近日，为填补国内集成电路市场上产业化CMP建模工具的空白，满足芯片设计公司和晶圆制造厂的需求，广立微正式推出CMP EXPLORER（简称“CMPEXP”）工具，保障芯片的可制造性和成品率，解决行业的痛点。

化学机械抛光（即Chemical Mechanical Planarization CMP）是集成电路制造工艺中的关键环节，结合了化学反应和机械研磨来实现硅片表面的高度平坦化。

随着集成电路制造工艺的演进迭代，纳米器件尺寸不断缩小，再加上集成程度提高及工艺层级越来越多，芯片在制造各阶段的表面平坦度严重影响产品成品率及性能，其影响通过多层叠加和版图特征效应更加突出，可谓“差之毫厘，谬以千里”。如何实现CMP步骤的仿真、建模和优化，一直是保障芯片成品率的重要挑战。

即便在芯片设计时严格遵守了设计规则，对于一些工艺较敏感的设计Pattern，仍有可能在CMP阶段形成碟型凹陷（Dishing）、介质腐蚀(Erosion)和金属厚度波动等缺陷，从而造成互连线电阻、电容波动，甚至金属互连短路和开路。这样一来，后续制造步骤中的工艺窗口变窄，任何工艺上的小波动能造成成品率问题，因此，可制造性设计（Design for Manufacturing DFM）的角色更为重要，通过针对CMP步骤精准仿真和建模，可以提前找出和预防CMP相关的芯片设计问题。

作为广立微进军DFM领域的首款EDA工具，其可依据CMP工艺后的各测试结构膜厚和表面形貌数据以及CMP工艺参数，建立CMP模型。

设计人员可在芯片流片前，使用软件内的CMP模型对版图进行CMP仿真并进行可制造性分析，对识别出的CMP工艺热点提前进行修复，从而实现在设计端成品率优化，减少了设计端的成品率风险，有效降低芯片研发成本。

这次CMPEXP EDA工具的推出，进一步完善了广立微的制造类EDA的产品矩阵，同时与广立微现有的成品率提升方案相互协同和补充，为集成电路企业提供更完备的解决方案，助力行业发展。