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6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬，然市场库存仍偏高｜TrendForce集邦咨询
TrendForce集邦咨询：6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬，然市场库存仍偏高 据TrendForce集邦咨询调查，5月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高wafer报价，对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此，TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹，结束自2022年5月以来的猛烈跌势，预期今年第三季起将转为上涨，涨幅约0~5%，第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化，现阶段价格尚未有上涨迹象。 下半年旺季备货周期将至，尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修，市场仍认为下半年终端产品出货量仍会优于上半年，采购量有机会逐季增加。TrendForce集邦咨询表示，目前下游模组厂库存截至第二季仍偏高，后续是否会有策略性备货需要观察两点，一为旺季实际需求回温，二是原厂报价是否转趋强硬。 相较其他买方，由于中国模组厂持续建立低价库存的意愿较强，目前对于原厂小幅调涨wafer报价的接受度高，故部分容量wafer价格在中国市场将会率先止跌翻涨，若其他市场也出现接受价格合理调涨，原厂上调wafer报价的趋势将获得有效支撑，使得买方采购策略转趋积极，进一步支撑后续wafer价格上涨。 据TrendForce集邦咨询分析中国模组厂积极备货的原因，短期来看，由于部分厂商计划冲刺出货，故在价格触底反弹时采购动机较强。长期来看，除了有中国半导体国产化的目标，各模组厂通过价格低点积极提高库存，强化成本竞争力，均持续扩大wafer的采购容量，用来投入生产Client SSD或UFS、eMMC产品，以争取一线终端大厂的订单。
集邦咨询 . 18小时前
国巨董事长陈泰铭：库存要再消化两个季度
6月6日，国巨举办股东大会，会中通过配发现金股利 10 元，董事长陈泰铭表示，由于经济大环境不好，目前看来景气不会呈现 V 型反弹，而是 L 型，但是这条线多长，预估需要再消化两个季度，虽然每个产业不太一样，被动组件会是这样。 国巨股东会中有小股东关心营运，陈泰铭表示，国巨致力转型计划，过去台厂专注发展标准品，现在已经转移到高阶利基品的市场，因此产业发展从消费电子为主，慢慢转移到车用、工业、医疗、物联网等高阶应用。 陈泰铭指出，国巨 2022 年收购德国贺利氏高阶温度感测，已经在今年第一季完成并购，至于法国施耐德电机（Schneider Electric）高阶工业传感器事业部 Telemecanique Sensors 则预计在今年第四季完成并购，届时财务会按照法规揭露。 针对库存状况，陈泰铭指出，由于经济大环境不好，目前涵盖半导体的很多产业都在进行修正，虽然国巨过去这五年都积极在转型，致力降低标准品应用，原本目标是高阶利基品能达到 8 成，现在看起来已经接近 8 成，因此发展还算稳健。 陈泰铭说明，目前看来景气不会呈现 V 型反弹，而是 L 型，但是这条线多长，预估需要再消化两个季度，虽然每个产业不太一样，被动组件会是这样，至少就竞争同业来说，接下来两季需要调整修正是一个普遍的现象。 针对国创半导体的营运，陈泰铭表示，从国巨的角度来看，面对客户能提供 MOSFET 跟第三类半导体的产品线，拥有更完整的产品险，而最大的优点就是获得鸿海这个大出海口，因为鸿海的使用量够大，再来就是可以走出大中华区。 车用方面，陈泰铭表示，这不是两个月或是两季可以完成，大概都需要两年起跳，因此切入车用市场十分严谨，需要长期稳定供货和维持质量，原本占比希望可以到 18%，以目前来看，因为消费性电子产品降低，因此车用占比已经超过 20% 以上，算是达标。 由于 ChatGPT 带起 AI 浪潮，陈泰铭表示，这是一个很先进的技术，算是第三次工业革命，并将影响人类有很大的改变，但是国巨并不是做终端产品，而是零组件应用，而目前所有客户都没有缺席，因此国巨就这个 AI 浪潮的趋势也不会缺席。 图片来源：technews.tw
快讯
芯闻路1号 . 18小时前
北美地区智能手机出货下降11%
北美地区智能手机市场连续四个季度出货萎缩，2023年第一季度，同比出货下降11.2% 至 3460 万部。美国经济困境以及通胀导致消费者需求下降，对低端大众市场（低于200 美元）的影响尤为强烈。虽然超高端市场（800美元以上）实现强劲增长，但仍未能扭转市场整体下滑的趋势。与此同时，北美地区智能手机市场的平均售价也从2022 年第一季度的 671 美元提高到790美元，创历史新高。 2023 年第一季度，苹果以 59% 的市场份额夺得北美市场的头把交椅，相比 2022 年第一季度的市场份额上升8%，创下第一季度份额的最佳纪录。三星第一季度表现却与苹果大相径庭。2022 年第一季度，该厂商从供应短缺中得以恢复录得强劲出货，但今年一季度的出货量却同比下降 25%。在冠亚军之后的排位争夺非常激烈，摩托罗拉 (7%)、Google Pixel (4%) 和 TCL (3%) 的表现都可圈可点。一加（1%）和诺基亚（1%）在 2023 年第一季度的表现分列第六和第七，两大厂商也为今年跻身前五而摩拳擦掌。 Canalys分析师Lindsey Upton 表示：“得益于iPhone供应恢复正常，加之北美高端市场消费能力尚未受到宏观环境影响，苹果凭借其高端 Pro 系列进一步巩固了市场领军者的地位。市场前 10 大机型中有 7 款都是iPhone，其中 iPhone Pro 和 Pro Max 更是贡献了 45% 的出货量。在苹果和三星的带动下，800 美元及以上的价位段市场同比增长32.9%，与低迷的整体市场状态形成鲜明对比。尽管高端市场被双巨头垄断，但其他竞争厂商仍在设法通过高端设备打入这一细分市场，主要通过生态系统集成、互联互通、品牌可靠性和改进安全性等附加功能实现差异化。但在这一领域获得成功取决于强大的运营商关系，而运营商在为这个细分市场的消费者提供设备时，其品牌选择的范围仍然很局限。” Canalys分析师Runar Bjørhovde认为：“Google Pixel正在搅动市场格局，在头两大厂商以外的战况非常值得关注。Google Pixel7系列的发布让Google逐渐接近前三甲。谷歌只有三款设备在市场上销售，却占据了4% 的市场份额，出货逆势大增20%，在五大厂商中的增长速度最快。这一代的Pixel 产品组合凭借其强大生态系统的市场定位，获得消费者广泛认可。最近在Google I/O上发布了多个生成AI的新功能和硬件产品，引发了市场对Google的兴趣。接下来Pixel 系列的新产品组合是保持其发展势头的关键因素，尤其是中端定位的 Pixel 7a。其第一代折叠手机Pixel Fold的发布进一步证实了Google对高端市场的野心勃勃，试图挑战 iOS，并通过不同的形态的硬件产品增强安卓平台的能力。” Upton补充道：“无论是销量还是销售额，北美地区都是苹果和三星最重要的市场。但未来一年的挑战将更为艰巨，面对需求疲软的现象，即使是这两大巨头也难以独善其身。”Canalys在2023年5月发布的最新预测显示，今年北美市场的出货量将下滑5.4%。鉴于经济前景，低端市场（200美元及以下）继续面临压力，600 美元以上的高端市场（包括超高端800美元）可能出现自 2020 年以来首次同比下降，下降幅度达3.5%。 “由于运营商对其产品组合规划和硬件补贴仍持谨慎态度，智能手机品类的前景在今年尤其萎靡。与此同时，运营商也希望构建更广泛的合作伙伴关系，可以涵盖智能手机生态系统的各个部分，推动其消费者和企业战略。为市场提供有竞争力的定价和具有吸引力的产品组合，将继续为运营商和零售渠道主要方向。对于智能手机厂商而言，今年的机会集中在打造差异化的产品和创意的营销定位，将资源集中在一两个目标细分市场。与此同时，厂商应始终控制财务风险，尤其是北美市场定制产品的零件和渠道库存，以避免可能出现的严重的市场下行风险。”
快讯
芯闻路1号 . 18小时前
突发停电 | 越南分区停电，三星、富士康工厂或受影响
6月6日消息，由于天气炎热导致电力供应系统超负荷，越南北部省份的工业园区已受到分区停电的影响，富士康和三星等全球知名制造商在这些地区设有工厂。 据报道，越南频繁且经常未事先通知的停电，促使代表欧洲企业在越南的欧洲商会敦促越南工商部迅速采取措施应对紧急情况。越南欧洲商会副主席Jean-Jacques Bouflet表示，“越南工业部应采取紧急措施，以免该国作为可靠的全球制造业中心的声誉受到损害，停电已严重扰乱了工业活动。” 两名当地官员表示，越南北部北宁省和北江省的部分工业园区一直面临停电。其中一名官员称，“我们将于今天晚些时候与越南电力公司合作，讨论情况以及限制影响的可能措施。” 该报道指出，北宁省和北江省是三星电子、富士康、佳能和Luxshare等公司工厂所在地。佳能北宁工厂的电力供应将从当地时间周一早上8点至周二凌晨5点中断，该省至少5个工业园区和几个村庄的电力供应将在本周部分或全部中断数小时。
快讯
芯闻路1号 . 20小时前 4
欧盟要求大型科技公司标记人工智能生成的内容
欧盟委员会副主席乔罗娃（Vera Jourova）6月5日宣布，欧盟已要求社交媒体公司标记任何人工智能（AI）生成的内容。 欧盟中负责价值观和透明度的捷克籍专员乔罗娃向签署了欧盟行为准则的企业提出要求，谷歌、抖音国际版、微软、Facebook和Instagram母公司Meta等超过40家企业采纳了“应对不实信息自愿行为准则”这一自愿协议，但推特日前退出了该协议。报道指出，欧盟提出这一要求是为了帮助打击某些国家在中欧和东欧放松对虚假信息的控制。 据悉，欧盟正在制定《人工智能法案》，以应对人工智能技术快速发展带来的挑战。欧盟希望这一全球首项AI法案能在推动技术创新的同时，加强对AI的监管。 美国商务部近日宣布，在贸易和技术委员会会议上，美国和欧盟重申了TTC在更广泛的跨大西洋伙伴关系中的核心作用。此外，参会双方也就技术问题上的合作达成共识，包括人工智能（AI）、6G、在线平台和量子，共同致力于发展劳动力，使其具备刺激下一波经济增长的技能。
快讯
芯闻路1号 . 20小时前 1
台积电预计今年前六月营收同比下滑 10%
6 月 6 日，台积电召开年度股东大会，台积电董事长刘德音表示，公司客户库存正在逐渐降低，市场终端需求正在回升。虽然有少许负增长，但台积电已准备好迎接明年下一波很好的成长，并将持续为股东创造最大价值。 ▲ 图源 台积电官网 财报显示，一季度台积电营收为 5086 亿新台币（IT之家备注：当前约 1174.87 亿元人民币），归母净利润为 2069 亿新台币（当前约 477.94 亿元人民币）。预计第二季度以美元计的营收约为 152 亿 160 亿美元（当前约 1080.72- 1137.6 亿元人民币），毛利率约 52%-54%。 台积电 CEO 魏哲家则表示，去年是台积电极具里程碑意义的一年，以美元计算的营收增长了 33.5%，在全球经济不明朗的情况下仍然取得了不错的成绩。他也进一步介绍，预计上半年台积电营收将同比下降 10%，而下半年业绩将优于上半年。 魏哲家还预测，非存储类半导体市场今年整体规模将下滑中个位数百分比，而芯片制造业今年将整体下滑高个位数百分比。得益于自身的技术领先和差异化优势，他预计今年台积电业绩表现将优于整个半导体市场和芯片制造业。
快讯
芯闻路1号 . 20小时前
苹果发布首款头显设备VisionPro
6月6日凌晨，苹果在2023全球开发者大会上发布了备受市场期待的首款头显设备VisionPro，这是苹果库克时代推出的第一款真正全新的大型产品，消息称其将被命名为“Reality Pro”，将于明年初发售，售价3499美元（约24860元人民币）。除VisionPro，苹果还发布了MacBookAir、iOS17等多款新品。 配置方面，苹果为VisionPro设计了独特的双芯片设计，主芯片是外界熟悉的M2，负责视觉算法与图像信息处理，让VisionPro拥有更流畅的体验，同时还配备一颗R1芯片，让图像可以在12毫秒内同步到VisionPro的屏幕上，几乎做到了没有延迟；另外，VisionPro采用了定制的microOLED屏幕。 VisionPro带来交互的全新体验，支持通过一个旋钮，在增强现实和全虚拟现实（VR）之间切换，用户不需要再使用手柄或者其他的控制器，眼睛、双手和嘴巴就可以控制VisionPro，当要选择应用时，只需要注视该应用，手指轻敲两下，就能打开应用，整个过程非常自然；要输入文本的话，直接开口讲就行。 通过这些交互，用户还可以随意调节应用的大小和位置，例如可以把电影放大到100英尺，填满整个房间。VisionPro还支持AppleArcade，上百款游戏可以直接在VisionPro上游玩。
