据Business Korea报道，韩国政府已要求美国政府将接受芯片法案补贴的韩国公司提高其在中国半导体生产能力的限额提高一倍。美国商务部已完成征求意见，并将在今年晚些时候宣布最终确定的芯片法案护栏规则。  

  美国联邦公报显示，韩国政府就美国商务部3月21日公布的《半导体法》护栏条款细节提交了官方意见。据报道，在提交意见之前，它与韩国芯片制造商进行了密切协商。

  "护栏条款的实施方式不应给在美国投资的公司带来不应有的负担，"韩国政府在根据登记册的意见书中表示。 "我们要求美国政府重新考虑拟议法规中材料膨胀、遗留半导体和其他关键术语的定义。"

  在此背景下，韩国还要求美国政府明确技术回收条款下的活动限制范围，该条款要求在与中国等外国相关实体在拟议的规则中对他们开展联合研究活动，并获得技术许可时返还补贴。 

  美国商务部提议的护栏规则要求，如果受补贴的公司在未来十年内从事实质性扩大中国等外国实体半导体生产能力的重大交易，则它们必须退还全部补贴。具体而言，该规则规定，先进半导体的大幅产能扩张为5%或更多，前几代通用半导体的产能扩张为10%或更多。半导体业内人士普遍将12-14纳米制程的DRAM和170层以上的3D NAND闪存归类为先进芯片。三星电子在韩国的工厂生产这两种内存产品。

  作为回应，韩国政府要求将实际扩大先进半导体产能的标准从百分之五提高到百分之十。

  韩国政府还要求美国政府明确技术回拨条款的活动范围，即要求在与中国企业进行联合研究或向中国企业许可技术时返还补贴。此外，韩国政府要求美国政府在补贴资格审查过程中不要向公司索取敏感的技术和机密信息和数据，并与半导体公司签署保密协议(NDA)。