%，其它前端细分领域的销售额增长了5%。 8. 欧盟：欧盟表示将把重点放在建设人工智能数据和计算基础设施上，并使企业更容易遵守监管规定，以便在人工智能竞赛中赶上美国和中国。欧盟委员会表示，希望开发人工智能超级工厂网络，以帮助企业训练最复杂的模型。 9. CFM：手机、PC、TV等终端厂商普遍正评估因关税带来的影响，而终端在加征关税驱动下令成本或将抬高部分地区售价，进而削弱竞争优势影响销售。后续关税带来的成本压力也将传导至作为消费终端上游环节的存储芯片领域，届时存储备货需求也将受到抑制。目前渠道存储价格居高不下，客户在保有库存情况下备货意愿低，使得近期渠道市场需求转淡，关税冲击下令部分客户对后市表示担忧。 10. IEA：国际能源署（IEA）预测，全球数据中心的电力需求到 2030 年将达约 945TWh，是现有水平的两倍以上，接近日本现在的总用电量；而 AI 优化的数据中心电力需求更是将超过目前的四倍。 11. Gartner：2024年全球半导体收入总计6559亿美元，较2023年的5421亿美元增长21%。凭借AI基础设施建设和数据中心GPU需求激增，英伟达以766.92亿美元营收首次攀升至第一位，首次超越三星电子和英特尔。三星营收656.97亿美元位列第二，营收增长60.8%，英特尔以498.04亿美元排名第三。 | 上游厂商动态 12. 美光：存储器大厂美光（Micron Technology）已告知美国客户，某些产品将自周三（4月9日）起加收附加费，以因应美国总统川普（Donald Trump）最新的对等关税政策。 13. 国巨：国巨早在2月份就宣布收购日本传感器大厂芝浦电子，但这笔公开收购并没有获得芝浦电子的热情回应。相反，对方呈现出更为谨慎的态度，也因此引发日本国内关于资产流失的考虑。不过，最近这笔收购案可能会有变动，传日本电子元件厂美蓓亞三美（MinebeaMitsumi）同样向芝浦电子提出收购提案，且开出的价格比国巨更高. 14. 国巨：由于AI需求激增，被动元件市场掀起涨价风。根据网友提供的国巨集团涨价通知，国巨旗下基美将于6月1日起调涨被动元件钽电容的报价，涨幅将超过10%。 15. 英飞凌：英飞凌将以约 25 亿美元现金的价格收购 Marvell Technology汽车以太网业务，以扩大其微控制器部门。 16. ST：意法半导体计划三年内裁员多达2,800人。 17. NVIDIA：NVIDIA CO黄仁勋上周五前往佛罗里达州海湖庄园出席晚宴后，美国白宫改变了限制英伟达向中国出口H20的计划，并暂停进一步限制这种芯片出口。NPR称，白宫和美国商务部尚未就上述报道回应置评请求。NVIDIA方面则拒绝置评。 18. 台积电：3月营收2859.6亿元台币，同比增长46.5％；一季度营收8,392.5亿元台币，同比增长41.6%。 19. 三星：三星电子开始研发1.0nm晶圆代工工艺，部分曾参与2nm等尖端制程的研发人员被抽调组建专项团队。三星预计，量产时间将在2029年之后。 20. 三星：三星半导体针对“三星晶圆厂（Samsung Foundry）暂停所有中国业务”的传言亲自下场辟谣。三星半导体在官方公众号发文称：经证实，“三星晶圆代工暂停与中国部分公司新项目合作”说法属误传，三星仍在正常开展与这些公司的合作。 21. Black Semiconductor：德国石墨烯光电芯片企业 Black Semiconductor 当地时间 3 月 27 日宣布收购荷兰石墨烯材料企业 Applied Nanolayers，加速其石墨烯光电互联的商业化落地。 22. 豪威：豪威集团发布全新的OV50X CMOS图像传感器。该传感器拥有手机行业中的超高动态范围，可实现电影级视频拍摄。OV50X是一款5000万像素的传感器，采用1英寸光学格式，像素尺寸为1.6微米。 23. 芯耀辉：证监会披露了关于芯耀辉科技股份有限公司（简称：芯耀辉）首次公开发行股票并上市辅导备案报告，其上市辅导机构为国泰君安。 24. 联发科：公布2025年3月份营收为新台币560亿元，较2月份增加21.28%，较2024年同期增加10.93%，创下30个月以来的新高纪录。累计2025年前3个月营收达到1,533.1亿元，较2024年同期增加14.88%，创下历年同期新高。 25. 立讯精密：公司正在与客户讨论应对美国关税的策略，其中包括将更多生产转移至中国以外的地区，如美国和东南亚。 | 应用端动态 26. 中国移动：由中国移动承建的全国首个“四算合一”算力网络调度平台日前正式投入使用。“四算合一”是指将通用算力、智能算力、超级算力和量子算力四种计算能力融合的算力体系。据了解，该算力调度平台可以支持每天上亿次的算力调用，能调度全国1/6的算力规模，算网一体化效率提升20%。平台自有智算中心的芯片国产化率超过90%，兼容8种国产AI芯片，对保障供应链安全、推动国家数字经济高质量发展具有重大意义。 27. 特斯拉：特斯拉Model S/X暂停新车预订，现车即刻交付上海地区Plaid版，售价90.29万元起。高管确认“可预见的未来不会停产”，并预告“今年晚些时候带来技术升级”，暗示车型将搭载Model 3/Y同款新技术。 28. 宝马：宝马正在考虑为其位于美国南卡罗来纳州的斯帕坦堡工厂增设生产班次，以将年产量最多提升 8 万辆。当前，多家车企正寻求化解与美国政府的紧张关系，避免贸易冲突持续升级。 29. 微软：微软正在考虑进一步裁员，这次的重点是管理人员和非程序员，而不仅仅是低绩效员工，新一轮裁员最早可能在5月份进行。 30. Alphabet：2025年将斥资约750亿美元扩建数据中心容量，加倍押注生成式人工智能（Generic AI），即便回报尚不明朗，且全球贸易战可能导致成本上升。

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芯查查资讯 . 2025-04-14 2 1 1460
智能驾驶 | 全球TOP5车规级芯片企业的制造基地介绍