快讯
芯闻路1号 . 22小时前
台积电CoWoS产能缺口高达一至二成，订单委外给日月光
6月6日消息，业内指出，NVIDIA等HPC客户订单旺盛，客户要求台积电扩充CoWoS产能，导致台积电先进封装CoWoS产能吃紧，缺口高达一至二成。但台积电考量对自家的毛利率贡献后，选择委外给日月光承接相关订单，推升日月光高阶封装产能利用率激增。
快讯
芯闻路1号 . 22小时前
使用 NVIDIA Isaac Sim、ROS 和 Nimbus 开发多机器人环境
随着现实场景中部署的自主机器人越来越多，对高保真多机器人仿真环境的需求也在迅速增长。本文将回顾笔者过去在 Cogniteam 使用的仿真多机器人的方法、目前使用 NVIDIA Isaac Sim 所取得的进步，以及 Nimbus 如何通过 Isaac Sim 加速多机器人仿真的开发和维护。 使用 Unreal Tournament 游戏引擎进行多机器人仿真 大约 20 年前，我和 Cogniteam 的朋友们开始进行机器人开发。大家想要构建一个用于多机器人任务分配和团队工作的机器人框架。该系统最初被命名为 CogniTAO，后来又发布了简化版本 ROS decision_making。 当时，多机器人的用例还很少，而且也无法对这些机器人进行 3D 仿真。所以我为 Unreal Tournament 2000-2004 游戏引擎写了一个可以仿真四个机器人的 mod。我们这支由四名程序员组成的小团队花了大约 3 年时间，开发出一个可以顺利运行 15 分钟的仿真环境。 图 1. 四个机器人的仿真（左） 以及这些机器人的视频（右） 该环境能够在五台先进的台式电脑上仿真四个带有摄像头、Hokuyo 激光雷达、测向仪和测绘功能的机器人，并且能够远程接收每台机器人的视频资料。我们的一位工程师写了一个 C++ 的 TCP 客户端，可以直接从本地网络传输游戏引擎的数据并全屏显示。必须严格按照顺序运行代码，这样才能让机器人按时抵达正确的位置。 使用 Gazebo 进行多机器人仿真 到了 2013 年，在 Gazebo 成为实际中的机器人仿真平台后，我们把工作转移到了 Gazebo 上。三个程序员花了大约 2 年时间，在两台英特尔 Xeon 上仿真了 10 个机器人。他们使用了 ROS move_base 导航堆栈和 OpenCV Hough Circle Transform 进行模板检测，在 TensorFlow 出现之前，机器人团队都是用这个办法来做演示的。我们当时的同事花了 6 个月的时间构建了 RQT 插件，来控制和显示来自多个机器人的数据串流（图 2）。 图 2. 10 个带有 RQT 插件的机器人 所拍摄的视频影像和地图视图 这些机器人必须能够相互通信，也必须能够在无法通信的情况下运行。为了实现这一点，每个机器人都必须运行自己的 ROS 主程序，并通过 ROS 多主程序网络进行同步。 使用 NVIDIA Isaac Sim 进行多机器人仿真 几个月前，我请 Cogniteam 算法团队的计算机科学学生 Saar Moseri 使用云机器人生态 Nimbus 和 NVIDIA Isaac Sim 建立了一个多机器人仿真场景。我和内部测试团队都希望使用 Nimbus 来控制机器人，并查看它们所产生的数据。 Saar 花了大约两周时间熟悉环境和配置系统。图 3 所示的是这项工作的成果，运行在 Cogniteam 实验室一台装有 NVIDIA GeForce RTX 3080 的标准（单体）台式机上。 图 3. NVIDIA Isaac Sim 多机器人默认设置 Saar 依据了 NVIDIA NGC 上的 Isaac Sim 文档来安装和设置环境。他使用 Nimbus 在仿真机上设置了代理并创建了一个网关节点，通过 ROS 接收来自仿真机的数据。 图 4. Nimbus 机器人编辑器（左） 和 Nimbus 配置编辑器（右） 然后我们创建了图 5 所示的节点配置。 图 5. 带有 move_base 导航的 Nimbus 简单任务配置 这两个已经容器化的构建模块分别是一个网关节点和一个 move_base 导航的节点。该配置被部署到 Cogniteam 实验室仿真桌面上运行的代理中。其他更复杂的配置连同来源，包括用于 GMapping、路径追踪等的节点，都可以在 Nimbus Hub（https://app.cognimbus.com/nimbushub）获取。 我和团队都被这种方法的无限可能性震惊到了。在上述配置中，仿真感官数据从 Isaac Sim 通过 ROS 网关到达，ROS 网关同时支持 ROS 和 ROS 2。Nimbus 可实现查看和控制功能。 这个开箱即用的设置使我们的团队能够执行基本的仿真任务，并在实验室里仿真机器人车队的控制。不仅如此，还可以完成许多其他功能，比如记录机器人的仿真运行情况和感官数据、通过远程 SSH 连接到仿真机器、对仿真数据进行全局监控，甚至向验证团队发送有关仿真进展的电子邮件和短信通知。所有这些都可以在一个网络浏览器上完成。 将 Isaac Sim 与 Nimbus 组合成统一的系统，其功能与现有的云仿真产品相似，但在本地机器上运行且不会产生额外的云仿真计算成本。此外，它还开辟了一些新的先进仿真流程，比如硬件在环仿真等。这在云中运行仿真时是不可能做到的。图 6 显示了 Nimbus 中的控制、导航和绘图情况。 图 6. Nimbus 机器人 WebRTC 视频监控（左） 以及 Nimbus 地图视图和自主控制（右） 如要拷贝上述提到的设置，请参考 Isaac Sim documentation (https://catalog.ngc.nvidia.com/orgs/nvidia/containers/isaac-sim) 文档。然后在 Nimbus 上创建一个免费账户，登录后按照说明即可创建一个机器人。 在将机器人代理安装在 Isaac Sim 以 headless 模式运行的桌面上后，您就能够通过远程 SSH 配置仿真并在 Nimbus 网站上监控仿真机。 视频1. Nimbus 和 NVIDIA Isaac Sim 演示视频 您可在 Nimbus hub 部署 Isaac Sim 配置。由于一切都已经容器化（包括 Isaac Sim）并且可在浏览器上进行控制，因此不需要安装任何应用。机器上的代理将设置好执行所需的一切。 然后，您可以在该代理的监控页面上监控任何与您的设置相关的数据。在代理设置中，您可以通过在 ROS 串流上添加条件来定义通知，比如： “if GoalStatus == ABORTED” send sms/mail to simulation@your-company.com 总结 仿真是成功部署自主机器人的关键。多次运行同一场景对测试来说至关重要，但多机器人仿真则有所不同。开发一个高保真的多机器人仿真环境十分复杂且耗时，但正如本文所述，您可以使用 NVIDIA Isaac Sim 和 Nimbus 简化这一过程。 如要进一步了解 Isaac Sim，请访问 NVIDIA Developer Isaac ROS Forum （https://forums.developer.nvidia.com/c/agx-autonomous-machines/isaac/67）。
NVIDIA
NVIDIA . 昨天 1
万字长文：说透光刻机
文章大纲 光刻是芯片制造最核心环节，大陆自给率亟待提升 ·光刻机是芯片制造的核心设备，市场规模全球第二 ·一超两强垄断市场，大陆卡脖子现象凸显 光刻机：多个先进系统的组合，核心零部件被海外厂商垄断 ·从接触式到EUV，制程持续演进 ·多个先进系统组合，技术壁垒极高 光刻机 光刻是芯片制造最核心环节，大陆自给率亟待提升 光刻机是芯片制造最核心环节 光刻机是芯片制造中最复杂、最昂贵的设备。芯片制造可以包括多个工艺，如初步氧化、涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀、离子注入。这个过程需要用到的设备种类繁多，包括氧化炉、涂胶显影机、光刻机、薄膜沉积设备、刻蚀机、离子注入机、抛光设备、清洗设备和检测设备等。在整个半导体芯片制造过程中，光刻是最复杂工艺，光刻工艺的费用约占芯片制造成本的1/3左右，耗费时间占比约为40-50%，光刻工艺所需的光刻机是最贵的半导体设备。 光刻机可分为前道光刻机和后道光刻机。光刻机既可以用在前道工艺，也可以用在后道工艺，前道光刻机用于芯片的制造，曝光工艺极其复杂，后道光刻机主要用于封装测试，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。 图表1：光刻工艺流程图 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 光刻机研发难度大，零部件海外垄断 图表 2：全球前五大半导体设备厂商研发费用率 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 光刻机厂商研发费用率高：22年全球前五大半导体设备厂商的平均研发费用率为11%， 其中ASML研发费用率为15%， 高于其他设备厂商。 光刻机零部件供应商遍布全球，核心零部件来自德国和美国：代表光刻机最高端技术的EUV光刻机里面有10万多个零部件，全球超过5000家供应商。整个光刻机中，荷兰腔体和英国真空占32%，美国光源占27%，德国光学系统占14%， 日本的材料占27%。 图表 3：EUV光刻机零部件占比 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 光刻设备单价最高，市场规模全球第二 2021年全球前道光刻设备市场规模为172亿美元，其市场份额在晶圆生产设备中占比为20%，仅次于刻蚀设备。光刻机价格昂贵， ASML当前EUV光刻机单价为1.5亿-2亿美元。 图表 4：全球半导体制造设备市场份额 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 IGBT相比MOSFET，可在更高电压下持续工作，同时需要兼顾高功率密度、低损耗、高可靠性、散热好、低成本等因素。一颗高性能、高可靠性与低成本的IGBT芯片，不仅仅需要在设计端不断优化器件结构，对晶圆制造和封装也提高了更高的要求。 图表 5：2021年晶圆生产设备市场份额占比 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 从接触式到EUV， ASML成为绝对龙头 1961年, 第一台接触式光刻机由美国GCA推出， 历经60年的发展，ASML后来者居上，成为当前光刻机行业的绝对龙头。 光刻机问世：1955年，贝尔实验室开始采用光刻技术， 1961年，GCA公司制造出第一台接触式光刻机。 步进式光刻机推出：1978年，步进式光刻机推出，1984年尼康和GCA各占30%份额，同年ASML成立。 浸没式光刻机推出：2000年，ASML推出双工件台光刻机，2003年ASML推出浸没式光刻机，至此ASML一举超越其他厂商，后来者居上。 EUV光刻机推出：2013年，ASML推出第一台EUV量产产品，进一步加强行业垄断地位。 图表 6：光刻技术发展历程 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 光刻技术：从接触式到接近式 接触式光刻技术良率低、成本高：接触式光刻技术出现于20世纪60年代，是小规模集成电路时期最主要的光刻技术。接触式光刻技术中掩膜版与晶圆表面的光刻胶直接接触，一次曝光整个衬底，掩膜版图形与晶圆图形的尺寸关系是1:1 ，分辨率可达亚微米级。 特点：接触式可以减小光的衍射效应，但在接触过程中晶圆与掩膜版之间的摩擦容易形成划痕，产生颗粒沾污，降低了晶圆良率及掩膜版的使用寿命，需要经常更换掩膜版，故接近式光刻技术得以引入。 接近式光刻技术分辨率有限：接近式光刻技术广泛应用于20世纪70年代，接近式光刻技术中的掩膜版与晶圆表明光刻胶并未直接接触，留有被氮气填充的间隙。 