CoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。

  
产品型号：

■ IMBG40R011M2H

■ IMBG40R015M2H

■ IMBG40R025M2H

■ IMBG40R036M2H

■ IMBG40R045M2H

■ IMT40R011M2H

■ IMT40R015M2H

■ IMT40R025M2H

■ IMT40R036M2H

■ IMT40R045M2H

  
产品特点

与650V SiC MOSFET相比，FOM更好

低Qfr值的快速换流二极管

RDS(on)温度系数小

栅极阈值电压VGS(th)=4.5V

可以单电源驱动VGSoff=0V

100%经过雪崩测试

开关速度可控性高

高dV/dt运行期间的低过冲

.XT互联技术

一流的热性能

  
应用价值

系统效率高

高功率密度设计

高设计鲁棒性

减少EMI滤波

在硬开关拓扑中使用

  
竞争优势

支持采用创新拓扑结构（如3L PFC，ANPC）

与HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，FoM提高，RDS(on)与Tj曲线平坦，100°C时增幅最小

低Qgd,Qoss,fr,Eoss

高压摆率控制、线性Coss和低Qfr

高栅极驱动阈值电压Vth,typ=4.5V实现0V-18V驱动

以及较低的米勒比，以减轻Cgd/Vds/dt引起的寄生导通

  
竞争优势

AI服务器电源

SMPS

电机控制

轻型电动汽车

叉车

电动飞机

固态断路器

太阳能

能源储存

D类放大器