5月26日消息,恩智浦半导体宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。
在向软件定义汽车(SDV)的过渡中,汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件升级。利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合,为向软件定义汽车演进打造理想的硬件平台。
Flash存储器更新20MB的代码需要约1分钟时间,而MRAM只需3秒左右,最大限度地缩短软件更新带来的停机时间,汽车厂商能够消除模块长时间编程引起的瓶颈。
此外,MRAM提供多达一百万个更新周期,耐久性超过闪存和其他新兴存储器技术的十倍,为汽车失效缺陷提供高度可靠的技术。
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