近日，新韩投资公司（Shinhan Investment）宣称，三星电子 2017 年在半导体方面的资本支出可能达到 219.5 亿美元（24.5 万亿韩元），比 2016 年支出增长 85.6%。此前三星半导体资本支出最高值出现在 2015 年，当年总共花费 131.7 亿美元。

新韩投资分析师 Choi Do-yeon 表示，在 NAND 型闪存上，三星将投资约 108 亿美元，在非存储类逻辑芯片方面（包含代工业务），投资将达 71.7 亿美元。他说：“这是三星的好机会。可以预见，在领先其他竞争对手进入 3D NAND 量产以后，通过新增投资，三星将在中远期不断扩大市场份额。三星在闪存方面的投资，将主要用在位于平泽市的 Fab 18 工厂二层产线建设及在中国西安的第二座工厂。”

 

三星官方对此消息回应中，并未透露资本支出预算金额。“因为还存在太多变数，所以我们还没有确认今年的投资计划，不过可以确认的是，今年投资一定会比去年多。”

 

第一季度三星电子总资本支出为 88 亿美元，其中半导体资本支出 45 亿美元，显示屏资本支出为 37.3 亿美元。

 

由于存储器价格居高不下，多家分析机构都预测三星在 2017 年第二季度将取代英特尔，成为全球第一大半导体厂商，也将终结英特尔连续 24 年称霸半导体的历史。

 

在三星刚开始进入半导体行业时，三星电子创始人李秉哲曾表示，三星要成为全球第一大半导体厂商，并将在全球半导体行业之巅保持一百年。

 

不过，只有德州仪器，曾经做过 25 年半导体老大。