• 阿联酋和沙特抢购NVIDIA芯片，发力人工智能
• 禾赛科技二季度交付52106台激光雷达
• 微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展
• 欧盟新电池法将生效
• TSIA：2023年中国台湾IC产值将下降12.7%至4.22万亿元新台币
• 消息称台积电3nm由苹果、联发科包下 高通新旗舰芯片拟改三星代工
• 中芯国际：8英寸的扩产大部分基本已经完成
• 三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产
• 机构：明年全球光刻胶市场将增7%，达25.7亿美元
• 亚洲吸引半导体投资经历“混战”  印度、泰国等积极布局

| 阿联酋和沙特抢购NVIDIA芯片，发力人工智能

  8 月 15 日消息，据报道，沙特阿拉伯和阿联酋都在争相购买数千个高性能NVIDIA芯片，加入全球人工智能军备竞赛。这两个海湾国家都公开了他们希望成为人工智能领导者的目标，希望将此作为刺激经济发展的手段。

据知情人士透露，沙特阿拉伯已经通过阿卜杜拉国王科技大学购买了至少 3000 个NVIDIA H100 芯片（总价值约 1.2 亿美元）。按照NVIDIA CEO 黄仁勋的说法，这种单价达到 4 万美元的芯片是“全世界首款专门针对生成式人工智能设计的电脑芯片”。 

| 禾赛科技二季度交付52106台激光雷达

   8月15日消息，激光雷达行业龙头禾赛科技公布了2023年第二季度未经审计的财务数据。第二季度公司营收4.4亿元，同比增长108.5%，同期，激光雷达交付量达52,106台，同比增长946.5%，刷新单季最高记录；其中ADAS激光雷达增势迅猛，交付量达45,694台，同比翻27倍。

  2023年上半年累计激光雷达总交付量为86,940台，同比增长630.3%，其中ADAS激光雷达交付量为73,889台，超过去年ADAS激光雷达全年的交付量。财报显示，禾赛本季度毛利率为30%，截至二季度末，得益于经营效率的持续提升，公司现金储备达32.5亿元。

| 微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展

       8月15日，中科院微电子研究所发文宣布，在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展。

  互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压与先进技术节点不兼容、擦写次数受限等问题。这一问题是基于o相HfO2基铁电材料的本征特性，难以通过传统的优化工艺加以解决。因此，寻找一个结构稳定且具有低翻转势垒的HfO2基铁电材料是迫切需要解决的难题。

  针对这一问题，微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队与中国科学院物理所杜世萱研究员团队合作，发现了一种稳定的铁电三方相Hf(Zr)1+xO2材料结构，这种结构降低了HfO2基铁电材料中铁电偶极子的翻转势垒。通过基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算发现，当Hf(Zr)1+xO2材料中，Hf(Zr)与氧的比例大于1.079:2时，三方相的形成能低于铁电o相和单斜相（m相）的形成能。扫描透射电子显微镜（STEM）实验清晰显现了过量Hf(Zr)原子嵌入在铁电三方相晶格的晶体结构，证实了理论计算的结果。嵌入的Hf(Zr)原子扩展了晶格，增加了其面内和面外应力，起到了稳定Hf(Zr)1+xO2材料结构和降低其铁电翻转势垒的作用。基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的铁电器件展示了超低矫顽场（~0.65MV/cm）、高剩余极化（Pr）值(22μC/cm2)、小的饱和极化电场（1.25MV/cm）、和大的击穿电场（4.16MV/cm），并在饱和极化下实现了1012次循环的耐久性。这一研究结果为低功耗、低成本、长寿命的存储器芯片提供了一种有效的解决方案。   

| 欧盟新电池法将生效

  欧盟官方公示满20天的《欧盟电池和废电池法规》将在8月17日正式生效。根据《新电池法》，自2027年起，动力电池出口到欧洲必须持有符合要求的“电池护照”，记录电池的制造商、材料成分、碳足迹、供应链等信息。这将对中国动力电池企业出口欧洲产生重大影响。

  业界人士认为，《新电池法》实施后，我国电池企业出口欧洲，至少要跨越三道障碍：一是补足和完善碳足迹声明；二是满足欧盟对电池材料的回收与再生利用要求；三是应对电池护照中信息披露的挑战。 

| TSIA：2023年中国台湾IC产值将下降12.7%至4.22万亿元新台币

  据电子时报报道，中国台湾半导体工业协会（TSIA）引用工业技术研究院（ITRI）的数据预测，中国台湾集成电路（IC）产业的产值将在2023年下降12.7%，至4.22万亿元新台币（约合1320亿美元）。

  根据TSIA引用的ITRI数据，中国台湾IC产业的IC设计、制造、封装和测试部分在2023年第二季度共创造1.02万亿元新台币的产值，环比增长0.7%，但同比下降18%。

  第二季度，中国台湾IC设计产业的产值环比增长11.9%，达到2685亿元新台币，而制造业部分的产值环比下降3.2%，至6075亿元新台币。与2022年同期相比，这两个产业的产值都下降超过15%。