重点概览 1. 英飞凌：产品品类最全的车规级芯片供应商，拥有15个生产基地 2. 恩智浦：8个前道工厂和4个后道工厂 3. 意法半导体：7个前道工厂和7个后道工厂 4. TI：9个前道工厂与6个后道工厂 5. 瑞萨：5家前道工厂和7家后道工厂 6. 国内车规级芯片概况近几年，随着汽车电动化和智能化程度的加快，车规级芯片的需求量在快速提升，特别是功率、MCU、模拟、CIS、存储器、通信，以及智能驾驶芯片的需求增长迅速。据TechInsights统计，2024年全球汽车半导体市场规模为684亿美元，IDC则预计到2027年，全球汽车半导体的市场规模将超过880亿美元。另据易车数据，2022年传统燃油车单车平均使用了934颗芯片，智能电动汽车使用了1,459颗芯片。该机构预计2025年传统燃油车单车芯片用量将提升至1243颗，智能电动汽车的用量将提升至2,072颗。图：全球汽车半导体市场规模及预测（来源：IDC）不过，车规级芯片与消费级和工业级芯片不同，它需要具有更高的可靠性、安全性，以及稳定性，而且要求零缺陷和更长的供货周期。这大大提高了进入这个行业的标准与门槛。而且，如果要进入汽车前装市场，产品需要经过一系列的认证，比如常见的芯片元器件层面可靠性标准AEC-Q100、汽车行业质量管理体系IATF16949、功能安全标准ISO26262等。其中，AEC-Q100主要用于集成电路，分立器件为AEC-Q101、功率模块为AQG 324，无源器件为AEC-Q200等。也就是说，车规级芯片的研发周期更长，如果是一家从未涉足汽车行业的半导体厂商想要进入车规级市场，它至少要花两年的时间自行完成相关的测试，并提交测试文件给主机厂。还需要通过相关车规级标准规范的认证和审核，只有通过严格考核的企业才能进入汽车前装供应链。这导致了几十年来，全球车规级芯片市场的产业格局非常稳定，基本上被英飞凌、恩智浦、意法半导体、TI、瑞萨、安森美等海外企业所垄断。不过，近几年来，随着汽车行业加速进入智能化时代，尘封数年的车规级芯片市场格局开始被打破，尤其是特斯拉FSD（完全自动驾驶）芯片的推出，以及智能驾舱从概念变成现实，让更多新的半导体厂商开始进入这个行业。比如NVIDIA、高通、联发科技、全志科技、兆易创新、地平线、黑芝麻等厂商成为市场新生力量。可以看到这些企业里面有不少是IDM厂商，也有Fabless厂商，接下来就请跟随芯查查看看这些厂商的产线布局，看看这些主流的车规级芯片都是在哪里生产出来的吧。英飞凌：产品品类最全的车规级芯片供应商，拥有15个生产基地根据TechInsights的统计，2024年英飞凌在全球汽车半导体市场的份额为13.5%，据全球首位，且该公司已经连续5年位居榜首了，其中，英飞凌在中国市场以13.9%的市场份额领跑。英飞凌目前是车规级芯片产品品类最全的半导体供应商，除了其最大的优势产品功率半导体之外，去年其车规级MCU产品市场表现也很抢眼，由于其MCU在高级辅助驾驶等应用中表现出色，市场份额增长了3.6%，达到了32%，位居全球第一，在汽车MCU整体市场同比下降8.2%的情况下仍然保持了增长。图：英飞凌在半导体市场中的地位（来源：英飞凌）根据其2024年财报显示，英飞凌在在全球拥有约58,065名员工，2024财年的营收为149.6亿欧元，其中56%是汽车半导体所贡献。英飞凌采用的IDM模式，拥有自己的晶圆厂、封装厂和测试厂，自行完成芯片的全生命周期，包括从设计到制造的整个过程。这种模式允许企业更好地控制产品质量和技术创新，同时降低成本和提高生产效率。截至2024年9月30日，该公司在全球共有71家研发机构和15个生产基地。图：英飞凌15个工厂的分布情况（来源：英飞凌）根据英飞凌官方的介绍，他们在美洲地区有4个工厂，其中美国有3家（包括前道工厂奥斯汀和梅萨，后道工厂蒂华纳），墨西哥位于莱姆斯特的工厂是一家后道工厂。不过最新的消息是，今年2月26日，英飞凌宣布与美国晶圆代工厂SkyWater签订了协议，将德克萨斯州奥斯汀的8英寸晶圆厂Fab25出售给了SkyWater，并签订了相应的长期供应协议。Fab25晶圆厂目前每年为主要汽车、工业和通信公司生产多达10亿颗半导体芯片，该工厂拥有65nm基础设施、扩展的铜处理规模和高压BCD技术等。该交易目前正在等待美国监管机构的批准，预计未来几个月之后完成。欧洲是英飞凌的总部所在地和核心基地，有5家工厂，包括2家前道（德国的德累斯顿和奥地利的菲拉赫）、2家后道（德国的瓦尔施泰因和匈牙利的采格莱德），以及一家包括前道和后道一起的德国的雷根斯堡。英飞凌很重视欧洲地区的生产布局，2021年月，英飞凌投资16亿欧元建设的菲拉赫新12英寸晶圆厂正式投入运营，这座全新的工厂重点生产碳化硅和氮化镓功率半导体。2023年，英飞凌又对菲拉赫12英寸功率半导体厂进行了大规模的扩建，投资金额超过16亿欧元，以扩大碳化硅和氮化镓功率半导体的生产能力。同年，英飞凌还在德国德累斯顿（Dresden）开启了新的12英寸晶圆厂建设，这一项目投资金额超过了50亿欧元，预计2026年投产。该晶圆厂专注于28nm以下先进制程节点的研发与生产，特别是针对汽车和工业领域的半导体需求。值得注意的是，菲拉赫和德累斯顿的12英寸晶圆厂采用了“虚拟一体化工厂”理念，两地采用一致的生产工艺、设备配置，以及自动化与数字化系统。这不仅带来了规模效益，也为客户提供了灵活的产能调配能力，让英飞凌可以根据需求在两地间灵活切换生产量。亚太地区主要的后道工厂为主，位于马来西亚的居林（Kulim）是仅有的一家前道工厂。居林工厂是英飞凌全球最大的碳化硅功率半导体生产基地，其第三厂区（8英寸）产线在2024年8月投产，该工厂的一期项目投资额高达20亿欧元，主要生产碳化硅功率半导体和氮化镓外延的生产。生产的产品主要供汽车、新能源和工业客户使用。英飞凌还计划额外投资50亿欧元用于居林工厂的第二期建设，以进一步扩大产能。值得一提的是，居林工厂与菲拉赫形成了“虚拟协同工厂”，共享宽禁带技术工艺。泰国的曼谷、马来西亚的马六甲、新加坡、印度尼西亚的巴淡，以及中国的无锡工厂均为后道工厂。其中，中国的无锡工厂是英飞凌全球最大的IGBT生产基地之一，生产的产品广泛应用于电动汽车、新能源、消费电子和工业等多个领域。1995年，英飞凌在无锡建厂，当时主要聚焦于后道封装制造领域。2021年，英飞凌对无锡工厂进行了扩建，以增加封测产能，专注于车规级功率半导体的生产和测试。2024年12月，英飞凌CEO Jochen Hanebeck透露，为了满足中国客户的特定需求，公司正在积极推进商品级产品的本地化生产策略，与中国市场保持紧密的业务联系。也就是说，英飞凌决定调整生产布局，将部分产品的制造环节转移至中国的代工厂。在今年电动汽车百人会2025现场，英飞凌科技高级副总裁、汽车业务大中华区负责人曹彦飞正式宣布了英飞凌汽车业务 “在中国，为中国”的本土化战略，这是英飞凌近年来首次在公开场合提出业务的本土化战略。尤其是曹彦飞提出，AURIX TC4x MCU也会在国内生产，不止包括后道，也包括前道。据悉，英飞凌的车规级MCU、AURIX、TRAVEO，以及PSoC都有国内前道生产计划，另外NOR及部分模拟混合信号产品也会在中国有前道工序。虽然英飞凌是一家IDM厂商，但他们也有一部分的产品是委外代工的，主要是集成度更高的数字芯片，比如微控制器、连接模块和安全芯片等。同时英飞凌也入股了台积电主导成立的欧洲半导体制造公司（ESMC），他们占了10%的股份。该公司已经在2024年8月举行了德累斯顿晶圆厂的奠基仪式。恩智浦：8个前道工厂和4个后道工厂恩智浦也是车规级芯片的主要玩家之一，他们2024财年营收126.1亿美元，其中汽车芯片占了其总营收的57%，为71.51亿美元。恩智浦的芯片制造主要有三种模式，分别是自有晶圆厂、与其他半导体公司合资运营的晶圆厂，以及委托第三方代工厂和封装测试供应商进行生产。根据恩智浦官网的介绍，恩智浦正越来越多地将内部制造资源聚焦于具有竞争优势的8英寸晶圆产线，主要生产140nm、180nm和250nm等成熟制程节点。他们自有的晶圆厂制造工艺CMOS、Bipolar、BiCMOS以及DMOS等技术，能生产90nm至3微米的集成电路，以及0.5微米至4微米以上的分立器件。至于封装测试工作，大部分是是由恩智浦自有工厂完成的。图：恩智浦前端生产和装配测试工厂分布（来源：恩智浦）目前恩智浦主要有8家前端生产和4家后端封装测试工厂。8家前端生产工厂分别为：荷兰的奈梅亨晶圆厂、美国的钱德勒晶圆厂、ECHO晶圆厂、ATMC、橡树山晶圆厂，以及新加坡的SSMC和VSMC晶圆厂；后道工厂包括泰国曼谷装配测试厂、吉隆坡装配测试厂、高雄装配测试厂以及天津装配测试厂。恩智浦的美国工厂主要是由于当年收购飞思卡尔时带来的资产。其中，与台积电联合持有的位于新加坡的SSMC晶圆厂主要生产8英寸晶圆。2021年，恩智浦在美国亚利桑那州投资数亿美元扩建现有封装测试工厂，增强汽车电子产品封装能力，这一举措旨在支持北美客户对车规芯片的需求，提升供应链的稳定性和效率。同时恩智浦还对中国天津的封测工厂进行了扩建，加强封测能力，优化为中国市场服务的效率。 2022年时，恩智浦对马来西亚的吉隆坡装配测试厂进行了扩建，以提升其封测能力，主要面向汽车和工业应用的高性能产品。在2024年6月，恩智浦宣布与世界先进（VIS）宣布在新加坡成立合资公司——VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC），计划投资78亿美元建设一座12英寸（300毫米）半导体晶圆制造厂。该工厂将主要采用130纳米至40纳米的制程工艺，生产混合信号、电源管理和模拟芯片，目标客户涵盖汽车、工业、消费电子和移动终端市场。工厂中2024年下半年动工，预计2027年实现量产，月产能预计达到5.5万片晶圆。此外，双方还考虑在首座晶圆厂成功量产后，继续建设第二座晶圆厂。此外，台积电主导的ESMC，恩智浦与英飞凌一样也参与了投资，持股也是的10%。恩智浦可以获得该晶圆厂10%的产能配额，该工厂预计2027年初步投产。意法半导体：7个前道工厂和7个后道工厂意法半导体也是一家IDM厂商，该公司2024财年营收132.7亿美元，其中汽车芯片贡献了46%。其生产制造基地覆盖欧洲和亚洲地区，形成了“前道工序（晶圆制造）+后道工序（封装测试）”的完整产业链。目前意法半导体在欧洲和亚洲的9个国家和地区设立了14个主要制造基地，包括7个晶圆制造工厂和7个封装和测试工厂。图：意法半导体全部布局（来源：意法半导体）前道工厂分别为瑞典的北雪平、意大利的卡塔尼亚和阿格拉泰、法国的图尔、克洛勒和鲁塞，以及新加坡工厂；后道工厂包括摩洛哥的布斯库拉、马耳他的科尔科普、意大利的马尔恰尼塞、法国的雷恩、马来西亚的麻坡、菲律宾的卡兰巴，以及中国的深圳工厂。其中，2021年，意法半导体对法国克罗勒的晶圆厂进行了产能升级，增加对高需求技术如SiC和GaN的投入。这一年，意法半导体还扩建了深圳封测工厂，以支持本地客户的汽车和工业产品需求。 2022年，意法半导体在新加坡投资数亿美元扩大8英寸SiC功率器件晶圆厂产能，以支持模拟、MEMS（微机电系统）和功率技术的发展，旨在加强亚太地区的供应能力，满足当地市场对高性能半导体产品的需求。此外，意法还在马来西亚槟城扩建了封测厂，进一步增加封装测试产能，以支持更大规模的功率半导体产品需求。 2023年，意法半导体持续推进意大利阿格拉特12英寸晶圆厂建设，预计2025年实现全面投产，该项目将专注于CMOS、模拟和功率产品的制造，支持汽车电子和工业芯片制造。预计到2027年，12英寸产能翻倍至4,000片/周。除此之外，意法半导体还与三安光电合作，在中国建立8英寸碳化硅（SiC）晶圆厂，生产碳化硅外延片，该项目计划总投资约230亿元。该工厂已经在2月27日正式通线，预计2025年第四季度实现批量生产，这将是国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线，项目规划全面达产后，每周可以生产1万片车规级晶圆。 2024年底，意法半导体宣布了“在中国，为中国”战略，宣布将与华虹合作，计划在2025年底在中国本土生产40nm MCU，其认为在中国进行本地制造对其竞争地位至关重要。 TI：9个前道工厂与6个后道工厂 TI的成长历程可以参考芯查查之前的文章《IC 品牌故事 | 从石油勘探中诞生的TI传奇》，该公司2024财年的营收为156.4亿美元，其中车规级芯片占了35%，是TI所有应用领域中收入最高的一块。据悉，TI每年芯片产量超过100亿颗，计划到2030年其芯片内部制造比例达到95%。图：TI的全球制造布局（来源：TI）在TI的全球制造布局中，TI总共有15个制造基地，包括多家晶圆制造、封装测试工程，以及凸点和探头工厂。其中晶圆厂有9家，封装测试工厂6家。其晶圆制造厂主要分布在美国，包括美国德克萨斯州的舍曼（Sherman）、理查森（Richardson）、达拉斯（Dallas），犹他州的李海（Lehi），以及缅因州的南波特兰（So.Portland），德国的弗赖辛（Freising）、中国的成都，加上日本的会津（Aizu）和美保（Miho）工厂。美国达拉斯DMOS6工厂成立于2014年，是TI最早的12英寸晶圆厂之一。2014年推出了12英寸模拟技术，用于生产先进的模拟芯片和嵌入式处理器；理查森RFAB1是2009年投产的，RFAB2于2022年下半年投产，与RFAB1相连，用于扩大射频和电源管理芯片的生产，满产产值约60亿美元；犹他州的李海LFAB1厂是2021年收购自美光，已经在2022年底投产，主要支持65nm和45nm工艺的模拟和嵌入式产品；LFAB2厂2023年2月开始建设，计划2026年开始投产；德克萨斯州的舍曼S1~S4四个工厂，S1/S2建设中，计划2025年S1投产、2026年S2投产、2027年S3投产、2028年S4投产。舍曼基地的建设始于2021年，总投资约300亿美元。这些扩建的产能均为12英寸产线。至于中国成都工厂，原来是包括晶圆制造产线的，不过近几年开始已经有所改变，目前只剩下封装和测试产线在运行了。瑞萨：5家前道工厂和7家后道工厂以前瑞萨的大部分的产品都是自己工厂生产的，但从2010年开始，瑞萨宣布未来将朝着轻工厂（Fab-Light）战略迈进，使用代工厂生产28nm及以下的器件，且不再大规模投资晶圆厂。现在瑞萨的制造工厂数量从2011年的22座缩减到了现在的5座，且基本都在日本。晶圆厂包括茨城县那珂工厂、爱媛县西条市西条工厂、山梨县甲府工厂、神奈川县川崎工厂，以及群马县高崎工厂。其中那珂工厂主要生产车规级芯片（MCU、SoC等）、功率半导体等，拥有8英寸和12英寸晶圆生产线，是瑞萨车规级芯片的主要生产基地；甲府工厂曾经在2014年10月关闭了，但2022年5月，瑞萨宣布重新投资900亿日元，将原来的6英寸和8英寸生产线，升级成12英寸生产线。甲府工厂已经在2024年4月开始正式运营，计划2025年开始大规模生产以IGBT为主的功率器件，以满足电动汽车市场的需求。据悉，甲府工厂的12英寸生产线主要生产750/1200V的IGBT，并将提供1200/1700V的SiC。除了提高本身晶圆厂产能，瑞萨还积极扩大委外代工，加大台积电、联电和世界先进等订单。比如2023年瑞萨宣布入股台积电熊本工厂，取得约10%股权。另外，瑞萨拥有7家封测工厂，其中两家在北京和苏州。国内车规级芯片概况整体来看，我国汽车芯片与世界领先水平的差距仍然较大。国内车规级半导体在基础环节、标准和验证体系、车规产品验证、产品配套等方面能力薄弱，同时在半导体各个产品的自主率较低，与我国消费电子半导体产业链相比，由于汽车半导体在可靠性，稳定性等领域的要求更高，国内企业在汽车半导体领域的整体市场占有率更低，但同时也对应着可观的国产替代空间。当然，随着国内新能源汽车的快速发展，通过并购或者自研，也涌现出来了一批车规级芯片企业。比如北京君正通过收购矽成半导体（ISSI），进入了车用存储器，车载网络接口芯片市场；韦尔半导体通过收购豪威科技进入了车载CIS市场；四维图新收购前身为联发科技旗下的汽车电子事业部杰发科技，进入了车规级MCU、SoC等芯片市场；锡产微芯收购LFoundry获得了车规级代工生产线，以及车规级芯片制造工艺和功率芯片等；华灿光电收购美新半导体，具备了车规级MEMS传感器量产能力。而华为、全志科技、兆易创新、比亚迪半导体，芯旺微、地平线、黑芝麻智能、芯擎科技、纳芯微、南芯半导体、富瀚微、芯海科技等一大批半导体企业都进入了车规级芯片领域。这从前几年车规级芯片市场的国产化率不到5%提升到了2024年的近10%就可见一斑。不过，国内进入车规级芯片领域的半导体企业大都是Fabless企业。芯查查下一篇文章将会详细介绍有哪些晶圆工厂和封装厂可以提供车规级芯片代工和封装测试服务。

