奥地利的EV集团（EVG）演示了集体管芯对晶圆结合的端到端工艺流程，3D封装的贴片精度低于2μm的集体裸片与晶圆（D2W）相结合。

该工艺使用EVG晶圆键合技术和工艺，以及现有的键合界面材料。EVG的异质集成能力中心证明了这一突破，它代表了加快在下一代2.5D和3D半导体封装中异质集成（HI）部署的关键里程碑。

该中心是一个开放式创新孵化器，可帮助客户加速技术开发，最大程度降低风险并通过高级包装开发差异化的技术和产品。

人工智能，自动驾驶，增强/虚拟现实和5G系统的开发人员都在寻求异构集成（HI），以将具有不同特征尺寸和材料的多个不同组件或管芯的制造，组装和封装到单个设备或封装上，提高新一代设备的性能。

集体D2W键合是重要的HI工艺步骤，可实现功能层和已知良好管芯（KGD）的转移，以支持经济高效地制造新型3D-IC，小芯片以及分段和3D片上系统（SoC）器件。

“ 20多年来，EVG提供了工艺解决方案和专业知识来支持HI的发展，包括D2W接合，我们的技术已成功应用于大批量制造应用中，”企业技术开发和IP总监Markus Wimplinger说。 EV Group。

他说：“我们的异构集成能力中心得到了全球过程技术团队网络的支持，通过为与EVG合作的客户和合作伙伴提供基础来开发新的3D / HI解决方案和产品，增强了我们在这一关键领域的能力。” “其中包括我们新的集体D2W粘结方法，在此方法中，我们展示了使用现有的晶片粘结和解粘，计量和清洁工艺设备以及精选的设备，能够以高的贴装精度和转移率在内部执行所有关键工艺步骤的能力我们开发中的第三方系统伙伴。我们要感谢我们的合作伙伴在实现这一重要成就方面所发挥的作用和提供的支持。特别感谢IRT Nanoelec和CEA-Leti，它们都提供了用于本演示的基板。”

在单个过程中将多个管芯键合到晶圆需要可靠的局部多管芯键合技术以及最新的光学对准精度。这必须为信号输入和输出，功率输入和电压控制以及散热和物理保护提供电气和光子连接，以提高产品的可靠性。

该工艺使用具有对齐功能的定制临时载体将已知的合格芯片（KGD）放置在载体上，并在最终键合工艺之前进行芯片加工。使用直接键合，混合键合，粘合剂键合和金属键合成功地加工了此类带有KGD的载体，使用包括硅和III-V半导体在内的不同衬底材料作为键合伙伴。通过最终传输速率，扫描声显微镜成像和TEM横截面分析验证了该过程的成功。     
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