  第二季度，中国台湾IC制造业的代工领域产值环比下降3.8%，而存储器和其他芯片制造领域在同季度增长5.4%。与2022年同期相比，存储器和其他IC制造领域在2023年第二季度下降37.3%，而代工领域下降13.3%。

| 消息称台积电3nm由苹果、联发科包下 高通新旗舰芯片拟改三星代工

  8月15日讯，消息称高通（Qualcomm）即将推出的Snapdragon 8 Gen 3，近日传出将独家采用台积电4nm N4P制程，但在台积电3nm产能方面，由于已被苹果、联发科包下，高通拟改三星代工。  

| 中芯国际：8英寸的扩产大部分基本已经完成

   中芯国际近期在接受调研时表示，8英寸的扩产大部分基本已经完成。公司会多元化产品平台，并与客户共同开发。从长远来看，代工的8英寸产能是平衡的。公司根据客户承诺建立产能。公司明显看到，海外客户开始削减订单的时间比中国本土公司和小设计公司晚两个季度，因此公司在今年二季度才看到海外客户在订单和库存方面进行严格管理，但中国公司在2022年9月已经开始削减。目前中国大宗设计公司已经开始新产品补仓，但是国外公司正在验证新产品，总体的市场的复苏比预期慢。

| 三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

   电子时报报道，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备。

  据ZDNet Korea报道，业内人士透露，三星目前正在考虑停止P1工厂NAND Flash生产线部分设备的生产。该生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉，该设备将停产至少一个月，但可能会延长至2023年下半年。

  目前，三星已经减少了主要NAND Flash生产基地的晶圆投入，包括韩国平泽、华城以及中国西安。业界猜测三星的NAND Flash产量可能会减少10%左右。不过，鉴于市场持续低迷，三星在4月份发布的2023年Q1财报中正式宣布存储器减产计划。此外，三星在发布第Q2财报时表示，2023年下半年将重点削减NAND Flash领域的产量。

| 机构：明年全球光刻胶市场将增7%，达25.7亿美元

   商业和技术信息的电子材料咨询公司TECHCET最近发布了全球光刻胶数据。该公司预计全球光刻胶市场将在2024年实现反弹，增长7%，总额达到25.7亿美元，而2023年销售额略有下降，降幅为0.9%。

该机构展望未来，预计市场将保持强劲发展，2022-2027年这5年的复合年增长率为4.1%。TECHCET首席策略师Karey Holland博士说：“增长最快的光刻胶产品是EUV和KrF，因为这两种产品都用于引入先进逻辑和存储器等新技术。”

| 亚洲吸引半导体投资经历“混战”  印度、泰国等积极布局

  据日经亚洲报道，印度和泰国正式加入半导体制造投资竞赛，马来西亚、新加坡、越南等也在发展半导体制造产业。毕马威咨询总监Daisuke Yokoyama表示，在吸引半导体企业的竞争中，“亚洲现在正在经历一场混战”。

  在今年7月下旬的SemiconIndia 2023开幕式上，印度总理莫迪强调了印度为全球芯片行业提供的优势，“还有谁是能比世界上最大的民主国家更值得信赖的合作伙伴呢？”

  2021年，莫迪内阁批准了一项7600亿卢比（当前约合91.4亿美元）的计划，以支持国内半导体和显示器制造。

  美光6月表示，将在印度古吉拉特邦建立一家工厂，预计于2024年开始生产。鸿海精密（Foxconn）正在与美国芯片制造设备制造商应用材料（Applied Materials）在印度合作生产此类设备。

  泰国方面，目前政府扩大了企业税收减免范围，芯片公司有望从中受益。例如，进入泰国的供应链上游公司现在可免缴企业税长达13年，而以前的减免期限只有8年。

  泰国非常关注从事前端工艺的设计公司，例如设计半导体和蚀刻晶圆。这些工艺被认为比后端工艺（包括切割和封装芯片）在技术上更先进。此外泰国还将电动汽车组装厂和供应商聚集在一起发展本地产业。

  新加坡自20世纪60年代起发展半导体产业，美国格芯（GlobalFoundries）准备于9月份开始运营其在当地建造的一座耗资40亿美元的晶圆厂，应用材料和法国公司Soitec也已开始扩大在这个城邦的产能。

  对于马来西亚，德国巨头英飞凌科技8月3日表示，将斥资约50亿欧元（约合54.5亿美元）扩建现有设施。该投资将用于制造下一代碳化硅功率半导体。对于后端流程，英特尔将在2031年之前的10年内向马来西亚投资300亿令吉（约合64.9亿美元）。

  越南目前拥有三星电子和英特尔等顶级企业的生产和研究设备，越南总理范明政（Minh Chinh）已发布命令，培训3万至5万名半导体和数字化转型工程师。范明政表示，半导体是越南发展战略的优先方向。