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芯查查资讯 . 2025-04-14 12 3 4655
产品 | 极海与广汽集团联合发布国产首款AK2超声波传感器芯片

2025年4月12日，极海受邀出席"广汽科技日发布会"，与会现场联合广汽集团正式发布国产首款量产车规级芯片——AK2超声波传感器芯片与双通道DSI3网络收发器芯片。该芯片以"安全驾驶"为核心设计理念，深度融合自动泊车、环境感知与冗余安全技术，旨在为智能汽车提供更可靠、更高效的底层支持。此次合作标志着双方在汽车芯片领域的技术协同迈入新阶段，成功突破了国外技术封锁，采用全国产供应链，为国产汽车智能化技术的自主化发展注入强劲动力。强强联合，共筑智能安全防线广汽芯片发布会与芯片联盟签约仪式于广汽研究院创新中心举行，极海总经理汪栋杰、副总经理曾豪等受邀出席。极海与广汽合作的国产首款AK2超声波传感器芯片与双通道DSI3网络收发器芯片的研发及产业化展开深度合作，G32A217（G-S01）与GAIF2042（G-T03）系列芯片已完成验证，进入批量量产阶段。极海总经理汪栋杰表示："与广汽的合作不仅是技术融合，更是对'安全为先'理念的实践。AK2超声波传感器芯片通过多层级冗余设计和全场景验证，助力更高级别智行安全的发展与突破，推动国产汽车芯片的安全自主可控。此次战略联盟旨在联合推进完善设计领域、制造能力、应用生态、测试认证体系等方面，推动汽车芯片全产业链的生态共建。以安全为核，赋能广汽灵星电子电气平台作为本次合作的核心成果，AK2超声波传感器芯片与双通道DSI3网络收发器芯片在广汽灵星电子电气架构中予以展示，赋能自动泊车与智能安全场景。国产芯片自主化的里程碑国产芯片向前一小步，自主创新一大步。国产AK2超声波传感器芯片与双通道DSI3网络收发器芯片的发布，不仅填补了在车用超声波传感器芯片领域国内市场的空白，并实现从设计到量产的全链条自主可控及技术研发与应用落地的双向贯通。极海与广汽集团的战略合作，不仅是一次技术联姻，更是国产汽车芯片迈向高端化、安全化的重要一步。标志着国产超声波雷达从单一功能向高精度、高安全性的技术演进，为智行系统提供了高性能、高可靠性及成本更优的感知方案。未来，双方将持续以用户需求为导向，推动汽车智能化从"功能创新"向"安全革命"跨越，为全球消费者创造更安心、更便捷的出行体验。

