英特尔(Intel)日前针对消费性电子、工业以及有线通讯等市场的嵌入式应用，发布了StrataFlash嵌入式内存。这种低成本NOR型闪存是英特尔第四代Multi-Level Cell(MLC)产品，适合支持数字相机、家用电子产品、网络路由器与交换器、以及掌上型装置等应用。

Intel StrataFlash嵌入式内存现可提供64Mb至512Mb密度版本，产品预订于2005年第2季问世，并将同步推出免付权利金的Intel闪存软件，协助客户提升数据与档案的管理效率。1Gb密度版本产品将于2005下半年问世。

Intel表示，在新系列产品问世后，嵌入式系统研发业者可根据本身的规格需求选择三种封装版本，所有版本皆提供有铅(Pb)与无铅型(Pb-free)封装。新组件的启动存取时间为85奈秒，总线作业速度则为20奈秒；这些内存还搭配了多种保护功能，而低电压的设计则能创造出更长的电池续航力。

英特尔于1988年开发出的NOR(Not-Or)快闪组件是一种可复写的内存芯片，能在无电力的状态下保存数据，因此适用于嵌入式装置、行动电话以及其它行动装置。英特尔的第四代MulTI-Level Cell技术能在每个内存单元中储存两个bit的信息，因此能在更小的晶粒中容纳更高的密度。