去年末，长鑫存储（CXMT）正式推出了LPDDR5系列产品，其中包括了12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片，成为了国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。

长鑫存储并没有放慢技术研发的步伐，甚至还加快了速度。据DigiTimes报道，长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片，第一期生产线已经接近满负荷运转，初始的月产能已达到10万片晶圆。长鑫存储即将进行第二阶段产能提升，到2024年底，每月产能还会增加4万片晶圆。这意味着，长鑫存储在全球范围内DRAM总产能的占比将达到10%。

此外，长鑫存储计划为新的扩产大幅增加国内采购。

相比之下，主攻NAND闪存芯片的长江存储在产能提升方面受到全面的限制，本土化供应链具有较大的挑战性。不过长江存储在技术研发上依然取得进步，比如高层数的NAND闪存，同时还推出了新款120层产品，绕过了128层的限制，开辟了一条可行的道路。产能扩张依然是长江存储最大的障碍，可能还会持续一段时间。