极海

芯查查资讯 . 2025-04-14 2791
方案 | 下一代800V牵引逆变器参考设计：让电动车性能媲美甚至超越燃油车！

为实现零排放的未来，汽车行业迫切需要重塑。汽车制造商必须加速推出差异化的电动车型。恩智浦携手Wolfspeed，共同推出一款经过全面验证的800V牵引逆变器参考设计，有效帮助电动汽车系统架构师克服诸多技术障碍。为支持汽车合作伙伴并加速汽车电气化进程，恩智浦与Wolfspeed联合推出了一款经过全面验证的800V牵引逆变器参考设计。该设计帮助电动汽车系统架构师有效克服多重挑战，包括选择合适的组件以提升系统效率、符合功能安全认证标准，以及确保长期可靠性。功率逆变器模块解析电动汽车牵引逆变器参考设计是一个完整的系统解决方案，集成了基于Arm Cortex-M7的S32K39 MCU、电源管理符合功能安全的FS26系统基础芯片，以及最新一代高压隔离栅极驱动器GD3162。为完善该系统，设计中还包含Wolfspeed的1200V六组YM SiC功率模块。基于恩智浦800V EV-INVERTERGEN3参考设计和Wolfspeed SiC功率模块的完整ECU解决方案该电动汽车牵引逆变器参考设计已在Wolfspeed慕尼黑实验室，通过硬件在环 (HIL) 装置进行了联合测试。在800V电池的工作条件下，其峰值功率超过了300kw。实验室HIL设置的测试结果动态栅极强度满足不同的功率需求实验室模拟结果显示，得益于恩智浦高压栅极驱动器的专有功能，整体效率提升了约1%。该功能允许设计人员根据实时运行情况动态调整栅极驱动信号强度，从而在效率、开关速度和电磁兼容性之间实现平衡。根据全球统一轻型汽车测试程序 (WLTP) 的一些模型，与传统电动汽车解决方案相比，该设计有望将续航里程增加约14英里。能效提升结果全面的功能安全设计支持在功能安全 (FuSA) 方面，合规组件的设计始终以高质量和高可靠性为优先原则。安全性贯穿于设计、制造、文档编制以及技术支持的每一个环节。在电动汽车牵引逆变器参考设计中，采用了符合高风险等级ASIL D的关键组件，包括恩智浦的S32K396 MCU、FS2633系统基础芯片及GD3162高压栅极驱动器。为进一步简化客户集成流程，设计还提供了一些FuSa文档，例如系统安全概念，详细阐释了从假设安全目标到硬件和软件级别的安全要求。打造可靠耐用的SiC解决方案 800V牵引逆变器的实现需要碳化硅解决方案。相比传统的硅IGBT，SiC材料本质上更加可靠且耐用。Wolfspeed敏锐地抓住机会，将先进的封装技术融入其车规级YM封装中，从而进一步提升系统的耐用性。 1200V六组YM SiC功率模块采用直接冷却的铜针翅基板设计，通过将针翅直接浸入冷却剂中，不仅简化了系统组装，还显著提升了热性能。此外，模块使用氮化硅基板，这种坚固的陶瓷材料具备卓越的抗热冲击性和耐磨性，有效地将芯片产生的热量快速散发，从而降低系统工作温度。另一个创新的封装特点是烧结芯片粘接技术。这种先进的芯片粘接方法在芯片与氮化硅基板之间建立了牢固的结合，从而确保出色的导热性和机械耐久性，支持更高的功率输出并提供优异的热循环性能。直接冷却铜针翅技术与烧结芯片粘接技术共同提高了热性能和系统使用寿命。 YM模块通过铜顶侧夹代替传统的焊线，大幅提升了模块的载流能力与功率循环寿命。同时，其优化的端子布局有效降低了封装电感，减少电压过冲，实现了超低开关损耗。为降低潜在的机械故障风险，车规级YM模块采用硬质环氧树脂封装。与凝胶基封装相比，环氧树脂模塑料不仅提供了卓越的防潮性能，还具备更强的结构完整性。通过将烧结芯片粘接、铜夹和环氧树脂模塑料相结合，与同类竞争产品相比，模块使用寿命得以延长至3倍。 Wolfspeed的六组YM-SiC功率模块这些先进的封装技术为AQG324认证的YM3功率模块提供了保障，能够有效应对在严苛汽车环境中运行的挑战。这一设计确保了性能的一致性，还赋予了模块卓越的耐用性。汽车行业电动化的重要一步恩智浦携手Wolfspeed打造的800V牵引逆变器参考设计，标志着汽车行业向电动化迈出的重要一步。该参考设计解决了电动汽车设计人员面临的关键挑战，包括提升能效、功能安全和长期可靠性，确保电动汽车的性能可与燃油车相媲美甚至超越燃油车。凭借动态栅极强度调节技术和先进的碳化硅功率模块，这款参考设计成为电动汽车设计人员的重要工具，助力打造高质量、高能效、安全的电动车型，同时确保其在整个生命周期内保持卓越的性能表现。

NXP

NXP客栈 . 2025-04-11 1 1 1185
颠覆想象！像素级EVIYOS™ Shape重构智慧城市光影范式

在技术日新月异的时代，安全与创新正深刻改变人类与环境的交互方式。全球智能传感器与发射器领域的领军者艾迈斯欧司朗（SIX: AMS）始终站在技术变革最前沿，通过尖端技术构建安全屏障，同时为照明与通信领域开拓崭新可能。凭借EVIYOS™ Shape等产品，艾迈斯欧司朗正重新定义从城市景观到娱乐产业等各领域的光学应用模式。像素级调控照明时代照明已突破传统开关功能的桎梏。借助像素化照明等尖端技术，艾迈斯欧司朗如今能够实现过去难以企及的定制化场景。例如，可投射行人引导路径的智能路灯；在结冰路面显示雪花警示符号的汽车头灯；以及通过动态投影重塑空间体验的建筑装置。这种技术演进使光具备了信息传递、行为引导与安全强化的多维功能，将科幻场景转化为现实应用。以EVIYOS™ 为代表的像素级调控技术，不仅为城市提供精准的智慧环境照明方案，更能打造娱乐产业的沉浸式体验，展现出适应多元场景的卓越灵活性。通过将智能系统融入照明科技，这些创新突破正在开启一个兼具实用功能与变革力量的照明时代。突破智能照明传统边界 EVIYOS™ Shape正在以其广泛的应用场景推动多个行业转型。在城市与智慧城市环境中，它通过动态交互投影技术，优化公共空间与文化装置的功能性，打造出富有活力和吸引力的氛围。在娱乐行业，EVIYOS™ Shape以高效节能的照明解决方案，重塑建筑娱乐与数字标牌的展现形式，为创意表达和沉浸式体验提供全新可能性。在机器视觉领域，EVIYOS™ Shape凭借其高精度视觉输出能力，显著提升自动化系统与工业应用的准确性与效率。同时，它还为专业及创意场景提供定制化照明解决方案，以独特设计满足个性化需求。艾迈斯欧司朗全球产品管理总监Volker Mertens 表示： “EVIYOS™ Shape突破了智能照明的传统边界，为城市投影与智慧城市应用带来全新发展机遇。” “数字之光”LED矩阵技术依托EVIYOS™ Shape技术及其场景定制化能力，该照明应用为可持续发展提供有效解决方案。凭借其增强安全性、降低能耗和缓解光污染的多重优势，搭载EVIYOS™ Shape技术的产品可有力支持联合国多个可持续发展目标。艾迈斯欧司朗制定的脱碳战略将持续降低产品碳足迹（PCF）。 2024年底，艾迈斯欧司朗“数字之光”LED矩阵技术斩获2024年德国未来创新大奖。该项目由Norwin von Malm博士与Stefan Grötsch组成的专家团队领衔，凭借创新的LED矩阵技术获此殊荣。该技术将汽车前大灯升级为投影单元，通过高精度光线分布与能效优化，开辟汽车照明设计新方向。在“数字之光”项目框架下，研发团队对智能LED技术进行系统性重构，打造了一个具有广泛扩展应用的基础技术平台。其创新成果EVIYOS™ Shape系列产品近日还斩获了CES创新大奖，将投影与照明性能推向新高度。作为全球公认的创新领军者，艾迈斯欧司朗已围绕"数字之光"技术构建了强大的知识产权体系，拥有500余项专利与商业秘密，其中EVIYOS™及其衍生产品的像素化照明核心技术形成超百项专项专利布局。