特点：最小分辨尺寸与间隙成正比，间隙越小，分辨率越高。缺点是掩膜版和晶圆之间的间距会导致光产生衍射效应，因此接近式光刻机的空间分辨率极限约为2μ m。随着特征尺寸缩小，出现了投影光刻技术。 图表 7：接触式光刻示意图 图表 8：接近式光刻示意图 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 光刻技术：从接近式到投影式 投影光刻技术有效提高分辨率：20世纪70年代中后期出现投影光刻技术，基于远场傅里叶光学成像原理，在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜，有效提高了分辨率。早期掩膜版与衬底图形尺寸比为1:1，随着集成电路尺寸的不断缩小，出现了缩小倍率的步进重复光刻技术。 步进重复光刻主要应用于0.25μm以上工艺：光刻时掩膜版固定不动，晶圆步进运动，完成全部曝光工作。随着集成电路的集成度不断提高，芯片面积变大，要求一次曝光的面积增大，促使更为先进的步进扫描光刻机问世。目前步进重复光刻主要应用于0.25μ m以上工艺及先进封装领域。 步进扫描光刻被大量采用：步进扫描光刻机在曝光视场尺寸及曝光均匀性上更有优势，在0.25μm以下的制造中减少了步进重复光刻机的应用。步进扫描采用动态扫描方式，掩膜版相对晶圆同步完成扫描运动，完成当前曝光后，至下一步扫描场位置，继续进行重复曝光，直到整个晶圆曝光完毕。从0.18μm节点开始，硅基底CMOS工艺大量采用步进扫描光刻，7nm以下工艺节点使用的EUV采用的也是步进扫描方式。 图表 9：投影光刻示意图 图表 10：步进重复光刻示意图 图表11：步进扫描光刻示意图 光刻技术：干法光刻和浸润式光刻 投影光刻技术根据投影物镜下方和晶圆间是否有水作为介质可以分为干式光刻和浸润式光刻。 干式光刻技术无法满足不断缩小的线宽：光从投影物镜射出，由玻璃介质进入空气介质，会发生衍射，光角度发生变化，最终成像于晶圆表面。随着线宽不断缩小，衍射效应不断增加，需要增大投影物镜直径来接受更多的光， 这导致物镜内聚焦的光角度越来越大，再经过折射效应， 射出投影物镜的光角度接近水平，无法成像，因此出现了浸润式光刻技术。 浸润式光刻技术使光刻水平进一步提高：投影物镜下方和晶圆间充满水，由于水的折射率和玻璃接近（在193nm波长中,折射率空气=1，水=1.44，玻璃约为1.5），从投影物镜射出的光进入水介质后，折射角较小，光可以正常从物镜中折射出来。ArF光源加浸润技术实际等效的波长为193nm/1.44=134nm。 图表 11：干式光刻示意图 图表 12：浸润式系统示意图 图表13：光线在玻璃、空气、水中的折射 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 光刻机的技术水平决定集成电路的发展水平 光刻机的技术水平很大程度上决定了集成电路的发展水平。随着EUV光刻机的出现，芯片制程最小达到3nm。目前ASML正在研发High-NA EUV光刻机，制程可达2nm、 1.8nm，预计2025年量产。同时，英伟达在23年GTC大会上也表示其通过突破性的光刻计算库cuLitho，将计算光刻加速40倍以上，使得2nm及更先进芯片的生产成为可能， ASML、台积电已参与合作，届时将带动芯片性能再次提高。 图表 14：各个工艺节点和光刻技术的关系 图表 15：ASML对客户节点演进的预测 多重曝光亦可实现更小线宽，但工艺难度大 光刻技术利用多重曝光工艺实现更小线宽。三种多重曝光技术：LELE、LFLE、SADP，误差较小的是SADP。 1）LELE（LITHO-ETCH- LITHO-ETCH 光刻-刻蚀-光刻-刻蚀：原理是把原来一层光刻图形拆分到两个或多个掩膜上，利用多次曝光和刻蚀来实现原来一层设计的图形。 2）LFLE（LITHO-FREEZE-LITHO-ETCH 光刻-固化-光刻-刻蚀）：原理是将第二层光刻胶加在第一层已被化学冻结但没去除的光刻胶上，再次进行光刻，形成两倍结构。LELE和LFLF技术的特点就是流程简单，缺点是两次光刻之间存在对准问题，如果工艺不够严谨， 每次曝光的线宽偏差和两次曝光图形之间套刻误差将导致图形局部周期性的起伏。 图表 16：LELE原理 图表 17：套刻误差引起的周期移动 3） SADP又称侧墙图案转移，用沉积、刻蚀技术提高光刻精度：在晶圆上沉积金属介质层、硬掩膜材料和芯轴材料（牺牲层）旋涂光刻胶，曝光显影后留下所需图形并刻蚀核心芯轴在芯轴外围沉积一层间隔侧墙，侧墙的大小即互连线的线间距，要精确控制其均匀度保证互连线间距的均一性清除掉芯轴材料，仅留下侧壁，再一次刻蚀将侧壁图形转移到下层掩膜层侧墙清除，经过掩膜层修饰后的图形，经过再一次刻蚀后传递给金属介质层形成最终图形， 线宽仅为原来的1/2，SADP可以两次达到4倍精度。 总结：以沉积形成的侧墙为掩膜，在金属介质层上刻蚀形成最终图形。难点：工艺过程对侧壁沉积的厚度、刻蚀形貌的控制极其重要。 图表 18：SADP技术工艺流程 多重曝光可实现7nm制程但技术复杂成本高：多次LE或SADP可以实现7nm制程， 但多重曝光技术提高了对刻蚀、 沉积等工艺的技术要求并且增加了使用次数， 使晶圆光刻成本增加了2-3倍。 EUV可实现5nm以下制程且成本低：目前只有通过EUV能达到5nm及以下制程。此外， EUV的使用可以有效减少刻蚀、 沉积等工艺步骤， 工艺简单且光刻成本低。 图表 19：每片晶圆光刻成本 图表 20：对蚀刻和沉积的需求 从接触式到EUV， ASML成为绝对龙头 历史转折点：ASML凭借浸润式光刻机垄断市场。 在浸润式光刻技术出现之前， 各厂商专注于157nm波长技术的研发， “浸润式微影技术” 被提出后， ASML开始与台积电合作开发浸润式光刻机， 并于2007年推出浸润式光刻机， 成功垄断市场。而同为光刻巨头的日本尼康、 日本佳能主推的157nm光源干式光刻机被市场逐渐抛弃， 两家公司由盛转衰。 ASML一家独大， Nikon和Canon瓜分剩余市场。 1） 全球光刻机市场的主要竞争公司为ASML、Nikon和Canon。ASML在超高端光刻机领域独占鳌头，旗下产品覆盖面最广。Canon光刻机主要集中在i-line光刻机， Nikon除EUV外均有涉及。 2） 光刻机市场份额主要被ASML、Canon、Nikon包揽，从这三家的占比情况来看，2022年ASML占据82%，Canon占据10%，Nikon占据8%。 图表 21：2022年全球光刻机TOP3市场份额占比情况 图表22：2022年全球半导体光刻机TOP3厂商出货情况 EUV光刻机为ASML贡献最主要营收 EUV光刻机为ASML贡献最主要营收。从ASML各产品销售额来看，2022年EUV光刻机在ASML前道光刻机产品销售额占比近50%，其次是ArFi的35%。EUV和ArFi 作为高端机型，单价较贵，为ASML贡献了主要营收增长动力。 KrF出货量最多。从ASML各产品出货量来看，2022年KrF出货量最多，其次是ArFi，再到EUV。 图表23：ASML各类光刻机销售额（百万欧元） 图表24：ASML各类光刻机出货量（台） ASML凭借光刻机在全球半导体设备厂商中位列第二 ASML凭借光刻机在全球半导体设备厂商中位列第二。 根据芯智讯数据， 在2021年全球半导体设备厂商销售额排行中， ASML位列第二， 销售额达到217.75亿美元， 仅次于美国应用材料。 图表25：2021年全球前十大半导体设备厂商（亿美元） ASML是全球唯一的EUV供应商 ASML光刻机种类最齐全，是全球唯一可生产EUV光刻机的公司，制程最小可达3nm。 1）从类型来看， ASML覆盖了干式DUV光刻机、浸没式DUV光刻机及EUV光刻机，是全球唯一可生产EUV光刻机的公司，具有绝对领先优势。 2）从光源来看， ASML覆盖了i-line、 KrF、 ArF和极紫外光源，最小光源波长为13.5nm。 3）从分辨率来看, ASML覆盖了220nm、 110nm、 80nm、 38nm、 13nm等节点， EUV光刻机是目前全球分辨率最小的光刻机，经过 多重曝光等工艺叠加制程可达到5nm/3nm。 图表26：ASML半导体光刻机产品参数 图表27：ASML光刻机发展历程 Nikon光刻机集中于DUV Nikon光刻机集中于DUV，是除了ASML以外唯一可以生产浸没式光刻机的厂商。 1）从类型来看， Nikon具有干式DUV光刻机、浸没式DUV光刻机，是除了ASML以外唯一可以生产浸没式光刻机的厂商。 2）从光源来看， Nikon覆盖了i-line、 KrF、 ArF光源，最小光源波长为193nm。 3）从分辨率来看,Nikon覆盖了280nm、 110nm、 65nm、 38nm等节点。 图表 28：Nikon半导体光刻机产品参数 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 Canon光刻机集中于低端类型 Canon半导体光刻机主要集中于低端类型。 1）从类型来看， Canon具有低端半导体的i-line和KrF光刻机，未覆盖EUV、 ArFi（浸没式）、 ArF等机型。 2）从光源来看， Canon覆盖了i-line、 KrF光源，最小光源波长为248nm。 3）从分辨率来看, Canon覆盖了1.5微米、 0.8微米、 350nm、 90nm等节点。 图表 29：Canon半导体光刻机产品参数 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 光刻机 光刻机：多个先进系统组合， 核心零部件被海外厂商垄断 光刻机：人类科技之巅 光刻机是一种投影曝光系统：光刻机由光源、 照明系统、 物镜、 工件台等部件组装而成。在芯片制作中， 光刻机会投射光束， 穿过印有图案的光掩膜版及光学镜片， 将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上。通过蚀刻曝光或未受曝光的部分来形成沟槽， 再进行沉积、 蚀刻等工艺形成线路。 光刻机的三大核心系统：光源系统、 光学镜头、 双工作台系统。 图表 30：光刻机总体结构 图表 31：光刻机核心系统介绍 图表 32：光刻机结构 图表 33：光刻机核心部件结构 光刻机分辨率由光源波长、数值孔径、 光刻工艺因子决定 光刻分辨率是光刻曝光系统最重要的技术指标，由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定。根据瑞利准则， 分辨率公式为R= k1 * λ/NA，λ 代表光源波长，NA代表物镜的数值孔径，k1代表与光刻工艺因子。数值孔径指透镜与被检物体之间介质的折射率（n）和孔径角（2a） 半数的正弦之乘积。公式为：NA=n*sin α 。n 为投影物镜系统像方介质的折射率，α为投影物镜像方半孔径角。孔径角又称“镜口角” ，是透镜光轴上的物体点与物镜前透镜的有效直径所形成的角度。孔径角越大，进入透镜的光通量就越大，它与透镜的有效直径成正比，与焦点的距离成反比。 瑞利准则指衍射极限系统中的分辨率极限。理想的成像系统，一个点所成的像是一个完美的点，但实际光学系统中的透镜具有一定的孔径大小， 由此导致所成的像不是一个点， 而是一个艾里斑。对于两个距离较近的点， 所成的光斑也距离比较近。能够区分两个光斑的最小距离， 就是分辨率。当一个艾里斑的中心与另一个艾里斑的第一极小值重合时，达到极限点，该极限被称为瑞利准则。 图表 34：分辨率极限示意图 图表 35：孔径角示意图 三方面提高光刻机分辨率：增大数值孔径、缩短波长、减小光刻工艺因子。分辨率指投影光学系统在晶圆上可实现的最小线宽。光刻机分辨率由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定。因此可以从以下三方面提高分辨率：1）增大投影光刻物镜的数值孔径；2）缩短曝光波长；3）减小光刻工艺因子。 1） 增大投影光刻物镜的数值孔径：一方面可以改进投影式透镜系统来增大入射角，另一方面可以采用折射率高的介质-浸润式。非球面的使用能够在不增加独立像差数的前提下，增加自变量的个数，有利于改善像质，同时在同等约束条件下，减少了光学元件的数量。非球面的应用使物镜NA可以增加到0.9，接近物理极限(干式光刻)；引入浸没式技术后，物镜NA可以增加到 1.1以上(浸没式光刻)；加入反射镜组成折反式结构理论上物镜NA可到 1.35 (极限值)。趋势为（干式） 球面镜→非球面 镜→(浸没式)非球面镜→折返式。 2）缩短曝光波长：由于晶体管越做越小，元件线路越来越密集，光刻机需要达到更高的分辨率，因此必须要寻找波长越来越短的光源。 