美光宣布推出具有232层的3D NAND存储器。该公司计划将其新的232层3D NAND产品用于包括固态驱动器在内的各种产品，并计划在 2022 年末开始增加此类芯片的生产。

  美光的232层3D NAND设备采用3D TLC架构，原始容量为1Tb +128GB。该芯片基于美光的CMOS阵列下(CuA)架构，并使用NAND串堆叠技术来构建两个3D NAND阵列。

  与232层NAND芯片相结合的CuA设计将大大减少美光1Tb 3D TLC NAND存储器的裸片尺寸，降低生产成本，并使美光能够更积极地为具有这些芯片的设备定价，或者增加更多的利润。

  美光没有公布其新型 232L 3D TLC NAND IC 的 I/O 速度和平面数量，但暗示新内存将提供比现有 3D NAND 设备更高的性能。此次性能的提升对于下一代 SSD ，尤其是具有 PCIe 5.0 接口SSD的优化有显著效果。谈到SSD，美光科技产品执行副总裁Scott DeBoer指出，该公司与内部和第三方NAND控制器（用于SSD和其他基于NAND的存储设备）的开发人员密切合作，以实现对新型内存的适当支持。

  在232层3D TLC NAND节点的其他优势中，美光科技发言人提到了比上一代节点更低的功耗，考虑到美光一直以来对移动应用的关注以及与相关设备制造商的关系，这将是另一个优势。

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