日本芯片制造设备制造商东京电子正在以一项突破性的3D NAND闪存通道蚀刻新技术追赶美国竞争对手泛林集团，这项技术最终可能为该公司带来数十亿美元收入。

泛林集团以100%的市场份额在该领域占据主导地位，当东京电子在今年6月宣布新技术时，该公司似乎没有受到威胁。泛林集团CEO Tim Archer在回答东京电子技术突破影响时相当自信，表示：“考虑到我们所处的位置和起点，我们非常有信心在这一领域保持领导地位和市场份额。”

据悉，东京电子新技术是针对3D NAND闪存开发的，它可以长时间存储数据。该公司开发了一种蚀刻通道孔的新方法，涉及在存储单元中快速深入地插入垂直孔。3D NAND的存储容量可以通过垂直堆叠存储单元层来增加，随着层数的增加，需要更高性能的设备。

东京电子表示，他们的新技术可以蚀刻深度相当于400多层的洞，速度是传统技术的2.5倍，同时这一方法还可以显著减少该过程对全球变暖的影响。

东京电子预计，NAND通道工艺市场将从2023年的5亿美元扩大到2027年的20亿美元。如果泛林集团无法生产出能够与东京电子的突破相抗衡的产品，两家公司目前的市场份额可能会逆转。这将对东京电子的利润产生重大推动作用。在截至2023年3月的财年中，新蚀刻设备的总销售额略低于5800亿日元（合39亿美元），约占合并总销售额的四分之一。

三菱UFJ摩根士丹利证券的分析师Tetsuya Wadaki也同样看好东京电子新蚀刻设备前景，他表示，2023年蚀刻设备市场规模超过200亿美元，泛林集团控制了大约一半的市场，东京电子以约25%的市场份额位居第二。随着新技术的到位，东京电子准备在未来几年内超过泛林集团在所有蚀刻系统中的份额。”

泛林集团（Lam Research）是一家半导体设备供应商，在今年因一起侵权诉讼案闹得沸沸扬扬。经过长达12年的诉讼时间，美国泛林集团被确认侵犯了我国中微公司刻蚀机商业秘密。在2010年，中微向上海市第一中级人民法院提起诉讼，主张泛林集团侵犯中微公司的商业秘密，并在对簿公堂之后，双方你来我往6年多之后，于2017年3月赢得一审诉讼。但泛林不服，继续上诉至上海市高级人民法院，然后又经历了6年时间，近日正式宣判，泛林集团确认侵犯中微商业秘密，中微公司获得二审胜诉。