图表 36：数值孔径变化趋势 图表 37：提高数值孔径的方法 3） 减小光刻工艺因子： 计算光刻OPC——在掩膜上增加辅助结构来消除图像失真，实现分辨率的提高；离轴照明OAI ——通过采用特殊光源让正入射方式光变成斜入射方式，目的是在同等数值孔径内容纳更多的高阶光，从而曝光更小尺寸结构，提高分辨率；相移掩膜PSM ——当两个光源进行成像时会在重合部分产生干涉效应，使光强增大，导致两个光源不能有效地区分开，如果通过改变掩膜结构在其中一个光源处采用180度相移，这两处光源产生的光会产生相位相消，光强相消，两个光源可以区分开，提高分辨率。 工艺因子已突破理论极限：理论上对于单次曝光 k1 的最小极限约为 0.25，通过组合使用OPC、多重图形等分辨率增强技术,光刻工艺因子已突破其理论极限0.25。 图表 38：光刻OPC 图表 39：离轴照明OAI 图表 40：相移掩膜PSM 数据来源：光刻机行业报告，中泰证券研究所 光源系统：能量的来源，光刻工艺的首要决定项 光源是光刻机核心系统之一， 光刻机的工艺能力首先取决于其光源的波长。 光源分为汞灯产生的紫外光、 深紫外光、 极紫外光， 目前光源波长已发展到13.5nm：为了追求更小的芯片制程， 需要光源波长不断变短， 最早光刻机的光源采用高压汞灯产生的紫外光源，高压汞灯可产生436nm（g-line 、365nm（ i-line ） 波长紫外光随后，业界选用了准分子激光器产生的深紫外光源， 深紫外光激光（DUV laser） 可达KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm）制程突破7nm以下时，需要极紫外光激光（EUV laser） ，可达13.5nm极短波长的光源， 该光源无法从激光器中产生， 须由高能激光轰击金属锡激发的等离子体而产生。 图表41：光源波长发展历程 图表42：光谱图 光刻光源系统不断发展， 从高压汞灯光刻光源到深紫外光光源再到极紫外光光源。 1） 高压汞灯：一种气体放电电光源， 汞蒸气被能量激发， 汞原子最外层电子受到激发从而跃迁， 落回后放出光子。放电管内充有启动用的氩气和放电用的汞。 2） 深紫外光光源： 一般采用准分子激光器作为光源。准分子激光光源工作介质一般为稀有气体及卤素气体， 并充入惰性气体作为缓冲剂， 工作气体受到放电激励， 在激发态形成短暂存在的“准分子” ， 准分子受激辐射跃迁， 形成紫外激光输出。准分子激光器常在输出能量、 波长、 线宽、 稳定性等方面远超越前期的汞灯光源。 图表43：高压汞灯光刻光源系统结构图 图表44：紫外激光器照明系统结构图 图表45：Cymer准分子激光器的工作原理 3） 极紫外光光源： 极紫外光光源由光的产生、 光的收集、 光谱的纯化与均匀化三大单元组成。工作元器件包括大功率CO2激光器、 多层涂层镜、 负载、 光收集器、 掩膜版等。 极紫外光光源原理：高功率激光击打金属锡,产生等离子体,辐射出极紫外光。将高功率的二氧化碳激光打在直径为30微米的锡液滴上，通过高功率激光蒸发锡滴， 把融化的锡从高处以每秒5万次的频率滴下,每一滴锡20微米的大小, 瞄准每一滴锡滴,以CO2激光器产生的高能激光击中并产生等离子体,从而发出13.5nm波长的EUV光。实际上激光会发出两个脉冲——预脉冲和主脉冲。预脉冲首先击中锡珠， 将其变成正确的形状，然后主脉冲将压扁的锡珠转化为等离子体，发射出EUV光。 图表46：EUV光源系统结构图 图表47：EUV光源双脉冲方案 图表48：EUV光产生的过程 EUV 光刻机技术难点主要是光源功率高：为满足极紫外光刻需求，光源应具有以下性能: （1）光源功率达250W， 且功率波动小；（2）较窄的激光线宽，具有频率噪声和很小的相对强度噪声，减少光学损耗；（3） 较高的系统效率。光源转化率最终要达到250w以上的功率，因此激光器的平均功率要达到20kW。为了让激光束以极大的功率稳定传输，系统非常复杂性。EUV 激光系统由大约 45 万个零件组成，重约 17 吨。从种子光发生器到锡珠有 500 多米的光路，对所有零部件的要求非常苛刻。 Gigaphoton（ EUV光源供应商之一） 激光器功率达27kW： Gigaphoton 成立以来一直为 ASML、 Nikon和Canon提供激光光源。共设计三款EUV光源，分别为Proto#1、Proto#12、Pilot#1, 其中Pilot#1为商业化应用的产品，激光器功率为27kw， 输出功率达到250W。目前EUV光源只有两家公司能够生产：一家是美国Cymer， 另外一家是日本Gigaphoton。 图表49：Gigaphoton 公司 EUV 光源产品参数 曝光系统：照明系统+投影物镜 曝光系统：曝光系统包含照明系统（ 光源加工） 和投影物镜（ 高分辨成像） ， 是光刻机中最昂贵最复杂的部件之一。物镜的性能决定了光刻机的线宽、 套刻精度， 是光刻机的核心部件， 其技术水平很大程度上代表了光刻机的技术水平。 图表49：光刻机照明与投影物镜系统的工作流程图 照明系统：光源高质量加工的关键 照明系统为投影物镜成像提供特定光线角谱和强度分布的照明光场。照明系统位于光源与投影物镜之间， 是复杂的非成像光学系统。照明系统的主要功能是为投影物镜成像提供特定光线角谱和强度分布的照明光场。照明系统包括光束处理、光瞳整形、 能量探测、 光场匀化、 中继成像和偏振照明等单元。 图表50：光学系统原理 照明系统组成部件：1）光束处理单元：与光源相连， 主要实现光束扩束、 光束传输、 光束稳定和透过率控制等功能，其中光束稳定由光束监测和光束转向两部分组成。2）光瞳整形单元：光刻机需要针对不同的掩膜结构采用不同的照明模式以增强光刻分辨力，提高成像对比度。光瞳整形单元通过光学元件调制激光束的强度或相位分布，实现多种照明模式。3）光场匀化单元：用于生成特定强度分布的照明光场。引入透射式复眼微透镜阵列， 每个微透镜将扩束准直后的光源分割成多个子光源， 每个子光源经过科勒照明镜组后在掩膜面叠加，从而实现高均匀性的照明光场。 4）中继镜：在掩膜面上形成严格的光束强度均匀的照明区域并将中间的平面精确成像在掩膜版平面。 图表51：照明系统结构 照明系统技术难点：为了使光能在晶圆上完美成像，需要进行高质量加工。 1） 提升光均匀度：光刻要以来回扫描的方式成像， 这束条形光的任何位置能量都需一致。需要通过镜子进行多次反射， 提升光的均匀度。 2）控制扫描条形光的开合：晶圆上曝光单元的所有位置需要接受等量的光，因此扫描的条形光必须是能开合的。 3）调节光形状， 需要用到光瞳整形技术：不同的照明方式，比如圆形、环形、二级、四级光源下，光刻机分辨率不同。例如：光穿过掩膜版上的图案时会产生衍射效应， 线宽越小，衍射角度越大，1阶衍射光超过投影物镜外就无法成像。如果将点光的形状改成环状光或其他形状， 1阶衍射光就可以被收进物镜且图像对比度清晰。 图表52：衍射光无法成像 图表53：环形光成像 光瞳整形单元是照明系统中技术难度较大的部件， 主要技术有：基于衍射光学元件（DOE） 的光瞳整形技术和基于微反射镜阵列（MMA） 的自由光瞳整形技术。 衍射光学元件（DOE） 的光瞳整形：光瞳整形单元主要包括衍射光学元件、变焦距傅里叶变换镜组、锥形镜组和光瞳补偿器。衍射光学元件用于实现照明光瞳的角向调制， 傅里叶变换镜组、锥形镜组用于照明光瞳的径向调制。缺点：1个衍射光学元件只能实现1种照明模式。 微反射镜阵列（MMA）的自由光瞳整形：主要由能量均衡组件、 光束分割组件、 微反射镜阵列和傅里叶变换镜组组成。核心器件是微反射镜阵列， 由数千个二维转角连续可调的微反射镜组成， 通过调整微反射镜阵列的角位置分布可实现任意照明模式， ASML先进机型中较多使用自由光瞳整形技术。 图表54：基于衍射光学元件的光瞳整形技术 图表55：基于微反射镜阵列的光瞳整形技术 投影物镜系统：精准成像，对线宽起重要作用 投影物镜是精准成像的关键：投影物镜要将照明模组发射出的1阶衍射光收进物镜内，再把掩膜版上的电路图案缩小，聚焦成像在晶圆上，并且还要补偿光学误差。投影物镜主要由多枚镜片组成。随着分辨率要求不断提高， 光刻机投影物镜结构越来越复杂，对光学材料、光学加工、光学镀膜等要求达到目前工业水平的极限， 是光刻机中技术壁垒最高的零部件之一。 投影物镜的结构型分为折射式和折反式：1） 折射式：光学元件旋转对称并沿着同一个光轴对准, 视场位于光轴中央, 结构简单易于装调；2） 折反式（NA>1.1） ：反射镜有着正光焦度和负值场曲, 不依赖传统“腰肚” 结构, 使用较少数量和较小口径的光学元件满足对场曲的校正在一定物镜尺寸限制内实现更大的NA。 物镜特点是直径大、镜片多、镜片可动：1）物镜直径大：ASML DUV光刻机中的先进机种的投影物镜直径大于40厘米，增加投影物镜的直径可以提高数值孔径， 进而提高光刻机分辨率。2）多片透镜组合：ASML DUV光刻机投影物镜的高度超过1米，镜片数量超过15片。和相机一样，单个透镜的光学特性会导致图像失真， 需要组合透镜来修正图像形变。3）可动镜片：用运动着的镜片来消除镜头组装及光刻生产等过程中所产生的各种像差。可动镜片覆盖了垂直修正、倾斜修正和多向修正。 图表56：典型折射式投影物镜示意图 图表57：折反式投影物镜示意图 投影物镜技术难点：像差调节要求高、工艺精密。 1）像差调节要求高：波像差是实际波面与理想波面之间发生的偏离：光在介质中传播的时候，从物点发出的同心光束相当于球面波，球面波经过光学系统的时候，其曲率发生改变。如果是理想的光学系统，它会形成另外一个球面波。但在实际的光学系统，会受到投影物镜自身材料、特性、厚度、粗糙度、环境等因素的影响，经过投影物镜的出射，波面会发生变形。实际波面与理想波面之间发生的偏离就是波像差。波像差直接影响光刻机成像质量、光刻分辨率，因此光刻机的投影物镜系统需要对像差像差进行校正。 图表58：像差示意图 图表59：光刻机成像过程 1） 像差调节要求高： 为了更好的调节像差， 物镜发展趋势为：从“双腰”到“单腰” 、 引入非球面镜片与反射式镜片。 “双腰” 到“单腰” ：为了实现场曲的矫正，投影物镜采用的都是“腰肚” 式结构。最初系统的结构依次为正组， 负组，正组，负组，正组，形成“腰肚”，随着非球面数量的增加，双腰结构结构逐渐从“ 1.5腰结构” 变为“单腰结构” ，光学元件数减少。 引入非球面镜片：NA大于0.75时，需引入非球面镜片。 原因：一方面， 如果采用全球面结构形式，光学元件的孔径尺寸及体积随着 NA 的增加急剧增加；另一方面， 物镜投影物镜 NA 增加，分辨率增强，成像质量要求也进一步提高，采用全球面光学系统，设计复杂度随之增加。 引入反射式镜片： NA 大于1.1时， 需采用折反式投影光刻物镜。加入凹面反射元件。凹面有正的光焦度，对场曲的贡献是负值， 凹面镜能较好的矫正场曲。 ASML DUV高端投影物镜的像差 ≤2nm。高端单反镜头像差最多达到200+nm，而ASML DUV高端投影物镜的像差 ≤2nm，因此光刻机镜片的平整度要求非常高，同时物镜内还需要可动镜片，垂直、倾斜和多向修正镜头组装及生产过程中产生的像差，还要尽量消除光损失产生的热量。 2）工艺精密：光刻机所要求的镜面光洁度非常高，需要采用精度最高的打磨机和最细的镜头磨料，此外还需要顶级的技术工人。在光学镜头的生产工序中，仅CCOS的抛光就有小磨头抛光、应力盘抛光、磁流变抛光、离子束抛光等超精密抛光高难度工序。蔡司生产的最新一代EUV光刻机反射镜最大直径1.2米，面形精度峰谷值0.12纳米， 表面粗糙度20皮米（0.02纳米），达到了原子级别的平坦。 图表60：投影物镜与高端单反镜头像素差 图表61：蔡司物镜参数 双工作台系统：精确对准+光刻机产能的关键 光刻机双工作台由两个工件台组成， 两个工件台同时独立工作，负责完成步进运动、曝光扫描、对准扫描、上下硅片等功能。 双工作台工作流程：工作台分为1号和2号，1）2号工件台处于物镜下方，对晶圆进行调平调焦、曝光、刻片等操作，与此同时1号台进行待刻晶圆的上片下片；2）当2号台刻片完成，工件台系统进行换台，1号工件台换到物镜下方进行刻片，2号台进行上片下片， 如此循环往复实现光刻机的高效生产。特点：双工作台较原先的单工作台效率提高了35%，精度提高10%，有效提高了光刻机的产能。 图表62：双工作台 图表63：双工作台系统结构及换台过程 双工作台技术难点：需要速度快、对准精度高、运动稳定。 1）速度快：目前最先进的DUV光刻机，晶圆的光刻生产速度为300片/h，1个影像单元的曝光成像约0.1秒， 实现这个成像速度，晶圆平台需以高达7g的加速度高速移动。7g的加速度意味着从0加速到100km/h只要约0.4秒，F1赛车需要2.5秒。 