ams OSRAM

艾迈斯欧司朗 . 2025-04-11 1 1 780
产品 | Melexis推出32×24红外阵列传感器芯片MLX90642，树立热成像感应技术的新标杆

Melexis推出革命性热成像传感器芯片MLX90642。该芯片搭载32x24像素红外（IR）阵列，树立行业新标杆。其通过显著提升信噪比，和全局快门读取以及板载温度计算功能，在实现性能突破的同时，提供极具市场竞争力的价格。该芯片适用于智能烹饪、暖通空调控制、火灾隐患预防、电力电子过热检测和热点定位等应用场景，凭借自身卓越性能表现，为行业提供更高效、可靠的解决方案。从消费品到工业设计，采用非接触式传感器芯片进行精确的温度检测已成为一项至关重要的安全要求。然而，设计人员在开发这类系统时面临着诸多挑战。其中，成本和准确性往往是系统中的“鱼和熊掌”，不可兼顾。此外，通常设计人员还需要在现有热成像传感器芯片的基础上，增加用于计算并输出精确的温度矩阵数据的微控制器单元（MCU），这便进一步增加系统的成本和元件数量。 “MLX90642采用紧凑型四引脚TO39封装，具备经出厂校准增强的无缝集成特性，无需专用MCU即可直接读取温度，有助于实现尺寸更小、效率更高、成本更低的解决方案。” 性能革命性提升在性能方面，MLX90642实现全面优化：具备高精度、低噪声的特性，在2Hz刷新率下其噪声等效温差（NETD）仅为65mK，确保卓越的测量精度。此外，刷新率还可根据具体应用需求最高可配置16Hz。MLX90642设计稳健，在增强抗外部热梯度干扰能力的同时，还具有-40℃至85℃的宽工作温度范围，进一步加强其运行的稳定性。 MLX90642在提升热图像的质量和精度方面发挥着关键作用，其功能优于现有解决方案。例如，在烹饪或暖通空调控制等消费应用中，该传感器芯片有助于实现更精准的监测环境和物体的温度，在有效提升能效与用户满意度的同时，又确保使用的安全性。此外，MLX90642还为需要高精度反馈的智能应用提供可靠支持，助力传统手动任务的自动化。该传感器芯片在性能与成本之间实现了卓越平衡，同时兼具高准确性与智能集成特性，可作为全新智能设计的开发平台，有效增强系统运行的可持续性和功能性。在典型应用中，该芯片广泛适用于AI增强的机器视觉技术，如智能楼宇的人流量监测和手势识别等。这类应用往往要求更高的检测准确性和更低的噪声水平，从而在高刷新率下实现更远距离检测。为了满足多样化应用需求，MLX90642提供两种视野（FOV）选项：45°×35°和110°×75°，两者均具有768个高精度红外像素点，确保测量的高精度性。该芯片工作电流为28mA，供电电压为3.3V，并具有I2C兼容数字接口，可进一步简化系统集成。依托迈来芯强大且高度可扩展的制造系统以及丰富的应用知识，MLX90642可充分满足各类场景的应用需求。 Melexis营销经理Joris Roels表示：随着MLX90642的推出，迈来芯树立了热感应技术的新标杆。该传感器芯片在性能与成本之间实现卓越平衡，为开发安全、可靠、智能、可持续的产品提供有力支持。

