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  • 存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

    存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

    重点内容速览： 1. HBM收益AI需求快速增长，SK海力士一骑绝尘 2.  DRAM技术持续迭代，进入10nm时代 3.  NAND Flash层数不断突破，国内厂商不甘人后   在人工智能的推动下，存储器市场正迎来一场变革，技术的发展节奏明显加快。要知道，当年DRAM等存储器主要就是依赖不断缩小的制程尺寸，来提升存储密度、降低功耗，以及降低成本的。然而在过去10年里，存储器的制程微缩大幅放缓，

    存储

    芯查查资讯 . 2025-03-24 7 2 4855

  • 2024年存储器市场持续增长，增幅预计达21%

    2024年存储器市场持续增长，增幅预计达21%

    存储器细分市场持续增长，2024年预计增幅达21%。 在这一类别中，DRAM预计将领跑，增幅为26%，而NAND的增幅则较为温和，预计为9%。

    存储器

    TechInsights . 2024-10-09 3135

  • 2024 MWC上海：江波龙探索存储技术新趋势

    2024 MWC上海：江波龙探索存储技术新趋势

      6月26日至28日，2024 MWC上海在新国际博览中心隆重举行，半导体存储品牌企业江波龙亮相展会，并在现场展示其最新成果，与全球行业精英共同探索存储在移动通信领域的无限可能。 本次展会，江波龙以“存储无界 智联未来”为主题，通过一系列前沿产品展示、新品宣讲和互动体验活动，全面展示公司在存储技术创新和存储应用方面的最新进展。   在产品展示方面，江波龙带来了旗下行业类存储品牌FORESEE全品

    存储器件

    江波龙 . 2024-06-27 2 10 3045

  • 美光：智能家居正在变得越来越智能

    美光：智能家居正在变得越来越智能

    人工智能 (AI) 和物联网 (IoT) 的进步正在彻底改变智能家居。这项技术日益成为主流，您无需精通技术即可享受其带来的益处。拥有智能手机和无线网络，便已足够。   观察、发出指令、控制 我们来快速了解一下智能家居的发展方向。从一开始您就会注意到，智能家居建立在 AI 和机器学习基础上，所有这些都发生在智能边缘设备中。这些设备都需要高性能、低功耗、体积小巧的内存和存储来实现智能决策。   从房屋

    美光

    Micron美光科技 . 2024-06-12 2 2025

  • TrendForce：以三星为首的DRAM产商增加供应 压低DRAM价格

    TrendForce最新报告指出，DRAM市场中，卖家尤其是三星增加了芯片供应，从而压低DRAM价格。 NAND Flash方面，零售市场需求持续低迷，模组厂加大销售力度积极争取成交，价格出现松动，零售市场订单尚未回补，加上晶圆价格已从谷底回升至近八成，现货价格的断崖式下跌恐将持续。

    DRAM

    芯查查资讯 . 2024-05-23 1 9 2890

  • 研发封测一体化布局，江波龙加强存储芯片垂直整合能力

    研发封测一体化布局，江波龙加强存储芯片垂直整合能力

    在三星电子、美光、SK海力士，以及铠侠等国际存储企业在高层数大容量3D NAND Flash、DDR5/LPDDR5、HBM等先进存储与封装技术路线上一路狂奔的时候，国内存储厂商也开始在中小容量存储技术上“安营扎寨”，随时准备攻城略地。   江波龙就是其中之一，他们在2017年就推出了FORESEE微存储产品，布局中小容量存储产品。据公开资料显示，多年来，江波龙持续积极投入存储芯片设计业务，已经构

    江波龙

    芯查查资讯 . 2024-04-28 2 13 6310

  • 铠侠或将在年内IPO

    铠侠或将在年内IPO

    目标最快在今年内于东京证券交易所IPO上市。

    快讯

    芯查查资讯 . 2024-04-17 2 2681

  • 铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年NAND Flash供应位元年增率上升至10.9%

    铠侠及西部数据率先提升产能利用率，带动全年NAND Flash供应位元年增率上升至10.9%

    在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利

    存储器件

    芯查查资讯 . 2024-03-20 1 2546

  • NAND或最高涨价20%，三星电子计划与客户重新谈判

    NAND或最高涨价20%，三星电子计划与客户重新谈判

    3月15日消息，业内人士表示NAND的临时交易价格持续上涨，市场仍弥漫着减产带来的担忧，客户正急于确保供应。自去年10月起，NAND价格持续反弹，已连续五个月上涨。   三星电子NAND闪存价格或最高涨到20%。据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，三星电子计划在今年3月至4月期间，与主要移动端、PC端、服务器端客户重新协商价格，目标涨价15%至20%。   近期NAND供需状况逐渐趋向正常，

    快讯

    芯闻路1号 . 2024-03-15 2 10 3311

  • 三星电子将其西安工厂的NAND闪存开工率提高至70%

    三星电子将其西安工厂的NAND闪存开工率提高至70%

    3 月 11 日韩媒 The Elec 报道，三星电子已将西安工厂的闪存开工率提高至 70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。   目前三星正将西安工厂的工艺升级至 236 层（第 8 代 V-NAND），因此产能本身低于满载。 为了应对 2022 年开始的存储行业恶化，三星在去年下半年将西安工厂

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    芯闻路1号 . 2024-03-12 2 3541

  • 2024年加码投资DRAM/NAND：三星增加25%、SK海力士增加100%

    2024年加码投资DRAM/NAND：三星增加25%、SK海力士增加100%

    12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。   报道指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024