2）精确对准：面临的难点有巨大偏移——芯片制造需一层层向上叠加，每次重叠的误差称为套刻精度，要求是1-2nm。晶圆从传送模组到晶圆平台上，会产生机械误差，一般是数千纳米的偏移。高低差——投影物镜太大， 对焦点上下可接受的影像范围小于100nm。而晶圆表面高低不平，累加晶圆平台的高低差，晶圆表面不同位置的光阻高度可相差500-1000nm。因此每次曝光前，须针对每片晶圆做精密量测，截取到晶圆每一个区块纳米等级的微小误差，在曝光阶段实时校正。 3）运动稳定：稳定运动——利用balance mass吸收平衡晶圆平台所施加于机座的反作用力，使整座机台完全静止。稳定定位——晶圆要在完成量测后，要在极短的曝光时间内完美定位，ASML光刻机可达到精度为0.06纳米的传感器确认精准定位。稳定运作——晶圆平台为减少磨损采用悬浮的移动方式，达成极高速的运动和持久稳定的运作。 图表64：TWINSCAN双工件台结构示意图 图表65：晶圆平台 为了确保工件台稳定定位、精确对准。需要用到光栅尺、 TIS传感器等。 光栅尺用于工作台的定位。位移测量传感器有激光干涉仪和光栅尺，由于激光干涉仪对环境敏感性较高，目前高端机型较多使用光栅尺。原理：激光光源输出频差稳定的线偏振方向相互垂直的双频激光，一束作为参考差频信号由光电探测电路接收，另一束传输至光栅尺，光栅尺基于光栅多普勒效应和光学干涉原理实现位移测量。 TIS系统用于掩膜工作台与晶圆工作台之间的对准。TIS系统包括①设置在掩膜工作台上的TIS标识（透光的密集线条）；②晶圆工作台上的TIS传感器。TIS标识通过光学成像透镜系统，投射在晶圆工作台。晶圆工作台上的TIS传感器测出TIS标识像强度的空间分布，从而计算出掩膜工作台上TIS标识相对于晶圆工作台的位置。TIS系统还可以进一步确定投影透镜系统的像差和成像系统的畸变。 图表66：光栅尺测量系统示意图 图表67：TIS对准系统示意图 资料来源：王芳，杨旭，游凡，中泰证券研究所 来源：驭势资本
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芯榜+ . 昨天 3
【芯查查热点】传台积电拟明年先进制程调涨3%-6% ；华润微 IGBT 产品已进入众多车企；成都芯片补贴重奖首轮流片和EDA
6月5日重点抢先看： 传台积电拟明年先进制程调涨3%-6% 消息称台积电已启动 2nm 试产前期准备工作 英特尔CEO：将通过大规模扩建工厂扭转公司命运 铠侠与西部数据合并协商进入最终阶段 新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发 小米玄戒芯片公司增资至19.2亿元 华润微：公司 IGBT 产品已进入比亚迪、长城、吉利等车企 阿里云部分云服务器ECS产品价格下调，最高降幅32.5% 友达：面板需求将一季比一季好 成都发布芯片补贴，重奖首轮流片和EDA | 传台积电拟明年先进制程调涨3%-6% 6月5日消息，IC设计厂商表示，台积电计划从明年1月起将调涨先进制程的报价，涨幅达3%-6%。 IC设计厂商称，按照制程、订单规模与合作紧密程度，众厂涨幅不一，目前台积电已陆续与与苹果、联发科、AMD、NVIDIA、高通及博通等多家客户进行沟通涨价事宜。 | 消息称台积电已启动 2nm 试产前期准备工作 6 月 5 日消息，台积电全力冲刺下世代制程技术，近期启动 2nm 试产前期准备工作，将搭配导入最先进 AI 系统来节能减碳并加速试产效率，预计苹果、NVIDIA等大厂都会是台积电 2nm 量产后首批客户，并扩大与三星、英特尔等竞争对手的差距。 台积电表示不评论相关传闻，强调 2nm 技术研发进展顺利，预计 2025 年量产。 业界传出，台积电 2nm 研发初期会先在竹科建立小量试产生产线，目标今年试产近千片，试产顺利后，将导入后续建造完成的竹科宝山晶圆 20 厂，由该厂团队接力冲刺 2024 年风险试产与 2025 年量产目标。 | 英特尔CEO：将通过大规模扩建工厂扭转公司命运 6月5日消息，外媒报道，基辛格日前接受采访表示，相比NVIDIA和 AMD 等竞争对手，英特尔一再推迟推出新芯片，让潜在客户感到失望，“我们陷入这个泥潭不是没有自身的原因，我们在领导力、人员、方法等方面有一些严重问题，需要解决”。 在他看来，英特尔的问题很大程度上源于在芯片制造方式上的转型失败。英特尔自己设计集成电路，在自家工厂制造。然而，英特尔一直没能拿下很多制造其他公司设计芯片的业务。基辛格的计划是向新工厂投入多达数以千亿美元计的资金，除生产英特尔自己的芯片之外，这些工厂也将为其他公司制造半导体。 | 铠侠与西部数据合并协商进入最终阶段 6月5日消息，日本 NAND闪存大厂铠侠（Kioxia）和西部数据（Western Digital，WD）的合并协商已进入最终调整阶段，今后拟由铠侠掌握主导权下，持续进行出资比重等协商。 铠侠和合作伙伴西部数据之间的合并协商已进入最终调整阶段，一旦合并，其内存（NAND Flash）营收规模有望成为全球最大。因使用于智能手机等用途的内存市况恶化、业绩低迷，因此双方拟藉由合并提高营运效率、增强竞争力。 | 新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发 6月5日，为应对低至2纳米的先进制程上高度复杂移动芯片设计挑战，新思科技宣布，基于Arm 2023全面计算解决方案（TCS23），加强双方在人工智能增强型设计方面的合作。 针对Arm的全新计算平台，新思科技提供了经优化的EDA和IP全方位解决方案，包括Synopsys.ai全栈式人工智能驱动型EDA解决方案、新思科技接口和安全IP、以及新思科技芯片生命周期管理PVT IP，助力Arm实现业界领先的性能和功耗。这些成果建立在双方数十年长期合作的基础之上，可加速共同客户为高端智能手机和虚拟/增强现实应用提供高性能、高能效的Arm架构SoC。 | 小米玄戒芯片公司增资至19.2亿元 6月5日消息，小米旗下的芯片设计公司“上海玄戒技术有限公司”发生工商变更，注册资本从15亿元人民币增至19.2亿元，新增4.2亿元资本。该公司由X-Ring Limited全资持股，小米集团实际控制，法定代表人、执行董事兼总经理为小米高级副总裁曾学忠，公司监事为小米联合创始人刘德。 据了解，小米已推出多款自研芯片，包括处理器芯片澎湃S1、充电芯片澎湃P1，以及影像ISP芯片澎湃C1等。玄戒于5月召开大会，该公司表示“小米内部对于造芯一事比较坚决，而且想得比较清楚，目前正常招聘也在进行中，而且会从哲库离职人员中网罗人才。” | 华润微：公司 IGBT 产品已进入比亚迪、长城、吉利等车企 6月5日消息，华润微在投资者活动中表示，IGBT 产品目前主要应用在汽车 OBC、汽车空调等，预计今年模块产品能够进入汽车主驱应用。目前公司 IGBT 产品已进入比亚迪、长城、吉利等车企。 华润微 IGBT 产品下游终端应用：消费类占比 15%，工控和汽车电子占比 85%，2023 年 IGBT 产品营收的目标是 10 亿元。 | 阿里云部分云服务器ECS产品价格下调，最高降幅32.5% 6月5日消息，阿里云官网显示，将对部分ECS产品进行价格调整，其中最高降幅达32.5%，新的价格将于6月6日开始生效。 在此之前的一个月内，阿里云、腾讯云、京东云等背靠互联网大厂的云厂商相继宣布降价，运营商如移动云、天翼云等快速跟进。 | 友达：面板需求将一季比一季好 6月5日报道，友达光电CEO彭双浪当日传达了关于面板市场的乐观预测。他表示，部分消费类产品需求恢复得非常好，也看到部分IT面板价格开始小幅调整，客户也积极布局下半年到2024年的新品。 彭双浪称，下游有库存的话影响需求，上游有库存的话就会影响价格，但现在看整体都很健康，此前上游的积压库存也都回到健康水平。现在整个产业秩序都非常好。 | 成都发布芯片补贴，重奖首轮流片和EDA 6月5日报道，上周四，成都市经济和信息化局、成都市财政局发布《成都市加快集成电路产业高质量发展的若干政策实施细则》，涉及人才、设计业、制造业、完善产业生态环境等资金支持，将自6月30日起施行。 对总投资5亿元及以上的集成电路制造、封测、装备、材料类的重大项目，根据其技术产品、工艺水平和市场前景等，成都市按固定资产投资额10%给予企业最高不超过5亿元综合支持。
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黑芝麻智能武当系列C1200芯片通过ISO 26262 ASIL-D产品认证
6月5日消息，黑芝麻智能武当系列C1200芯片获得国际公认的检验、鉴定、测试和认证机构SGS颁发的ISO 26262 ASIL-D Ready功能安全产品认证证书。 此次获证标志着武当系列C1200芯片在功能安全架构设计及应对随机硬件失效导致的残余安全风险方面已达到了汽车功能安全标准ISO 26262:2018 ASIL-D级别的要求。 此次，C1200通过ISO 26262 ASIL-D产品认证向行业证明了黑芝麻智能高效的研发管理和卓越的技术实力。
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芯闻路1号 . 昨天
台积电启动2nm试产前期准备工作，搭配导入AI系统节能减排
台积电已经启动2nm试产前期准备工作，并将搭配带入AI系统来节能减排并加速试产效率。据悉，台积电2nm将首次采用全新环绕闸极（GAA）电晶体架构，并为高速运算（HPC）产品量身打造背面电轨设计，整体效能较前代2nm将有大幅提升。 消息人士透露，台积电内部已经召集了千人以上的研发团队，并开始调度工程师人力到竹科研发产区，预计将先在竹科建立小量试生产线，并在试产顺利后导入后续建造完成的竹科晶园20厂，冲刺2025年的量产目标。台积电方面表示不评论相关传闻，但强调其2nm技术研发进展非常顺利，预计将于2025年量产。苹果、英伟达等大厂有望成为台积电2nm量产后首批客户。 此前也有消息显示三星和英特尔等厂商非常重视2nm工艺的研发，并将其视为“弯道超车”的关键，不断加大投入以期打破台积电在先进制程方面的领先地位，但从目前来看，台积电在芯片领域的领先地位恐怕很难被打破。
科技
热点科技 . 昨天 1
索尼新机现身Geekbench数据库，搭载骁龙8 Gen2高频版
据外媒消息显示，一款显示为索尼Xperia 1 V的新机现身跑分网站Geekbench，但处理器频率却比普通版骁龙8 Gen2更高，新机的处理器频率为3.36GHz，疑似是传闻中的骁龙8 Gen2高频版。这款新机型号为XQ-DQ72，与Xperia 1 V代号相同。 根据之前的爆料显示，这款新机将是索尼Xperia 5 V，是索尼的新款“Xperia Compact”，搭载6.05英寸显示屏，支持33W快充，可选16GB、12GB内存版本，可能保留无刘海无挖孔设计和3.5mm耳机孔。前段时间，已经通过3C认证，按照往年的节奏，将于今年的9月前后上市。 此前，三星和高通合作，为S23系列定制了骁龙8 Gen2处理器的特别版，频率为3.36GHz，高于普通版骁龙8 Gen2的3.2GHz。而眼看三星对高频版骁龙8 Gen2独占期的结束，高通即将开放给其他手机使用，这款处理器或将依照管理命名为骁龙8+ Gen2。
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铠侠与西部数据合并协商进入最终阶段
6月5日消息，日本 NAND闪存大厂铠侠（Kioxia）和西部数据（Western Digital，WD）的合并协商已进入最终调整阶段，今后拟由铠侠掌握主导权下，持续进行出资比重等协商。 铠侠和合作伙伴西部数据之间的合并协商已进入最终调整阶段，一旦合并，其内存（NAND Flash）营收规模有望成为全球最大。因使用于智能手机等用途的内存市况恶化、业绩低迷，因此双方拟藉由合并提高营运效率、增强竞争力。 根据英国调查公司Omdia指出，在全球NAND Flash市场上，2022年铠侠、西部数据市占率（以金额换算）分居第3、4位。一旦合并，双方该事业营收规模将达2.5兆日圆，将匹敌龙头厂三星电子。据报导，关系人士指出，铠侠、西部数据考虑出资设立一家新公司，统合半导体生产和营运。预估将在由铠侠掌握主导权下、持续针对出资比重等细节进行协商。 日本东京电视台（TV-TOKYO）2日报导，铠侠关系人士接受东京电视台采访，证实双方确实正进行合并协商，不过该关系人士指出，“尚未到能立即对外发表的状态”。 图片来源: technews.tw
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芯闻路1号 . 昨天