迈来芯

迈来芯Melexis . 2025-04-11 615
技术 | BMS电路在与外部电芯连接后，如何利用算法准确识别几乎所有开路？

开路检测功能对于安全可靠地运行电池管理系统(BMS)起着至关重要的作用。鉴于其重要性，我们建议对BMS感兴趣或会参与BMS设计的人员花时间了解这项功能。本文以ADI的电芯监控器为例，详细讨论了BMS电路在与外部电芯连接后，如何利用算法准确识别几乎所有开路情况。文中关于开路检测算法的讨论，目的是让读者更深入地了解这个BMS功能。本文提供的开路检测伪代码旨在为BMS设计人员提供设计参考。在 BMS中，各电芯和电芯监控电路之间存在大量的布线连接。这些布线连接是确保电芯监控器可靠监控电芯参数（包括电压、电流、温度等）的关键，同时还可以用作电芯被动平衡放电的电流路径或继电器控制信号的传输路径。BMS 需要管理的电芯数量通常非常庞大，因此布线连接的数量也相当可观。这些连接不仅数量繁多，部分线路甚至相当冗长，因为它们往往需要跨越不同的 PCB，或是连接PCB与由众多独立电芯组成的电池包。此外还需要配合使用许多连接元件。 BMS设计过程中，应尽量避免出现开路的情况。如果某个电芯发生开路，就意味着对其状态的有效监控将大打折扣或完全失效，而失去监控的电芯将给整个BMS带来潜在的安全隐患，甚至可能在未知时刻对系统造成致命威胁。当出现开路情况时，首要任务是快速、准确、高效地确定开路位置并及时通报。有效、准确的开路检测算法将大大提高BMS的可靠性，并有利于BMS和电池包的故障排除。通过算法精准地定位故障，可以有效减少人工排除故障过程中许多不必要的重复检查、拆卸和组装工作。 BMS的C引脚中的开路检测 BMS的C引脚中的开路检测开路检测对BMS至关重要，因此ADI的大部分电芯监控器都配备了开路检测命令及相应的实现方法。不同型号ADI电芯监控器使用的开路检测方法可能有所不同，例如ADBMS6830B使用的方法就与LTC6813不同。本文将围绕后者展开讨论。LTC6813采用的开路检测方法也是ADI各型号电芯监控器常用的方法，具有通用性，其核心是基于ADOW（开路检查）命令。 ADOW命令主要用于检查LTC6813-1的ADC与外部电芯之间是否存在开路。此命令与ADCV（测量电芯电压）命令一样，对C引脚输入执行模数转换，但在测量两个C引脚时，两个内部电流源会为其提供电流或吸收电流。ADOW命令的上拉(PUP)位决定电流源是提供还是吸收100μA电流。可以使用以下简单算法来检查19个C引脚是否有开路：设置PUP = 1，运行18电芯命令ADOW至少两次。结束时读取电芯1至18的电芯电压一次，并将其存储在数组CELLPU(n)中。设置PUP = 0，运行18电芯命令ADOW至少两次。结束时读取电芯1至18的电芯电压一次，并将其存储在数组CELLPD(n)中。对于电芯2至18，求上述步骤中进行的上拉和下拉测量结果之差：CELLΔ(n) = CELLPU(n) – CELLPD(n)。对于从1到17的所有n值：如果CELLΔ(n+1) < -400mV，则C(n) 开路。如果CELLPU(1) = 0.0000，则C0开路。如果CELLPD(18) = 0.0000，则C18开路。数据手册清晰易懂地解释了LTC6813中使用的ADOW开路检测命令及其算法实现。图1以图形方式展示了该算法，帮助读者更直观地了解算法的精妙之处。图1. LTC6813中的开路检测算法示意图除了图1中基于ADOW命令的开路检测图形展示之外，我们还使用LTC6813评估板和18650电池进行了实际的开路检测实验和波形测试。这让我们能够更清楚地了解开路检测期间电路的行为。实验中每个电芯的电压约为4V，示波器的4个探头分别连接到 LTC6813的C1/C2/C3/C4引脚。实验中分别测量了CELL2/CELL3/CELL4的电压波形。结合数据手册中提供的ADCV命令执行时序规范（如图2和表1所示），我们能够更深入地分析本次实验的波形检测结果。ADOW命令执行的时序规范可以参考ADCV命令的时序规范，因为ADOW命令与ADCV命令一样，对C引脚输入执行模数转换。不同的是，在测量两个C引脚时，ADOW命令会通过两个内部电流源向其注入或吸收电流。图2. 测量所有18个电芯的ADCV命令时序表1. 以不同模式测量所有18个电芯的ADCV命令的转换和同步时间开路检测实验的测试结果如图3和图4所示。图3所示的电路测试没有出现开路，主要作为参考实验。在图4所示的电路测试中，C2引脚位置发生了开路，图中给出了ADOW命令执行过程中，该开路情况下CELL2/CELL3/CELL4的波形测试结果。从测试结果来看，观察到的电路行为变化与图1所示一致。图3. 开路检测及波形测试的实验结果（实验1）图4. 开路检测及波形测试的实验结果（实验2） BMS中出现多处开路的问题设想BMS面临一种严重情况，即有多条导线开路，例如电芯监控电路中多个C引脚开路。虽然这种情况不太可能发生，但概率低并不意味着不可能。在这种情况下，数据手册所述的算法对于检测单个C引脚开路更为有效。当多个C引脚同时出现开路时，机械地应用数据手册中的算法可能无法产生准确的结果。例如，在图5所示的多条导线开路场景中，应用LTC6813数据手册所述的算法进行开路检测得到的结果是，只能检测到C6、C7、C8、C9引脚的开路，而无法检测到C2、C3、C4、C5引脚是否开路。这不是我们想要的结果。图5. BMS中出现多处开路的检测算法示意图（例1）尽管如此，数据手册中提到的开路检测算法仍然非常有效，能够准确识别单个C引脚开路，并且还为检测多处开路提供了有价值的参考。当电芯监控器的C引脚出现开路情况时，无论是单个开路还是多处开路，机械地应用数据手册中概述的算法可能无法准确检测到所有开路情况及其各自的位置，尤其是当多处开路同时发生时。然而，该算法必定会提醒BMS存在开路故障。如果BMS电路板出现开路错误，电路用户需要手动检查并更精准地修复电路。通常，在进一步的手动仔细检查中，可以发现算法未检测到的开路错误。检测C引脚上多处开路的算法有没有更好的算法可以快速、准确、高效地识别出电芯监控器内的所有开路情况，即使多个C引脚上同时出现多处开路也能检测到，而不必仅仅依靠经验丰富的工程师手动检查来发现电路中的所有开路情况？答案是肯定的。深入研究ADOW开路检测算法和数据手册中获得的数据，我们发现，只需增加一个计算步骤，就能准确识别出电路中C引脚的几乎所有开路情况。无论是单处开路还是多处开路，也不管开路的位置在哪，几乎全部都能识别出来。之所以说“几乎全部”，是因为在实际测试中，当C0引脚或C18引脚出现开路情况时，想要准确检测出电路中的所有开路故障还是很困难的。与C0引脚和C18引脚相关的开路情况，将在本文的后面部分讨论。现在，我们重点介绍如何检测引脚C1至C17出现开路时的所有开路情况。所谓“只需增加一个计算步骤”是指，只需计算CELLΔ[n]和 CELLΔ[n+1]的差值，如此就能得到一个高效、准确的开路检测算法。下面介绍该算法的实现和步骤。第1步：首先，按照数据手册所述的方法，向电芯监控器发送 ADOW命令以启动开路检测。然后，在测量两个C引脚的同时，两个内部电流源向其注入或吸收电流。每个电芯的电压数据通过芯片内的ADC获得，并存储在三个数组中，分别是CELLPU、CELLPD和CELLΔ数组。第2步：开始从下往上观察从CELL 1到CELL 18的数据。搜索CELLΔ 数据中的某些特征值，判断是否发生开路情况。通常，对于一系列相邻连续开路的起始位置，如果该起始位置出现在Cn引脚（n = 1至17）处，则可以在相应的CELLΔ[n]数据中观察到大于正阈值+400 mV的电压值。这个超过阈值的电压值标志着Cn引脚出现开路，表示它可能是后续一系列相邻连续开路情况的起点。检测到此标志后，继续执行第3步。第3步：从第2步中确定的Cn引脚位置开始，启动一个循环来计算CELLΔ[n]和CELLΔ[n+1]的差值，同时递增n的值，n的最大值不应超过17。这就是前面提到的新增计算步骤。在开路检测过程中，差值结果呈现出一定的特点：从开路的起始位置到后续相邻连续的开路位置，如果连续开路情况没有中断，则CELLΔ[n]与 CELLΔ[n+1]的差值永远是一个很小的负值1、0或是一个正值。与第2步中设置的正阈值一样，此步骤使用-400 mV的负阈值来判断开路情况。在循环计算CELLΔ[n]和CELLΔ[n+1]差值的过程中，如果差值结果大于-400 mV，则表明Cn引脚存在开路情况。第4步：继续第3步中描述的循环计算。当开路情况停止时， CELLΔ[n]和CELLΔ[n+1]的差值不再大于-400 mV，而是会变成一个非常大的负值。当检测到结果小于-400mV时，表示一系列相邻连续开路终止于Cn引脚位置。此时，跳过之前检测到的开路位置，重复第2步至第4步的计算，直至完成所有18个电芯通道和C 引脚（不包括C0引脚和C18引脚）的所有开路检测。图5和图6以多个C引脚同时出现开路的情况为例，对上述算法进行了具体化展示，以帮助读者直观地掌握检测逻辑。图6. BMS中出现多处开路的检测算法示意图（例2）同样，我们使用LTC6813评估板(DC2350B)和18650电池，开展了检测 C引脚上多处开路的实际实验和波形测试。这让我们能够更清楚地了解LTC6813电路在多处开路检测期间的行为。测试结果如图7和图8所示。在图7所示的电路测试中，C2引脚和C3引脚位置同时出现开路；而在图8所示的电路测试中，C2引脚、C3引脚和C4引脚位置同时出现开路。另外，图7和图8还提供了在ADOW 命令执行期间，相应开路情况下CELL2/CELL3/CELL4的波形测试结果。从测试结果来看，观察到的电路行为变化与图5和图6所示一致。图7. 开路检测及波形测试的实验结果（实验3）图8. 开路检测及波形测试的实验结果（实验4）该算法不仅能高效检测多个C引脚同时出现开路故障的情况，而且同样适用于整个电芯监控器中仅出现单个开路的情况。读者可以独立应用上述算法，仅有一个C引脚开路的情况下（C0 引脚和C18引脚除外）进行开路检测。读者会发现，仍然可以得到正确的开路检测结果。上述算法不仅继承了数据手册所述算法的优点，而且克服了数据手册算法应用于多个C引脚同时出现开路情况的局限性，使得多处开路故障的检测更加准确、高效。 *阅读本文时，如果结合对图5和图6的观察来理解该算法，读者会注意到在这两幅图中，在相邻和连续的开路位置，CELLΔ[n]和CELLΔ[n+1]的差值始终为0或正值，而不会出现较小的负值。这看起来可能很奇怪。究其原因是，为了便于计算，图5和图6中的多个电路模型已被简化，这会得到更理想的数据。不过，这种简化对于电路行为的近似描述是可以接受的。在实际的电路开路测试中，此差值确实可能是一个很小的负数、0或是一个正数。 C0引脚或C18引脚出现开路的情况上述算法用于检测LTC6813引脚C1至C17的开路情况。回到前面提到的算法，当C0引脚或C18引脚出现开路情况时，想要准确检测出电路中的所有开路故障还是非常困难的。接下来我们将探讨这两个引脚出现开路时的复杂性：情况1：如图1所示，使用数据手册中提到的方法可以评估C0引脚或C18引脚的开路，前提是它们不与相邻的C引脚同时出现开路。具体来说，若C0引脚与C1引脚、C18引脚与C17引脚不是同时出现开路，则可作出如下判断：如果CELLPU[1] = 0，则C0开路。如果CELLPD[18] = 0，则C18开路。情况2：如图9和图10所示，当C0引脚或C18引脚与其相邻的C引脚同时出现开路时，通常在这种情况下，仍可使用以下条件来识别C18引脚的开路情况：若CELLPD[18] = 0，则C18开路。但是，当 C18引脚与多个相邻C引脚同时出现开路时，建议将C18引脚的开路检测规则设置为CELLPD[18] < +400 mV。与此同时，仍然可以使用前面提到的算法来识别与C18引脚相邻的开路。图9. C18引脚开路检测算法示意图（基于情况2）图10. C0引脚开路检测算法示意图（基于情况2）对于C0引脚，可以使用以下条件来识别其开路：若CELLPU[1] = 0，则C0开路。然而，与C0引脚相邻的开路无法用前面提到的算法来识别，因为它们不满足触发条件。对于算法无法识别的开路，仍然可以通过数据手册中提到的开路检测规则来识别：若 CELLΔ[n+1] <–400 mV，则C(n)开路。但需要注意的是，为了精准检测情况2下C1引脚的开路情况，需要在前面提到的算法中添加一条额外的开路检测规则：若C0开路且CELLPD[1] < 400 mV，则C1开路。情况3：如图11所示，在PCB内将C0短接至V-并将C18短接至V+，这种方法的优点在于可以免去V-引脚和V+引脚与电池包之间的两个布线连接。但缺点是，如果C0引脚和C18引脚之间的导线连接阻抗不够低，则可能会给CELL1和CELL18的电压检测引入额外的误差。因为当C0和V-、C18和V+共用同一连接时，V-引脚和V+引脚在芯片运行期间会承载电源电流，此电源电流相比于采样电流通常较大。例如，当电芯监控器的内核处于MEASURE状态，isoSPI 处于READY状态(IB = 1 mA)时，根据LTC6813数据手册中表2和表3所列出的公式，电流消耗可能达到约21 mA。如果布线阻抗不够低， C0和C18布线连接处可能会出现明显的电压降，从而影响CELL1和 CELL18的电压检测精度。图11. C0与V-、C18与V+共用同一连接时的示意图表2. LTC6813内核电源电流表3. LTC6813 isoSPI电源电流公式基于图11所示的连接方法，我们来观察图12。当C0引脚或C18引脚与其相邻的C引脚同时出现开路时，通常在这种情况下，仍可使用以下条件来识别C18引脚的开路情况：若CELLPD[18] = 0，则 C18开路。但是，当C18引脚与多个相邻C引脚同时出现开路时，建议将C18引脚的开路检测规则设置为CELLPD[18] < +400 mV。与此同时，与C18引脚相邻的开路无法用数据手册中的算法或前面提到的算法来识别，因为它们不满足触发条件。在这种情况下，可以额外添加一条开路检测规则，作为前面提到的算法的一部分：如果C18开路，并且同时满足CELLPU[n] < +400 mV和CELLPD[n] < +400 mV两个条件，则Cn开路。然而，随着与C18引脚相邻且连续的开路数量增多，这条检测规则也有可能失效，芯片无法正常执行ADOW命令。图12. C0引脚或C18引脚开路检测算法示意图（基于情况3）至于图12中的C0引脚开路，它将导致芯片无法正常执行ADOW命令。在这种情况下，C0引脚开路无法通过ADOW命令识别。尽管如此，芯片仍然可以执行ADCV命令来完成电芯电压检测，并且可能发现CELL1的电压转换结果异常低，从而表明C0引脚可能存在开路情况。但是，该方法不被视为本文所述算法的一部分。这些情况说明了上述论断的理由。当C0引脚或C18引脚出现开路情况时，想要准确检测出电路中的所有开路故障还是非常困难的。总之，将本文介绍的所有算法结合起来，我们可以准确识别出电路中C引脚的几乎所有开路情况，无论其位置和数量如何。然而，一旦要检测涉及C0引脚或C18引脚的开路故障，该组合算法可能无法保证100%检测到电路中的所有开路故障。在这种情况下，算法最好发出警示：在C0/C18中检测到开路故障，实际开路数量可能与算法得出的值不一致。开路检测的伪代码和实验结果本文介绍的所有算法均已集成并整合到LTC6813开路检测伪代码示例中，如图13所示，仅供参考。此外，这里还给出了开路检测的一些实验结果。图14至图17的结果是在对LTC6813评估板电路的实际开路检测实验获得的。实验所采用的开路检测算法是基于本文所介绍算法的组合；开路功能的驱动代码是基于所提供的伪代码编写。从实验结果可以看出，在设定的条件下，所有开路情况（即使存在多处开路）都可以被准确检测出来，包括数量和位置。也就是说，本文所述的开路检测算法既准确，又可靠。图13. LTC6813器件中开路检测的伪代码示例图14. 开路实验及结果（实验1）图15. 开路实验及结果（实验2）图16. 开路实验及结果（实验3）图17. 开路实验及结果（实验4）结论虽然本文主要讨论LTC6813的开路检测方法及算法，但该IC所采用的开路检测方法具有通用性，也是ADI各型号电芯监控器所采用的共同方法。因此，本文介绍的开路检测算法只需稍加修改，即可轻松移植到使用类似开路检测方法的其他ADI电芯监控器上。 LTC6813 简介 LTC®6813-1 是一款多节电池的电池组监视器，可测量多达 18 个串联连接电池的电压，并具有小于2.2mV 的总测量误差。0V 至 5V 的电池测量范围使 LTC6813-1 成为大多数电池化学组成的合适之选。所有 18 节电池可在 290μs 之内完成测量，并且可以选择较低的数据采集速率以实现高的噪声抑制。了解产品详情请见：https://www.analog.com/cn/products/ltc6813-1.html