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    芯闻路1号 . 2023-12-21 1 4374

  • NAND产品涨超10%！三星再度调涨存储芯片报价

    NAND产品涨超10%！三星再度调涨存储芯片报价

     韩国存储大厂三星电子为了提振NAND Flash芯片市场行情，打算在第四季将NAND芯片价格调涨10％以上，且最快自10月开始涨价。业界人士认为，第四季DRAM及NAND合约价可望看涨10％～15％。     消息称，三星电子最快将从10月签约的新订单开始调涨NAND芯片合约价格，这是继先前宣布NAND芯片减产后，企图提振NAND芯片价格的最新策略。     2022年下半年以来，高通膨及全球经

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    芯闻路1号 . 2023-10-07 1 7 3625

  • 西数与铠侠NAND闪存业务合并进入最后阶段

      西部数据和铠侠（Kioxia）在存储领域的合作伙伴关系已超过了20年，在这期间共同投资NAND闪存的研发和生产。双方各自的产品线也是有侧重点的，以尽可能避免相互之间的竞争。过去一段时间里，双方就NAND闪存生产业务合并进行谈判，已经到了最后阶段。   据相关媒体报道，包括三井住友金融集团、瑞穗金融集团和三菱日联金融集团等银行计划在下个月提交承诺书，为西部数据和铠侠的NAND闪存生产业务合并提供

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    芯闻路1号 . 2023-09-21 1 2 2939

  • NAND资源供应趋紧 9月备货需求旺盛

    NAND资源供应趋紧 9月备货需求旺盛

      随着原厂减产生效，上游资源端放缓出货节奏，加上本月备货需求旺盛，存储现货市场供需状况加速好转，供应端普遍惜售低价库存，推动成品端价格跟随成本稳步上扬。   而临近Q4，市场预期持续升温，三季度末部分NAND wafer供应也按下暂停键，现货市场NAND资源供应愈加趋紧。   据CFM闪存市场数据显示，本周最新1Tb/512Gb NAND Flash wafer价格分别上调至3.45/1.72美

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    芯闻路1号 . 2023-09-19 1 3965

  • 慧荣预计NAND市场2024年将回暖

    慧荣预计NAND市场2024年将回暖

      据电子时报消息，慧荣总裁Wallace Kou预计2024年NAND闪存市场将复苏。他表示，个人电脑市场预计将于2023年底开始逐步复苏，虽然需求不太可能再次达到疫情时的水平，但有望恢复到2019年之前的正常水平。经过2023年的库存调整后，订单势头将在2024年恢复，出货量有望增长。   对于手机市场，慧荣预计增长将有限，由于品牌供应商和渠道商已将库存降低，预计未来将开始重新进货。但整体手机

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    芯闻路1号 . 2023-09-06 2560

  • 机构预估明年DRAM、NAND Flash需求位元将同比增长13%及16%

    机构预估明年DRAM、NAND Flash需求位元将同比增长13%及16%

    8月30日，TrendForce集邦咨询发文表示，预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成

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    芯闻路1号 . 2023-08-30 1 3119

  • NAND需求复苏乏力 迫使三星、SK海力士考虑减产

    NAND需求复苏乏力 迫使三星、SK海力士考虑减产

      据业内人士透露，今年上半年，三星电子和SK海力士的半导体库存大幅增加。三星电子负责半导体业务的设DS部门的库存从2022年底的29.06万亿韩元增加到今年上半年末的33.69万亿韩元，增长了约16%。SK海力士公布了16.42万亿韩元的库存，较2022年底增长约5%。两家公司在Q2财报中均解释称，半导体库存已在Q2见顶，并呈下降趋势，但分析师认为，他们的库存在上半年稳步上升，但尚未得到充分削减

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    芯闻路1号 . 2023-08-21 2245

  • 【芯查查热点】传台积电下调代工报价，28/22nm工艺降价幅度达10%；传英特尔将在美国加州裁撤140名研发人员；大中华区NAND模组制造商力守价格

    【芯查查热点】传台积电下调代工报价，28/22nm工艺降价幅度达10%；传英特尔将在美国加州裁撤140名研发人员；大中华区NAND模组制造商力守价格

     三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构 传台积电下调代工报价，28/22nm工艺降价幅度达10% 传英特尔将在美国加州裁撤140名研发人员 2023上半年三星电子在华销售额大幅下降超12万亿韩元 LG显示：77英寸透明OLED计划年末批量生产 中国台湾IC设计公司对汽车需求持谨慎态度 Arm据称已为首次IPO聘请28家承销商  智元机器人“远征 A1”发布  机构称Q2 中国智

    NAND

    芯查查热点 . 2023-08-18 4 16 5565

  • 三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，超 300 层

    三星计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，超 300 层

       8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。   报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。   而三星即将生产的超 30

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    芯闻路1号 . 2023-08-18 1 2199

  • 野村调查 大中华区NAND模组制造商力守价格

    野村调查 大中华区NAND模组制造商力守价格

      市场传出消息称，中国大陆NAND模组厂商正在考虑支撑价格，随着NAND供应的减少，价格有可能上涨。 根据外资券商野村的调查，大中华区NAND模组制造商从本周开始努力守住价格支撑，考虑到上半年NAND供应链利润大幅亏损，NAND从8月份开始，企业可能不愿意再降低价格。  

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    芯闻路1号 . 2023-08-18 1 2105

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