华为版ChatGPT或将于7月初发布，命名“盘古Chat”
6月5日消息，华为公司将发布一款直接对标ChatGPT的多模态千亿级大模型产品，名为“盘古Chat”。报道称，预计华为盘古Chat将于今年7月7日举行的华为云开发者大会 (HDC.Cloud 2023) 上对外发布以及内测，产品主要面向To B/G政企端客户。公开资料显示，盘古大模型是华为旗下的盘古系列AI大模型，包括NLP大模型、CV大模型、科学计算大模型。
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芯闻路1号 . 昨天 1 2
英特尔CEO：将通过大规模扩建工厂扭转公司命运
6月5日消息，外媒报道，基辛格日前接受采访表示，相比英伟达和 AMD 等竞争对手，英特尔一再推迟推出新芯片，让潜在客户感到失望，“我们陷入这个泥潭不是没有自身的原因，我们在领导力、人员、方法等方面有一些严重问题，需要解决”。 在他看来，英特尔的问题很大程度上源于在芯片制造方式上的转型失败。英特尔因设计集成电路和在自家工厂制造集成电路而名扬天下。如今，芯片企业往往要么专门从事集成电路设计，要么专门从事制造，英特尔一直没能拿下很多制造其他公司设计芯片的业务。 基辛格的计划是向新工厂投入多达数以千亿美元计的资金，除生产英特尔自己的芯片之外，这些工厂也将为其他公司制造半导体。 全球芯片市场规模预计将在本十年末超过 1 万亿美元（约 7.09 万亿元人民币）。基辛格表示，成为一家全球领先的芯片代工生产商“势在必行”。 基辛格表示，他有信心英特尔能够兑现他在 4 年内实现 5 项芯片技术进步的承诺，并将在未来几年内制造出“世界上最先进的处理器”。基辛格另称，他十分有信心英特尔能够成为全球最大的两家代工芯片制造商之一。 根据之前的消息来看，英特尔将在德东城市马德堡建造大型晶圆厂（或芯片制造厂），而且他们还希望能够从柏林当局获得 68 亿欧元（约 518.16 亿元人民币）的补贴，这是二战以来德国最大的外国直接投资。 之前还曾传出消息称，英特尔希望补贴能提高到至少 100 亿欧元，理由是能源和建筑成本上涨。德国官员则表示，他们可以增加财政支持，但前提是英特尔要扩大投资。 根据韩媒 Koreaherald 报道，英特尔计划在韩国首尔设立科研实验室，通过扩展和三星、SK 海力士的合作，推进适用于数据中心的 DRAM 芯片研发工作。
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芯闻路1号 . 昨天 1
机构：联发科继续领跑Q1智能手机AP市场
6月5日消息，市场调查机构 Counterpoint Research 公布最新报告，分享了有关 2021 年第四季度至 2023 年第一季度智能手机应用处理器（AP）市场情况。数据显示，2023 年第一季度智能手机应用处理器（AP）市场由联发科独占榜首，但相对上一季度有所下滑，高通份额再一次恢复到 30% 左右，苹果、紫光、三星等厂商出货量都有所下降。 联发科 31% 高通 28% 苹果 26% 紫光展锐 8% 三星 4% 目前华为海思的手机 AP 出货量已经不足 1%，但 Counterpoint 分析师认为海思可能会在今年推出新的手机芯片。 联发科：由于库存调整和需求疲软，联发科在 2023 年第 2 季度 LTE SoC 的出货量预估下降超过 5%；5G SoC 预估增幅低于 5%，整体而言会出现小幅下降。联发科的库存正在下降，因此分析师预计其 2023 年下半年会出现反弹 。 高通：由于库存减少，高通的出货量将在 2023 年第二季度保持平稳。库存将在几个季度内恢复正常。 苹果：由于季节性因素，芯片组预估在 2023 年第 2 季度出现下滑。总体而言，iOS 的表现优于 Android 市场，并且受需求疲软的影响较小。 三星的出货量在 2023 年第二季度略有增加。Exynos 1330 和 1380 在第一季度在中高位和低端市场的推出将增加该细分市场的销量。 紫光展锐的出货量将在 2023 年第 2 季度略有增加。紫光展锐继续在 LTE 产品组合的推动下，在低端机型（低于 99 美元）中占有一席之地。 Counterpoint 分析师预计华为海思 2023 年的出货量将在 2-4 百万个左右，并且这些将处于中端市场。 分析师指出， OPPO 放弃芯片开发计划对联发科和高通都是利好。值得一提的是，CEVA 提到有一家 Android 智能手机供应商将在 2025 年左右推出基于其 IP 的内部 5G 调制解调器，而 Counterpoint 认为这家公司很可能是小米。
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芯闻路1号 . 昨天 1 1
涨价 | 传台积电拟明年先进制程调涨3%-6%
6月5日消息，IC设计厂商表示，台积电计划从明年1月起将调涨先进制程的报价，涨幅达3%-6%。 IC设计厂商称，按照制程、订单规模与合作紧密程度，众厂涨幅不一，目前台积电已陆续与与苹果、联发科、AMD、英伟达、高通及博通等多家客户进行沟通涨价事宜。 对于台积电逆势涨价的原因，厂商表示，主要是因为价格一旦下调就回不去，此外台积电面对海外扩产成本、电费上涨等多方面压力。 台积电表示对于市场传言不予评论。 另有消息称台积电或将下调资本支出。不久前，美国券商Needham分析师Charles Shi预计，台积电将在第二季度财报会中宣布削减资本支出。Charles Shi将他对台积电2023年总资本支出的预期从310亿美元下调至280亿美元，2024年总资本支出的预期从350亿美元下调至280亿美元。 据外媒报道，今年3月，Charles Shi指出，台积电可能已经削减了2023年下半年的资本支出，放慢了晶圆厂的建设速度，并将设备订单推迟到了2024年。
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华润微：公司 IGBT 产品已进入比亚迪、长城、吉利等车企
6 月 4 日消息，华润微在投资者活动中表示，IGBT 产品目前主要应用在汽车 OBC、汽车空调等，预计今年模块产品能够进入汽车主驱应用。目前公司 IGBT 产品已进入比亚迪、长城、吉利等车企。 华润微 IGBT 产品下游终端应用：消费类占比 15%，工控和汽车电子占比 85%，2023 年 IGBT 产品营收的目标是 10 亿元。 在产品与方案板块中，下游终端分为八大类：车类 19%、 通信设备 18%、工业设备 17%、新能源 16%、家电 13%、照明 7%、计算机 5%、智能穿戴、医疗及其它占比 5%。其中泛新能源产品（车类 + 新能源）占比 35%。 据了解，华润微主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块，聚焦以 MOSFET、IGBT、第三代宽禁带半导体为代表的功率半导体产品。从 2022 年财报上看，华润微 IGBT 产品线收入 5.24 亿元，同比增长 145%，来自汽车领域的 IGBT 收入同比增长 1759%。
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消息称台积电已启动 2nm 试产前期准备工作，目标今年试产近千片
6 月 5 日消息，业界传出，台积电全力冲刺下世代制程技术，近期启动 2nm 试产前期准备工作，将搭配导入最先进 AI 系统来节能减碳并加速试产效率，预计苹果、英伟达等大厂都会是台积电 2nm 量产后首批客户，并扩大与三星、英特尔等竞争对手的差距。 台积电表示不评论相关传闻，强调 2nm 技术研发进展顺利，预计 2025 年量产。 消息人士透露，台积电因应 2nm 试产前置前期准备工作，内部也开始调度工程师人力到竹科研发厂区做准备，预计召集千人以上的研发团队，在竹科宝山晶圆 20 厂领先全球量产 2nm。公开信息显示，台积电未来最先进的 2nm 生产基地会先落脚竹科宝山晶圆 20 厂，该厂区为四期规划，后续并将扩至中科，共计有六期的工程。 业界传出，台积电 2nm 研发初期会先在竹科建立小量试产生产线，目标今年试产近千片，试产顺利后，将导入后续建造完成的竹科宝山晶圆 20 厂，由该厂团队接力冲刺 2024 年风险试产与 2025 年量产目标。 据悉，台积电 2nm 将首度采用全新环绕闸极（GAA）电晶体架构。台积电先前于技术论坛中指出，相关新技术整体系统效能较 3nm 大幅提升，客户群先期投入合作开发意愿远高于 3nm 家族初期，并可量身定做更多元方案。
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芯闻路1号 . 昨天 1
紫光展锐携业界首个5G新通话芯片方案亮相PT展
6月4日，第三十一届中国国际信息通信展览会（PT展）在北京国家会议中心盛大开幕，此次大会以“打通信息大动脉、共创数智新时代”为主题，聚焦技术与行业融合热点话题。展会汇聚了国内外代表性企业，充分展示了信息通信领域新兴技术和应用创新成果。 本次展会上，紫光展锐携创新前沿技术和重磅产品悉数亮相，展出6G前沿技术、5G-Advanced、5G NTN卫星通信、5G新通话等技术成果和应用案例，以创新技术助推数字未来建设。 通向5G-Advanced、6G前沿通信技术 近日，紫光展锐联合中国电信、中兴通讯、vivo、移远通信、鹏鹄物宇、佰才邦等产业伙伴，率先在手机直连卫星和卫星物联网等领域取得了一系列重大试验突破，推动构建连接泛在、场景丰富、服务一致的空天地一体化信息网络。 在手机直连卫星领域，基于紫光展锐首颗卫星通信SoC芯片V8821的手机终端，成功实现了天通卫星环境下5G NTN空口上下行连接，并在接入卫星网络情况下实现两台手机成功互通。在卫星物联网领域，基于天通卫星的物联网应用场景，搭载V8821的水面浮标、卫星信使等多款物联终端完成外场验证。 紫光展锐一直深耕空天地一体化技术，在NTN卫星通信领域投入大量研究。自2022年开始，紫光展锐携手产业伙伴，相继完成全球首次L波段¹、全球首次S频段²上星验证。 在前沿6G领域，紫光展锐已启动6G技术预研，参与到国家6G技术研发工作，在通信感知一体化、全双工、人工智能、智能反射面等前沿技术领域开展前瞻性研究，为未来向6G演进提供技术基石。 创新应用引领5G通话新生态 紫光展锐一直紧跟前沿通信技术的发展，作为全球首个完成IMS Data Channel（数据通道，下文简称“IMS DC”）实验室网络验证的芯片厂商，紫光展锐携业界首个5G新通话芯片方案亮相PT展，并在新通话产业发展论坛上分享了相关技术成果。5G新通话是基于VoNR/VoNR+技术提供的一系列增强服务和创新应用，可为用户提供全高清、可交互、智能化、趣味化、虚拟化的全新体验。 紫光展锐5G新通话解决方案为终端客户提供了一站式“Turnkey”解决方案，从通话应用、操作系统（Android）框架适配到Data Channel和IMS协议栈实现，具有支持芯片与软件平台全栈式一体化服务的能力，客户仅做方案集成即可支持5G新通话功能，大大降低了客户的开发成本，提升了部署效率。今年3月，紫光展锐联合合作伙伴完成了全球首个基于IMS DC的5G新通话现网呼叫，标志着5G新通话从网络走向终端，全面跨入一个新阶段。 5G创新加速万物互联 紫光展锐可提供全场景智能物联网解决方案，包括全面覆盖面向高速率场景的5G/LTE Cat.7/LTE Cat.4、面向中速率场景的LTE Cat.1bis以及面向低速率场景的广域低功耗NB-IoT/GSM等，同时可提供工规级的芯片解决方案，助力千行百业实现高质量数字化转型。 在行业应用领域，作为国内首家完成5G LAN所有功能技术测试的企业，紫光展锐已推出V510、V516，以及首款车规级5G智能座舱芯片平台A7870和面向行业解决方案的P7885。 目前，紫光展锐解决方案已赋能全球超百个行业应用。在智能制造、智慧仓储、智慧园区、智能电网、智慧采矿、智慧医疗、智慧交通、智慧工厂和金融支付、共享经济、工业物联网的垂直领域商用落地。 面向汽车电子领域，紫光展锐正在车联网、智慧座舱、自动驾驶领域展开全面布局，基于紫光展锐二十多年的技术积累，为智能汽车全生态链提供底层技术。 目前，紫光展锐已成功与多家头部汽车集团合作，搭载展锐芯片的车型已实现规模量产。 作为世界领先的平台型芯片设计企业，紫光展锐坚持以技术创新为核心，深耕5G技术，赋能千行百业，同时积极布局6G等先进技术的研发，致力于成为新一代通信技术的引领者，为产业和社会创造价值，用芯连接世界。 注释： 1、L频段是指频率范围在1GHz-2GHz的电磁波频段，被广泛应用在卫星通信和地面蜂窝通信中。 2、S频段是指频率范围在2GHz-4GHz的电磁波频段，被广泛应用在卫星通信和地面蜂窝通信中。 End
