据wccftech报道，三星宣布推出全球首款基于12nm工艺技术的32Gb DDR5 DRAM解决方案，可支持高达128GB的内存模块。

  到目前为止，SK海力士和美光等内存制造商提供24Gb DDR5 DRAM，可实现96GB的内存解决方案，但三星凭借12nm级方案将容量提高了33.3%。与此同时，美光也确认将推出32Gb DDR5 DRAM，但迄今为止仅公布了路线图。

  三星在今年5月已宣布开始量产12nm级16Gb DDR5 DRAM。新型12nm级32Gb DDR5 DRAM计划于今年底开始量产。

  三星表示，凭借12nm级32Gb DRAM，能够实现高达1TB的DRAM模块的解决方案，能够满足人工智能时代对大容量DRAM不断增长的需求。

  三星于1983年开发出首款64kb DRAM，在过去四十年里已成功将其DRAM容量提高了50万倍。

  三星最新的内存产品采用尖端工艺和技术开发，以提高集成密度和设计优化，拥有业界最高的单颗DRAM芯片容量，在相同封装尺寸下提供的容量是16Gb DDR5 DRAM的两倍。

  此前，使用16Gb DRAM制造的DDR5 128GB DRAM模块需要采用硅通孔（TSV）工艺。现在，通过使用三星32Gb DRAM，可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，同时与采用16Gb DRAM的128GB模块相比，功耗降低约10%。这一技术突破使得该产品成为数据中心等注重能源效率的企业的最佳解决方案之一。

  以12nm级32Gb DDR5 DRAM为基础，三星计划继续扩大高容量DRAM产品阵容，以满足计算和IT行业当前和未来的需求。三星将通过向数据中心以及人工智能和下一代计算等应用的客户提供12nm级32Gb DRAM，重申其在下一代DRAM市场的领导地位。