腾讯新闻《一线》肖然

腾讯新闻《一线》获悉，7月27日英特尔宣布了新的制程工艺和封装技术路线图，并称到2024或2025年，将用新的20A制程工艺为高通代工。如果技术演进顺利，意味着英特尔将在高级制程工艺上，与台积电、三星正面竞争。

除高通外，英特尔还宣布与亚马逊合作，为其定制先进的封装技术。

据了解，未来的英特尔产品将不再使用基于纳米的节点命名体系，而是为其制程节点引入了新的命名体系。例如，该公司新的10纳米芯片将被命名为“Intel 7”，而不会像Intel 10nm SuperFin芯片那样，再以10纳米为基础而命名。

英特尔中国研究院院长宋继强对包括《一线》在内的媒体表示，过去业界对先进制程的命名较为混乱，英特尔不再去强调数字与纳米之间的关系。

目前英特尔推出的新命名体系无法与现有命名体系直接对比。后续产品出来，可以通过产品指标和晶体管密度做对比。

此外，英特尔称其有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机，并表示公司正与ASML密切合作，确保在这一行业突破性技术取得成功。

英特尔新任CEO基尔辛格掌权以来，重启IDM 2.0战略，希望重返代工领域。为了追赶台积电和三星等亚洲半导体巨头，英特尔已宣布，正在美国投资200亿美元建设两家新工厂，还将再投资70亿美元将爱尔兰工厂的产能扩大一倍。