紫光展锐 . 2023-06-05
1 周芯片热榜 | 德州仪器这颗模拟芯片太火了，直冲热搜第一！（2023.5.29-6.4）
排行 型号 品牌 1 ADS124S08IRHBR 德州仪器 2 MAX809REUR+T 亚德诺 3 FFH30S60STU 安森美 4 LA CN5M-GAHA-24-1-140-R18-Z 艾迈斯欧司朗 5 LMX4281DQEXNCS 瑞萨电子 6 TS922IDT 意法半导体 7 BSS131H6327XTSA1 英飞凌 8 MOC3021SR2M 安森美 9 IRFI4227PBF 英飞凌 10 STP90NF03L 意法半导体 ADS124S08IRHBR 德州仪器 ADS124S08IRHBR具有 PGA 和电压基准的低功耗、低噪声、高集成度24 位 Δ-Σ 模数转换器 (ADC)，采用超薄四方扁平无引线 (VQFN)-32封装。因兼具低功耗特性与多种集成特性，使其能够降低系统成本并减少小型传感器信号测量应用中的组件数。 主要应用：线性调节器的高效预调节器、正极至负极转换器传感器和变送器、可编程逻辑控制器 (PLC) 和分布式控制系统 (DCS)模拟输入模块、温度控制器、人工气候室，工业烘箱 MAX809REUR+T 亚德诺 MAX809REUR+T是3pin微处理器复位电路，用于监测μP和数字系统中电源的微处理器（μP）监控电路。通过消除外部组件，MAX809REUR+T提供了卓越的电路可靠性和低成本以及与+5V、+3.3V、+3.0V或+2.5V供电电路一起使用时的调整。 主要应用：计算机、控制器、智能仪器、关键μP和μC功率监测、便携式/电池供电设备、汽车 FFH30S60STU 安森美 FFH30S60STU是30 A、600 V且具有软恢复特性的整流器。FFH30S60STU是氮化硅钝化离子注入外延平面结构，且FFH30S60STU常用作开关电源和其他功率开关应用中的升压二极管的续流。此外，它的低存储电荷和超快软恢复使许多功率开关电路中的振铃和电噪声最小化，从而降低了开关晶体管中的功率损耗。 主要应用：通用、开关电源、连续模式功率因数校正中的升压二极管、功率开关电路 LA CN5M-GAHA-24-1-140-R18-Z 艾迈斯欧司朗 LA CN5M-GAHA-24-1-140-R18-Z是一款617 nm波长的SMD琥珀色照明LED，属于无铅产品且符合RoHS标准。 主要应用：LCD背光、摄像机闪光灯/频闪灯、车内照明（如仪表板背光）、车外照明、背光（照明广告、通用照明）、阅读灯（飞机、汽车、公共汽车）、微型白炽灯的替代品、需要高亮度的显示背光，如TFT、装饰和娱乐照明、信号以及用于方向、标志灯（例如台阶、出口等）的符号灯具 LMX4281DQEXNCS 瑞萨电子 LMX4281DQEXNCS是一款2.4 GHz的无线电收发器IC，具有FAD控制和带DECT语音的特点，且常被用于无线电广播中。 主要应用：无线电广播 TS922IDT 意法半导体 TS922IDT是轨对轨双BiCMOS运算放大器。TS922IDT具有高输出电流，可以驱动低负载阻抗。非常低的噪声、低失真、低偏移和高输出电流能力使这些设备成为高质量、低电压或电池供电音频系统的绝佳选择。此外，TS922IDT在高达500 pF的容性负载下稳定。 主要应用：线路驱动器和执行器驱动器、便携式扬声器、以低噪声为关键因素的仪器仪表、多媒体系统和便携式设备 BSS131H6327XTSA1 英飞凌 BSS131H6327XTSA1是一款240V，100mA的N沟通SIPMOS®小信号晶体管，采用SOT-23-3封装。有增强模式、逻辑电平和符合RoHS等特点，且AEC Q101合格。 主要应用：电子开关、放大器等 MOC3021SR2M 安森美 MOC3021SR2M是光学隔离的三端双向可控硅驱动装置。该器件包含一个GaAs红外发射二极管和一个光激活硅双向开关，其功能类似于三端双向可控硅开关。MOC3021SR2M被设计用于电子控制和功率三端双向可控硅开关之间的接口，以控制115 VAC操作的电阻和电感负载。 主要应用：工业控制、电磁阀/阀门控制、交通灯、静态交流电源开关、自动售货机、白炽灯调光器、固态继电器、电机控制、灯镇流器 IRFI4227PBF 英飞凌 IRFI4227PBF是一种N沟道MOSFET。该HEXFET®功率MOSFET专为Sustain设计，IRFI4227PBF利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻和低EPULSE额定值，并具有附加功能是150°C的工作结温度和高重复峰值电流能力。这些特性结合在一起，使IRFI4227PBF成为PDP驱动应用的高效、坚固和可靠的器件。 主要应用：等离子体显示面板中的能量回收和通过开关应用 STP90NF03L 意法半导体 STP90NF03L是一款带TO-220封装、N通道低栅极电荷的功率MOSFET，是STMicroelectronics独特的第三代“单一特征尺寸”™” 条形工艺。当用作降压调节器的高侧和低侧时，STP90NF03L在导通和开关损耗方面都具有最佳性能。这是对于快速切换和高效率至关重要的主板来说，这一点非常重要。 主要应用：应用程序切换
排行榜
芯查查热点 . 2023-06-05 10 26
NVIDIA 推出 Jetson AGX Orin 工业级模块助力边缘 AI
通过在极端的环境进行智能化和实时处理，嵌入式边缘 AI 正在改变工业环境。农业、建筑、能源、航空航天、卫星、公共部门等领域越来越离不开边缘 AI 。借助 NVIDIA Jetson 边缘 AI 和机器人平台，您可以在此类复杂的环境中部署 AI 和传感器融合算法。 NVIDIA 在 COMPUTEX 2023 上发布了全新 Jetson AGX Orin 工业级模块，在恶劣环境下可以提供更高级别的计算能力。这个新模块扩展了上一代 NVIDIA Jetson AGX Xavier 工业级模块和商用 Jetson AGX Orin 模块的功能，为强化系统提供服务器级性能。 嵌入式边缘应用于强化环境 许多应用程序，包括农业、工业制造、采矿、建筑和交通等领域，都必须经受极端环境和长时间的冲击和震动。 例如，在广泛的农业应用中，强大的硬件至关重要，因为它使机械能够承受重负荷、在崎岖的地形中导航，并在不同温度下持续运行。NVIDIA Jetson 模块已经改变了智能农业，为自动驾驶拖拉机和智能收割、除草和选择性喷洒系统提供动力。 在铁路应用中，火车高速行驶时会产生振动，火车车轮和铁轨之间的相互作用也会产生额外的间歇性振动和冲击。运输公司正在使用 Jetson 平台进行探测物体、预防事故和优化维护成本。 采矿是另一个需要符合工业要求的领域。例如 Tage IDriver 推出了基于 Jetson AGX Xavier 工业级模块的智能矿场地面-云端协调无人运输矿车解决方案。在露天矿场环境下，无人矿车需要具备更强的耐用性。NVIDIA Jetson 模块装有激光雷达、摄像头、雷达等传感器，能够在恶劣的矿场环境中实现所需的精准感知。 在近地或外太空中，辐射水平带来了巨大的挑战，部署耐用且能够耐受辐射的模块对于确保可靠高效的运行至关重要。许多卫星公司都希望在边缘部署人工智能，但是他们在寻找合适的计算模块时面临着挑战。 欧洲航天局和巴塞罗那超算中心共同研究了 Jetson AGX Xavier 工业级模块在辐射环境下的效应。其辐射数据表明，在低地球轨道和地球同步轨道中部署的受热限制卫星中，搭配坚固外壳的 Jetson AGX Xavier 工业级模组是一个出色的高性能计算选择。 Jetson 模块正在改变许多太空应用，而 NVIDIA Jetson AGX Orin 工业级模块则进一步扩展了这些能力。 NVIDIA Jetson AGX Orin 工业级模块介绍 Jetson AGX Orin 工业级模块可在 15-75W 功率范围内提供高达 248 TOPS 的 AI 性能。其外形尺寸和引脚与 Jetson AGX Orin 兼容，性能比 Jetson AGX Xavier 工业级模块提升了8倍以上。 这款紧凑的系统模块（SOM）通过 NVIDIA Ampere 架构 GPU、新一代深度学习和视觉加速器、高速 I/O 以及超快的内存带宽，可支持多个并行 AI 应用流程，而且可适应更加极端的温度范围，具有更长的工作寿命、更强的耐冲击和振动能力，并支持纠错码（ECC）内存。 在极热或极冷环境下的工业应用必须有更强的抵御极端气候的能力，应用的底部填充和角落粘接也是必不可少的，这样才能在这类恶劣环境中为模块提供保护。这些应用还需要内联 DRAM ECC 保证数据的完整性和系统的可靠性。在工业环境中会遇到临界操作和敏感数据处理等问题。ECC 可通过实时检测和纠错帮助确保数据的完整性。 下表列出了与 Jetson AGX Orin 64GB 模块相比，全新 Jetson 工业级 AGX Orin SOM 针对工业环境所新增的特性。 表1. 全新 Jetson 工业级 AGX Orin SOM 的主要特征 强大的软件和生态支持 Jetson AGX Orin 工业级模块采用 NVIDIA AI 软件堆栈，您可以通过使用工具和 SDK 加快各个开发环节，缩短上市时间。它结合了诸多平台、框架和模型，包括 NVIDIA Omniverse 驱动的机器人技术平台 NVIDIA Isaac 和合成数据生成平台 NVIDIA Isaac Replicator、智能视频分析框架 NVIDIA Metropolis with DeepStream、NVIDIA TAO 工具套件以及大量预训练和生产型模型。这些都能加快模型的开发过程，并且帮助您创建完全由硬件加速的 AI 应用。 NVIDIA JetPack 等 SDK 能够在一个强大且便捷的开发环境中提供所有加速库，因此您随时都可以开始使用各种 Jetson 模块。为了确保从边缘到云的安全，NVIDIA JetPack 还为 Jetson AGX Orin 模块提供了许多安全功能： 硬件安全起源 固件 TPM 安全启动和测量启动 硬件加速的加密技术 可信的执行环境 支持加密存储和内存 以及更多 NVIDIA 合作伙伴关系网络中的 Jetson 生态合作伙伴正在将该工业模块集成到工业应用的软硬件解决方案中： 合作伙伴的摄像机能够执行质量检测等计算机视觉任务。 连接合作伙伴可通过以太网等接口加快数据传输。 即将推出 Jetson 工业级 AGX Orin 解决方案的传感器和连接的合作伙伴包括 Silex、英飞凌、Basler、e-con Systems、Leopard Imaging、FRAMOS、D3 等。 硬件合作伙伴可以设计工业边缘计算载板。 您可通过这一合作部署工业自动化、机器人技术等方面的 AI 解决方案。 以下合作伙伴将提供装有 Jetson AGX Orin 工业模块的载板和全套系统：研华、圆刚科技、Connect Tech、Forecr、沥拓科技、瑞泰新时代和 Syslogic。 图 1. Jetson 生态合作伙伴与 NVIDIA 的合作 全新 Jetson AGX Orin 工业级模块将于 7 月上市。Jetson AGX Orin 工业级模块和 Jetson AGX Orin 64GB 的引脚和软件是相互兼容，因此您随时可以使用 Jetson AGX Orin 开发者套件和最新 JetPack 构建解决方案。
NVIDIA
NVIDIA . 2023-06-03 2 4
【芯查查热点】中国台湾突发降压，部分晶圆报废；三星、高通、英特尔加入RISE联盟；铠侠日本两个新研发中心正式启用
