全球硅智财（IP）授权大厂英商安谋（ARM）首款採用晶圆代工龙头台积电10奈米鳍式场效电晶体（FinFET）製程的多核心64位元ARM v8-A处理器测试晶片，已试产成功。模拟基準测试结果显示，相较于目前多用于多款顶尖高阶手机运算晶片的16奈米加强版FinFET（16FF+）製程，此测试晶片展现更佳运算能力与功耗表现。

　　台积电今年资本支出将达90～100亿美元规模，除了用于扩充10奈米产能外，也将加快7奈米及5奈米的研发速度。台积电第1季已开始接受客户10奈米晶片设计定案（tape-out），今年第4季将进入量产。业界人士认为，由台积电10奈米量产进度来看，已大幅拉近与英特尔的技术差距，明年可望成为全球唯一拥有庞大10奈米晶圆代工产能的半导体大厂。

　　根据ARM及台积电合作的此款测试晶片，在去年第四季已完成设计定案，目前则已成功获得验证，为ARM与台积电持续成功合作的重要里程碑。此一验证完备的设计方案包含了电子设计自动化（EDA）工具、设计流程及方法等，能够使新客户採用台积电最先进的10奈米FinFET製程完成设计定案。此外，亦可供系统单晶片（SoC）设计人员利用标準元件库、嵌入式记忆体及标準I/O等基础硅智财，开发最具竞争力的SoC，以达到最高效能、最低功耗、最小面积的目标。

　　ARM执行副总裁Pete Hutton表示，高阶行动应用SoC设计的最高指导塬则就是低功耗，因为现今市场对装置效能的需求日益高涨，台积电16奈米FFLL+製程与ARM Cortex处理器已奠定低功耗的新标準。

　　台积电研究发展副总经理侯永清表示，台积电透过与ARM合作，让製程技术与IP的生态系统上能快速地进展，并加速客户的产品开发周期。双方联手定义处理器技术，持续促进行动通讯市场的发展，最新的努力成果就是结合ARM处理器与台积电10奈米FinFET技术，为各种高阶行动装置及消费性电子产品的终端使用者带来崭新体验。