• 合科泰HKTD90N03:可应用于开关电源、BMS和电机驱动等应用

    NMOS的应用场景很多,参数不同,产品具体应用电路也会有所差别。本期,给大家介绍一款国内企业生产的MOS产品HKTD90N03。 合科泰生产的这款HKTD90N03产品采用N沟道制作,具有很好的电气性能,其能承受的最大漏源电压30V,栅源电压20V,连续漏极电流90A,漏源导通电阻0.0052欧姆,最小栅极阈值电压1.2V,最大栅极阈值电压2.5V,耗散功率90mW,重量约0.016克。这款产品具

    合科泰

    合科泰半导体 . 2024-08-15 8060

  • 凌鸥创新:半桥高压栅极集成预驱动IC产品

    凌鸥创芯&晶丰明源发布了新预驱产品LKS570和LKS571,它们是用于驱动 MOS/IGBT 半桥高压栅极集成驱动芯片,芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组,可同时驱动两个 MOS/IGBT 器件。

    凌鸥创芯

    凌鸥创芯 . 2024-07-26 1 4525

  • 基于驱动IC控制的MOS管开关电路讲解

    一.前言   如何驱动MOS?很多人的第一反应就是从单片机IO口直接输出5V来驱动MOS的开关,这样可以吗?当然是可以的,那为什么有的电路用MCU直驱,有的要用专门的驱动IC呢?这牵涉到MOS管开关速度,工作电流,热阻,导通电阻以及MOS管工作电压等的要求。特别是MOS管的GS极有一个大的寄生电容,我们必须提供足够的驱动电流来调整MOS的开关时间。我们在设计MOS管驱动电路时,要满足的首要条件就是

    开关电路

    硬件那点事儿 . 2022-04-07 1143

  • HT7180 3.7V升12V/2A内置MOS大电流升压IC解决方案

      电源电路是电子产品中必不可少的部分。然而不同的器件或者模块工作电压不一样,所以DC-DC电压转换电路应用中十分常见。例如便携式电子产品,一般都内置电池,如果是单节锂电3.7V供电,通过DC-DC升压电路,从3.7V升压到5V、8V、9V、12V等再给其他电路供电。   升压电路属于开关型电路,最关心的就是输入MOS开关管电流、输出升压值、升压输出电流或者输出功率以及效率。70W以下内置MOS管

    升压IC

    厂商供稿 . 2021-08-11 1651

  • BPA861X|高品质BPA系列家电AC/DC芯片

    随着国产化芯片替代浪潮的到来,家电行业也迎来了国产替代的好时机。而家电行业对系统可靠性的要求很高,不仅需要高品质的芯片,很多客户还提出了输入过压保护功能的需求。 因此晶丰明源推出BPA861X系列高品质芯片,通过漏极Drain脚集成了输入过压保护OVP与输入欠压保护功能,外围极其精简,同时整个生产测试过程按照高品质要求管理。能够广泛用于家电产品辅助电源电路。 产品特点 BPA861X 1、内置输入

    MOS

    晶丰明 . 2021-04-12 1260

  • Mos损坏主要原因

    Mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很

    MOS

    YXQ . 2019-08-01 1220

  • 捷捷微电投建MOS管、IGBT等项目,增募资不超9.11亿元

    集微网消息 在半导体分立器件行业,尽管中国已经发展成为全球最大的半导体分立器件市场,但就半导体分立器件的供给而言,目前全球半导体分立器件主要以美日欧企业为主,高端市场几乎被这三大主力垄断。 2010年以来,国务院及各部委多次颁布了鼓励半导体行业发展的政策,国家政策的支持将加速我国高端功率器件的发展进程,加速 IGBT、MOSFET 等高端功率器件芯片生产工艺的研制和开发进程。 未来,我国必然会出现

    IGBT

    未知 . 2018-09-26 970