6月2日重点抢先看： 突发压降！联电：部分晶圆报废；台积电：不影响运营 三星、高通、英特尔加入RISE联盟 豪威集团发布全集成、低功耗、单芯片LCOS面板 英特尔要求德国政府提供百亿欧元设厂补贴 博通：2023年人工智能相关销售额将翻一番 恩智浦半导体推出新一代i.MX 91系列应用处理器 铠侠日本两个新研发中心正式启用 Cadence与Arm合作，加速移动设备芯片开发 募资超10亿元！新相微登陆科创板 研究人员找到一种减少半导体器件过热的方法 | 突发压降！联电：部分晶圆报废；台积电：不影响运营 6月1日下午，中国台湾地区南部科学园区突发压降。 对此，台积电和联电均在当天作出了回应。 台积电表示，受影响的厂区电力供应均迅速恢复正常，不预期对营运造成影响，详细压降原因依台电公告为准。 联电则指出，压降事件对生产造成一点影响，有部分晶圆报废，另有机台需要重新开机，目前机台已几乎全数恢复生产，至于损失情况，则有待进一步统计。 联电表示，将透过加班赶工，以应对这次压降事件影响，第二季营运目标维持不变。此前，联电总经理王石表示，2023年第二季，由于整体需求前景依旧低迷，预期客户将持续进行库存调整，晶圆出货量将会持平。 芯查查资料显示，台积电和联电分别为全球排名第一和第二的晶圆代工厂商，均在台南拥有多座晶圆厂。 芯查查企业SaaS（XCC.COM）产业链图谱全球晶圆代工企业TOP10 | 三星、高通、英特尔加入RISE联盟 三星电子于6月1日宣布，它将担任RISC-V软件生态系统(RISE)的指导委员会成员，RISE是一个由非营利性Linux基金会发起的开源软件开发项目。RISE是一个组织，旨在使用RISC-V开发软件。参与者包括三星电子、谷歌、英特尔、英伟达和高通等全球IT和半导体巨头。 RISC-V已被评估为希望离开ARM的公司的最佳替代方案。RISC-V由加州大学伯克利分校的研究人员于2010年创立，能够生产与ARM芯片性能相似的半导体。但它可以减少大约50%的芯片面积和60%的芯片功耗。最重要的是，由于RISC-V是开源的，因此没有一家公司可以像ARM那样拥有半导体设计资产。因此，它不需要许可费。出于这些原因，IT和半导体公司一直在推广RISC-V作为替代方案。 | 豪威集团发布全集成、低功耗、单芯片LCOS面板 6月2日消息，豪威集团发布一款全新的648p 单芯片硅基液晶 （LCOS） 面板，可用于下一代增强现实 （AR）、扩展现实 （XR） 和混合现实 （MR） 眼镜以及头戴式显示器。OP03011 LCOS面板在超小型0.14英寸光学格式（OF）中采用了3.8微米像素。低功耗、轻量化设计是可以全天候佩戴的下一代眼镜的理想选择。 据了解，OP03011是一款采用超紧凑格式设计的单芯片解决方案，适用于需要较小视场和较低分辨率的应用，因此非常适合一些时尚、创新设计的AR眼镜。 OP03011支持下一代智能眼镜应用，例如在用户视场中显示通知，以及直接从眼镜中访问GPS，以获取地图和方向，用户无需掏出智能手机。 图片来源：豪威集团 | 英特尔要求德国政府提供百亿欧元设厂补贴 英特尔预计在德国马格德堡建设晶圆厂的投入要比原计划高很多，该公司现已计划投入270亿欧元，因此几个月以来一直在与德国政府谈判以获得更多补贴，这让德国政府感到为难。 据德国商报报道，德国政府原先承诺会补贴68亿欧元，但英特尔希望将补贴提高到至少100亿欧元。这项要求使得德国政府内部意见不一，总理府和经济部愿意给英特尔提供更多补贴，但财政部坚决反对。为留住英特尔，德国经济部正与能源厂商谈判，希望为英特尔争取到更优惠的电价。 | 博通：2023年人工智能相关销售额将翻一番 6月2日，博通首席执行官Hock Tan在季度财报电话会议上表示，公司建立人工智能能力的半导体收入可能会增长到每季度10亿美元。与人工智能相关的芯片销售额可能很快就会超过公司总销售额的25%。 据悉，博通的网络组件帮助引导大型数据中心计算机之间的流量，并为一些龙头的云计算提供商生产定制芯片。这些客户一直在竞相增加更多的容量，以满足对人工智能服务的需求。 | 恩智浦半导体推出新一代i.MX 91系列应用处理器 6月2日消息，恩智浦半导体正式发布i.MX 91应用处理器系列，i.MX 91系列提供了安全、多功能、高能效的优化组合，可满足下一代基于Linux的物联网和工业应用的需求。 新发布的协议改变了物联网和工业市场新产品类别的方向，如面向未来智能家居的可互操作安全连接标准Matter，或面向电动汽车充电器的ISO 15118-20标准。 图片来源：恩智浦半导体 | 铠侠日本两个新研发中心正式启用 6月2日，日本存储大厂Kioxia（铠侠）宣布，在日本建设的两个新的研发设计中心建设完工，正式启用，分别是铠侠横滨科技园以及Shin-Koyas（新子安）前沿技术中心，后者同样位于横滨。这两处研发中心历时数年建设，未来将用于先进存储技术方面的研究和开发制造。该公司研发职能部门的员工，已开始陆续迁往新场所。 铠侠横滨科技园的规模相比之前扩大了一倍，使得铠侠研发先进存储芯片、SSD的能力得到很大加强，同时可以提高产品质量。新的大楼采用了环保设计，获得了ZEB-Ready认证，可以提高能源利用效率，减少至多50%能耗。 | Cadence与Arm合作，加速移动设备芯片开发 6月2日消息，Cadence宣布继续扩大与 Arm 的合作，共同推进移动设备芯片的开发。 通过使用 Cadence® 数字和验证工具以及新推出的 Arm® Total Compute Solutions 2023（TCS23）为客户提供更快的芯片流片方法，其中包括 Arm Cortex®-X4、Arm Cortex-A720 和 Cortex-A520 CPU 以及 Immortalis™-G720、Mali™-G720 和 Mali-G620 GPU。 | 募资超10亿元！新相微登陆科创板 6月1日，新相微成功登陆上海证券交易所科创板，发行价为11.18元，发行9190.5883万股。 新相微本次发行募集资金总额10.28亿元，将用于合肥AMOLED显示驱动芯片研发及产业化项目、合肥显示驱动芯片测试生产线建设项目、上海先进显示芯片研发中心建设项目、补充流动资金。 图片来源：新相微 | 研究人员找到一种减少半导体器件过热的方法 6月2日消息，韩国科学技术院宣布，机械工程系李奉宰教授的研究团队在成功测量了沉积在基板上的金属薄膜中“表面等离子体极化子”引起的新热传递。表面等离子体极化子（SPP）是指由于金属表面的强相互作用而形成的表面波电介质和金属界面处的电磁场以及金属表面上的自由电子以及类似的集体振动粒子。 缩小半导体尺寸的需求，加上器件热点处产生的热量无法有效分散的问题，降低现代器件的可靠性和耐用性，现有的热管理技术无法胜任这项任务，该发现是一项重要的突破。 图注：测量钛薄膜（TI）薄膜的热导率和在Ti薄膜上测量的表面等离子体极化子的导热系数的原理示意图。图片来源：韩国科学技术院（KAIST）
芯查查热点 . 2023-06-02 2 22
2023年1-2月中国电视机行业产量规模及进出口规模统计分析
2023年1-2月中国彩电产量超过2400万台 据国家统计局统计数据显示，2022年全年中国彩电累计产量达到19578.3万台，累计增长6.4%。截至2023年1-2月中国彩电产量达到2424.5万台，累计下降4.7%。 2023年1-2月中国液晶电视机出口量超过1400万台 据中国海关总署统计数据显示，2022年全年中国液晶电视机累计出口量达到9226万台，累计增长10.4%。截至2023年2月中国液晶电视机出口量为609万台，同比增长3.5%。累计方面，2023年1-2月中国液晶电视机累计出口量达到1413万台，累计增长5.7%。 在出口金额方面，2022年全年中国液晶电视机累计出口金额达到1245500万美元(12455.00百万美元/124.55亿美元)，累计下降21.3%。截至2023年2月中国液晶电视机出口金额为83099万美元(830.99百万美元)，同比下降3.3%。累计方面，2023年1-2月中国液晶电视机累计出口金额达到1875118千美元(1875.12百万美元)，累计下降2%。 2023年1-2月中国液晶电视机进口量达到4万台 据中国海关总署统计数据显示，2022年全年中国液晶电视机累计进口量达到37万台，累计下降18.8%。截至2023年2月中国液晶电视机进口量为1万台，同比下降66.3%。累计方面，2023年1-2月中国液晶电视机累计进口量达到4万台，累计下降55%。 在进口金额方面，2022年全年中国液晶电视机累计进口金额达到20498万美元(204.98百万美元)，累计下降10.2%。截至2023年2月中国液晶电视机进口金额为7514千美元(7.51百万美元)，同比下降60.3%。累计方面，2023年1-2月中国液晶电视机累计进口金额达到25407千美元(25.41百万美元)，累计下降41.3%。 更多数据来源及分析请参考于前瞻产业研究院《中国电视机行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。
电视机
前瞻产业研究院 . 2023-06-02 1 1
突发压降！联电：部分晶圆报废；台积电：不影响运营
6月1日下午，中国台湾地区南部科学园区突发压降。 对于压降事件的发生，南科管理局指出，台电丰华D/S变电所下午2时59分因161kV GIS隔离开关故障，发生电力压降，造成台南园区及高雄园区部分厂商电压骤降。 对此，台积电和联电均在当天作出了回应。 台积电：不对营运造成影响 台积电表示，受影响的厂区电力供应均迅速恢复正常，不预期对营运造成影响，详细压降原因依台电公告为准。 联电：部分晶圆报废 联电则指出，压降事件对生产造成一点影响，有部分晶圆报废，另有机台需要重新开机，目前机台已几乎全数恢复生产，至于损失情况，则有待进一步统计。 联电表示，将透过加班赶工，以应对这次压降事件影响，第二季营运目标维持不变。此前，联电总经理王石表示，2023年第二季，由于整体需求前景依旧低迷，预期客户将持续进行库存调整，晶圆出货量将会持平。 芯查查资料显示，台积电和联电分别为全球排名第一和第二的晶圆代工厂商，均在台南拥有多座晶圆厂。 芯查查企业SaaS（XCC.COM）产业链图谱全球晶圆代工企业TOP10 晶圆加工作为半导体供应链中重要一环，其突发降压消息受到产业人士关注，此次事件对产业链下游企业运营状况及全球半导体产能或产生一定程度的影响。
快讯
芯闻路1号 . 2023-06-02 1 15
恩智浦半导体推出新一代i.MX 91系列应用处理器
6月2日消息，恩智浦半导体正式发布i.MX 91应用处理器系列，i.MX 91系列提供了安全、多功能、高能效的优化组合，可满足下一代基于Linux的物联网和工业应用的需求。 新发布的协议改变了物联网和工业市场新产品类别的方向，如面向未来智能家居的可互操作安全连接标准Matter，或面向电动汽车充电器的ISO 15118-20标准。 此类新产品通常基于Linux，因为Linux可为开发人员提供所需的扩展性和编程便利性，促进应用的发展，延长产品寿命。恩智浦的i.MX 91系列使开发人员能够快速创建基于Linux的新边缘设备，如家居控制器、互联家电、家庭娱乐、工业扫描和打印、楼宇控制、电动汽车充电器和医疗平台。
快讯
芯闻路1号 . 2023-06-02
Cadence与Arm合作，加速移动设备芯片开发
6月2日消息，Cadence宣布继续扩大与 Arm 的合作，共同推进移动设备芯片的开发。 通过使用 Cadence® 数字和验证工具以及新推出的 Arm® Total Compute Solutions 2023（TCS23）为客户提供更快的芯片流片方法，其中包括 Arm Cortex®-X4、Arm Cortex-A720 和 Cortex-A520 CPU 以及 Immortalis™-G720、Mali™-G720 和 Mali-G620 GPU。 通过此次最新合作，Cadence 为 3nm 和 5nm 节点提供了全方面的 RTL-to-GDS 数字流程快速应用指南（RAKs），以帮助客户利用新推出的 Arm TCS23 实现功耗和性能目标。针对全新的 Arm TCS23，经过优化的 Cadence 工具包括 Cadence Cerebrus™ 智能芯片设计工具、Genus™ 综合解决方案、Modus DFT 软件解决方案、Innovus™ 数字实现系统、Quantus™ 寄生参数抽取解决方案、Tempus™ 时序签核解决方案及ECO功能、Voltus™ IC 电源完整性解决方案、Conformal® 等效性检查及 Conformal 低功耗。Cadence Cerebrus 为 Arm 提供了 AI 驱动的设计优化能力，使 Cortex-X4 CPU 的时序（TNS）提高了 50%，单元面积减少了 10%，漏电功耗改善了 27%，使 Arm 能够更快地实现功耗、性能和面积（PPA）目标。
快讯
芯闻路1号 . 2023-06-02 1
博通：2023年人工智能相关销售额将翻一番
6月2日，博通首席执行官Hock Tan在季度财报电话会议上表示，公司建立人工智能能力的半导体收入可能会增长到每季度10亿美元。与人工智能相关的芯片销售额可能很快就会超过公司总销售额的25%。 据悉，博通的网络组件帮助引导大型数据中心计算机之间的流量，并为一些龙头的云计算提供商生产定制芯片。这些客户一直在竞相增加更多的容量，以满足对人工智能服务的需求。
快讯
芯闻路1号 . 2023-06-02 1