ADI

ADI智库 . 2025-04-11 1 2 705
产品 | 思瑞浦推出全新一代汽车级CAN收发器TPT1445Q

聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）重磅推出全新一代汽车级CAN收发器TPT1445Q系列产品，全国产供应链，12V/24V平台设计，支持特定帧唤醒功能。产品符合ISO 11898-2:2024规范要求，IEC61000-4-2接触放电ESD能力达到±6kV，已通过德国C&S一致性测试。TPT1445Q系列产品可广泛应用于整车CAN网络，包括车身电子设备、动力系统、车载信息娱乐/仪表板、ADAS/安全等汽车终端产品中。随着TPT1445Q的量产，思瑞浦全系CAN & LIN收发器产品均已实现全国产供应链量产，产品矩阵呈现如下表，全面助力汽车设计国产化率提升, 保证供应链安全。 TPT1445Q产品优势 VIO电平支持1.7V~5.5V工作范围 TPT1445Q的VIO工作范围为 1.7V~5.5V ，可以更好的兼容更低的通讯接口电平。下图是面向1.8V通讯电平的方案对比。TPT1445Q因为VIO电平可以支持1.7V~5.5V。相比于市面上传统CAN收发器只支持5V和3.3V的CAN收发器可以省掉外围的电平转换芯片和额外的LDO电源轨，整体方案更加简洁并节省了系统成本，这一点对于目前最新使用1.8V SOC系统的车载应用具有较强竞争力。 EMC性能升级 TPT1445Q具有优异的电磁兼容特性，即使在极恶劣的电磁环境中，TPT1445Q具有强劲的抗干扰能力，为汽车安全通讯奠定坚实的基础；TPT1445Q采用思瑞浦自主设计对称性调节模块专利技术，用于调节第一输出驱动级和第二输出驱动级的对称性；借助于该对称性调节模块，确保差分输出级的对称性，优化芯片的EMI性能同时也极大提高了芯片的抗干扰能力，依照IEC62228-3标准进行传导发射的EME测试，5Mbps速率下TPT1445Q的CE表现如下：完全兼容且性能升级 TPT1445Q的内部寄存器在设计上与TPT1145保持完全一致，可实现软硬件完全兼容，客户可在不同产品间直接替换升级，无需额外开发资源。 TPT1445Q产品特性 •支持CAN FD：TPT1445Q支持高达8 Mbps的数据速率 •符合ISO11898-2:2024规范，支持局部网络唤醒(Partial networking, PN) •宽电压范围：5V电源供电，I/O电压范围支持1.7V至5.5V，兼容多种MCU接口 •低功耗设计：支持超低功耗睡眠模式，具有INH输出，同时支持本地唤醒和远程唤醒 •总线故障保护：±45V •总线引脚保护：±6 kV IEC61000-4-2 接触放电 •AEC-Q100认证：符合汽车应用的AEC-Q100 Grade 1标准 TPT1445Q典型应用 TPT1445Q系列支持CAN网络中的特定帧唤醒功能，这是一项专为汽车应用设计的高级功能。这项功能允许设备在接收到特定的唤醒帧时从低功耗睡眠模式中唤醒，从而显著降低功耗并提高网络效率。这对于需要在车辆停止或低活动状态下保持低功耗的汽车网络尤为重要。 CAN最新的国际标准标准ISO11898-2:2024中局域网络唤醒(Partial Networking, PN) 的出现解决了这个问题，它允许在进行CAN总线通信时，进入睡眠状态(Sleep mode)的节点仅在收到特定的CAN唤醒帧时唤醒，其余不需要唤醒的节点维持低功耗状态。同时通过TPT1445xQ的INH管脚可以控制外部的供电，在睡眠状态下关闭外部LDO或PMIC，整个节点进入最低功耗状态。典型应用图如下 TPT1445Q已经通过德国C&S实验室提供的符合ISO11898-2:2024的物理层以及组网测试报告和选择性唤醒测试报告。通过该测试意味着TPT1445Q已经完全符合国际标准，软硬件完全兼容TPT1145支持各种场景的休眠唤醒功能，并可以在复杂组网的各种条件下与其他符合国际标准并通过认证的产品稳定通信。 TPT1145选型表

思瑞浦

思瑞浦3PEAK . 2025-04-11 1 900
方案 | 长电科技AR-HUD芯片封装方案，驱动沉浸式人车交互体验升级

车载HUD（抬头显示系统），正迅速成为提升座舱舒适度和智能化程度的重要组成部分。它将驾驶相关重要信息投射到驾驶员视野内的透明屏幕或汽车前挡风玻璃上，并可集成高级辅助驾驶系统（ADAS）数据、增强现实（AR）等功能，降低驾驶员查看仪表盘的频次，从而让驾驶员更加专注于驾驶安全。作为汽车智能座舱的重要组成部分，HUD市场规模逐年攀升。特别是在中国新能源汽车市场，亿欧智库预测中国HUD市场规模将从2021年的近30亿元增至2025的317亿元，期间年复合增长率（CAGR）达81%。数据源于亿欧智库目前HUD有3种类型，分别为组合型抬头显示系统（C-HUD）、风挡型抬头显示（W-HUD）和增强现实型抬头显示系统（AR-HUD）。直接显示在挡风玻璃上的AR-HUD已成为主流应用之一。AR-HUD主要由图像生成单元（PGU, Picture Generate Unit）、光学零件、上盖组成，其中负责成像的PGU是核心部件。从半导体封测视角来看，各种主流成像技术所涉及的封测技术工艺要求各有不同。数字光处理（DLP, Digital Light Processing）、液晶覆硅（LCoS, Liquid Crystal on Silicon）、激光束扫描（LBS, Laser Beam Scanning）三种方式都将控制部分与成像部分结合，在封装形式上均需要考虑结合光学器件及MEMS芯片的单颗或模组封装，且封装和组装过程中对个别环节，如玻璃贴装等部分要做到高洁净度环境、多工艺一体化连线、多道工艺视觉检测等。除核心成像相关部分外，从系统角度看，AR-HUD在整个运行过程中涉及到多模块和芯片，其中输入端主要包括车载摄像头，以及结合了多传感器和融合算法的智能驾驶系统、导航系统。全过程涉及芯片包括传感器、存储器、计算单元、显示驱动等，需要SOP / QFP, QFN, BGA / LGA, fcBGA / fcCSP, WLCSP / eWLB，SiP / AiP等多种封装类型支持，长电科技在上述领域均具备完备的技术解决方案和配套产能。 AR-HUD运行过程及相关核心部件的主要应用封装长电科技经过多年在封测领域的技术开发和生产经验积累，目前已实现大多数引线框架类封装产品的车规级Grade 0 / Grade 1级别量产；有机基板类的Grade 1 / Grade 2级别量产，Grade 0也即将实现量产。作为目前高性能运算处理器主要采用的倒装类fcBGA封装，已经大规模生产并用在主流高端品牌汽车中。未来随着智能驾驶、智能座舱的进一步发展，长电科技将率先把更多的先进封装技术应用在汽车电子领域。此外，长电科技可为客户提供封装协同设计、仿真，封装可靠性验证、材料及高频性能测试，为AR-HUD制造商提供全方位技术支持服务。

长电科技

长电科技 . 2025-04-11 620
政策 | 关于半导体产品“原产地”认定规则的紧急通知

各会员单位：根据海关总署的相关规定，“集成电路”原产地按照四位税则号改变原则认定，即流片地认定为原产地。请务必注意！请在申报时准备好PO证明材料，以备海关核查！具体规定，请大家认真学习《关于非优惠原产地规则中实质性改变标准的规定海关总署122号令》的内容。有问题随时联系！建议：“集成电路”无论已封装或未封装，进口报关时的原产地以“晶圆流片工厂”所在地为准进行申报。中国半导体行业协会 2025年4月11日参考文件： 1. 中华人民共和国进出口货物原产地条例 http://www.customs.gov.cn//customs/302249/302266/302267/3989417/index.html 第三条完全在一个国家(地区)获得的货物，以该国(地区)为原产地；两个以上国家(地区)参与生产的货物，以最后完成实质性改变的国家(地区)为原产地。第六条本条例第三条规定的实质性改变的确定标准，以税则归类改变为基本标准；税则归类改变不能反映实质性改变的，以从价百分比、制造或者加工工序等为补充标准。具体标准由海关总署会同商务部制定。本条第一款所称税则归类改变，是指在某一国家(地区)对非该国(地区)原产材料进行制造、加工后，所得货物在《中华人民共和国进出口税则》中某一级的税目归类发生了变化。本条第一款所称从价百分比，是指在某一国家(地区)对非该国(地区)原产材料进行制造、加工后的增值部分，超过所得货物价值一定的百分比。本条第一款所称制造或者加工工序，是指在某一国家(地区)进行的赋予制造、加工后所得货物基本特征的主要工序。 2. 关于非优惠原产地规则中实质性改变标准的规定 http://www.customs.gov.cn/customs/302249/zfxxgk/hggzk/4101410/index.html 政策一出，引起网友热议：

关税

芯查查资讯 . 2025-04-11 10 1 3770
产品 | 豪威集团推出一英寸超高动态范围图像传感器，赋能Ultra旗舰智能手机实现电影级视频拍摄

豪威集团，全球排名前列的先进数字成像、模拟、显示技术等半导体解决方案开发商，当日发布全新的OV50X CMOS图像传感器。该传感器拥有手机行业中的超高动态范围，可实现电影级视频拍摄。OV50X是一款5000万像素的传感器，采用1英寸光学格式，像素尺寸为1.6微米，专为旗舰智能手机设计，具备在单次曝光下拍摄高动态范围（HDR）视频、优异的弱光性能、快速自动对焦及高帧率的功能。豪威集团产品市场经理李卓立表示： “如今，大多数视频和照片都由智能手机拍摄，电影级视频录制功能也已成为消费者对旗舰手机的核心需求之一。我们的OV50X图像传感器在设计时充分考虑了专业摄像师和摄影师的需求，配备了1英寸的大尺寸光学格式传感器，提供接近110db的单次曝光HDR。如此，消费者拥有的智能手机能够在多种复杂光照条件下（如日出、日落、夜间或阴天等具有挑战性的拍摄场景）拍摄高质量的视频和照片。” OV50X支持四合一像素合并，最大像素达到1250万，支持180帧/秒和60帧/秒的高帧率，并采用三通道HDR。该传感器能够拍摄高质量的8K视频，具备双模拟增益（DAG）HDR和传感器内裁切变焦功能。豪威集团的TheiaCel™技术将单次曝光HDR扩展至接近110db，目前达到同类产品中最高范围。此外，OV50X还支持100%覆盖率的四相位检测（QPD），提供卓越的自动对焦性能。基于豪威集团的PureCel®Plus-S晶片堆叠技术，OV50X可实现出色的弱光性能

豪威

豪威集团 OmniVision . 2025-04-11 590
企业 | 国巨超100亿交易收购芝浦电子欲被日本厂截胡

国巨早在2月份就宣布收购日本传感器大厂芝浦电子，但这笔公开收购并没有获得芝浦电子的热情回应。相反，对方呈现出更为谨慎的态度，也因此引发日本国内关于资产流失的考虑。不过，最近这笔收购案可能会有变动，传日本电子元件厂美蓓亞三美（MinebeaMitsumi）同样向芝浦电子提出收购提案，且开出的价格比国巨更高。国巨在2月对芝浦发起收购 2月5日，国巨曾公告，为扩展传感器业务，拟通过日本子公司公开收购日本上市公司NTC热敏电阻制造商芝浦电子（Shibaura Electronics）股份，预期总交易金额约655.59亿日元（约新台币140亿元）。国巨说明，此次公开收购目的为扩展传感器业务，预期并购芝浦电子后，可提供更多研发资源，促进芝浦电子技术领先地位；芝浦电子成立于1953年，在东京证券交易所JASDAQ标准板上市。最初是铜亚氧化物整流器及其他热敏电阻和压敏电阻的制造商。根据官网数据，芝浦电子主要制造负温度系数（NTC）热敏电阻，以及温度、湿度、风速等感测组件制造销售。如今，芝浦电子已成为全球热敏电阻市场的领导者，拥有超过4800名员工，年营收超过320亿日元。美蓓亚三美插队，拟收购芝浦电子由于国巨2月宣布将以每股4,300日元的价格对芝浦实施TOB(股票公开收购)，且即便芝浦不同意收购案、国巨也计划在5月7日开始进行TOB。但这笔收购案有新的买家入场。据日媒报道，日本电子元件厂美蓓亚三美（MinebeaMitsumi）也对芝浦提出收购提案、且开出的价格会比国巨高，美蓓亚三美将寻求出价约700亿日元完全控制芝浦电子，而预估芝浦将接受来自美蓓亚三的TOB(股票公开收购)。报道指出，Minebea将对芝浦提出收购提案，藉此对抗向芝浦推出「未经同意TOB」提案的国巨，Minebea将实质上成为「白骑士(White knight、指友好收购者)」。Minebea此举除了意在防止芝浦传感器技术外流海外之外、也希望能促进自家电子零件事业的成长。多位Minebea关系人士透露，Minebea将对芝浦提出「友善TOB」案，而芝浦预估将赞同来自Minebea的TOB，且预估两家公司将在近日召开记者会对外宣布。Minebea目标取得芝浦所有股权，一旦芝浦成为Minebea全资子公司，预估将下市。美蓓亚三美成立于2017年，由日本轴承制造商美蓓亚与电子零部件制造商三美电机合并而成。此后，该公司通过收购实现快速增长，收购对象包括日本汽车零部件和安防产品制造商U-Shin以及日立旗下的日立功率半导体器件公司。美蓓亚三美将传感器业务视为关键战略领域。由于美蓓亚三美自身并不生产热敏电阻，因此芝浦电子被视为理想的收购对象。美蓓亚三美认为，此次合并将使芝浦电子能够利用其在汽车行业的客户网络来扩大销售额。而国巨方面，由于美蓓亚三美设定的TOB价格预估会比国巨高，但芝浦电子尚未透露其对国巨收购的立场。芝浦电子如果接受美蓓亚三美的报价，实际上等于拒绝了国巨的提议。如果国巨决定提高报价，仍有可能引发竞购战。国巨董事长谈敌意并购，曾多次联系芝浦电子未获回应虽然从国巨的角度看，他们是诚意满满，但从芝浦电子的角度看，这并不是他们的最佳选择。国巨董事长陈泰铭曾透露，这笔收购案是首次在未经同意的情况下进行收购，也曾试图多次联系芝浦管理阶层，但从未见过任何人，陈泰铭强调，将表现出最大的诚意，以获得其认可。陈泰铭说，国巨跟芝浦的合作，是双赢的局面，国巨的全球影响力以及客户群，都是AI和电动车的主流客户，我们可以帮助芝浦扩展客户，以及在美国及欧洲的业务。而国巨也可以协助芝浦扩建工厂，国巨的策略是以共同成长为目标。陈泰铭也强调，若是芝浦电子针对公开收购进行防御，还是会进行收购。国巨及芝浦电子都应该创造对股东、产业及员工有利的新企业模式。

收购

芯查查资讯 . 2025-04-11 1225
产品 | 德州仪器推出新款电源管理芯片

新款发布的具有电源路径保护功能的 48V 集成式热插拔电子保险丝简化了数据中心设计，助力设计人员达到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化镓 (GaN) 功率级采用行业标准的晶体管外形无引线 (TOLL) 封装，将德州仪器的 GaN 和高性能栅极驱动器与先进的保护功能相结合。近日，德州仪器（NASDAQ 代码：TXN）推出新款电源管理芯片，以满足现代数据中心快速增长的电源需求。随着高性能计算和人工智能 (AI) 的采用率越来越高，数据中心需要更高功率密度和更高效的解决方案。德州仪器发布的新款 TPS1685 是具有电源路径保护的 48V 集成式热插拔电子保险丝，可帮助客户满足数据中心硬件和处理需求。为了简化数据中心设计，德州仪器还推出了采用行业标准 TOLL 封装的新的集成式 GaN 功率级系列，即 LMG3650R035、LMG3650R025 和 LMG3650R070。随着数据中心对能源的需求日益增加，全球数字基础设施供电领域开始使用更智能、更高效的半导体，先进的芯片驱动着人工智能的计算能力，而模拟半导体则是提高能源效率的关键。我们创新的电源管理技术使数据中心能够减少其对环境的影响，同时帮助我们满足数字世界日益增长的需求。 —— 德州仪器工业电源设计服务总经理 Robert Taylor 通过智能系统保护达到 6kW 以上的功率水平随着电力需求激增，数据中心设计人员正在转向 48V 电源架构，以提高效率和可扩展性，从而更好地支持 CPU、图形处理单元和 AI 硬件加速器等组件。德州仪器的 48V 可堆叠集成式热插拔电子保险丝具有电源路径保护功能，使设计人员能够通过可扩展的器件来满足高功率 (>6kW) 的处理需求，与市场上现有的热插拔控制器相比，该器件简化了设计并将解决方案尺寸缩小了一半。德州仪器采用工业标准封装的GaN 功率级可实现更高效率此外，德州仪器还推出了新的集成式 GaN 功率级系列。LMG3650R035、LMG3650R025 和 LMG3650R070 利用德州仪器的 GaN 在工业标准 TOLL 封装中的优势，使设计人员能够利用德州仪器 GaN 的效率，从而无需进行成本高昂而且耗时的重新设计。新的功率级集成了高性能栅极驱动器与 650V GaN 场效应晶体管 (FET)，同时实现了高效率 (>98%) 和高功率密度 (>100W/in3)。这些器件还集成了先进的保护功能，包括过电流保护、短路保护和过温保护。这对于服务器电源等交流/直流应用尤为重要，因为设计人员面临着在更小空间内提供更大功率的挑战。

TI

德州仪器 . 2025-04-11 570